專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為氣體放電顯示器件的等離子體顯示面板及其制造 方法，詳細(xì)地涉及氣體封入空間的密封結(jié)構(gòu)及其形成。
背景技術(shù)：
如圖1所示，等離子體顯示面板具有比畫面50大的相互相對(duì)的一 對(duì)玻璃基板ll、 21。由包圍畫面50的框狀的密封材料35將這些玻璃 基板ll、 21接合起來，構(gòu)成密封放電氣體的扁平的器具。 一般，在玻 璃基板11、 21雙方的內(nèi)面上排列有電極X、 Y、 A， 一塊玻璃基板11 上的電極X、 Y和另一塊玻璃基板上的電極A正交。電極X、 Y、 A從 畫面50到支承它們的玻璃基板11、 21的端部邊緣附近延伸。以露出 電極端部，能夠與未圖示的配線板連接的方式，使各玻璃基板11、 21 中的電極延伸的部分的端部邊緣對(duì)其它玻璃基板21、 11的端部邊緣突 出約5 10mm。
在AC型等離子體顯示面板中，如廣泛公知的，由用于維持放電 的電介質(zhì)層(絕緣體層)覆蓋電極。電介質(zhì)層用于當(dāng)顯示時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 的存儲(chǔ)器，在等離子體顯示面板的制造過程中用作防止電極氧化的保 護(hù)覆蓋。S卩，以覆蓋從畫面延伸的電極全長的方式形成電介質(zhì)層。而 且，在由密封材料接合基板對(duì)結(jié)束后，為了露出電極端部，以濕式蝕 刻除去電介質(zhì)層中的密封材料的外側(cè)部分。
關(guān)于由電介質(zhì)層覆蓋整個(gè)電極，在日本專利特開平7-65729號(hào)公報(bào) 中，公開了由材質(zhì)不同的2個(gè)部分構(gòu)成的電介質(zhì)層。在該電介質(zhì)層中， 應(yīng)該在制造的最終階段除去的部分由容易蝕刻的組成的低熔點(diǎn)玻璃構(gòu) 成，在整個(gè)畫面中的主要部分由透明性優(yōu)越的低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成。此外， 在曰本專利特開平9-50769號(hào)公報(bào)中，公開了由厚度不同的2個(gè)部分構(gòu) 成的電介質(zhì)層。該電介質(zhì)層由覆蓋整個(gè)電極的下層和以不覆蓋電極端 部的方式疊層在下層上的上層構(gòu)成。應(yīng)該在制造的最終階段除去的部 分因?yàn)橹挥上聦訕?gòu)成所以薄。在整個(gè)畫面中的主要部分因?yàn)橛上聦雍?br>
上層構(gòu)成所以厚。
盡管在日本專利特開平7-65729號(hào)公報(bào)和日本專利特幵平9-50769 號(hào)公報(bào)中記載的等離子體顯示面板具有3電極結(jié)構(gòu)，但是用作電極保 護(hù)覆蓋的電介質(zhì)層并不配置在基板對(duì)的兩方。這里所謂的3電極結(jié)構(gòu) 是具有用于生成維持放電的第一和第二電極、和用于在與第一或第二 電極之間生成地址放電的第三電極，在一塊基板上平行地排列第一和 第二電極，在另一塊基板上以與第一和第二電極正交的方式排列有第 三電極的面板結(jié)構(gòu)。在上述專利公報(bào)的等離子體顯示面板中，支承第 三電極的基板具有覆蓋第三電極的熒光體，但是不具有作為電極保護(hù) 覆蓋的電介質(zhì)層。
與此相對(duì)，近年來的典型的等離子體顯示面板，如在日本專利特 開2005-149937號(hào)公報(bào)中圖示的那樣，具有覆蓋排列在一塊基板上的第 一和第二電極的第一電介質(zhì)層、和覆蓋排列在另一塊基板上的第三電 極的第二電介質(zhì)層。采用積極地覆蓋第三電極的結(jié)構(gòu)是因?yàn)?，為了維 持驅(qū)動(dòng)的可靠性防止由第三電極放電引起的惡化的必要性提高了。
