專利名稱：：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板及其制造方法，特別是涉及具備MgO構(gòu)成的保護層的等離子體顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(以下稱為PDP)在平面面板顯示器(FPD)中也是能夠高速顯示，而且容易實現(xiàn)大型化，因此廣泛使用于圖像顯示裝置和廣告顯示裝置等領(lǐng)域。圖IO是作為一般的AC型面放電的放電單位的放電單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。該圖IO所示的PDPlx是將前面板2與后面板9貼在一起形成的。前面板2是在面板玻璃3的一個面上配置多對顯示電極對6(—對掃描電極5與維持電極4)，電介質(zhì)層7和保護層8覆蓋著顯示電極6依序疊層構(gòu)成。掃描電極5(維持電極4)由透明電極51(41)以及總線52(42)構(gòu)成。電介質(zhì)層7由軟化點為550t:600'C左右范圍的低熔點玻璃構(gòu)成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。保護層8由氧化鎂(MgO)等構(gòu)成，保護上述電介質(zhì)層7和顯示電極對6免受等離子體放電的離子轟擊，同時起著高效率釋放次級電子，降低放電開始電壓的作用。通常該保護層8用真空蒸鍍法(專利文獻7、8)或印刷方法(專利文獻9)形成。另一方面，后面板9在面板玻璃IO上并排配設(shè)寫入圖像數(shù)據(jù)用的多個數(shù)據(jù)(地址)電極ll，使其與上述前面板2的顯示電極對6在正交方向上交叉。在該數(shù)據(jù)電極11以及面板玻璃10的表面的至少一部分上，將其覆蓋著配設(shè)低熔點玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上與相鄰的放電單元(圖示省略)的邊界上，低熔點玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的隔板(棱)13區(qū)隔放電空間15，組合形成井字形等形狀的圖案部1231、1232。在電介質(zhì)層12的表面與隔板13的側(cè)面上，形成涂布R、G、B各色熒光體墨液后燒結(jié)形成的焚光體層14(焚光體層14R、14G、14B)。前面板2與后面板9是顯示電極對6與數(shù)據(jù)電極11保持一定的間隔相互垂直配置，在其各周邊將內(nèi)部密封。在該密封空間中，以約數(shù)十kPa的壓力封入作為放電氣體的Xe-Ne系或Xe-He系等稀有氣體。如上所迷構(gòu)成PDPlx。在這里，PDP的放電特性在很大的程度上受到保護層的特性的左右。以提高PDP的放電特性為目的的保護層研究正在廣泛展開，最受重視的問題之一是放電延遲。所謂"放電延遲"是指使得驅(qū)動脈沖狹窄地進行高速驅(qū)動時，相對于脈沖上升發(fā)生延遲放電的現(xiàn)象。放電延遲顯著時，放電在所施加的脈沖的寬度內(nèi)結(jié)束的概率低，不能夠在本來應(yīng)該點亮的單元進行寫入等，發(fā)生點燈不良的情況。作為放電延遲的對策的例子，在氧化鎂中添加Fe、Cr、V等的元素，或添加Si、AI，試圖利用該摻雜物改善保護層的放電特性(專利文獻1、2、4、5)。另一方面，也進行如下所述的試驗，即在電介質(zhì)層上直接，或?qū)Ρ∧しㄖ谱鞯难趸V膜，將利用氣相氧化法制作的氧化鎂單晶顆粒的粒子群作為氧化鎂結(jié)晶顆粒層配設(shè)，試圖以此改善保護層表面的放電特性(專利文獻3)。如果采用這種方法，能夠謀求在一定的程度上改善低溫時的放電延遲。專利文獻1:日本特開平8-236028號公報專利文獻2:日本特開平10-334809號公報專利文獻3:日本特開2006-054158號7>報專利文獻4:日本特開2004-134407號公報專利文獻5:日本特開2004-273452號7>報專利文獻6:日本特開2006-147417號公報專利文獻7:日本特開平05-234519號公報專利文獻8:日本特開平08-287833號公報專利文獻9:日本特開平07-296718號公報專利文獻10:日本特開平10-125237號公報非專利文獻l:J.F.Boas，J.Chem.Phys"VoL卯，No.2，807(1988)但是在當前的情況下，上述各技術(shù)也還不能夠有效地解決有關(guān)放電延遲的問題專利文獻3公開了氣相氧化法制作的氧化鎂結(jié)晶顆粒群(粉末)的粒徑越大則電子束激發(fā)發(fā)光(陰極發(fā)光、以下簡稱"CL")的光譜中200nm以上300nm未滿的波長區(qū)域(以下稱該波長區(qū)域為"短波長區(qū)域，，)的峰值越高的情況。另一方面，根據(jù)本申請的發(fā)明人的研究，得到表示在300nm以上550nm未滿的波長區(qū)域(以下將該波長區(qū)域稱為"中波長區(qū)域，，)以及650nm以上900nm未滿的波長區(qū)域(以下將該波長區(qū)域稱為"長波長區(qū)域，，)存在的發(fā)光峰值的大小與PDP的放電延遲、放電延遲的發(fā)生中的溫度依賴性存在相關(guān)的結(jié)果。又，氣相氧化法制作的氧化鎂顆粒群，在未經(jīng)采取其他措施的情況下其粒徑參差不齊的程度比較大，在比較大的結(jié)晶顆粒的周圍存在許多微細顆粒。在混有這樣的微細顆粒時，不容易得到抑制放電延遲的效果，而且有可能使可見光散射，并且有可能大大減小圖像顯示性能所需要的可見光透射面板的透射率。因此除了有必要另行設(shè)置分級工序(專利文獻6)，增加工序的數(shù)目之外，還會浪費氧化鎂材料，不利于降低成本。如上所述，PDP在實用上還不能夠達到兼顧"減小放電延遲，，和"改善放電延遲對溫度的依賴性(特別是低溫區(qū)域的放電延遲)，，兩者。又，這一問題在全功能高清電視等的高精細單元結(jié)構(gòu)中進行高速驅(qū)動的情況下有可能變得特別明顯，需要及早采取對策。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上迷課題而作出的，其目的在于，提供通過改善保護層的放電特性，以便能夠在高精細單元結(jié)構(gòu)中也發(fā)揮出優(yōu)異的圖像顯示特性的PDP及其制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明是一種依次在第1基板上形成電極、電介質(zhì)層、以及保護層，所述第l基板與第2基板對置配置，使所述保護層面對放電空間的等離子體顯示面板，所述保護層在臨近所述放電空間的部分具有包含比例a/b為1.2以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒的結(jié)晶顆粒層，a表示陰極發(fā)光中的650nm以上、卯Onm未滿的波長區(qū)域的光if積分值，b表示300mn以上、550nm未滿的波長區(qū)域的光語積分值。已知在這里上述比例a/b依序適合取2.3以上、7以上、23以上。又，在本發(fā)明中，也可以形成所述氧化鎂結(jié)晶顆粒在陰極發(fā)光的200nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域中，比例a/c為0.9以上的結(jié)構(gòu)，其中，a表示650nm以上、未滿卯Onm的波長區(qū)域的光譜積分值，c表示200nm以上、未滿650nm的波長區(qū)域的光譜積分值。已知在這種情況下所述比例a/c依序適合取1.9以上、4.5以上、9.1以上。而且，本發(fā)明是依次在第一基板上形成電極、電介質(zhì)層、以及保護層，所述第l基板與第2基板對置配置，使所述保護層面對放電空間的等離子體顯示面板，所述保護層在面臨所述放電空間的部分具有包含比例d/e為0.8以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒的結(jié)晶顆粒層，其中，d表示陰極發(fā)光中的650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光譜最大值，e表示300mn以上、未滿550nm的波長區(qū)域的光譜最大值。