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等離子體顯示面板的制造方法和等離子體顯示面板的制作方法

文檔序號:2887436閱讀:164來源:國知局
專利名稱:等離子體顯示面板的制造方法和等離子體顯示面板的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及等離子體顯示技術,特別涉及適用于在形成于至少一 塊基板上的電介質層的表面上形成等離子體顯示面板的有效技術。
背景技術
等離子體顯示面板(PDP: Plasma Display Panel)是例如在封入有 稀有氣體等放電氣體的被稱為單元的放電空間內,使其產生氣體放電, 通過此時產生的真空紫外線激發(fā)熒光體,以顯示圖像的顯示面板。
PDP —般是將一對基板以相互相對的狀態(tài)加以固定的構造。在該 基板的至少一塊上形成有電極、覆蓋該電極的電介質層。此外,在電 介質層的表面形成有用于從基于等離子體的電離離子的沖擊(濺射) 中保護電介質層的保護層。
若電子或電離離子沖擊該保護層,則從保護層發(fā)射二次電子。若 提高保護層的二次電子發(fā)射系數,則能夠降低放電開始電壓。即,能 夠降低PDP驅動時的消耗電力。
因此,保護層一般使用二次電子發(fā)射系數比金屬高的MgO (氧化 鎂)。此外,為了進一步降低放電開始電壓,提出有構成保護層的各種 材料。
例如在日本專利特開2007-12436號公報(專利文獻1)中公開有 使用Ca和Sr的復合化合物的(SrCa) O作為保護層的等離子體顯示 面板。
此外,例如在日本專利特開平10-149767號公報(專利文獻2)中 公開有使用SrO作為保護層的等離子體顯示面板。

發(fā)明內容
本發(fā)明的發(fā)明人對能夠降低等離子體顯示的放電開始電壓的技術 進行研究,發(fā)現以下課題。
在保護層中使用的氧化金屬具有容易吸附空氣中的水分的性質。 若氧化金屬吸附水分,則氧化金屬與水反應而潮解或者變質成水氧化 金屬化合物。該水氧化金屬化合物與氧化金屬比較,防濺射特性和二 次電子發(fā)射系數顯著劣化。因此,通過濺射容易破壞保護層的結晶構 造。此外,存在不能降低放電開始電壓的問題。
因此,例如,在上述日本專利特開2007—12436號公報(專利文 獻1)中,提出有在真空中(減壓氣氛中)或者不活潑氣體中密封放電 空間以抑制保護層的吸濕的方法。
但是,根據本發(fā)明的發(fā)明人的研究,判明SrO的吸濕性與MgO相 比也特別高,例如,在lX10"Pa程度的減壓氣氛(高真空氣氛)中, 也吸附氣氛中的微小的水分而潮解,或者變質成作為水氧化金屬化合 物的Sr (OH) 2。此外,在不活潑氣體中進行的情況下,即使不活潑 氣體中僅存在微小(例如lX10'卞a程度)的水分分壓,SrO也潮解或 者變質。
因此,存在難以將該方法適用于PDP的量產線的問題。
此外,在日本專利特開平10—149767號公報(專利文獻2)中。 提出有制造覆蓋保護層的MgO等一次保護膜,在PDP的組裝后使PDP 內部產生等離子體而除去一次保護膜的方法。根據該方法,能夠防止 在PDP的組裝工序中的對保護層的水分的吸附。
但是,根據本發(fā)明的發(fā)明人的研究,判明通過該方法,即使產生 等離子體也有可能殘留一次保護膜的一部分,若一次保護膜的一部分 殘留,則存在放電開始電壓經時變動的可能性。若放電開始電壓變動, 結果損害PDP的可靠性。
這樣,SrO與MgO相比由于二次電子發(fā)射系數高,雖然能夠降低 放電開始電壓,但是由于吸濕性高,存在不能穩(wěn)定地維持低的放電開 始電壓的問題。
本發(fā)明鑒于上述問題而提出,其目的在于提供能夠降低PDP的驅 動時的消耗電力的技術。
在本申請中公開的發(fā)明中,如果簡單地說明代表性的概要,則如
下所述
艮P,本發(fā)明包括以下工序 (a) 準備在第一基板的一方面上形成有多個第一電極且形成有覆
蓋上述第一電極的電介質層的第一構造體、和在第二基板的一方面上
形成有多個第二電極和多個隔壁的第二構造體的工序;
(b) 在上述第一構造體的上述電介質層的表面形成含有SrC03(碳 酸鍶)的保護層的工序;禾口
(c) 組裝上述第一構造體和上述第二構造體的工序, 在上述(c)工序中包括
將在上述保護層中所含有的SrC03的至少一部分變換成SrO (氧 化鍶)的變換工序。
在本申請中公開的發(fā)明中,如果簡單地說明通過代表性的內容得
到的效果,則如下所述。即,能夠降低PDP的驅動時的消耗電力。


圖1是放大表示本發(fā)明的實施方式1的PDP的主要部分的主要部 分放大立體圖。
圖2是表示圖1所示的前面構造體與背面構造體組裝的狀態(tài)的主 要部分放大截面圖。
圖3是表示在本發(fā)明的實施方式1的PDP的制造方法中,預先準 備的前面構造體的構造的主要部分放大立體圖。
圖4是表示在本發(fā)明的實施方式1的PDP的制造方法中,預先準 備的背面構造體的構造的主要部分放大立體圖。
圖5是表示在圖3所示的前面構造體上形成保護層的狀態(tài)的主要 部分放大立體圖。
圖6是表示在本發(fā)明的實施方式1的PDP的制造方法中,組合有 前面構造體和背面構造體的面板構造體的周圍部的構造的主要部分放 大截面圖。
圖7是放大表示本發(fā)明的實施方式3的PDP的主要部分的主要部 分放大截面圖。
圖8是放大表示本發(fā)明的實施方式4的PDP的主要部分的主要部 分放大截面圖。
圖9是表示從顯示面?zhèn)人暤谋景l(fā)明的實施方式5的PDP裝置的