在第一電介質(zhì)層中求出形成AC驅(qū)動(dòng)所需的壁電荷的帶電能力。 因此，形成比較厚的第一電介質(zhì)層。由介電常數(shù)11 13的低熔點(diǎn)玻璃 構(gòu)成的一般的第一電介質(zhì)層的厚度約為20 30nm。另一方面，因?yàn)樵?br>
第二電介質(zhì)層中基本上不求帶電能力，所以不需要形成的第二電介質(zhì) 層具有第一電介質(zhì)層那樣的厚度。 一般的第二電介質(zhì)層的厚度大概為
第一電介質(zhì)層厚度的一半。
如上所述在等離子體顯示面板的制造過程中，第一電介質(zhì)層和第 二電介質(zhì)層覆蓋對(duì)應(yīng)的整個(gè)電極，保護(hù)電極。在由密封材料接合基板 對(duì)后的蝕刻中，統(tǒng)括地除去從第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層各自中的 密封材料突出的部分，從而露出第一、第二和第三電極的端部。日本專利特開平7-65729號(hào)公報(bào)日本專利特開平9-50769號(hào)公報(bào)日本專利特開2005-149937號(hào)公報(bào)
在第一和第二基板雙方具有電介質(zhì)層的等離子體顯示面板中，與 只有單塊基板具有電介質(zhì)層的等離子體顯示面板相比，容易引起氣體 封入空間的氣密性降低。根據(jù)本發(fā)明者們探求的原因，判明當(dāng)部分地除去電介質(zhì)層，露出電極時(shí)過度地進(jìn)行蝕刻，因此密封材料和基板的 密接變得不充分。詳細(xì)情形如下所述。
圖2模式地表示現(xiàn)有的等離子體顯示面板的密封部分的剖面結(jié)構(gòu)，
圖2 (A)所示的部分與圖1的a-a'箭頭方向看的剖面對(duì)應(yīng)，圖2 (B) 所示的部分與圖1的b-b'箭頭方向看的剖面對(duì)應(yīng)。如圖示那樣，前面 側(cè)的玻璃基板11支承第一電極X、第二電極Y和第一電介質(zhì)層17。 第一和第二電極X、 Y由形成面放電間隙的透明導(dǎo)電體13與作為饋電 總線的金屬帶14構(gòu)成。背面?zhèn)鹊牟ＡЩ?1支承第三電極A、第二 電介質(zhì)層22、劃分氣體封入空間30的隔離壁23和彩色顯示用的熒光 體25。這些玻璃基板11和玻璃基板21由以密封用低熔點(diǎn)玻璃為代表 的密封材料35接合起來。在玻璃基板11與密封材料35之間插入第一 電介質(zhì)層17，在玻璃基板21與密封材料35之間插入第二電介質(zhì)層22。 此外，在第一電介質(zhì)層17的表面上疊層二次電子發(fā)射系數(shù)大的保護(hù)膜， 但是因?yàn)闃O薄到約5000A的程度，所以當(dāng)接合時(shí)保護(hù)膜中與密封材料 35接合的部分破裂，實(shí)質(zhì)上不干預(yù)接合。
在等離子體顯示面板的制造過程中，在由密封材料35接合基板對(duì) 結(jié)束的時(shí)刻，第一電介質(zhì)層17和第二電介質(zhì)層22如圖中點(diǎn)劃線所示， 延伸到密封材料35的周圍，電極X、 Y、 A的各個(gè)端部不露出。
在露出電極X、 Y、 A的端部的濕式蝕刻工序中，統(tǒng)括地對(duì)第一電 介質(zhì)層17的延伸部分17A和第二電介質(zhì)層22的延伸部分22A進(jìn)行蝕 刻。這時(shí)，在電介質(zhì)層17與電介質(zhì)層22中蝕刻速度沒有差別或差別 很微小。這是因?yàn)椴馁|(zhì)相同或類似的緣故。