已知在這種情況下所述比例d/e依序適合取1.7以上、16以上、24以上。還有，作為所述氧化鎂結(jié)晶顆粒，在陰極發(fā)光的200mn以上、未滿卯Onm的波長區(qū)域中，也可以比例d/f為0.8以上，其中，d表示650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光譜最大值，f表示200nm以上、未滿650nm的波長區(qū)域的光i普最大值。已知在這種情況下所述比例d/f依序適合取1.7以上、5以上、12以上。在這里，所述保護層也可以在氧化鎂膜層上層疊所述結(jié)晶顆粒層形成。而且保護層是在氧化鎂膜層的表面配設(shè)結(jié)晶顆粒層，并且將氧化鎂結(jié)晶顆粒部分埋沒形成的。又，所述保護層也可以在電介質(zhì)層表面上直接形成所述結(jié)晶顆粒層構(gòu)成。在具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的PDP中，使用于保護層的氧化鎂結(jié)晶顆粒的特性中，CL測定的中波長區(qū)域的光譜積分值與長波長區(qū)域的該值的比例為1.2以上，實驗表明，對于PDP的放電延遲以及放電延遲對溫度的依賴性表現(xiàn)出良好的抑制效果。因此，本發(fā)明可以期待能夠這樣實現(xiàn)保護層的良好的放電特性(放電延遲、以及放電延遲對溫度的依賴性的改善)，結(jié)果，可以期待能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的PDP的圖像顯示特性。又，已知除了上述比例關(guān)系外，在本發(fā)明中，采用長波長區(qū)域的光譜的最大值與中波長區(qū)域的光謙的最大值之比為0.8以上的結(jié)構(gòu)也能夠得到同樣的效果。而且已知相對于長波長區(qū)域的光譜積分值或光譜最大值，除中波長區(qū)域外，200nm以上卯0nm以下的波長區(qū)域的光譜積分值或光譜最大值作為比較對象的情況下，顯然也能夠得到與積分值以及最大值的比例分別為0.9以上、0.8以上的關(guān)系成立的情況相同的效果。圖l是表示本發(fā)明實施形態(tài)l的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是表示各電極與驅(qū)動器之間的關(guān)系的示意圖。圖3表示PDP的驅(qū)動波形例。圖4表示CL測定中的保護層的特性。圖5是表示放電延遲與CL測定的光譜積分值的比例的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示放電延遲與CL測定的光譜積分值的比例的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示放電延遲與CL測定的光譜最大值的比例的關(guān)系的曲線圖。圖8是表示放電延遲與CL測定的光譜最大值的比例的關(guān)系的曲線圖。圖9表示保護層的另一結(jié)構(gòu)例。圖IO是表示已有的一般的PDP的結(jié)構(gòu)的組圖。圖11是使用高靈敏度型的分光光度測定系統(tǒng)的發(fā)光光譜分析的情況的示意圖。符號說明1、lxPDP2前面板8保護層15放電空間16氧化鎂結(jié)晶顆粒群81氧化鎂膜層82氧化鎂結(jié)晶顆粒層具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施形態(tài)和實施例進行說明，當然本發(fā)明不限于這些形式，在不超出本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)可以適當變更后加以實施。實施形態(tài)1PDP結(jié)構(gòu)例圖1是沿著本發(fā)明實施形態(tài)1的PDP1的xz平面的示意性剖面圖。該PDP除了保護層周邊的結(jié)構(gòu)外，在總體上與已有技術(shù)的結(jié)構(gòu)(圖10)相同。PDP1在這里采用42英寸級的NTSC標準例的AC型，但是本發(fā)明當然也可以使用于XGA、SXGA等其他標準的例子。作為具有HD(高清晰度)以上的分辨率的高精細PDP,可以例示下述規(guī)格。也就是面板尺寸為37、42、50英寸等各種尺寸的情況下，除了可以按照該順序設(shè)定為1024x720(像素數(shù)目)、1024x768(像素數(shù)目)、1366x768(像素數(shù)目)外，還可以包含比該HD面板有更高分辨率的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板，可以包含具備1920x1080H象素數(shù)目)的全高清晰度面板。如圖1所示，PDP1的結(jié)構(gòu)可以分為^f吏主面相互對置配i殳的前面板2和后面板9。作為前面板2的基板的前面板玻璃3上，在其一主面上，形成多對保持規(guī)定的放電間隙(75微米)配設(shè)的成對的顯示電極對6(掃描電極5和維持電極4)。各顯示電極對6是對ITO、ZnO、Sn02等透明導電性材料構(gòu)成的帶狀透明電極51、41(厚度0.1微米、寬度150微米)疊層銀厚膜(厚度2微米~10微米)、Al薄膜(厚度0.1微米~l微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0.1微米~1微米)等構(gòu)成的總線52、42(厚度7微米、寬度95微米)形成的。利用該總線52、42降低透明電極51、41的薄片電阻。在這里，所謂"厚膜，，是指將包含導電性材料的導電膏等加以涂布之后對其進行燒結(jié)形成的、利用各種厚膜法形成的膜。又，所謂"薄膜"是指采用包括濺射法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等的真空工藝的各種薄膜法形成的膜。在配設(shè)顯示電極對6的前面板3上，在其整個主面上，利用網(wǎng)板印刷等方法形成以氧化鉛(PbO)、氧化鉍(Bi203)或氧化磷(P04)為主成分的低熔點玻璃(厚度35微米)電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，是實現(xiàn)比DC型PDP長壽命的主要因素。在電介質(zhì)層7的表面上，配設(shè)保護層8。作為本實施形態(tài)1的特征，該保護層8由濺射法、離子鍍法、蒸鍍法等方法制作的氧化鎂膜層81以及氧化鎂結(jié)晶顆粒層82構(gòu)成，為了在放電時保護電介質(zhì)層7免受離子轟擊，降低放電開始電壓，由耐濺射性和二次電子發(fā)射系數(shù)Y優(yōu)異的材料構(gòu)成。為了說明方便，氧化鎂結(jié)晶粒子層82將氧^f匕鎂結(jié)晶粒子群16表示得比實際大。還要求保護層8在光學上透明而且電氣絕緣性好。在作為后面板9的基板的后面板玻璃IO上，其一個主面上，以x方向為長邊方向，在y方向上以每一定的間隔(360微米)帶狀并排設(shè)置銀厚膜(厚度2微米-10微米)、Al薄膜(厚度0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0.1微米~1微米)等構(gòu)成的寬度100微米的多個數(shù)據(jù)電極ll,在后面板玻璃9的整個面上涂覆厚度30微米的電介質(zhì)層12，將該數(shù)據(jù)電極ll包覆于其中。在電介質(zhì)層12上，還對應(yīng)于相鄰的數(shù)據(jù)電極ll的間隙配設(shè)"井"字形隔板13(高度約IIO微米，寬度40微米)，通過區(qū)隔放電單元起著防止發(fā)生誤放電和光學上的串擾的作用。而且在相鄰的兩個隔板13的側(cè)面與它們之間的電介質(zhì)層19的面上，形成分別對應(yīng)于彩色顯示用的紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的熒光體層14。還有，電介質(zhì)層12并非必須，也可以直接用焚光體層14包覆數(shù)據(jù)電極11。前面板2與后面板9相對配置，以使數(shù)據(jù)電極ll與顯示電極對6各自的長邊方向相互正交，兩面板2、9的外周邊部用玻璃料密封。在該兩面板2、9之間以規(guī)定的壓力封入包含He、Xe、Ne等的惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。