平面圖。
圖10是表示從顯示面的相反側的面(背面)側所視的PDP裝置的
平面圖。
圖11是表示去除圖9所示的PDP裝置的前面框架(外部框體)的 狀態(tài)的平面圖。
圖12是表示去除圖IO所示的PDP裝置的背面蓋(外部框體)的 狀態(tài)的平面圖。
符號說明10:PDP (等離子體顯示面板)
11:前面構造體(第一構造體)
12:背面構造體(第二構造體)
13:前面基板(第一基板)
14:X電極(第一電極)
15:Y電極(第一電極)
17:電介質層
18:保護層
19:背面基板(第二基板)
20:地址電極(第二電極)
22:隔壁
具體實施例方式
在用于說明本實施方式的全部附圖中用同一符號標示具有同一功 能的部分,原則上省略其反復說明。以下根據附圖詳細說明本發(fā)明的 實施方式。
(實施方式1)
<PDP的構造>
首先以交流面放電型的PDP為例,用圖1和圖2對本實施方式1 的PDP的構造進行說明。圖1是放大表示本實施方式1的PDP的主要 部分的主要部分放大立體圖。圖2是表示圖1所示的前面構造體與背 面構造體組裝的狀態(tài)的主要部分放大截面圖。其中,在圖1中為了方 便說明PDP的構造,在使前面構造體與背面構造體以比規(guī)定的間隔進
一步倆開的狀態(tài)下加以表示。
在圖1中,PDP10具有前面構造體(第一構造體)11和背面構造
體(第二構造體)12。前面構造體11與背面構造體12以相互相對的 狀態(tài)組合。
前面構造體11包括PDPIO的顯示面,在顯示面?zhèn)染哂兄饕刹A?構成的前面基板(第一基板)13。在與前面基板13的顯示面相反的一 側的面上形成有用于進行維持放電的多個X電極(第一電極)14和Y 電極(第一電極)15。由于該X電極14和Y電極15形成在PDP10 的顯示面?zhèn)?,所以由透明的電極材料形成。
X電極14和Y電極15以分別沿橫(行)方向延伸的方式形成。 此外,X電極14和Y電極15分別在與延伸方向交叉的縱(列)方向 上以規(guī)定的配置間隔交替地配置。此外,各X電極14、 Y電極15以 相互平行的方式配置。PDP10由一對X電極14和Y電極15構成顯示 的行。
此外,在X電極14和Y電極15上分別形成有總線電極16。為了 降低X電極14和Y電極15的電阻,總線電極16由金屬材料構成。
這些電極組(X電極14、 Y電極15和總線電極16)被電介質層 (第一電介質層)17覆蓋。電介質層17由例如以稱為低熔點玻璃的氧 化鉛等為主成分的材料構成,形成厚度25)nm。
此外,在電介質層17的表面形成有保護層18。保護層18以覆蓋 電介質層17的一個表面的方式形成。關于保護層18的結構在后面進 行詳述。
另一方面,背面構造體12具有主要由玻璃構成的背面基板(第二 基板)19。在背面基板19上形成有多個地址電極(第二電極)20。各 地址電極20以在與X電極14和Y電極15延伸的方向交叉(大致直 角)的縱(列)方向上延伸的方式形成。此外,各地址電極20以相互 平行的方式隔著規(guī)定的配置間隔而配置。
地址電極20被電介質層(第二電介質層)21覆蓋。在電介質層 21上形成有在背面構造體12的厚度方向上延伸的多個隔壁22。隔壁 22以沿地址電極20延伸的方向呈線狀延伸的方式形成。此外,隔壁 22的平面上的位置配置在相鄰的地址電極20之間。通過將隔壁22配
置在相鄰的地址電極20之間,對應于各地址電極的位置,形成將電介 質層21的表面劃分為列方向的空間。
此外,在地址電極20上的電介質層21上面和隔壁22的側面涂布 有熒光體23,該熒光體23通過紫外線激發(fā)產生紅(R)、綠(G)、藍 (B)的各色的可視光。
PDP10對應于一對X電極14和Y電極15與地址電極20的交叉 而構成一個單元。此外,通過R、 G、 B各單元的設置構成像素(pkel)。
接著,如圖2所示,前面構造體11與背面構造體12以形成有保 護層18的面與形成有隔壁22的面相對的狀態(tài)加以固定。保護層18與 隔壁22以至少一部分接觸的狀態(tài)固定。
通過在使保護層18與隔壁22以接觸的狀態(tài)加以固定,形成由保 護層18和隔壁22劃分的放電空間24,放電空間24的背面構造體12 側的面(底面和兩側面)為涂布有熒光體23的狀態(tài)。在該放電空間24 中,以規(guī)定的壓力填充有被稱為放電氣體的氣體(例如Ne和Xe的混 合氣體)。
PDP10為,使每個放電空間24內的單元產生放電,通過由放電產 生的真空紫外線激發(fā)R、 G、 B的各熒光體23而發(fā)光的構造。
在此,PDP10所具有的保護層18具有兩個作用。
第一,從放電時的電離離子的沖擊(濺射)中對電介質層17加以 保護的功能。電介質層17中使用例如以氧化鉛為主成分的被稱為低熔 點玻璃的材料,若電介質層17被濺射,則氧化鉛還原為金屬鉛,導致 放電電壓上升。因此,保護層18以覆蓋電介質層17的方式形成,使 電介質層17相對放電空間24不露出。
此外,若保護層18自身的防濺射性低,則存在由于濺射導致保護 層18衰變而露出電介質層17的一部分的情況。因此,通過提高保護 層18的防濺射性,能夠提高PDPIO的產品壽命。
第二,通過從保護層18發(fā)射二次電子而降低放電開始電壓的功能。 離子沖擊保護層18則發(fā)射二次電子,該發(fā)射的二次電子進一步與離子 等發(fā)生沖擊,發(fā)射二次電子。在保護層18的二次電子發(fā)射系數高(容 易發(fā)射二次電子)的情況下,因為這種二次電子發(fā)射的連鎖在放電空 間24內的多個地方發(fā)生,所以能夠降低為了放電所必需的電壓即放電