因?yàn)檠由觳糠?7A的厚度Tl比延伸部分22A的厚度T2大，所以 在蝕刻途中延伸部分22A消失的時(shí)刻，延伸部分17A還殘留。因?yàn)槲g 刻一直繼續(xù)到延伸部分17A消失為止，所以在這之間在第二電介質(zhì)層 22中進(jìn)行了過度蝕刻。因?yàn)殡娊橘|(zhì)層22受到所需要以上的蝕刻，所以 如圖所示，在密封材料35與背面?zhèn)炔ＡЩ?1之間產(chǎn)生間隙91、 92。 而且，如圖2 (B)那樣，在密封材料35與前面?zhèn)炔ＡЩ?1之間也 產(chǎn)生間隙93。
間隙91、 92、 93使密封材料35與玻璃基板21的接合強(qiáng)度降低， 損害氣體封入空間30的密封可靠性。而且，當(dāng)在畫面周圍的某個(gè)地方，
間隙91、 92、 93在密封材料35與電介質(zhì)層22的界面中轉(zhuǎn)播延伸到氣 體封入空間30時(shí)，在該時(shí)刻失去氣密性。
本發(fā)明就是鑒于以上問題提出的，本發(fā)明的目的是提供氣體封入 空間的密封可靠性高的等離子體顯示面板及其制造方法。
發(fā)明內(nèi)容
達(dá)到上述目的的等離子體顯示面板具有包圍氣體封入空間的密封 材料、夾持氣體封入空間和密封材料的第一基板與第二基板、被第一 基板與所述密封材料夾著的第一絕緣體層、和被第二基板與所述密封 材料夾著的第二絕緣體層。此外，當(dāng)假定在露出第一絕緣體層和第二 絕緣體層各自的厚度方向的單面的狀態(tài)下實(shí)施相同的蝕刻時(shí)，選定第 一絕緣體層和第二絕緣體層各自的材質(zhì)和厚度，使得蝕刻深度達(dá)到層 的厚度為止所需要的時(shí)間在這些層之間相等。
達(dá)到上述目的的的等離子體顯示面板的制造方法的特征在于通 過相同的蝕刻法除去包含第一絕緣體層并且從密封材料的外邊緣延伸 的第一基板覆蓋層的延伸部分和包含第二絕緣體層并且從密封材料的 外邊緣延伸的第二基板覆蓋層的延伸部分，選定第一基板覆蓋層的延 伸部分和第二基板覆蓋層的延伸部分各自的材質(zhì)和厚度，使得通過蝕 刻進(jìn)行除去所需要的時(shí)間在這些延伸部分之間相等。
如果蝕刻的所需要的時(shí)間相等，則能夠均等地蝕刻第一基板覆蓋 層和第二基板覆蓋層，消除過度蝕刻。
在本發(fā)明的一個(gè)方式中，第一絕緣體層的材質(zhì)與第二絕緣體層的 材質(zhì)相同，并且第一絕緣體層的厚度與第二絕緣體層的厚度相等。如 果材質(zhì)相同，則蝕刻速度(蝕刻速率)也相同。所以，在材質(zhì)和厚度 相同的2層之間蝕刻所需要的時(shí)間相等。而且，在即便材質(zhì)不同但是
蝕刻速度相同的情形中，在2層之間蝕刻所需要的時(shí)間也相等。進(jìn)一 步，即便蝕刻速度不同，通過使厚度不同也能夠使2層的蝕刻所需要 的時(shí)間一致。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提高氣體封入空間的密封可靠性。
圖1是表示等離子體顯示面板整體構(gòu)成的概要的斜視圖。 圖2是模式地表示現(xiàn)有的等離子體顯示面板的密封部分的剖面結(jié) 構(gòu)的示意圖。
圖3是模式地表示第一實(shí)施方式的等離子體顯示面板的密封部分 的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是模式地表示第二實(shí)施方式的等離子體顯示面板的密封部分 的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
標(biāo)號(hào)說明
1、 2等離子體顯示面板
30 氣體封入空間
35 密封材料
11 玻璃基板(第一基板)
21 玻璃基板(第二基板)
17、 191電介質(zhì)層(第一絕緣體層)
22、 42電介質(zhì)層(第二絕緣體層)
