專利名稱：等離子顯示器面板的制造方法以及制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器面板(以下稱為PDP)的制造方法以 及制造裝置，特別涉及電介體層的保護層的形成。
背景技術(shù)：
作為當前的PDP的主流的AC面放電型PDP包括由掃描電極、 維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成的前面基板、和由尋址電極、障 壁以及熒光體構(gòu)成的背面基板(參照圖20)。
如圖20所示在AC面放電型PDP 81中隔著充滿放電氣體的窄 的空隙而熔接密封了兩個玻璃基板。在背面玻璃基板90中，沿著列 方向配置有尋址電極89，并在其上形成有電介體層87。該電介體層 87作為尋址電極89的保護、白色反轉(zhuǎn)層而具有亮度改善的作用。障 壁88的高度為100 150nm左右，且在由障壁88形成的溝內(nèi)部依次 涂敷有紅藍綠的熒光體(91R、 91B、 91G)。
在成為表面?zhèn)鹊那懊婊逯性O(shè)置有由ITO等透明電極和匯流電 極(bus electrode )構(gòu)成的面放電電極。面放電電極是夾著50 ~ lOOpm 左右的放電空隙而成對排列的。用厚度20 ~ 30jim左右的電介體層覆 蓋了這些放電電極。在其上部形成有由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的表面保 護層。
成為各色的顯示單位的一個單元針對在周圍涂敷有熒光體的放 電空間由包括用電介體層85、 87覆蓋的面放電電極(掃描電極83和 維持電極84 )和尋址電極89這三個電極構(gòu)成。通過對掃描電極83依 次施加負電位的掃描脈沖，并與其同步地根據(jù)顯示數(shù)據(jù)對尋址電極施 加正電位的數(shù)據(jù)脈沖，而選擇性地發(fā)生寫入^t電。接下來通過對維持 電極與掃描電極之間施加交流維持放電脈沖，而使被寫入的單元維持放電，從而進行發(fā)光顯示。
如上所述，在保護層中主要使用MgO。進而，對于MgO要求 除了作為保護層的功能以外，二次電子釋放系數(shù)也大。隨著PDP的 價格降低、需求量的增加，玻璃基板的尺寸逐漸變大，成膜作為PDP 的保護層的MgO的生產(chǎn)裝置的單位生產(chǎn)時間逐漸成為短時間。
MgO在結(jié)晶的生長中，具有取向性，且特性根據(jù)其生長的方向 而不同。通過改變成膜條件，可以實現(xiàn)沿著(111) 、 (110)、 (100) 等各結(jié)晶方向取向的MgO的成膜。因此，為了得到期望的取向性的 被膜而開發(fā)出各種方法。
例如，在著眼于作為保護膜的耐濺射性的情況下，存在得到(110) 取向性的MgO層的方法(參照專利文獻3 )。在MgO的結(jié)晶結(jié)構(gòu)中， 與(111 )取向面相比在(110 )面中更易于引起溝道效應(yīng)(channeling )。 即，入射離子易于較深地進入到結(jié)晶的內(nèi)部中，而不易在表面附近處 引起濺射。是通過恰當?shù)难醴謮阂约八魵夥謮旱臍夥罩械母哳l離子 鍍敷法等而形成的。
另外，在著眼于二次電子釋放的情況下，存在得到(111)取向 性的MgO層的方法(參照專利文獻1)。是使用在氧氣氛中進行的 真空蒸鍍法或向蒸渡面照射離子束的離子輔助蒸鍍法的方法。
但是，為了得到精度更高的MgO層，優(yōu)選為使用了控制性比離 子束更佳的電子束的蒸鍍法。此處，為了通過使用電子束的蒸鍍法得 到(111)取向性的MgO層，需要在230。C以上的基板溫度下堆積， 或者在1.5A/秒以上、3A/秒以下這樣的堆積速度下形成(參照專利文 獻2)。
該方法使用電子束首先在230。C以上、350。C以下的基板溫度或 者1.5A/秒以上、3A/秒以下這樣的堆積速度下作為基底形成(111) 取向性的氧化鎂膜。接下來，通過低基板溫度、高堆積速度下的電子 束蒸鍍得到(111)取向性的保護層。