開始電壓。
作為具有這種作用的保護層, 一般使用MgO (氧化鎂)。但是本實 施方式1的保護層18主要由SrO (氧化鍶)構成。SrO二次電子發(fā)射 系數比MgO高,能夠降低放電開始電壓。具體而言,與將保護層18 置換成MgO的單一成分的情況相比,能夠將放電開始電壓降低至30V 左右。
在此,保護層18主要由SrO構成,除SrO以外,還包括在PDPIO 的制造方法中引起的SrC03 (碳酸鍶)。保護層18中的SrC03大量包含 在保護層18的與電介質層17的接觸面?zhèn)?。另一方面,在保護層18的 與放電空間24相接的面?zhèn)炔话琒rC03,由SrO構成。保護層18采 用這種構造的理由將在說明PDP10的制造方法時進行詳述。
此外,在保護層中包含Sr元素的情況下,存在在以MgO為主成 分的保護層中包含Sr元素作為添加物的情況,但是本實施方式1的保 護層18以SrO和SrC03為主成分構成。在此保護層18的主成分是指 在保護層18所包含的金屬成分中以最多比例包含的金屬成分。在本實 施方式1中,保護層18的主成分為Sr元素。
但是,PDPIO,根據要求性能和驅動方式等存在各種構造,本實施 方式1的PDP10不限定于圖1和圖2所示的構造。例如,在圖1中, 對通過線狀(縱方向)延伸的隔壁22劃分放電空間的例子進行了說明。
但是,在提高亮度等目的下,還存在以格子狀配置的隔壁劃分該 放電空間的情況。本實施方式1的PDPIO能夠采用這種結構。
<PDP的制造方法>
接著,使用圖3 圖6說明本實施方式1的PDP10的制造方法。 圖3是表示在本實施方式1的PDP的制造方法中,預先準備的前面構 造體的構造的主要部分放大立體圖。圖4是表示在本實施方式1的PDP 的制造方法中,預先準備的背面構造體的構造的主要部分放大立體圖。
圖5是表示在圖3所示的前面構造體上形成保護層的狀態(tài)的主要 部分放大立體圖。圖6是表示在本實施方式1的PDP的制造方法中, 組合有前面構造體和背面構造體的面板構造體的周圍部的構造的主要 部分放大截面圖。
(a)首先,準備圖3所示的前面構造體(第一構造體)11。例如
如以下所示預先制造圖3所示的前面構造體11。
首先,準備前面基板13,在一方面上以規(guī)定的圖案形成X電極14 和Y電極15。此外,在X電極14、 Y電極15上分別形成總線電極16。 接著在前面基板13上以覆蓋X電極14、 Y電極15和總線電極16的 方式形成電介質層17。在這個階段,前面構造體11上未形成圖1所示 的保護層18。
此外,準備圖4所示的背面構造體(第二構造體)12。例如如以 下所示預先制造圖4所示的背面構造體12。
首先,準備背面基板19,在一方面上以規(guī)定的圖案形成地址電極 20。接著在背面基板19的表面上以覆蓋地址電極20的方式形成電介 質層21。接著在電介質層21的表面上形成規(guī)定放電空間的隔壁22。 隔壁22以沿著地址電極20延伸的方式形成。
其中,背面構造體12不是必須在這個階段準備,在后述的(c) 的組裝工序之前準備好即可。
(b)接著,作為保護層形成工序,在前面構造體11的電介質層 17的表面上形成圖5所示的保護層(暫時保護層)25。保護層25由 SrCCb構成,能夠通過例如蒸鍍法形成。在本實施方式1中,作為目標, 通過使用SrC03源的電子束的真空蒸鍍法,在電介質層17的表面上制 作膜厚l)im的保護層25。
在此,圖l所示的保護層18主要由金屬氧化物的SrO構成。由于 金屬氧化物具有容易吸附氣氛中的水分等的性質,所以如果在該階段 在電介質層17的表面進行金屬氧化物制膜,在本工序以后的工序中存 在金屬氧化物的表面與水分等反應而變質的可能性。
特別是SrO比同為金屬氧化物的MgO的吸濕性高,即使將本工序 以后的工序在例如lX10"Pa程度的減壓氣氛(高真空氣氛)中進行, 也會吸附氣氛中僅有的水分。
但是,在本實施方式1的保護層25中所使用的SrC03與SrO比較 (與MgO比較也一樣),在大氣中的穩(wěn)定性高。艮口,難以吸附氣氛中 的水分,而且難以反應。
因此,例如,即使將本工序以后的工序(至后述的變換工序為止 的工序)在大氣氣氛中進行,也能夠抑制并防止保護層25的變質。此
外,在真空(減壓)氣氛中進行本工序以后的工序的情況下,能夠更 確實地防止保護層25的變質。
(c)接著,組裝如圖1所示的PDPIO。圖4所示的背面構造體12 和圖5所示的前面構造體11的組裝如以下進行。
(cl)首先,作為定位工序,如圖6所示,以前面構造體ll的形 成有保護層25的面與背面構造體12的形成有隔壁22的面相對的狀態(tài) 進行定位。在定位工序中,進行調整,使得前面構造體11的X電極 14 (參照圖5)、 Y電極15 (參照圖5)與背面構造體12的地址電極 20為規(guī)定的位置關系。
當在真空(減壓)氣氛中進行本定位工序的情況下,由于作業(yè)變 復雜所以需要定位時間。但是,根據本實施方式l,能夠在大氣氣氛中 進行定位工序,所以能夠縮短定位所需的時間,提高制造效率。此外, 因為不需要真空腔室,能夠使制造裝置小型化。
(c2)接著,作為密封工序對前面構造體11和背面構造體12的 周圍部進行密封。在密封工序中,先在前面構造體11或背面構造體12 的一個的周圍部涂布低熔點玻璃等粘接件26(優(yōu)選粘接件26的涂布在 定位工序之前進行),通過對粘接件26進行加熱而將前面構造體11和 背面構造體12密封。