Tl、 T2、 T3厚度
17A、 191A、 42A延伸部分
具體實(shí)施例方式
下面說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在附圖中，為了容易理解構(gòu)成的特 征，在全部附圖中，在具有相同功能的要素上附加相同的標(biāo)號(hào)。 [第一實(shí)施方式]
圖3模式地表示第一實(shí)施方式的等離子體顯示面板的密封部分的 剖面結(jié)構(gòu)，圖3 (A)所示的部分與圖1的a-a'箭頭方向看的剖面對(duì) 應(yīng)，圖3 (B)所示的部分與圖1的b-b'箭頭方向看的剖面對(duì)應(yīng)。
等離子體顯示面板1具有包圍氣體封入空間30的密封材料35、夾 持氣體封入空間30和密封材料35的第一和第二基板(玻璃基板11、 21)、被第一玻璃基板11與密封材料35夾著的電介質(zhì)層(第一絕緣體 層)17、和被第二玻璃基板21與密封材料35夾著的電介質(zhì)層(第二 絕緣體層)42。除了代替圖2中現(xiàn)有的等離子體顯示面板中的電介質(zhì) 層22具有電介質(zhì)層42之外，等離子體顯示面板1的構(gòu)成與圖2的等
離子體顯示面板相同。所以，下面將與特征有關(guān)的要素作為中心進(jìn)行 說明，而省略關(guān)于其它要素的重復(fù)說明。
由前面?zhèn)炔ＡЩ?1支承的電介質(zhì)層17是用于AC驅(qū)動(dòng)的要素，
在整個(gè)畫面上覆蓋平行地排列的第一和第二電極X、 Y。由背面?zhèn)鹊牟?璃基板21支承的電介質(zhì)層42在整個(gè)畫面上覆蓋第三電極A，防止由 第三電極A的放電引起的惡化。此外，能夠?qū)⒂呻娊橘|(zhì)層42產(chǎn)生的帶 電積極地用于地址放電的控制，也能夠?qū)㈦娊橘|(zhì)層42用作當(dāng)用噴砂法 形成隔離壁23時(shí)的切削制動(dòng)器。
在等離子體顯示面板l中，作為特征，當(dāng)在露出電介質(zhì)層17和電 介質(zhì)層42這樣2層各自的厚度方向的單面的狀態(tài)下實(shí)施相同的蝕刻 時(shí)，選定電介質(zhì)層17和電介質(zhì)層42各自的材質(zhì)和厚度，使得蝕刻深 度達(dá)到層的厚度的所需要的時(shí)間在這些層之間相等。不對(duì)圖示狀態(tài)的 電介質(zhì)層17和電介質(zhì)層42進(jìn)行蝕刻。實(shí)際上，在等離子體顯示面板1 的制造階段中為了露出電極端部而進(jìn)行蝕刻，這時(shí)以大致同時(shí)完成前 面?zhèn)鹊碾姌OX、 Y的露出和背面?zhèn)鹊碾姌OA的露出的方式，選定電介 質(zhì)層17和電介質(zhì)層42各自的材質(zhì)和厚度。
等離子體顯示面板1的制造包括在各玻璃基板11、 21上疊層規(guī)定 要素的工序、由密封材料35接合玻璃基板11、 21的工序、和通過玻 璃基板21具有的通氣孔預(yù)先對(duì)內(nèi)部進(jìn)行排氣和向內(nèi)部充填氣體的工 序。在制造過程中的基板對(duì)的接合結(jié)束的時(shí)刻，電介質(zhì)層17和電介質(zhì) 層42如圖中點(diǎn)劃線所示，延伸到密封材料35的周圍，電極X、 Y、 A 的各自的端部不露出。在基板對(duì)接合后，在排氣工序前或后進(jìn)行露出 電極端部的蝕刻。此外，在下面，將延伸到密封材料35周圍的狀態(tài)的 電介質(zhì)層稱為基板覆蓋層，與蝕刻后的電介質(zhì)層區(qū)別開來。前面?zhèn)鹊?基板覆蓋層由電介質(zhì)層17和延伸部分17A構(gòu)成，背面?zhèn)鹊幕甯采w層 由電介質(zhì)層42和延伸部分42A構(gòu)成。