隔板13之間是放電空間15,相鄰的一對顯示電極6與一個數(shù)據(jù)電極11夾著放電空間15交叉的區(qū)域與涉及圖像顯示的單元(也稱為子4象素)對應(yīng)。單元間隔在x方向上為675微米，在y方向為300樣t米。與相鄰的RGB各色對應(yīng)的三個單元構(gòu)成1個像素(675微米x900微米)。如圖2所示，在面板外部，掃描電極5、維持電極4、以及數(shù)據(jù)電極ll的各自上，分別連接掃描電極驅(qū)動器lll、維持電極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動器113作為驅(qū)動電路。PDP驅(qū)動例具有上述結(jié)構(gòu)的PDP1利用包含上述各驅(qū)動器111~113的/>知的驅(qū)動電路(未圖示)，在各顯示電極對6的間隙施加數(shù)十kHz數(shù)百kHz的交流電壓，以此在任意放電單元內(nèi)使放電發(fā)生，利用激發(fā)的Xe原子發(fā)射的紫外線激發(fā)熒光體層14，對其驅(qū)動以使其發(fā)射可見光。作為該驅(qū)動方法，有所謂場(field)內(nèi)時分灰度顯示方式。該方式將顯示的場分為多個子場(SF)，再將各子場進一步分割為多個期間。一個子場還分割為如下所述4個期間，即(1)4吏全部顯示單元為初始化狀態(tài)的初始化期間、(2)對各放電單元進行尋址，選擇與輸入數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示狀態(tài)向各放電單元輸入的數(shù)據(jù)寫入期間、(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元進行顯示發(fā)光的維持放電期間、(4)消除由于維持放電而形成的壁電荷的消除期間。各子場中，在初始化期間對整個畫面的壁電荷實施初始化(RESET)之后，在尋址期間進行只使應(yīng)該點亮的放電單元積蓄壁電荷的尋址放電，在其后的放電維持期間，對所有的放電單元一起施加交流電壓(維持電壓)，以此維持放電一定的時間以進行發(fā)光顯示。在這里，圖3是場中的第m子場的驅(qū)動波形的例子。場中的第m子場的驅(qū)動波形如圖3所示，對各子場分別分配初始化期間、尋址期間、放電維持期間、消除期間。所謂初始化期間，是為了防止此前的單元點亮產(chǎn)生的影響(積蓄的壁電荷產(chǎn)生的影響)，而對整個畫面的壁電荷進行消除(初始化放電)的期間。圖3所示的波形例中，在掃描電極5上施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4高的電壓，使單元內(nèi)的氣體發(fā)生放電。借助于此發(fā)生的電荷積蓄在單元的壁面上，抵消數(shù)據(jù)電極ll、掃描電極5以及維持電極4之間的電位差，因此在掃描電極5附近的保護層8的表面上，負電荷作為壁電荷積蓄。又，在數(shù)據(jù)電極ll附近的熒光體層14表面和維持電極4附近的保護層8表面上，積蓄正電荷作為壁電荷。利用該壁電荷，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極ll之間、掃描電極5-維持電極4之間，產(chǎn)生由規(guī)定值的壁電荷形成的電位。尋址期間是根據(jù)分配給子場的圖像信號進行選擇的單元的尋址(點亮/不點亮的設(shè)定)的期間。在該期間，在使單元點亮的情況下，在掃描電極5上施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4低的電壓。也就是說在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11上，與上述壁電位同方向地施加電壓，同時在掃描電極5-維持電極4之間，與壁電荷形成的電位相同方向地施加數(shù)據(jù)脈沖，使寫入放電(尋址放電)發(fā)生。借助于此在熒光體層14表面、維持電極4附近的保護層8表面積蓄負電荷，在掃描電極5附近的保護層8表面積蓄作為壁電荷的正電荷。如上所述，在維持電極4-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的電位。放電維持期間是為了確保與灰度相應(yīng)的輝度，將利用尋址放電設(shè)定的點燈狀態(tài)擴大，進行維持放電的期間。在這里，在存在上述壁電荷的放電單元中，對一對掃描電極5和維持電極4的各個以互不相同的相位施加維持放電電壓脈沖(例如約200V的方波電壓)。借助于此，能夠4吏被寫入顯示狀態(tài)的顯示單元、即放電單元在每次發(fā)生電壓極性變化時發(fā)生脈沖放電。借助于該維持放電，放電空間中的激發(fā)的Xe原子發(fā)射147nm的諧振線，從激發(fā)的Xe分子發(fā)射以173nm為主的分子線。該諧振線-分子線照射于熒光體層14表面，使其發(fā)出可見光構(gòu)成的顯示光線。然后，借助于RGB各色的以子場為單位的組合，實現(xiàn)多色、多灰度顯示。還有，在保護層8中沒有寫入壁電荷的非顯示單元的放電單元中，不發(fā)生維持放電，顯示狀態(tài)為黑顯示。在消除期間，對掃描電極5施加漸減型消除脈沖，以此消除壁電荷。關(guān)于保護層8本實施形態(tài)1的特征在于PDP的保護層8的結(jié)構(gòu)。本實施形態(tài)1的保護層8由設(shè)置于電介質(zhì)層7上的氧化鎂膜層81以及在該氧化鎂膜層81上配設(shè)的氧化鎂結(jié)晶顆粒群16構(gòu)成的氧化鎂結(jié)晶顆粒層82構(gòu)成。氧化鎂膜層81的厚度為0.3微米以上、l微米以下。氧化鎂膜層81具有利用濺射法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等方法制作的薄膜結(jié)構(gòu)。該氧化鎂膜層81在PDP驅(qū)動時起著穩(wěn)定地積蓄充分數(shù)量的壁電荷的作用。另一方面，氧化鎂結(jié)晶顆粒群16是將氧化鎂前體燒結(jié)得到的，通過使具有平均粒徑為300nm~4微米的比較均勻的粒徑分布的氧化鎂結(jié)晶顆粒平面狀凝結(jié)構(gòu)成氧化鎂結(jié)晶顆粒層82。在這里，該氧化鎂結(jié)晶顆粒的平均粒徑根據(jù)SEM圖像中出現(xiàn)的顆粒的粒徑導出。氧化鎂結(jié)晶顆粒層82只要設(shè)置于保護層8中至少面對(exposeto)放電空間的部分即可。還有，氧化鎂結(jié)晶顆粒分布的區(qū)域的面積最好是設(shè)定于保護層8的面對該放電空間的部分(在這里是氧化鎂膜層81)的面積的1%以上30%以下范圍內(nèi)。也就是i兌，氧化4美結(jié)晶顆粒群16沒有必要覆蓋氧化鎂膜層81的全部表面，可以在氧化鎂膜層81上面以島的形狀形成。換句話說，上述結(jié)晶顆粒層82面對放電空間15的面積最好是比保護膜8的面對該放電空間的部分的面積小，關(guān)于這點，具體說明如下。氧化鎂膜層81如上所述，主要具有積蓄、保持壁電荷的功能，在PDP驅(qū)動時，能夠發(fā)揮使顯示電極4、5之間發(fā)生維持放電用的電壓維持功能。而氧化鎂結(jié)晶顆粒群16專門發(fā)揮在驅(qū)動時使電子向放電空間15內(nèi)發(fā)射的功能。在這里，假如在氧化鎂膜層81的整個面上高密度配設(shè)氧化鎂結(jié)晶顆粒群16,則能夠使電子向放電空間15的發(fā)射很活躍，但是有可能發(fā)射過多，超過維持放電所需要的電子量，導致不能夠正常進行維持放電。為了有效避免這樣的問題的發(fā)生，使氧化鎂膜層81的維持放電功能和氧化鎂顆粒群產(chǎn)生的電子發(fā)射功能同時得到維持，形成使氧化鎂膜層81的表面在某種程度上面對放電空間15的結(jié)構(gòu)是合適的。從而，氧化鎂微粒在氧化鎂膜層81的表面上盡可能分散配置。例如也可以作為多個顆粒集合構(gòu)成的次級顆粒配設(shè)，也可以通過用公知的噴墨方法形成的圖案，以規(guī)定的圖案在保護層8上配設(shè)氧化鎂膜層81。這樣，在這里所謂"島，，，是指氧化鎂膜層81在放電空間中露出那樣的包含氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的形態(tài)的廣泛概念。