但是，由于需要形成基底的工藝和形成保護層的工藝，所以需要 兩次工藝，而且兩個工藝的條件也不同，所以無法滿足最近的大幅提
4高生產(chǎn)性的要求。
專利文獻l:日本特開平5-234519 (第3頁、圖3) 專利文獻2:日本特開平8-287833號公報(第3頁、表l) 專利文獻3:日本特開平10- 106441號公報(第3頁、表l)

發(fā)明內(nèi)容
以往，在PDP制造裝置中，由于難以針對對角60英寸級別(class ) 的大型玻璃基板在固定了基板的狀態(tài)下均勻地成膜、而且需要開發(fā)為 了搬送較重的PDP用的玻璃基板而所需的真空對應(yīng)的大型基板搬送 用機械手等理由，而使用在運載體上搭載基板、并在使其通過蒸發(fā)源 上的同時進行成膜的連續(xù)式(in-line)蒸鍍裝置。
圖10示出PDP用連續(xù)式蒸鍍裝置的裝置結(jié)構(gòu)。裝置由裝入室 62、加熱室63a、 63b、 63c、蒸鍍室64、冷卻室65以及取出室這七 個室的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。首先，在基板裝卸位置70由機械手(未圖示)將 玻璃基板10設(shè)置于運載體(未圖示)上。上述運載體被搬入到裝入 室62中，在真空排氣后，依次按加熱室63a、 63b、 63c的順序被傳 送，而進行加熱脫氣。之后，被搬送到蒸鍍室64中。在蒸鍍室中， 運載體連續(xù)通過發(fā)熱源上，并在玻璃基板10上成膜MgO膜。運載體 進而在冷卻室65中被冷卻后，通過取出室66，而返回到基板裝卸位 置70。
即，圖10的PDP制造裝置61是如圖11所示通過如下工序進行 MgO的成膜的
(A) 將玻璃基板配置到裝入室中的工序；
(B) 將玻璃基板移動到加熱室中的工序；
(C )在加熱室中將玻璃基板加熱到高溫(200 ~ 250°C )的工序；
(D) 將玻璃基板移動到蒸鍍室中的工序；
(E) 在玻璃基板上，在高溫(200~250。C)下并且以動態(tài)速率 4000A'm/min (靜態(tài)速率140A/sec )的速度成膜MgO的工序；
(F) 將玻璃基板移動到冷卻室中的工序；(G) 冷卻玻璃基板的工序；
(H) 將玻璃基板移動到取出室中的工序；以及
(I) 從取出室取出玻璃基板的工序。
此處，在以往的PDP制造裝置中的成膜中，關(guān)于結(jié)晶取向性， 在基板溫度低時，得到(111)取向性好的膜(參照圖16)。另一方 面，存在基板溫度高時膜密度以及折射率好(參照圖17)這樣的傾向。 因此，為了滿足上述兩個條件，需要在200 250。C的范圍內(nèi)加熱玻璃 基板。
因此，在以往的使用電子束進行成膜的工藝中 一般存在如下所述 的課題。
為了在生產(chǎn)線內(nèi)將玻璃加熱至規(guī)定溫度而需要較多的加熱室，造 成裝置的大型化，設(shè)備成本提高。例如，在圖10的PDP制造裝置中 使用三個加熱室。另外，在將玻璃基板10移動到加熱室的期間中， 也配置有用于預(yù)加熱的加熱器。另外，圖中的瓦特數(shù)表示雖然未特別 圖示出但所配置的加熱器的瓦特數(shù)。
另外，伴隨加熱室數(shù)量的增加，功耗大幅增加。例如，在對42 英寸6 8倒角的玻璃基板蒸鍍MgO的情況下，在以往的PDP制造 裝置中，在以2分鐘運轉(zhuǎn)生產(chǎn)節(jié)拍時間(Tact Time)時，需要向加 熱器投入大約800kW的電力。在將生產(chǎn)節(jié)拍時間設(shè)為1.5分鐘的情況 下成為1200kW以上。
另外，在通過機械手裝卸玻璃基板10的情況下，需要冷卻基板， 且將能量排除到清凈室(clean room )內(nèi)，所以清凈室的維持成本增 大。