當密封后進行冷卻時,粘接件26硬化而使前面構造體11和背面 構造體12以規(guī)定的位置關系固定。在本實施方式1中,作為密封工序, 以450'C的加熱溫度保持10分鐘。
當該密封工序結束時,前面構造體11和背面構造體12的周圍部 被密封,成為一體構造的面板構造體27。但是,在用粘接件26密封的 區(qū)域的內側,至少在一個地方以上形成有貫通前面構造體11或背面構 造體12的孔部28(圖6中表示孔部28形成在前面構造體11上的例子)。
此外,在該孔部28進行定位,而固定有玻璃管等芯(chip)管(通 氣單元)29。在密封工序結束的階段,芯管29為開口狀態(tài)。放電空間 24并不是完全與面板構造體27的外部阻斷,而是通過該芯管29能夠 與面板構造體27的外部進行通氣(來自外部的氣體的吸氣,或向外部 的氣體的排氣)的狀態(tài)。
(c3)接著,作為變換工序將構成保護層25的SrC03變換為SrO。SrC03具有在強熱下分解為SrO和(302的特性。在本實施方式1中利 用SrC03的該特性,在450。C下保持5分鐘。詳細而言,將上述密封工 序中的保持時間10分鐘進一步延長5分鐘。
在該變換工序中,保護層25的SrCCb至少一部分變換成SrO。特 別是在保護層25的表面(保護層25的與放電空間24接觸的面)偵U, 全部的SrC03被變換成SrO。另一方面,在保護層25的與電介質層17 的接觸面?zhèn)龋?一部分的SrC03以未變換成SrO的狀態(tài)殘留。即,在變 換工序中能夠將圖6所示的保護層25變換成以圖1和圖2說明過的保 護層18。
在該變換工序中,在SrCCb分解成SrO時產生C02。該002通過 與芯管29連接的通氣通路(圖示省略)排氣到面板構造體27的外部。
在此,作為本實施方式1的變換工序的變形例,能夠使用以下方 法。在上述密封工序后,在保護層25被加熱后的狀態(tài)(例如保持在 45(TC的狀態(tài))將02(氧)氣體導入放電空間24內。在02氣體導入后, 暫時阻斷與芯管29連接的通氣通路,例如保持5分鐘。在向SrO的變 換工序結束后,02氣體與C02—起通過與芯管29連接的通氣通路排氣 到面板構造體27的外部。
通過導入02氣體,促進構成保護層25的SrC03的氧化,能夠更 有效地變換成SrO。本發(fā)明的發(fā)明人所研究的結果,判明在導入02氣 體的情況下,與僅將保持時間延長5分鐘的情況相比,殘留的SrC03 的比例更少。詳細而言,在導入02氣體的情況下,保護層25的與電 介質層17的接觸面?zhèn)任⑷醯貧埩鬝rC03,保護層25的大致全體被變換 成SrO。
通過將保護層25的大致全體變換成SrO,能夠使層內的結晶構造 為強固的構造。即,能夠提高保護層18 (參照圖1)的防濺射性,因 此能夠延長PDPIO (參照圖1)的產品壽命。
但是,雖然對保護層25的一部分殘留Si€03的實施方式進行了說 明,但根據本實施方式l,通過進一步延長保護層25被加熱后的狀態(tài) 所保持的時間,能夠將SrC03完全變換成SrO。在這種情況下的特征 在于在變換工序后的保護層18 (參照圖1)中,構成保護層18的SrO 是從SrC03變換后SrO。
但是,如果保護層25在與電介質層17的接觸面?zhèn)任⑷醯貧埩?SrC03的程度,則從產品壽命或放電開始電壓降低的觀點出發(fā),在實際 上沒有特別問題。因此,為了削減變換工序所需時間,提高制造效率, 優(yōu)選在殘留SrC03的一部分的狀態(tài)下結束變換工序。
(c4)接著,作為放電氣體導入工序,通過與芯管29連接的通氣 通路,將規(guī)定的放電氣體導入放電空間24內。在導入放電氣體之前, 預先對放電空間24內的殘留氣體進行排氣。
在本實施方式l中,作為排氣單元,在使用真空泵對放電空間24 內的殘留氣體進行排氣以后,使用送氣泵以500torr (約67kPa)導入 Ne和Xe的混合氣體(分壓比85:15)。
(c5)最后在密封工序中將芯管29的開口部封住并切斷,完成圖 1和圖2所示的PDP10。
<PDP10的放電開始電壓的評價>
接著,對進行圖1和圖2所示的PDP10的放電開始電壓的評價的 結果進行說明。在本評價中,為了確認PDPIO的放電開始電壓的降低 效果,作為比較例準備有三種PDP。此外,放電開始電壓的評價方法 是向各PDP供給電壓,將為了點亮PDP所需的電壓作為放電開始電壓 進行評價。此外,為了確認PDP的耐久性,在通過60kHz連續(xù)點亮504 小時(三周時間)后暫時停止電壓的供給,測定出為了再次點亮所需 的電壓(以下記作再點亮開始電壓)。
作為第一比較例,準備好將圖1所示的保護層18置換為MgO的 PDP。第一比較例與本實施方式1的PDP10的不同點在于形成有MgO 的單一成分的膜作為保護層。因此在第一比較例中,不進行在本實施 方式1說明過的(c3)變換工序。此外,在1X10——卞a的減壓氣氛下進 行從(b)保護層形成工序到(c5)密封工序。
第一比較例的初始的放電開始電壓為210V。此外,再點亮開始電 壓也為210V。
此外,作為第二比較例,準備好與PDPIO的制造方法不同的PDP。 第二比較例與本實施方式1的PDP10的不同點在于在(b)保護層形成 工序中形成有SrO的單一成分的膜。因此在第二比較例中,不進行在 本實施方式1說明過的(c3)變換工序。此外,在1X10—卞a的高真空