在這里，所謂"氧化鎂結(jié)晶顆粒分布的區(qū)域"，是指從垂直于保護層8的平面方向的方向觀察保護層8時，被氧化鎂結(jié)晶微粒所遮蔽，不能夠直接看見氧化鎂膜層81或電介質(zhì)層7的區(qū)域。換句話說，可以說成是所述結(jié)晶顆粒層82面對放電空間15的面積比前面板2面對放電空間15的總面積小。還有，本發(fā)明中的氧化鎂結(jié)晶粒子像以往的前體燒結(jié)法制作的氧化鎂微粒那樣，不是特定的邊比其他邊長的扁平的板狀體，而是基本上邊的長度都在規(guī)定的范圍內(nèi)的六面體或八面體結(jié)晶形狀的顆粒。其中采用六面體結(jié)構(gòu)的情況下，如果是正六面體就更好。但是考慮到制造條件造成的誤差，也可以是最長邊的長度與最短邊的長度之比為1:1~2:1。另一方面，在采用八面體結(jié)構(gòu)的情況下，如果是正八面體就更好。但是考慮到制造條件造成的誤差。也可以是最長邊的長度與最短邊的長度之比為1:1~2:1。又，六面體或八面體結(jié)晶的形狀中的棱線和頂點不一定要明確存在。如果采用該結(jié)構(gòu)的氧化4美結(jié)晶顆粒群16,則能帶中有上述淺能級存在，因此能夠改善電子發(fā)射特性，可望同時解決放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性的問題。從而，氧化4美結(jié)晶顆粒群16由于同時具有上述各特性，可以期待作為保護層8的材料會具有優(yōu)異的效果。而且如果采用氧化鎂前體燒成的方法制作，與下述以往的氣相氧化法制作的氧化鎂結(jié)晶顆粒群(例如日本專利特開2006-147417號公報)相比，更能夠抑制粒徑的參差不齊，因此各氧化鎂結(jié)晶顆粒都能夠發(fā)揮均勻的放電特性。在本發(fā)明中，使用這樣的保護層8，即使是采用放電氣體中Xe分壓較高的PDP，也能夠改善施加驅(qū)動電壓產(chǎn)生的放電的延遲，而且改善其對溫度的依賴性，因此能夠防止燈的點亮情況不良造成的圖像閃爍的發(fā)生，因此可以期待結(jié)果能夠得到高質(zhì)量的圖像顯示性能。在這里，氧化鎂結(jié)晶顆粒群16的特性用CL的測定結(jié)果定義。也就是說，作為第1定義，可以說"具有比例a/b為1.2以上的特性，其中a表示CL測定中的長波長區(qū)域的光譜積分值，b表示中波長區(qū)域的光譜積分值"。在這里，圖4是表示在該波長區(qū)域發(fā)生的隆起狀波形部分的曲線圖。該圖4所示的隆起狀波形部分形成大致為單峰狀的波形，如下所述，對于利用已有的氣相氧化法等方法制作的氧化鎂構(gòu)成的結(jié)晶顆粒，不會有這種情況，根據(jù)本申請發(fā)明人的實驗可以了解到，該隆起狀波形部分是否存在及其大小，已經(jīng)成為確認其是否對PDP的放電延遲、以及放電延遲對溫度的依賴性表現(xiàn)出抑制效果的指標。還有，圖4所示的數(shù)據(jù)是在將氧化鎂結(jié)晶顆粒配設(shè)于PDP的保護層之前的狀態(tài)測定得到的結(jié)果。在這里，圖ll是表示使用高靈敏度型分光光度測定系統(tǒng)的發(fā)光光譜分析方法的示意圖。圖4的數(shù)據(jù)，如圖ll所示，是在真空室內(nèi)用電子槍以45°的入射角對試樣照射入射能量為3keV、電子束電流為3.9mm的電子束(EB),使以此得到的光線通過透鏡、光纖等的光學系統(tǒng)入射到發(fā)光光諉分析用的高靈敏度的分光光度測定系統(tǒng)(在這里使用日本大塚電子(株)IMUC7000)，用分光器對其進行分光得到的。還有，在本測定系統(tǒng)中，實施修正分光器對各波長的靈敏度的校準。#>據(jù)以上所述，在本實施形態(tài)1的PDP1中，在保護層8的結(jié)構(gòu)中面對放電空間15的部分配設(shè)包含氧化鎂結(jié)晶顆粒群16的氧化鎂結(jié)晶顆粒層82，借助于此，能夠有效抑制PDP的"放電延遲，，和"放電延遲對溫度的依賴性"這一存在問題。還有，CL法是對試樣照射電子束，檢測作為能量弛豫(energyrelaxation)過程的發(fā)光光譜的方法。利用CL法可以分沖斤涉及保護層的結(jié)構(gòu)的信息(例如氧化鎂中氧缺陷的存在信息等)。還有，所謂"光譜積分值"是指對規(guī)定的波長區(qū)域的發(fā)光分布用波長積分的值。關(guān)于利用CL測定結(jié)果考察的保護層特性根據(jù)CL的測定結(jié)果，本發(fā)明的PDP所具有的氧化4美結(jié)晶顆粒群16的特性可以采用上述第1定義。而且能夠定義為"在200mn以上、未滿卯0nm的波長區(qū)域中，比例a/c為0.9以上的特性，其中，a表示長波長光譜積分值，c表示200nm以上、未滿650mn的波長區(qū)域的光謙積分值"。下面對作出這樣的定義的原理進行說明。通常在對氧化鎂進行的CL測定中，除了短波長區(qū)域外，還對中波長區(qū)域觀察發(fā)光峰值。在這里，已有的氣相氧化法，如例如專利文獻3所示，是在充滿惰性氣體的槽中將鎂(鎂金屬)加熱到高溫的同時通入少量的氧氣，直接使鎂氧化，制作氧化鎂結(jié)晶顆粒群(粉末)的合成方法。從而，氧不容易充分進入氧化鎂中，因此會得到容易產(chǎn)生氧缺陷的氧化鎂結(jié)晶顆粒群(粉末)。在上述中波長區(qū)域測定的發(fā)光峰值，據(jù)說通常起因于氧缺陷(非專利文獻l)，氣相氧化法制作的氧化鎂結(jié)晶顆粒中，明顯出現(xiàn)被認為是該放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性劣化的原因的峰值?？梢哉J為，對在該中波長區(qū)域測定的波形隆起部有貢獻的能級大量存在于能帶間隙之間時，電子的躍遷幾率增大，電子的能量的弛豫容易發(fā)生，被激發(fā)的電子被該能級俘獲的時間變短。因此可以認為，電子存在于導帶附近的能級上的幾率減少，結(jié)果，電子發(fā)射的幾率減小，就發(fā)生放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性的問題。另一方面，已知在CL測定中如果能夠觀察到在長波長區(qū)域具有極大的峰值，則存在與其能帶對應(yīng)的淺能級。而且在這種情況下，由于該淺能級的存在，在進行PDP驅(qū)動時，與以往相比電子發(fā)射幾率得到改善，可望同時解決放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性的問題。在這里，在本實施形態(tài)1中，對燒結(jié)氧化鎂前體得到的氧化鎂結(jié)晶顆粒群16進行CL測定時，中波長區(qū)域的光譜積分值與長波長區(qū)域的光i普積分值之比為1.2以上(參考圖4)，可以確認，與上述光譜的中波長區(qū)域的隆起狀波形部相比，在長波長區(qū)域存在具有相當程度大小的值的隆起狀波形部。因此可以說該隆起狀波形部的強度是本申請?zhí)赜械?，可以成為確i人是否對PDP的放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性表現(xiàn)出抑制效果的情況下的指標。而且，從上述表示為1.2以上的值的比例，可知本發(fā)明的氧化鎂結(jié)晶顆粒群16在其能帶中存在許多淺能帶。借助于此，在PDP1中形成比已有的一般的PDP更容易發(fā)生初始電子發(fā)射的結(jié)構(gòu)，在驅(qū)動時對放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性能夠發(fā)揮優(yōu)異的抑制效果。PDP1中，可以期待能夠發(fā)揮保護層的良好的放電特性(放電延遲和放電延遲對溫度的依賴性)，結(jié)果能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的PDP圖像顯示特性。對于本實施形態(tài)1的保護層在CL測定中表現(xiàn)出的波形的特征，將上面所述作為第l定義，也可以如下所述使用別的定義。作為第2定義，可以采用在上述氧化鎂結(jié)晶顆粒群16中包含的氧化鎂結(jié)晶顆粒是具有比例d/e為0.8以上的特性的氧化鎂結(jié)晶顆粒，其中d表示CL測定中的長波長區(qū)域的光謙的最大值，e表示中波長區(qū)域的光譜的最大值。