作為基板覆蓋層的形成方法，是通過模涂敷(Die Coat)法、旋轉(zhuǎn) 涂敷(Spin Coat)法、噴射(Spray)法、絲網(wǎng)印刷法等在基板上涂敷 玻璃膏并進(jìn)行燒結(jié)的方法、和將玻璃料作為主成分的層壓(Laminate) 用原料片貼附在基板上并進(jìn)行燒結(jié)的方法。以覆蓋包含多個(gè)玻璃基板 的大小的母玻璃的大致整個(gè)面的方式形成基板覆蓋層，此后將母玻璃 分割成多塊玻璃基板，這在提高生產(chǎn)性方面優(yōu)選。
包含電介質(zhì)層17、 42的基板覆蓋層的材質(zhì)、厚度和蝕刻方法的具 體例如下所述。
設(shè)定前面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層17的材質(zhì)與背面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層42的材質(zhì) 相同，并且設(shè)定電介質(zhì)層17的厚度Tl與電介質(zhì)層42的厚度T2實(shí)質(zhì) 上相等。實(shí)質(zhì)上，意味著如果厚度差在約百分之幾的制造上的誤差范 圍內(nèi)，則能夠看作厚度相等。
電介質(zhì)層的材質(zhì)是在600°C燒結(jié)下列組成玻璃料的低熔點(diǎn)玻璃。
PbO : 70 75wt%
B203: 10 20wt%
Si02: 10 20wt%
設(shè)定厚度Tl、 T2的設(shè)計(jì)尺寸為30pm。
密封材料35由密封用的低熔點(diǎn)玻璃(例如，旭硝子公司制， ASF-2000)構(gòu)成，接合狀態(tài)中的圖案寬度約為10mm，厚度約為150|^m。
將產(chǎn)品搬入到作為蝕刻劑摩爾濃度6%溫度25°C的硝酸溶液的噴 淋室，對(duì)延伸部分17A和延伸部分42A進(jìn)行了蝕刻。能夠大致同時(shí)結(jié) 束除去延伸部分17A、 42A的工作。蝕刻的所要時(shí)間為3分鐘。
設(shè)定前面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層17的厚度T1與背面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層42的厚 度T2實(shí)質(zhì)上相等，設(shè)定電介質(zhì)層17的材質(zhì)與電介質(zhì)層42的材質(zhì)不同。 但是，以蝕刻速度大致相等的方式選定各層的材質(zhì)。具體地說，設(shè)定 電介質(zhì)層17的材質(zhì)和厚度與上述實(shí)施例1相同。而且，設(shè)定電介質(zhì)層 42為下列組成的低熔點(diǎn)玻璃。
PbO : 60 65wt%
B203: 5 10wt%
Si02: 20 30wt%
在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行蝕刻，能夠大致同時(shí)結(jié)束除去延 伸部分17A、 42A的工作。 [實(shí)施例3]
關(guān)于背面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層42的材質(zhì)，使電介質(zhì)層42的蝕刻速度比 前面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層17小，使電介質(zhì)層42的厚度T2比電介質(zhì)層17的
厚度T1小。
電介質(zhì)層17的材質(zhì)與上述實(shí)施例1相同，電介質(zhì)層17的厚度Tl 為30pm。設(shè)定電介質(zhì)層42為下列組成的低熔點(diǎn)玻璃，電介質(zhì)層42的 厚度T2為10pm。