(減壓)氣氛下進行從(b)保護層形成工序到(c5)密封工序。 第二比較例的初始的放電開始電壓為180V。但是,再點亮開始電 壓上升至200V。當確認第二比較例的保護層的狀態(tài)時,保護層的一部 分(特別是表面)的結晶結構為崩潰狀態(tài)。由該結果判斷若在(b)保 護層形成工序中形成SrO的單一成分的膜,則即使在lXl(T4Pa的高 真空(減壓)氣氛下進行至以后(c5)的密封工序,SrO的表面也變質。 此外,作為第三比較例,準備好與PDP10的制造方法不同的PDP。 第三比較例與本實施方式1的PDP10的不同點在于在(b)保護層形成 工序中形成SrO的單一成分的膜以后,接著在保護層表面上連續(xù)形成 0.05Mm的MgO的臨時保護膜,再在(c5)密封工序后去除。因此在 第三比較例中,進行使放電空間內產生等離子體而去除臨時保護膜的 工序,代替在本實施方式1說明過的(c3)變換工序。此外,在1X10 "Pa的高真空(減壓)氣氛下進行從(b)保護層形成工序到(c5)密 封工序。
第三比較例的初始的放電開始電壓為180V。此外,再點亮開始電 壓也為180V。但是,在第三比較例為熄滅狀態(tài)下,在室溫放置一個月 時間以后,再次對放電幵始電壓進行評價時放電開始電壓上升至200V。
當確認第三比較例的保護層的狀態(tài)時,保護層的一部分(特別是 表面)附著有去除MgO的臨時保護膜時的殘留物。由該結果判斷難以 完全去除臨時保護膜,若在保護層周邊留下殘留物,由于該殘留物的 影響導致放電開始電壓經時變動。
接著,本實施方式1的PDP10的初始的放電幵始電壓為180V。此 外,再點亮開始電壓也為180V。而且,在與第三比較例的情況相同地 在熄滅狀態(tài)下,在室溫放置一個月時間以后,再次對放電開始電壓進 行了評價,但是放電開始電壓在180V沒有變動。
艮卩,PDP10能夠比第一比較例降低30V (大約14%)放電開始電 壓。因此,PDP10與第一比較例相比能夠削減驅動時的消耗電力。
此外,PDP10不會像第二比較例和第三比較例那樣放電開始電壓 經時變動。S卩,能夠穩(wěn)定地降低放電開始電壓。
<本實施方式1的變形例>
作為本實施方式1的變形例,也能夠是在圖1所示的保護層1S中
含有元素Ca (鈣)的構造。在這種情況下,Ca含有在保護層18中的 CaO (氧化鈣)或作為復合體的(SrCa) O中。
通過這樣在保護層18中含有元素Ca,能夠進一步提高保護層18 的防濺射性,從而能夠進一步提高PDP10的產品壽命。
在保護層18中含有元素Ca的方法例如能夠通過以下方法實現。 在上述(b)保護層形成工序中,在形成保護層25時如果為真空蒸鍍 法則使用SrC03和CaC03的復合物源作為目標。通過使用該復合物, 能使得保護層25中含有SrC03和CaC03。
以后的工序能夠利用與PDPIO同樣的工序。即,在(e3)變換工 序中能夠將含有SrC03和CaC03的保護層25變換成含有SrO、 CaO或 (SrCa) O的保護層18。 (實施方式2)
在本實施方式2中,對通過與上述實施方式1不同的方法將SrC03 變換成SrO的方法進行說明。其中,本實施方式2與上述實施方式1 的不同點僅僅在于(c3)變換工序,PDP10的構造與上述實施方式1 相同。因此,在本實施方式2中適當引用圖1 圖6進行說明。此外, 因為在上述實施方式1說明過的(c3)變換工序以外的工序也能夠適 用于本實施方式2,所以變換工序以外的工序省略說明。
在本實施方式2中在(c3)變換工序將圖6所示的保護層25中包 含的SrC03通過以下方法變換成SrO。
在(c3)密封工序結束以后,將包括保護層25的面板構造體27 冷卻至室溫(例如25'C)。
接著,在對放電空間24內的殘留氣體進行排氣以后,通過與芯管 29連接的通氣通路導入02氣體。在本實施方式2中,以ltorr (大約 133Pa)的壓力導入分壓100%的02氣體,并暫時阻斷與芯管29連接 的通氣通路。
接著,在放電空間24內封入有02氣體的狀態(tài)下,向X電極14(參 照圖5)、 Y電極15 (參照圖5)的各電極端子間供給規(guī)定的電壓使產 生放電,在產生放電的狀態(tài)保持規(guī)定時間。在本實施方式2中,向電 極端子間供給230V (60kHz)的電壓,將放電狀態(tài)保持5分鐘。
在本實施方式2中,保護層25中包含的SrC03通過在氧氣氛下暴
露在放電中而變換成氧基氧化后的SrO。
如果觀察該變換工序結束后的保護層25,與在上述實施方式l中 在對保護層25進行加熱后的狀態(tài)下導入02氣體的情況相同,在保護 層25的與電介質層17的接觸面?zhèn)葰埩鬝rC03,保護層25的大致全體 變換成SrO。
艮口,根據本實施方式2,與僅僅對保護層25進行加熱、保持的情 況相比較,能夠使層內的結晶構造成為強固的構造。因此,能夠提高 保護層18 (參照圖l)的防濺射性,從而能夠延長PDPIO (參照圖l) 的產品壽命。
根據本實施方式2,與上述實施方式1的情況比較,因為能夠縮短 在對保護層25進行加熱后的狀態(tài)下的保持時間,所以在上述實施方式 1中說明過的效果上,還能夠削減PDPIO的制造所需能量。此外,因
為在室溫環(huán)境下導入02氣體,能夠簡化制造設備。
但是,在上述實施方式l中,對通過進一步延長在對保護層25進 行加熱后的狀態(tài)下的保持時間,能夠將SrC03完全變換成SrO進行了 說明,在本實施方式2中通過延長保持放電狀態(tài)的時間,當然也能夠 將SrC03完全變換成SrO。
對通過本實施方式2的制造方法得到的PDP10進行放電開始電壓 的評價時,初始的放電開始電壓為180V。此外,再點亮開始電壓也為 180V。此外,在與上述實施方式1中說明過的第三比較例的情況相同 的熄滅狀態(tài)下,室溫放置一個月時間以后,再次對放電開始電壓進行 了評價,放電開始電壓在180V沒有變動。