另外，需要特別考慮用于急速加熱、冷卻玻璃的玻璃基板10的 保持方法以及通風(vent)。在圖10中，準備冷卻室來提高冷卻效率。
另外，在運載體15中設(shè)置掩模(mask) 15a而限制玻璃基板10 的成膜區(qū)域，以使MgO不附著到PDP的引出電極部，但造成需要加 熱大型的玻璃基板，從而由于掩模15a與玻璃基板10的熱膨脹系數(shù) 的稍微的差異而難以維持掩模精度。因此，用張力部件形成掩模15a而應(yīng)對玻璃基板IO的伸縮。
另外，為了加熱玻璃基板以及運載體，必需充分地冷卻真空槽、
驅(qū)動系統(tǒng)以及設(shè)備導(dǎo)入口 。從作為上述裝置的結(jié)構(gòu)件的o環(huán)以及潤滑
系統(tǒng)向氣氛放出的高分子(油)的蒸氣壓依賴于溫度，所以非常難以 完全地防止污染。
上述課題都起因于提高了成膜時的溫度。如果可以將成膜時的溫 度設(shè)成常溫，則可以解決上述課題。發(fā)明者根據(jù)研究開發(fā)的結(jié)果，發(fā) 現(xiàn)了可以降低成膜溫度的條件。
左右膜質(zhì)的要素除了溫度以外還有很多。例如，可以舉出成膜時 的成膜速度、氧分壓等。發(fā)明者發(fā)現(xiàn)如果可以充分地滿足這些溫度以 外的成膜條件則可以相對地緩和溫度條件的現(xiàn)象。因此，針對每個溫
度以外的與成膜相關(guān)的條件掌握傾向而徹底地改善。進而，針對MgO 層中要求的每個項目進行了研究。
另外，如果可以大幅減少MgO膜中混入的雜質(zhì)(C、 CO、 C02 等)的量，則存在可以緩和成膜條件的可能性。
因此，當將電子束蒸鍍裝置的MgO成膜速度以動態(tài)速率設(shè)為 8000A.m/min以上、或者以靜態(tài)速率設(shè)為280A/sec以上且將基板溫度 設(shè)為120。C以下時，可以大幅削減MgO中混入的雜質(zhì)的量，作為保 護層的MgO層中期待的面板特性(陰極發(fā)光特性、寫入特性等)得 到大幅改善。
另夕卜，在將MgO成膜速度設(shè)為8000A.m/min以上的情況下，調(diào) 查了是否滿足結(jié)晶取向性、膜密度/折射率、透射率等特性，其結(jié)果， 即使在常溫(120。C以下)下也得到良好的膜特性。
即，在包括由掃描電極、維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成的 前面基板、和由尋址電極、障壁以及熒光體構(gòu)成的背面基板的等離子 顯示器面板(PDP)的制造方法中，包括作為上述保護層的(111) 取向的MgO膜的形成工序，以8000A.m/min以上的堆積速度通過蒸 鍍法形成上述MgO膜，從而解決上述課題。
另外，在包括由掃描電極、維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成
7的前面基板、和由尋址電極、障壁以及熒光體構(gòu)成的背面基板的等離 子顯示器面板的制造方法中，具有用于形成作為上述保護層的(111)
取向的MgO膜的部件，該部件以8000A.m/min以上的堆積速度進行 蒸鍍而形成上述MgO膜，從而解決上述課題。
可以實現(xiàn)常溫(120。C以下)下的MgO的成膜。
另外，可以大幅提高生產(chǎn)設(shè)備的生產(chǎn)率。
進而，關(guān)于上述兩點的改善，得到下述的附帶效果，而可以解決 上述課題。
.從MgO成膜裝置中可以削減加熱室以及冷卻室。由此實現(xiàn)裝置 小型化。
-從以往需要加熱機構(gòu)的蒸鍍室可以削減加熱器機構(gòu)。由此成為 簡單的結(jié)構(gòu)。
.從返回傳送帶、升降機中可以削減加熱機構(gòu)。由此成為簡單的結(jié)構(gòu)。