而且具有在陰極發(fā)光中的200nm以上900nm未滿的波長區(qū)域，比例d/f為0.8以上的特性，其中d表示長波長區(qū)域的光譜的最大值，f表示200nm以上650nm未滿的波長區(qū)域的光語的最大值。在這里，所謂"光譜最大值"是指規(guī)定的波長區(qū)域的發(fā)光分布中發(fā)光強度的最大值。還有，上述光譜積分值和上述光譜最大值的比例的實際上限，考慮CL測定裝置的測定極限(被測定的光譜的飽和造成的極限)，均為500倍左右。關(guān)于PDP的制造方法下面對PDP1制造方法的例子進行說明。前面板的制作在厚度約2.6mm的鈉鈣玻璃構(gòu)成的前面板玻璃的面上制作顯示電極。在這里表示出利用印刷方法形成顯示電極的例子，除此以外也可以利用染料涂層(dyecoat)法、刮板涂層等方法形成。首先，在前面板玻璃上以規(guī)定的圖案涂布、烘干ITO、Sn02、ZnO等透明電極材料，最終厚度約為100nm。以此制作透明電極。另一方面，調(diào)整銀粉與有機賦形劑中混合感光性樹脂(光分解性樹脂)形成的感光膠，將其重疊涂布于上迷透明電極材料上，然后以具有形成的顯示電極的圖案的掩模覆蓋。然后，從該掩模上方使其曝光，經(jīng)過顯影工序，然后在590-6001C左右的溫度下燒結(jié)。以此在透明電極上形成總線。如果采用這種光掩模法，則與以往的以100微米的線寬為限的網(wǎng)板印刷方法相比，能夠使總線細化到30微米左右的線寬?？偩€的金屬材料除了Ag以夕卜，也可以采用Pt、Au、AI、Ni、Cr、或氧化錫、氧化銦等。總線除了上述方法以外，也可以采用蒸鍍法、濺射法等方法將電極材料形成薄膜，然后進行蝕刻處理形成。然后，從顯示電極上方涂布軟化點為550。C-600X:的氧化鉛系或氧化鉍系、二氧化硅系的電介質(zhì)玻璃粉末與丁基卡必醇醋酸酯(butylcarbitolacetate)等構(gòu)成的有機粘接劑混合形成的膏。然后在550n650。C左右的溫度下燒結(jié)，最終形成厚度為2微米以下的電介質(zhì)層。保護層形成步驟接著，在電介質(zhì)層的表面上，用蒸鍍法形成規(guī)定厚度的氧化鎂膜層81。氧化鎂膜層81的成膜方法與以往的氧化鎂層的成膜方法相同。作為蒸鍍源，采用例如小球狀、粉末狀的氧化鎂。在氧氣氣氛中以Pierce式電子槍作為加熱電源，對上述蒸鍍源進行加熱形成所希望的薄膜。在這里，成膜時的電子束電流量、氧分壓量、基板溫度等對成膜后的保護層的組成沒有大的影響，因此可以任意設(shè)定。還有，氧化鎂膜層81的成膜方法不限于上述EB法，也可以用其他方法，例如濺射法，離子鍍法等各種薄膜法。接著，在上述制作成的氧化鎂膜層81上，利用網(wǎng)板印刷法或噴射方法等涂布包含規(guī)定的氧化鎂結(jié)晶顆粒的溶劑。然后利用燒結(jié)方法去除溶劑，形成包含上述規(guī)定的氧化鎂結(jié)晶顆粒的氧化鎂結(jié)晶顆粒層82(氧化鎂結(jié)晶顆粒層形成步驟)。使用于氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的所述規(guī)定的氧化鎂結(jié)晶顆粒，如以下所例示，在氧化鎂結(jié)晶顆粒形成步驟中，以1400°C-2000"C的高溫均勻地對氧化鎂前體進行熱處理(燒結(jié))，得到具備比例a/b為1.2以上的特性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)體，其中a表示CL測定中的長波長區(qū)域的光譜積分值，b表示中波長區(qū)域的光譜積分值。而且，如果氧化鎂結(jié)晶顆粒的結(jié)晶體結(jié)構(gòu)是單晶結(jié)構(gòu)，則缺陷減少，因此上述效果更加顯著。上述氧化鎂前體可以選擇例如醇鎂(Mg(OR)2)、乙酰丙酮鎂(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgS04)、硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC204)中選出的任意一種以上(也可以將兩種以上混合使用)。作為所選擇的化合物，通常也有取水合物的形態(tài)，但是也可以使用這樣的水合物。對作為氧化鎂前體的鎂化合物進行調(diào)整，以使燒結(jié)后得到的氧化鎂純度為99.95%以上，最佳值為99.98%以上。這是因為如果在鎂化合物中混合一定量以上的各種堿金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素，在熱處理時會發(fā)生不必要的顆粒之間的熔合或燒結(jié)，不容易得到高結(jié)晶性的氧化鎂結(jié)晶顆粒。為此，利用去除雜質(zhì)元素等方法預先對前體進行調(diào)整。在這里，作為本發(fā)明使用的前體，最好是其結(jié)晶性好，而且具有橢圓體狀的顆粒形狀。而且最好是BET值為5~7左右。該BET值可以用BET法測量，也就是使微顆粒的表面吸附具有已知的吸附占有面積的氣體分子(N2)，從該氣體分子量求得。接著，在進行燒結(jié)溫度的設(shè)定的情況下，燒結(jié)溫度以700"C以上為宜，750C以上則更理想。這是因為在燒結(jié)溫度低于700X:的情況下，結(jié)晶面不能夠充分發(fā)達，缺陷多，微顆粒上吸附的雜質(zhì)氣體比較多。但是，如果燒結(jié)溫度高于2000"C，則會發(fā)生氧脫離的情況，結(jié)果氧化鎂的缺陷增多，因此容易發(fā)生吸附。這樣，由于缺陷增加，在CL測定的長波長區(qū)域的光譜發(fā)射減少，而且雜質(zhì)氣體的吸附增加。因此燒結(jié)溫度最好是18001C以下。在這里，在700。C以上，20001C以下的燒結(jié)溫度條件下進行燒結(jié)的情況下，生成具有"在g表示陰極發(fā)光中的200nm以上300nm未滿的波長區(qū)域的光譜積分值，h表示300nm以上550nm未滿的波長區(qū)域的光譜積分值時，比例g/h為1以上"這樣的特性的氧化鎂結(jié)晶顆粒、以及被確認存在具有相當于長波長區(qū)域的程度的值的峰的氧化鎂結(jié)晶顆粒這樣的兩種氧化鎂結(jié)晶顆粒。根據(jù)本發(fā)明人進行的另一實驗，在大約140(TC以上的溫度進行燒結(jié)時，發(fā)現(xiàn)CL測定中的光譜積分值的上述比例a/b為1.2以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒生成的比例有變得比較大的傾向。因此，為了提高具有"CL測定中的光譜積分值的上述比例a/b為1.2以上"的特性的氧化鎂結(jié)晶顆粒的生成頻度，燒結(jié)溫度最好是1400t:以上。還有，"CL測定中的光譜積分值的上述比例a/b為1.2以上"的氧化鎂結(jié)晶顆粒存在其粒徑比上述比例g/h為1以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒的粒徑小的傾向。從而，這兩種氧化鎂微粒也可以通過采用選別(分級)工序進行分離。又，通過本發(fā)明申請人的實驗可以明確，在本發(fā)明中這兩種氧化鎂微粒都具有300nm以上4微米以內(nèi)的平均粒徑的粒度分布，利用一次燒結(jié)工序燒結(jié)的樣品中，各種氧化鎂顆粒的平均粒徑的峰值相互分離，從而，上述選別工序也很有用。下面對氧化鎂前體的制作方法和使用該前體的氧化鎂結(jié)晶顆粒的各種制作方法(1)~(4)進行說明。(1)作為出發(fā)原料，準備純度為99.95%以上的醇鎂(Mg(OR)2)、或乙酰丙酮鎂(Mg(acac)2。在該水溶液中添加少量的酸，加水分解，制作氫氧化鎂(Mg(OH)2)的凝膠狀沉淀物作為氧化鎂前體。其后從水溶液中分離出氫氧化鎂，在空氣中以700"C以上的溫度進行燒結(jié)，脫水，制作氧化鎂結(jié)晶顆粒。(2)以純度為99.95%以上的硝酸鎂(Mg(N03)2)作為出發(fā)原料，在該水溶液中添加堿溶液以進行加水分解。以此制作氫氧化鎂(Mg(OH)2)的凝膠狀沉淀物作為氧化鎂前體。其后從水溶液中分離出氫氧化鎂，在空氣中以700n以上的溫度進行燒結(jié)、脫水，制作氧化鎂結(jié)晶顆粒。(3)以純度為99.95%以上的氯化鎂(MgCl2)作為出發(fā)原料，在該水溶液中添加堿溶液以進行加水分解，以此制作氫氧化鎂(Mg(OH)2)的凝膠狀沉淀物作為氧化鎂前體。