ZnO : 55 65wt%
B203: 20 30wt%
Si02: 5 10wt%
在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行蝕刻，能夠大致同時(shí)結(jié)束除去延 伸部分17A、 42A的工作。
圖4模式地表示第二實(shí)施方式的等離子體顯示面板的密封部分的 剖面結(jié)構(gòu)，圖4 (A)所示的部分與圖1的a-a'箭頭方向看的剖面對(duì) 應(yīng)，圖4 (B)所示的部分與圖1的b-b'箭頭方向看的剖面對(duì)應(yīng)。
等離子體顯示面板2具有包圍氣體封入空間30的密封材料35、夾 持氣體封入空間30與密封材料35的第一和第二基板(玻璃基板IK 21)、被第一玻璃基板11與密封材料35夾著的電介質(zhì)層(第一絕緣體 層)191和被第二玻璃基板21和密封材料35夾著的電介質(zhì)層(第二絕 緣體層)22。
在等離子體顯示面板2中，作為特征，覆蓋前面?zhèn)鹊碾姌OX、 Y 的電介質(zhì)層19具有第一電介質(zhì)層(下層)191和第二電介質(zhì)層(上層) 192的多層結(jié)構(gòu)。此外，當(dāng)在下層191與背面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層22這樣2 層各自的厚度方向的單面露出的狀態(tài)下實(shí)施相同的蝕刻時(shí)，選定下層 191和背面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層22各自的材質(zhì)和厚度，使得蝕刻深度達(dá)到層 的厚度的所要時(shí)間在這些層之間相等。不對(duì)圖示狀態(tài)的下層191和電 介質(zhì)層22進(jìn)行蝕刻。實(shí)際上，在等離子體顯示面板2的制造階段中為 了露出電極端部而進(jìn)行蝕刻，這時(shí)以大致同時(shí)完成前面?zhèn)鹊碾姌OX、 Y 的露出和背面?zhèn)鹊碾姌OA的露出的方式，選定下層191和電介質(zhì)層22
各自的材質(zhì)和厚度。
上層192是用于使電介質(zhì)層19的厚度為適合于AC驅(qū)動(dòng)的充分大 的值的要素。以擴(kuò)展到整個(gè)畫面并且不從密封材料35的外邊緣突出的 方式設(shè)置上層192。在圖示中，上層192與密封材料35接合起來，但
是只要上層192覆蓋整個(gè)畫面，也可以與密封材料35分離。而且，上 層192的材質(zhì)和厚度既可以與下層相同也可以與下層不同。
在等離子體顯示面板2的制造過程中的基板對(duì)的接合結(jié)束的時(shí)刻， 下層191和電介質(zhì)層22如圖中點(diǎn)劃線所示地延伸到密封材料35的周 圍，電極X、 Y、 A的各個(gè)端部不露出。在基板對(duì)接合后進(jìn)行露出電極 端部的蝕刻。此外，這里，將延伸到密封材料35周圍的狀態(tài)的下層191 和電介質(zhì)層22稱為基板覆蓋層，與蝕刻后的層區(qū)別開來。前面?zhèn)鹊幕?板覆蓋層由下層191和延伸部分191A構(gòu)成，背面?zhèn)鹊幕甯采w層由電 介質(zhì)層22和延伸部分22A構(gòu)成。
在使延伸部分191A、 22A的蝕刻所需要的時(shí)間一致的方法中，存 在與上述實(shí)施例1 3同樣的情況。g卩，可以使前面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊幕?覆蓋層的材質(zhì)和厚度T3、 T2相同，或者選擇蝕刻速度同等的材質(zhì)使厚 度T3、 T2相同，或者根據(jù)蝕刻速度的差異使厚度T3和厚度T2不同。