*用于加熱以及冷卻的生產(chǎn)節(jié)拍時間的速度限制消失，可以大幅 縮短裝置生產(chǎn)節(jié)拍時間?？梢詮囊酝?0秒縮短至30秒以下。 .由于無需加熱，所以可以大幅改善掩模偏移。 .由于工藝溫度成為低溫，所以可以大幅減少污染而改善膜特性。 -可以削減裝置成本。
.可以大幅削減運行成本。電力成為以往的1/3以下。冷卻水成為 以往的1/2以下。
.向清凈室內(nèi)的熱負荷量成為以往的1/3以下。 .基板的處理、運載體搬送變得容易。


圖l是本發(fā)明的實施方式的連續(xù)式電子束蒸鍍裝置的示意圖。 圖2是本發(fā)明的實施方式的等離子顯示器面板(PDP)的制造方
法中使用的電子束蒸發(fā)源的說明圖。該圖是示出皮爾斯式電子槍、環(huán)
爐和照射點的位置關(guān)系的平面圖。圖的圖。 圖4是示出本發(fā)明的實施方式的等離子顯示器面板(PDP)的制 造方法的成膜速率的曲線。
圖5是實驗裝置的概略圖。 圖6是實驗裝置的蒸發(fā)源。
圖7示出實驗裝置的X射線衍射結(jié)果的峰值強度。
圖8是實驗的透射率測定結(jié)果。
圖9是透射率的改善結(jié)果。適量補充氧而成膜。
圖IO是以往的連續(xù)式電子束蒸鍍裝置的示意圖。
圖ll是以往的連續(xù)式電子束蒸鍍裝置的加熱工序。
圖12是以往的等離子顯示器面板(PDP)的制造方法中使用的
電子束蒸發(fā)源的說明圖。該圖是示出皮爾斯式電子槍、環(huán)爐和照射點
的位置關(guān)系的平面圖。示出電子槍為兩臺的例子。
圖13是以往的等離子顯示器面板(PDP)的制造方法中使用的
電子束蒸發(fā)源的說明圖。該圖是示出皮爾斯式電子槍、環(huán)爐和照射點
的位置關(guān)系的平面圖。是將電子槍設(shè)為四臺而提高了動態(tài)速率的例子。
圖14是以往的MgO膜的X射線衍射圖的圖。 圖15是示出以往的等離子顯示器面板(PDP)的制造方法的成 膜速率的曲線。
圖16是示出以往的基板加熱溫度與(lll)取向性強度的關(guān)系的 曲線。在成膜速率一定、成膜壓力一定的情況下，隨著基板溫度變高 (111)峰值強度減少。
圖17是示出以往的基板加熱溫度與折射率的關(guān)系的曲線。在成 膜速率一定、成膜壓力一定的情況下，隨著基板溫度變高折射率增大。
圖18是示出固定成膜中的MgO的入射角與折射率的關(guān)系的圖。
圖19是示出固定成膜中的MgO的入射角與(111)取向性強度 的關(guān)系的圖。
圖20是示出等離子顯示器面板(PDP)的基板結(jié)構(gòu)的示意圖。
9是AC型的PDP。隔著被充滿放電氣體的窄的空隙對向配置有兩個玻 璃基板。該空隙被障壁隔開，在所隔開的各溝中涂敷有三原色的任意 一個顏色的熒光體。通過前面基板的掃描電極與背面基板的尋址電極 選擇的一個單元成為顯示單位。
圖21是示出蒸發(fā)源與入射角的關(guān)系的側(cè)視圖。以往，沿著玻璃 基板的搬送方向配置了多個蒸發(fā)點(電子束照射點)。在蒸鍍開始時， 以入射角30。和大約60。向玻璃基板蒸鍍MgO。另夕卜，在蒸鍍結(jié)束時， 以入射角大約60°和30。進行蒸鍍。
圖22是電子束照射點(蒸發(fā)點)的照片。示出電子槍的輸出與 照射面積的關(guān)系。輸出越大照射面積越寬。
圖23是電子束照射點(蒸發(fā)點)的放大照片。示出照射形狀的 一個例子e
圖24是示出成為無噴濺的電子束的電流密度范圍的曲線。
標號說明
1電子束蒸鍍裝置 2真空槽
3皮爾斯式電子槍
4環(huán)爐(ring hearth )(蒸鍍材料容器、蒸鍍源) 9防鍍板
10玻璃基板(前面基板) 11蒸發(fā)材料(MgO) 15運載體 15a掩模
26a永久磁鐵(N極)
26b永久磁鐵(S極)
31等離子顯示器面板(PDP)制造裝置
32裝入/取出室
33加熱室34蒸鍍室
41等離子顯示器面板(PDP)制造裝置
42裝入室
43傳遞室
44蒸鍍室
46取出室
47前置升降機
48返回傳送帶
49后置升降機