其后從水溶液中分離出氫氧化鎂，在空氣中以700t:以上的溫度進行燒結(jié)、脫水，制作氧化鎂結(jié)晶顆粒。(4)也可以采用對醇鎂、氫氧化鎂、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂(MgC204)、醋酸鎂(Mg(CH3COO)2)等，直接在700t:以上的高溫實施熱平衡式熱分解的方法。這種方法也能夠與上面所述一樣得到氧化鎂結(jié)晶顆粒。施加這樣的燒結(jié)得到的結(jié)晶體體，其特征在于，顆粒尺寸為300nm4微米，幾乎沒有300nm以下的微粒。因此比表面積比氣相氧化法制作的結(jié)晶小。這被認為是耐吸附性優(yōu)異的原因之一，能夠使電子發(fā)射性能提高。還有，已有的氣相氧化法制造的氧化鎂結(jié)晶顆粒群粒徑波動比較大。因此為了得到均勻的放電特性，需要能夠分選出一定粒徑范圍的顆粒的分級工序(例如特開2006-147417號公才艮)。與此相對，在本發(fā)明中，將上述氧化鎂前體燒結(jié)形成的氧化劑結(jié)晶顆粒群具有比以往的產(chǎn)品粒徑更均勻而且穩(wěn)定的粒徑。因此有時候可以省略將不要的微顆粒分級去除的工序，對于提高制造效率和降低成本是非常有利的。用以上所述方法制造出前面板2。后面板的制作步驟在厚度約2.6mm的鈉鈣玻璃構(gòu)成的面板玻璃的表面上，利用網(wǎng)板印刷方法將以銀為主成分的導體材料以一定的間隔涂布成帶狀，形成厚度約5微米的數(shù)據(jù)電極。作為數(shù)據(jù)電極ll的電極材料可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬或各種金屬的碳化物、氮化物等導電性陶瓷等材料或這些材料的組合，或是也可以根據(jù)需要使用將這些材料疊層形成的疊層電極。在這里，為了使制作的PDP1符合例如40英寸級的NTSC標準或VGA標準，將相鄰的兩個數(shù)據(jù)電極的間隔設(shè)定為0.4mm左右以下。接著，在形成數(shù)據(jù)電極的后面板玻璃的整個面上涂布厚度約20~30微米的鉛系或非鉛系的低熔點玻璃或二氧化硅材料構(gòu)成的玻璃糊，然后進行燒成形成電介質(zhì)層。接著在電介質(zhì)層12的面上形成隔板13。具體地說，涂布低熔點玻璃材料糊，然后用噴砂方法或光刻法，以隔開行和列的井字形形狀的圖案形成多個放電單元的排列，相鄰放電單元(未圖示)之間用邊界隔開。形成隔板13后，在隔板13的壁面和隔板13之間露出的電介質(zhì)層12的表面上，涂布包含紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、藍色(B)熒光體中的任一種的熒光體墨液，然后將其烘干燒結(jié)，分別形成熒光體層14。RGB各色熒光體的化學組成例如下所述。紅色熒光體；Y203:Eu3+綠色熒光體；Zn2Si04:Mn藍色氧化體；BaMgAl10O17:Eu2+各熒光體材料最好是平均粒徑2.0微米的材料。將其以50質(zhì)量％的比例放入盤中，放入1.0質(zhì)量％的乙基纖維素(ethylcellulose)、49質(zhì)量％的溶劑(a辟品醇)，用砂磨機攪拌混合，制作15xl0—3Pa-s的熒光體墨液。然后將其用泵從口徑60微米的噴嘴向隔板13之間噴射涂布。這時，使面板向隔板20的長邊方向移動，將熒光體墨液涂布成帶狀。其后在500'C溫度下燒結(jié)IO分鐘，形成熒光體層14。如上所述，完成了后面板9的制作。還有，在上述方法例中，前面板玻璃3和后面板玻璃IO采用鈉釣玻璃構(gòu)成的材料，但是這是材料的一個例子，也可以使用除此以外的材料構(gòu)成。PDP的完成用密封用玻璃將制作的前面板2與后面板9相互貼合。其后將放電空間的內(nèi)部抽真空到高真空(1.0x10—4Pa)左右，然后，在該內(nèi)部封入規(guī)定壓力(在這里是66.5kPa~101kPa)的Ne-Xe系或He-Ne-Xe系、Ne-Xe—Ar系等放電氣體。經(jīng)過以上工序，完成了PDP1。性能確認實驗接著制作表l所示的本發(fā)明的實施例和采用已有技術(shù)的結(jié)構(gòu)的比較例的PDP，分別就其實用性進行性能比較實驗。對于各實施例和比較例，使氧化鎂前體原料的制作(熱處理)條件、氧化鎂結(jié)晶顆粒的種類、以及放電氣體中的Xe氣體濃度等各種制作條件不同。另一方面，為了比較，使上面所述以外的結(jié)構(gòu)、制造條件相同。在實施例1~4中，從氧化鎂前體制作在CL測定中長波長區(qū)域具有隆起狀波形部的氧化鎂結(jié)晶顆粒，在切合實施形態(tài)的條件下配設(shè)氧化鎂結(jié)晶顆粒層，構(gòu)成氧化鎂結(jié)晶顆粒層。在比較例4中，從氧化鎂前體構(gòu)成氧化鎂結(jié)晶顆粒層這一點與實施例1、2相同，但是以比實施例低的低溫(600°C)構(gòu)成氧化鎂結(jié)晶顆粒。在本實施例2、4中，采用真空蒸鍍法制作的氧化鎂膜，但是也不妨采用例如離子鍍法、濺射法等方法制作。實驗內(nèi)容實驗l:放電延遲時間的評價實驗對各PDP,評價相對于數(shù)據(jù)脈沖的施加的放電延遲時間。對各PDP的任意一個像素施加圖3所示的初始化脈沖后，反復施加數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖。施加的數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖的脈沖寬度設(shè)定為比通常的PDP驅(qū)動時的5微秒長的100微秒。每一次施加數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖，測定施加脈沖起到放電發(fā)生為止的時間(放電延遲時間)500次，計算出測定的延遲時間的最大值和最小值的平均值。延遲時間借助于光傳感器模塊(濱松水卜-夕義林式會社制造的H6780-20)接受伴隨放電發(fā)出的熒光體發(fā)光，用數(shù)字式示波器(橫河電機制造的DL9140)觀察施加的波形和接受的光信號波形。表l表示"放電延遲，，以及"放電延遲對溫度的依賴性"的實驗結(jié)果。表l所示的測定值是將比較例1的放電延遲時間作為1的歸一化的情況下的各PDP的放電延遲時間的相對值的結(jié)果。該相對值越小，表示放電延遲時間越短。又，在表l中記載了實施例14以及比較例1~4各例中關(guān)于"放電延遲"以及"放電延遲對溫度的依賴性"得到充分的效果的情況下的數(shù)值。實驗2:放電延遲時間對溫度的依賴性的評價對各PDP用溫度可變的恒溫槽與實驗1一樣對-5X:和25"C的放電延遲時間進行評價。接著，對各實施例和比較例求-5'C的溫度下的放電延遲時間與25X:溫度下的放電延遲時間之比。將該結(jié)果記錄于表1。放電延遲時間之比接近1表示放電延遲對溫度的依賴性小。實驗3:維持放電脈沖數(shù)依賴性的評價下面與實驗1一樣對各PDP在尋址放電前的維持脈沖數(shù)最大時的放電延遲時間為1的情況下維持脈沖數(shù)最小時的放電延遲時間進行評價。該放電延遲時間之比小的，表示是放電延遲對維持放電脈沖數(shù)依賴性小的良好的保護膜。實驗4:對畫面閃爍的評價對各PDP，在使其顯示白色圖像時利用視覺評價對顯示的圖像評價其是否被發(fā)現(xiàn)有閃爍。表l和表2表示以下各實驗條件和實驗結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>*1:(維持脈沖數(shù)最小時的放電延遲時間與最大時的放電延遲時間的比例)表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>*1:(維持脈沖數(shù)最小時的放電延遲時間與最大時的放電延遲時間的比例)考察首先，對各比較例進行考察，比較例1由于電介質(zhì)層上的保護層是只用真空蒸鍍方法作成的純粹的氧化4美膜，所以放電延遲時間長，與Xe氣體的濃度無關(guān)，而且其對溫度的依賴性也大。因此在低溫下畫面能夠看到閃爍。而且對維持放電脈沖數(shù)的依賴性也大。比較例2、3，其放電延遲時間、放電延遲對溫度的依賴性與比較例1相比較小，但是與實施例1-4相比較大。這是因為雖然保護層是用氧化鎂結(jié)晶顆粒形成的，但是該氧化鎂結(jié)晶顆粒是用氣相氧化法形成的。