艮P,判斷出通過本實施方式2的制造方法也能夠得到在上述實施 方式1中說明過的PDPIO (參照圖1和圖2)。 (實施方式3)
在本實施方式3中,對通過與上述實施方式1或實施方式2不同 的方法將SrC03變換成SrO的方法進行說明。其中,本實施方式3的 PDP40與上述實施方式1的PDP10的構造上的不同點僅僅在于保護層 的構造,制造工序上的不同點僅僅在于(c3)變換工序。
因此,在本實施方式3中僅表示與在上述實施方式1中說明過的 圖2對應的PDP40的放大截面圖,其他適當引用圖1 圖6進行說明。此外,因為在上述實施方式1說明過的(C3)變換工序以外的工序也
能夠適用于本實施方式3,所以變換工序以外的工序省略說明。
圖7是表示本實施方式3的PDP40的構造的主要部分放大截面圖。 在圖7中,本實施方式3的PDP40所具有的保護層41為疊層有由 SrC03構成的第一保護層42和由SrO構成的第二保護層43的構造。 在保護層41中,配置在與電介質層17相接的面?zhèn)鹊牡谝槐Wo層42由 SrC03構成,配置在與放電空間24相接的面?zhèn)鹊牡诙Wo層43由SrO 構成。
在圖7中,為了明確與上述實施方式l中說明過的PDP10的不同 點,將保護層41的厚度加厚記載,但是,保護層41的厚度與在上述 實施方式1中說明過的保護層18 (參照圖2)相等,例如為lnm。
第一保護層42的厚度為例如0.7 0.8pm。此外,第二保護層43 的厚度比第一保護層42薄,例如為0.2 0.3pm。但是,第一保護層42 與第二保護層43的邊界并沒有明確規(guī)定,在邊界區(qū)域為SrC03和SrO 混合存在的狀態(tài)。
關于PDP40的保護層41為上述這種疊層構造的理由,通過一下的 PDP40的制造工序進行說明。
在本實施方式3中,通過以下方法在(c3)變換工序中將圖6所 示的保護層25中包含的SrC03變換成SrO。
在(c3)密封工序結束以后,將包括保護層25的面板構造體27 冷卻至室溫(例如25X:)。
接著,在對放電空間24內的殘留氣體進行排氣以后,通過與芯管 29連接的通氣通路導入含有03 (臭氧)的氧氣(02和03的混合氣體)。 氧氣中含有的03的分壓可以比02的分壓少。這是因為即使03的量極 其多,氧化的效果也不會發(fā)生大的改變。在本實施方式3中,以500torr (大約67kPa)的壓力導入分壓比為99: 1的含有02和03的氧氣,并 暫時阻斷與芯管29連接的通氣通路。
接著,在放電空間24內封入有含有03的氧氣的狀態(tài)下保持規(guī)定 時間。在本實施方式3中,保持5分鐘。
在本實施方式3中,保護層25中包含的SrC03通過暴露于含有 03的氧氣氣氛中被氧化變換成SrO。但是,因為該氧化在室溫環(huán)境下進行,所以在為5分鐘的保持時
間中,保護層25未被全部氧化,暴露于含有03的氧氣的部分,即與 放電空間24相接的面?zhèn)缺蛔儞Q成SrO。因此,本實施方式3的PDP40 如圖7所示為疊層有由SrC03構成的第一保護層42和由SrO構成的第 二保護層43的構造。
對通過本實施方式3的制造方法得到的PDP40進行放電開始電壓 的評價時,初始的放電開始電壓為180V。此外,再點亮開始電壓也為 180V。此外,在與上述實施方式1中說明過的第三比較例的情況相同 的熄滅狀態(tài)下,室溫放置一個月時間以后,再次對放電開始電壓進行 了評價,放電開始電壓在180V沒有變動。
艮P,判斷出通過本實施方式3的制造方法得到的PDP40也能夠得 到與在上述實施方式1中說明過的PDP10 (參照圖1和圖2)相同程度 的放電開始電壓的降低效果。
此外,根據本實施方式3,與上述實施方式1的情況比較,因為能 夠縮短在對保護層25進行加熱后的狀態(tài)下的保持時間,所以PDP40 能夠比PDP10削減制造能量成本。此外,因為在室溫環(huán)境下進行變換 工序,能夠簡化制造設備。
但是,因為PDP40與PDP10比較,SrC03的殘留量相對較多,所 以可認為PDP10的產品壽命比PDP40長。 (實施方式4)
在本實施方式4中,對由SrC03構成保護層的PDP進行說明。其 中,本實施方式4的PDP50與上述實施方式1的PDPIO的構造上的不 同點僅僅在于構成保護層的材料,制造工序上的不同點在于不進行 (c3)變換工序。
因此,在本實施方式4中僅表示與在上述實施方式1中說明過的 圖2對應的PDP50的放大截面圖,其他適當引用圖1 圖6進行說明。 此外,因為在上述實施方式1說明過的(c3)變換工序以外的工序也 能夠適用于本實施方式4,所以變換工序以外的工序省略說明。
圖8是表示本實施方式4的PDP50的構造的主要部分放大截面圖。 在圖8中,本實施方式4的PDP50所具有的保護層51由SrC03 構成。即,保護層51由SrC03的單一成分而制膜。
SKX)3如果與SrO比較,二次電子發(fā)射系數低,但是如果與MgO 比較則二次電子發(fā)射系數高。對PDP50進行放電開始電壓的評價時, 初始的放電開始電壓為200V。此外,再點亮開始電壓也為200V。此 外,在與上述實施方式1中說明過的第三比較例的情況相同的熄滅狀 態(tài)下,室溫放置一個月時間以后,再次對放電開始電壓進行了評價, 放電開始電壓在200V沒有變動。
艮P。本實施方式4的PDP50能夠比在上述第一實施方式中說明過 的第一比較例降低10V (大約5%)放電開始電壓。因此,PDP50與第 一比較例相比能夠削減驅動時的消耗電力