50基板裝卸位置
61等離子顯示器面板(PDP)制造裝置 62裝入室
63a、 63b、 63c加熱室
64蒸鍍室
65冷卻室
66取出室
67前置升降機
68返回傳送帶
69后置升降機
70基板裝卸位置
81等離子顯示器面板(PDP)
82前面基板
$3掃描電極
84維持電極
85電介體層
86保護層(MgO)
87電介體層
88障壁
89尋址電極90背面基板
91R、 91G、 91B熒光體
P、 Pl、 P2電子束照射點(蒸發(fā)點)
具體實施例方式
以下，參照附圖對應(yīng)用了本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細說明。 (實施例1)
圖1~圖3示出本發(fā)明的實施方式。
圖1示出本發(fā)明的實施方式的PDP制造裝置41。與以往的PDP 制造裝置(圖10)相比，可以削減兩個加熱室和冷卻室。圖2是本實 施方式的電子束蒸發(fā)源的圖。圖3是使用本實施方式的PDP制造裝 置成膜的MgO膜的X射線衍射圖的圖。圖.4是本發(fā)明的實施方式的 PDP制造裝置的成膜速率的圖。
如圖1所示，本發(fā)明的實施方式的PDP制造裝置41由裝入室 42、傳遞室43、蒸鍍室44、取出室46、前置升降機47、后置升降機 49以及基板位置50構(gòu)成，而無需以往那樣的加熱工序。因此，削減 了以往的PDP制造裝置61 (圖10)中的加熱室63a、 63b、 63c以及 冷卻室65。
蒸鍍室44的電子束蒸發(fā)源成為圖2所示的結(jié)構(gòu)。配置三臺環(huán)爐 和六臺皮爾斯式電子槍， 一個電子槍3對應(yīng)于一個照射點P。在電子 束的控制中使用在環(huán)爐4的下方配置的永久磁鐵26a、 26b。另外，被 定位成從該蒸發(fā)源對玻璃基板10入射MgO蒸氣的入射角度成為30° 以下。
另外，皮爾斯式電子槍3是新開發(fā)的大容量的電子槍。使用六臺 皮爾斯式電子槍以8000A.m/min以上的速度成膜MgO。圖4所示的 成膜速率與以往的成膜速率(圖15)相比大幅增加。
以上的PDP制造裝置41通過如下工序進行MgO的成膜
(A) 將玻璃基板配置到裝入室中的工序；
(B) 將玻璃基板移動到傳遞室中的工序；
12(C) 將玻璃基板移動到蒸鍍室中的工序；
(D) 在常溫(25~120。C)下、并且以8000A.m/min以上的速 度針對玻璃基板成膜MgO的工序；
(E) 將玻璃基板移動到取出室的工序；以及
(F) 將玻璃基板從取出室取出的工序。
圖3示出使用本發(fā)明的實施方式的PDP制造裝置41，并將基板 溫度設(shè)為常溫(120。C以下)而得到的MgO膜的X射線衍射圖。如從 圖可知，在36.93。時出現(xiàn)衍射強度的峰值，其表示(111)取向性。 在利用以往的方法得到的MgO膜的X射線衍射圖在36.84。時出現(xiàn)衍 射強度峰值(參照圖14)。因此，可知通過本發(fā)明的方法得到的MgO 膜不遜色于通過以往的方法得到的MgO膜。
通過以上說明的PDP的制造方法以及制造裝置，在常溫下得到 (111)取向性的MgO膜。 (實施例2)
實施例2是將本發(fā)明應(yīng)用于現(xiàn)有裝置時的實施例。 使用圖5所示的裝置進行確認試驗。
其是為了緩和溫度條件而改良了各部的結(jié)果的綜合性的實施方式。
以下，與以往例比較而詳細說明本發(fā)明的常溫成膜方法的具體例。
首先，說明對MgO膜要求的特性。
MgO膜的基板特性是通過結(jié)晶取向性、膜密度/折射率、透射率 來評價的。
對于結(jié)晶取向性，在當前生產(chǎn)中要求的是(111)取向性。
另外，要求膜密度90%以上、折射率1.6以上。膜密度越優(yōu)良， 耐濺射性越良好。
與玻璃基板之比透射率為95%以上。由于MgO使用于PDP面 板的前面板，所以要求高的透射率。