比較例4在形式上是在真空蒸鍍法制作的氧化鎂薄膜上配設(shè)與實施例1~4一樣對高純度鎂前體進行熱處理得到的氧化鎂結(jié)晶顆粒層。但是上述熱處理的溫度是比較低的600"C，因此與實施例不同，結(jié)晶的生長不充分，缺陷多。因此與實施例14相比，CL測定中的長波長區(qū)域光譜發(fā)射減少，氧化鎂結(jié)晶顆粒層上吸附雜質(zhì)氣體多。雖然因此放電延遲時間變得比較小，但是放電延遲時間對溫度的依賴性大，與Xe氣體的濃度無關(guān)。而且還發(fā)現(xiàn)畫面有閃爍。對此，考察各實施例時，得到的結(jié)果是，在CL測定中長波長區(qū)域具有隆起狀波形部的氧化鎂結(jié)晶顆粒層為單層或疊層結(jié)構(gòu)的實施例1~4，具有良好的電子發(fā)射特性，而且對溫度的依賴性也小。根據(jù)該結(jié)果，可以說不存在"放電延遲，，和"放電延遲對溫度的依賴性，，，畫面沒有發(fā)現(xiàn)閃爍，具有優(yōu)異的特性。這樣的結(jié)果被認為是因為用750匸以上高溫對高純度的鎂前體進行熱處理(燒結(jié))，所以結(jié)晶學缺陷少，在CL測定中發(fā)現(xiàn)長波長區(qū)域發(fā)生的隆起狀波形部的能帶形成淺的能級而取得的。還有，實驗數(shù)據(jù)是在氧化鎂膜層81和氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的雙層結(jié)構(gòu)中，Xe氣體濃度設(shè)定為100%的條件下得到的。又，根據(jù)本申請的發(fā)明人進行的其他實驗，在實施例1~4中，都清楚地顯示出放電延遲對溫度的依賴性也有與放電延遲時間相同的行為。又，根據(jù)本申請的發(fā)明人的其他實驗，在氧化鎂膜層81和氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的2層結(jié)構(gòu)中，Xe氣體濃度為15%的條件、氧化鎂顆粒層82的1層結(jié)構(gòu)中Xe氣體濃度為100%的條件、氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的1層結(jié)構(gòu)中Xe氣體濃度為15%的條件下，都顯示出與氧化鎂膜層81和氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的2層結(jié)構(gòu)中Xe氣體濃度為100%的條件相同的行為。實驗5:CL測定得到的光譜積分值的比例或光譜最大值的比例與放電延遲之間的關(guān)系的評價實驗下面借助于表3~表6所示的CL測定結(jié)果數(shù)據(jù)和根據(jù)該數(shù)據(jù)制作的圖5~圖8所示的各曲線，進行本發(fā)明的評價。在本實驗5中，在700"C以上2000°C以下的溫度燒成得到的氧化鎂顆粒中，只選擇在CL測定中被確認在長波長區(qū)域有相當程度的峰值的氧化鎂顆粒(試樣1~4)，計算在長波長區(qū)域和中波長區(qū)域的光譜積分值或光譜最大值各自的比例。又，圖5~圖8所示的放電延遲時間以沒有配設(shè)氧化鎂微粒群的PDP作為比較例，表示出以該比較例的放電延遲時間為1的相對值。圖5表示CL測定中的長波長區(qū)域和中波長的光譜積分值的比例(相當于上述a/b)與放電延遲時間之間的關(guān)系。又，表3表示圖5的曲線圖的制作用的試樣1~4以及比較例的數(shù)值數(shù)據(jù)。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>根據(jù)圖5和表3的結(jié)果可知，在PDP中為了得到有效的放電延遲的抑制效果，至少比例為1.2以上為宜。又，比例為2.3倍以上時，包括面板內(nèi)的特性變動，能夠得到均勻的特性。另一方面，所述比例如果進一步高達7倍以上，則包括PDP制作時的特性變動，能夠得到穩(wěn)定的特性。所述比例達到23倍以上時，包括PDP驅(qū)動時的特性變動，能夠得到足夠好的特性，因此更加合適。還有，在圖5所示的數(shù)據(jù)中，所述比例為1.2的情況下表現(xiàn)出最好的放電延遲抑制效果，其后，抑制效果有波動。但這是氧化鎂結(jié)晶顆粒對保護層8的覆蓋率的波動等原因造成的，從理論上講，該比例越是接近1.2，越是能夠得到更充分的放電延遲抑制效果。下面所示的圖6表示CL測定中的長波長區(qū)域和200nm以上未滿650nm的波長區(qū)域的光譜積分值的比例(相當于上述a/c)與放電延遲時間之間的關(guān)系。又，表4表示圖6的曲線圖的制作用的試樣1~4以及比較例的數(shù)值數(shù)據(jù)。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>根據(jù)圖6和表4的結(jié)果可知，為了得到有效的放電延遲的抑制效果，至少比例為0.9以上為宜。又，比例為1.9倍以上時，包括面板內(nèi)的特性變動，能夠得到均勻的特性。而所述比例如果進一步高達4.5倍以上，則包括PDP制作時的特性變動，能夠得到穩(wěn)定的特性。比例達到9.1倍以上時，包括PDP驅(qū)動時的特性變動，能夠得到足夠好的特性，因此更加合適0還有，在圖6中，也是在該比例為0.9的情況下表現(xiàn)出最顯著的放電延遲抑制效果，其后，抑制效果有波動。這是氧化鎂結(jié)晶顆粒對保護層8的覆蓋率的波動等原因造成的，從理論上講，該比例越是接近0.9,越是能夠得到更充分的放電延遲抑制效果。下面所示的圖7表示CL測定中的長波長區(qū)域和中波長區(qū)域的光譜最大值的比例(相當于上述d/e)與放電延遲時間之間的關(guān)系。還有，比例的計算方法如下所述。首先，將長波長區(qū)域和中波長區(qū)域的各光譜表示為相同刻度的曲線(橫軸為波長，縱軸為峰值強度)。接著，將橫軸等分。計算與該等分割的規(guī)定.的波長對應(yīng)的峰值強度值的總和。將這樣計算出的長波長區(qū)域中的總和除以中波長區(qū)域中的總和，以此計算出比例。又，表5表示圖7的曲線圖的制作用的試樣1~4以及比較例的數(shù)值數(shù)據(jù)。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>根據(jù)圖7和表5所示的結(jié)果可知，為了得到有效的放電延遲的抑制效果，至少上述比例為0.8以上為宜。又，如果比例為1.7倍以上，則包括面板內(nèi)的特性變動，能夠得到均勻的特性。另一方面，所述比例如果達到16倍以上，則包括PDP制作時的特性變動，能夠得到穩(wěn)定的特性。又，比例達到24倍以上時，包括PDP驅(qū)動時的特性變動，能夠得到足夠好的特性。還有，在圖7中，在上述比例為0.8的情況下表現(xiàn)出最顯著的放電延遲抑制效果，其后，抑制效果有波動。這是氧化鎂結(jié)晶顆粒對保護層8的覆蓋率的波動等原因造成的，從理論上講，該比例越是接近0.8，越是能夠得到更充分的放電延遲抑制效果。接著，圖8表示CL測定中的長波長區(qū)域和200nm~650nm波長區(qū)域的光譜最大值的比例(相當于上述d/f)與放電延遲時間之間的關(guān)系。圖8所示的曲線是利用與圖7相同的計算方法制作的。又，表6表示圖8的曲線圖的制作用的試樣1-4以及比較例的數(shù)值數(shù)據(jù)。表6最大值的比例(d/f)延遲放電的相對值比較例01.0試樣l0.80.11試樣21.70.14試樣35.00.23試樣4120.12根據(jù)圖8和表6所示的結(jié)果可知，為了得到有效的放電延遲的抑制效果，至少上述比例為0.8以上為宜。又，如果比例為1.7倍以上，則包括面板內(nèi)的特性變動，能夠得到均勻的特性。另一方面，所述比例如果達到5倍以上，則包括PDP制作時的特性變動，能夠得到穩(wěn)定的特性。又，上述比例達到12倍以上時，包括PDP驅(qū)動時的特性變動，能夠得到足夠好的特性。還有，在圖8中，在該比例為0.8的情況下表現(xiàn)出最顯著的放電延遲抑制效果，其后，抑制效果有波動。這是氧化鎂結(jié)晶顆粒對保護層8的覆蓋率的波動等原因造成的，從理論上講，該比例越是接近0.8，越是能夠得到更充分的放電延遲抑制效果。根據(jù)以上各實驗的結(jié)果可以確認本發(fā)明的優(yōu)越性。