此外,PDP50不會像上述實施方式1中說明過的第二比較例和第 三比較例那樣放電開始電壓經時變化。即,能夠穩(wěn)定地降低放電開始 電壓。
本實施方式4的PDP50能夠省略在上述實施方式1中說明過的 (c3)變換工序進行制造。即,能夠比在上述實施方式1中說明過的 PDP10縮短工序,所以能夠提高制造效率。 (實施方式5)
在本實施方式5中,對將所述實施方式1 4中說明過的PDPIO、 40、 50組裝在等離子體顯示組件(以下記作PDP組件)或者等離子體 顯示裝置(以下記作PDP裝置)中的結構例進行說明。
其中,在本實施方式5中表示的是組裝有PDPIO、 40、 50的PDP 組件100和PDP裝置200的一個例子,上述實施方式1 4中說明過的 PDP10、 40、 50以外的構造不受其限定。
在本實施方式5中,PDP組件是指包括PDP、配置在PDP的顯示 面的相反側并且支撐PDP的底板(base chassis)和配置在底板的背面 (與PDP相對的面的相反側的面)側并且驅動、控制PDP組件的各種 電路基板的組件。此外,PDP裝置是指通過外部框體蓋住PDP組件, 并將其固定在例如臺(stand)等支撐構造物上的顯示裝置。
圖9是表示從顯示面?zhèn)人暤谋緦嵤┓绞?的PDP裝置200的平 面圖。圖10是表示從背面?zhèn)人暤膱D9所示的PDP裝置200的平面圖。 圖11是表示去除圖9所示的PDP裝置200的前面框架1的狀態(tài)的平面 圖。
在圖9和圖10中,本實施方式5的PDP裝置200包括PDP組件 100。此外,PDP裝置200包括由收納該PDP組件100的前面框架1 和背面蓋2構成的外部框體3。
此外PDP裝置200包括作為外部支撐構造物的臺(外部支撐構造 物)4, PDP組件100為支承在該臺4上的結構。
此外,如圖11所示,在PDP組件100的顯示面?zhèn)?,固定有上述?施方式1 4中說明過的PDPIO、 40、 50中的任一個。PDPIO、 40、 50 以前面構造體11配置在顯示面?zhèn)鹊姆绞焦潭ā?br> 此外,構成PDPIO、 40、 50的前面構造體11和背面構造體12的 外緣邊的長度不同,以相互露出一部分的狀態(tài)重疊。此外,在前面構 造體11和背面構造體12相對重疊的區(qū)域的角部,在能夠封住開口部 的狀態(tài)下,配置有在上述實施方式1中說明過的芯管29。
此外,PDP10、40、50的背面構造體12側固定于底板60。將PDPIO、 40、 50固定于底板60的固定方法,例如,通過雙面膠等粘接層強固粘 接。
接著,使用圖12,對PDP組件的背面?zhèn)鹊臉嬙爝M行說明。圖12 是表示去除圖10所示的PDP裝置200的背面蓋2的狀態(tài)的平面圖。
在圖12中,在該底板60上固定有多個安裝部件63,該安裝部件 63用于將底板60固定于作為外部支撐構造物的臺4。
通過將與底板60固定的安裝部件63固定在臺4上,從而對PDP 組件IOO進行支撐。
在臺4上固定安裝部件63的方法,適當選擇為了支撐作為重量物 的PDP組件IOO而能夠強固固定的固定方法,例如能夠在臺4和安裝 部件63的一部分上形成貫通孔,用螺栓5和螺母(圖示省略)等加以 固定。
接著,對用于驅動、控制PDP組件100的電路進行說明。如圖12 所示,PDP組件100包括多個電路基板61。各電路基板61通過例如螺 釘等固定于底板60。
作為PDP組件100的電路,包括用于向PDPIO、 40、 50的X 電極14 (參照圖1)施加電壓的X驅動電路、用于向Y電極15 (參照 圖1)施加電壓的Y驅動電路、用于向地址電極20 (參照圖1)施加
電壓的地址驅動電路(地址中繼電路)和地址驅動組件(ADM) 62、 向各部進行電源供給的電源電路、和控制包括各部的整體的控制電路。 在PDP組件100中這些電路形成在多個電路基板61上。能夠根據 PDP組件的布置和驅動方式適當變更將這些各種基板形成在哪一個電 路基板上。
此外,在本實施方式5中,PDP組件100包括8個ADM62,分別 一個端部與地址驅動電路電連接。ADM62如圖12所示,圍著底板60 的緣部的外側,在PDPIO、 40、 50 (參照圖11)側伸出,ADM62的 另一個端部與圖l所示的地址電極20的端子部電連接。
在本實施方式5中,地址驅動電路和ADM62配置在PDP組件100 的下邊部,但是也能夠是根據驅動方式等配置在上下邊部的兩方的結 構。
此外,其他的電路基板61也通過配線7與PDPIO、 40、 50的端子 部連接。在該配線7上能夠使用ADM62這種撓性(flexible)基板、 可自由變形的稱為扁平電纜的帶狀的配線等。此外,各電路基板61也 通過配線7分別電連接。
通過將在上述實施方式1 4中說明過的PDPIO、 40、 50組裝在本 實施方式5中說明過的PDP組件100或者PDP裝置200中,能夠得到 能夠降低驅動時的消耗電力的PDP組件100或者PDP裝置200。
以上根據實施方式具體地說明了由本發(fā)明的發(fā)明人完成的發(fā)明, 但是本發(fā)明不限定于上述發(fā)明的實施方式,只要在不脫離其主題的范 圍內能夠有各種變更。
例如,作為實施方式l的變形例,對保護層中含有元素Ca的構造 進行了說明,但是也能夠適用于在實施方式2中說明過的PDP10或者 在實施方式3中說明過的PDP40。
在這種情況下,提高保護層的防濺射性也是不言而喻的。