接下來，說明對本發(fā)明的實施進行的改善。發(fā)明者如下認為在關(guān)于膜密度、折射率，對于成膜時的基板溫 度以外的要素也進行分析，并實施對策時，即使降低基板溫度也可以 得到令人滿意的膜特性。因此，實施了下述那樣的研究和對策。
在為了提高生產(chǎn)性而增大動態(tài)速率時，優(yōu)選增大電子束的電流。 然而，在電子束蒸鍍的情況下，所照射的電子束的電流值越大，成膜 速度越快，但如果為了提高成膜速度而流過大電流，則隨著蒸發(fā)源的 溫度的急劇上升，蒸鍍材料被較細地粉碎并彈飛，而引起被稱為噴濺 的現(xiàn)象。由于該噴濺，所彈飛的蒸鍍材料的一部分有時到達玻璃基板， 而成為成品率降低的原因。因此，以往為了抑制該噴濺而提高成膜速 度，在圖12所示的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加電子槍和爐的組數(shù)而應(yīng)對(參 照圖13)。即增加束的照射點而分散電流。
但是，由于安裝了多個爐、多個電子槍以及多個未圖示的電子束 的偏轉(zhuǎn)裝置，所以配置的自由度降低，并且由于上述電子束的偏轉(zhuǎn)裝 置彼此的相互干擾等，存在從蒸發(fā)源觀察的向基板入射MgO的入射 角變大的傾向(參照圖21)。
如果從蒸發(fā)源觀察的向基板入射MgO的入射角變大，則存在折 射率降低的傾向(參照圖18)。另外，結(jié)晶取向性也惡化(參照圖 19)。都是比成膜時的溫度依賴性大的值。因此，如果充分地改善入 射角度，則可以期待得到在更低的溫度下，滿足結(jié)晶取向性、膜密度 以及折射率中的全部的條件。入射角度至少是30。以下，優(yōu)選為200 以下。
因此發(fā)明者將電子槍設(shè)為輸出大的電子槍，并且使電子束搖動而 擴大了照射面積(參照圖22、圖23)。通過擴大照射面積，不提高 電流密度(參照圖24)，由此抑制了蒸鍍源的溫度的急劇上升而防止 了上述噴濺。由此可以使用較少臺數(shù)的皮爾斯式電子槍來加快成膜速 度。其結(jié)果，還可以改善從蒸發(fā)源觀察的向基板入射MgO的入射角。
發(fā)明者在實施了上述那樣的對策的基礎(chǔ)上進行了實驗。 圖5示出在實驗中使用的PDP制造裝置31。裝置由裝入/取出室 32、加熱室33、蒸鍍室34這三個室構(gòu)成。如圖6所示，該例子是在蒸鍍室34中，作為蒸發(fā)源搭載了兩臺旋轉(zhuǎn)式的環(huán)爐4和兩臺皮爾斯 式電子槍3的載荷鎖定式的蒸鍍裝置的例子。與從環(huán)爐4上的四個點 蒸發(fā)MgO的同時，沿著水平方向搬送搭栽了玻璃基板10的運載體 15并成膜MgO。
圖7~9示出實驗的結(jié)果。
圖7是在玻璃基板的左端、中央、右端這三個點對X射線衍射 圖的(111)取向的峰值強度進行測定而得到的結(jié)果。另外，排列示 出了在8000A下改變蒸鍍室的壓力而成膜的膜的膜厚。根據(jù)該結(jié)果， 可知在0.02和0.04Pa的壓力下呈現(xiàn)良好的特性，但確i人了即使在 0.06Pa的壓力下也能得到(lll)取向的膜。
圖8示出透射率。成為基板的玻璃基板使用了旭硝子林式會社制 PD200。圖9是以PD200為基準而比較的結(jié)果。結(jié)果示.出成為95%以 上。
如上所述，測定的結(jié)果表示都得到了良好的特性的MgO膜。
因此，可以確認以下現(xiàn)象通過將電子束蒸鍍裝置中的蒸鍍時的 玻璃基板的溫度設(shè)為常溫(120。C以下)，并將上述電子束蒸鍍裝置 的MgO成膜速度i殳為8000A.m/min以上，而可以進行并不孫色于以 往在200 ~ 250'C下進行的成膜的成膜。
以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明當然不限于這 些，而可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)思想進行各種變更。