其他事項在實施形態(tài)1中，例示了在電介質(zhì)層7的表面上依序?qū)盈B氧化鎂膜層81和氧化鎂結(jié)晶顆粒層82的保護層的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。在這里，圖9是表示本發(fā)明的保護層8的結(jié)構(gòu)的變形例的放大剖面圖。圖9(a)中，作為變形例l，構(gòu)成結(jié)晶顆粒層82的氧化鎂結(jié)晶顆粒群16配設(shè)為使各顆粒的一部分埋設(shè)于氧化鎂膜層81中。利用這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠得到大致與實施形態(tài)1相同的效果，此外，氧化鎂結(jié)晶顆粒群16在氧化鎂膜層81上的吸附增加，能夠得到防止由于振動32或沖擊，氧化鎂結(jié)晶顆粒群16從氧化鎂膜層81上脫落的效果，因此是適合的。另一方面，在圖9(b)中，作為變形例2，保護層8只用氧化鎂結(jié)晶顆粒層82構(gòu)成，在電介質(zhì)層的表面上直接分散氧化鎂結(jié)晶顆粒群16構(gòu)成。即使是這樣的結(jié)構(gòu)中，也能夠得到與實施形態(tài)1一樣的效果。而且不需要氧化鎂膜層81,不需要實施包括濺射法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等的薄膜工藝，因此可以省去相應(yīng)的工序，在制造成本上也4艮有利。還有，即使是在這種結(jié)構(gòu)中，也與實施形態(tài)1一樣，以氧化鎂結(jié)小為宜。也就是說，氧化鎂結(jié)晶顆粒群16不必在電介質(zhì)層的整個面上覆蓋，以在電介質(zhì)層上形成為島狀為宜。還有，作為氧化鎂保護層的制作方法，已經(jīng)研究出將鎂鹽形成為糊狀，印刷在電介質(zhì)玻璃層上然后進行燒成的方法(例如專利文獻IO)。但是已知在這種情況下的PDP的放電特性與用電子束加熱氧化鎂進行蒸鍍的真空蒸鍍法形成氧化鎂保護層的情況相比，幾乎沒有提高。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明的PDP可以使用于交通設(shè)備以及公共設(shè)施、家庭等的電視機裝置以及電腦等的顯示用的顯示裝置等上。權(quán)利要求1.一種依次在第1基板上形成電極、電介質(zhì)層、以及保護層，所述第1基板與所述第2基板對置配置，以使所述保護層面對放電空間的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護層在面對所述放電空間的部分具有包含比例a/b為1.2以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒的結(jié)晶顆粒層，其中，a表示陰極發(fā)光中的650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光譜積分值，b表示300nm以上、未滿550nm的波長區(qū)域的光譜積分值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為2.3以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為7以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所迷的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為23以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述氧化4美結(jié)晶顆粒在陰極發(fā)光的200nm以上、未滿卯Onm的波長區(qū)域中，比例a/c為0.9以上，其中，a表示650nm以上、未滿900mn的波長區(qū)域的光鐠積分值，c表示200nm以上、未滿650nm的波長區(qū)域的光譜積分值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為1.9以上。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為4.5以上。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為9.1以上。9.一種依次在第l基板上形成電極、電介質(zhì)層、以及保護層，所述第l基板與所述第2基板對置配置，以使所述保護層面對放電空間的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護層在面對所述放電空間的部分具有包含比例d/e為0.8以上的氧化鎂結(jié)晶顆粒的結(jié)晶顆粒層，其中，d表示陰極發(fā)光中的650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光譜最大值，e表示300nm以上、未滿550nm的波長區(qū)域的光諉最大值。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為1.7以上。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為16以上。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為24以上。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂結(jié)晶顆粒在陰極發(fā)光的200nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域中，比例d/f為0.8以上，其中，d表示650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光語最大值，f表示200nm以上、未滿650nm的波長區(qū)域的光譜最大值。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為1.7以上。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為5以上。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述各比例為12以上。17.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護層是在氧化鎂膜層上層疊所述結(jié)晶顆粒層而形成的。18.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護層是在氧化鎂膜層的表面配設(shè)結(jié)晶顆粒層以將氧化鎂結(jié)晶顆粒部分埋沒而形成的。19.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護層是在電介質(zhì)層表面上直接形成所述結(jié)晶顆粒層而構(gòu)成的。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供通過改善保護層的放電特性，從而即使是在高精細單元結(jié)構(gòu)中也能夠發(fā)揮優(yōu)異的圖像顯示性能的PDP及其制造方法。具體地說，用氧化鎂膜層(81)和氧化鎂結(jié)晶顆粒群(16)構(gòu)成的氧化鎂結(jié)晶顆粒層(82)構(gòu)成保護層(8)。氧化鎂結(jié)晶顆粒群(16)根據(jù)利用氧化鎂前體燒結(jié)的制作方法制作，而且使其具有這樣的特性，即比例a/b為1.2以上，其中a表示CL測定中650nm以上、未滿900nm的波長區(qū)域的光譜積分值，b表示300nm以上、未滿550nm的波長區(qū)域的光譜積分值。文檔編號H01J11/22GK101563748SQ20078004632公開日2009年10月21日申請日期2007年10月19日優(yōu)先權(quán)日2006年10月20日發(fā)明者岡藤美智子,寺內(nèi)正治,福井裕介,西谷干彥,辻田卓司申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社