雖然在此對本發(fā)明表示和描述了多種實施方式,但是必須知道只 要不脫離本發(fā)明的范圍則能夠進行各種變更和修改。因此,并不限定 于此處詳細的表示和描述,而是包括在本權利要求的范圍內作出的各 種變更和修改。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板的制造方法,其特征在于,包括(a)準備在第一基板的一方面上形成有多個第一電極并形成有覆蓋所述第一電極的電介質層的第一構造體,和在第二基板的一方面上形成有多個第二電極和多個隔壁的第二構造體的工序;(b)在所述第一構造體的所述電介質層的表面形成含有SrCO3(碳酸鍶)的保護層的工序;和(c)組裝所述第一構造體和所述第二構造體的工序,在所述(c)工序中包含將在所述保護層中所含有的SrCO3的至少一部分變換成SrO(氧化鍶)的變換工序。
2. 根據權利要求1所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征 在于-在所述(c)工序中包含密封工序,在使形成有所述第一構造體的所述保護層的面與形成 有所述第二構造體的所述多個隔壁的面相對的狀態(tài)下,將所述第一構 造體和所述第二構造體密封,所述變換工序在所述密封工序之后進行。
3. 根據權利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征 在于-通過將所述保護層保持在加熱后狀態(tài)下而進行所述變換工序。
4. 根據權利要求3所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征 在于在所述(c)工序中,對將SrC03的一部分變換成SrO時產生的氣 體進行排氣后,填充規(guī)定的放電氣體。
5. 根據權利要求4所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征 在于 在所述變換工序中,在對所述保護層進行加熱后的狀態(tài)下,向由 所述保護層和所述多個隔壁劃分的放電空間內導入02 (氧)氣體。
6. 根據權利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征在于在所述變換工序中包括 冷卻所述保護層的工序;和在所述進行冷卻的工序之后向由所述保護層和所述多個隔壁劃分 的放電空間內導入02 (氧)氣體的工序,在所述放電空間內,在封入有02氣體的狀態(tài)下使放電產生。
7. 根據權利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征在于-通過向由所述保護層和所述多個隔壁劃分的放電空間內導入含有03 (臭氧)的氧氣而進行所述變換工序。
8. 根據權利要求7所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征 在于所述變換工序,在冷卻所述保護層以后導入所述氧氣。
9. 根據權利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法,其特征在于在由所述(b)工序形成的所述保護層中含有元素Ca (鈣)。
10. —種等離子體顯示面板的制造方法,其特征在于,包括(a) 準備在第一基板的一方面上形成有多個第一電極并形成有覆蓋所述第一電極的電介質層的第一構造體、和在第二基板的一方面上形成有多個第二電極和多個隔壁的第二構造體的工序;(b) 在所述第一構造體的所述電介質層的表面形成由SrC03 (碳 酸鍶)構成的保護層的工序;禾口(c) 組裝所述第一構造體和所述第二構造體的工序。
11. 一種等離子體顯示面板,其特征在于,包括 相互相對配置的第一構造體和第二構造體, 所述第一構造體包括基板;形成在所述基板的一方面上的多個電極; 覆蓋所述多個電極的電介質層;和 形成在所述電介質層的表面的保護層, 在所述保護層中含有SrO (氧化鍶)禾卩SrC03 (碳酸鍶)。
12. 根據權利要求U所述的等離子體顯示面板,其特征在于: 在所述保護層中含有元素Ca (鈣)。
13. —種等離子體顯示面板,其特征在于,包括 相互相對配置的第一構造體和第二構造體, 所述第一構造體包括-基板;形成在所述基板的一方面上的多個電極; 覆蓋所述多個電極的電介質層;和 形成在所述電介質層的表面的保護層, 所述保護層由SrC03 (碳酸鍶)構成。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板的制造方法和等離子體顯示面板。通過以下制造方法制造PDP(10),包括(a)準備在前面基板(第一基板)(13)的一方面上形成有多個X電極(第一電極)(14)、Y電極(第一電極)(15)且形成有覆蓋X電極(14)、Y電極(15)的電介質層(17)的前面構造體(第一構造體)(11)、和在背面基板(第二基板)(19)的一方面上形成有多個地址電極(第二電極)(20)和多個隔壁(22)的背面構造體(第二構造體)(12);(b)在前面構造體(11)的電介質層(17)的表面形成含有SrCO<sub>3</sub>的保護層;(c)組裝構造體(11、12)的工序,(c)工序中包括,將在所述保護層(18)中所含有的SrCO<sub>3</sub>的至少一部分變換成SrO的變換工序。
文檔編號H01J9/02GK101354997SQ20081013333
公開日2009年1月28日 申請日期2008年7月18日 優(yōu)先權日2007年7月24日
發(fā)明者原田秀樹 申請人:株式會社日立制作所
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