例如，不限于連續(xù)式電子束蒸鍍裝置、負載鎖定式電子束蒸鍍裝 置，而還可以應(yīng)用于使用了皮爾斯式電子槍的其他方式的電子束蒸鍍 裝置。
在本發(fā)明的實施方式的電子束蒸鍍裝置中將放入蒸鍍材料的容 器設(shè)為環(huán)爐4，但也可以是坩鍋。
權(quán)利要求
1. 一種等離子顯示器面板(PDP)的制造方法，其特征在于，該等離子顯示器面板包括由掃描電極、維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成的前面基板、和由尋址電極、障壁以及熒光體構(gòu)成的背面基板，其中，該制造方法包括作為上述保護層的(111)取向的MgO膜的形成工序，以8000.m/min以上的堆積速度通過蒸鍍法形成上述MgO膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器面板的制造方法，其特 征在于，上述MgO膜是在120。C以下的基板溫度下通過蒸鍍法形成 的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所迷的等離子顯示器面板的制造方法，其特 征在于，在形成上述MgO膜時，將成膜壓力設(shè)為0.02~0.06Pa。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示器面板的制造方法，其特 征在于，在形成上述MgO膜時，將向上述前面基板入射MgO的入射 角度設(shè)為30。以下。
5. —種等離子顯示器面板的制造裝置，其特征在于，該等離子 顯示器面板包括由掃描電極、維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成的 前面基板、和由尋址電極、障壁以及熒光體構(gòu)成的背面基板，其中， 具有用于形成作為上述保護層的(lll)取向的MgO膜的部件，該部 件以8000 A.m/min以上的堆積速度進行蒸鍍而形成上述MgO膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示器面板的制造裝置，其特 征在于，上述MgO膜能夠在120。C以下的基板溫度下蒸鍍。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示器面板的制造裝置，其特 征在于，在形成上述MgO膜時，成膜壓力成為0.01~0.06Pa。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示器面板的制造裝置，其特 征在于，在形成上述MgO膜時，向上述前面基板入射MgO的入射角 度成為30°以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示器面板的制造方法，降低成膜溫度而簡化制造工序，以容易地得到作為保護層的(111)取向的MgO膜。另外，將制造裝置設(shè)為簡單的結(jié)構(gòu)而縮短生產(chǎn)節(jié)拍時間。在包括由掃描電極、維持電極、電介體層以及保護層構(gòu)成的前面基板、和由尋址電極、障壁以及熒光體構(gòu)成的背面電極的等離子顯示器面板的制造方法中，將電子束蒸鍍裝置中的蒸鍍前的玻璃基板的溫度設(shè)為常溫(120℃以下)，并且將上述電子束蒸鍍裝置的MgO成膜速度設(shè)為8000·m/min以上。在常溫下的成膜中，得到與以往的高溫下的成膜等同的MgO膜。
文檔編號H01J17/49GK101522939SQ20078003381
公開日2009年9月2日 申請日期2007年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者箱守宗人, 飯島榮一 申請人:株式會社愛發(fā)科