在以上的實(shí)施方式中，對(duì)電極的材質(zhì)和排列形態(tài)、畫面內(nèi)的單元 結(jié)構(gòu)等沒有特別的限定。電介質(zhì)層17、 19、 22、 42的材質(zhì)和厚度T1、 T2、 T3、密封材料35的材質(zhì)和尺寸、蝕刻劑和蝕刻裝置的形式等不限 定于例示，能夠在本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更。
本發(fā)明能夠用于個(gè)人計(jì)算機(jī)和工作站等的信息處理設(shè)備的顯示、 平面型電視、廣告和引導(dǎo)信息等的公眾顯示用的顯示器等，由氣體放 電進(jìn)行彩色顯示的各種顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，具有包圍氣體封入空間的密封材料、夾持所述氣體封入空間和密封材料的第一基板與第二基板、被所述第一基板與所述密封材料夾著的第一絕緣體層、和被所述第二基板與所述密封材料夾著的第二絕緣體層，其特征在于當(dāng)假定在露出第一絕緣體層和第二絕緣體層各自的厚度方向的單面的狀態(tài)下實(shí)施相同的蝕刻時(shí)，選定所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層各自的材質(zhì)和厚度，使得蝕刻深度達(dá)到層的厚度為止所需要的時(shí)間在這些層之間相等。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述第一絕緣體層的材質(zhì)與所述第二絕緣體層的材質(zhì)相同，所述第一絕緣體層的厚度與所述第二絕緣體層的厚度相等。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板，其特征在于-所述第一絕緣體層的材質(zhì)與所述第二絕緣體層的材質(zhì)不同，在所述第一絕緣體層的所述蝕刻中的蝕刻速度與在所述第二絕緣體層的所 述蝕刻中的蝕刻速度相等，所述第一絕緣體層的厚度與所述第二絕緣 體層的厚度相等。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述第一絕緣體層的材質(zhì)與所述第二絕緣體層的材質(zhì)不同，所述第一絕緣體層的厚度與所述第二絕緣體層的厚度不同。
5. —種等離子體顯示面板的制造方法，其中等離子體顯示面板具 有包圍氣體封入空間的密封材料、夾持所述氣體封入空間和密封材料 的第一基板與第二基板、被所述第一基板與所述密封材料夾著的第一 絕緣體層、和被所述第二基板與所述密封材料夾著的第二絕緣體層， 在該等離子體顯示面板的制造中，通過相同的蝕刻法除去包含所述第 一絕緣體層并且從所述密封材料的外邊緣延伸的第一基板覆蓋層的延 伸部分和包含所述第二絕緣體層并且從所述密封材料的外邊緣延伸的第二基板覆蓋層的延伸部分，其特征在于選定所述第一基板覆蓋層的延伸部分和所述第二基板覆蓋層的延 伸部分各自的材質(zhì)和厚度，使得通過所述蝕刻進(jìn)行除去所需要的時(shí)間 在這些延伸部分之間相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征 在于由跨過所述密封材料的配置區(qū)域的內(nèi)側(cè)和外側(cè)且具有所述延伸部 分的下層與除去所述配置區(qū)域的外側(cè)而重疊在所述下層上的上層構(gòu)成 所述第一基板覆蓋層，由此使所述第一基板覆蓋層的延伸部分比其它 部分薄。
全文摘要
本發(fā)明提高氣體封入空間的密封可靠性。在本發(fā)明的等離子體顯示面板中，具有包圍氣體封入空間的密封材料、夾持氣體封入空間和密封材料的第一基板與第二基板、被第一基板與密封材料夾著的第一絕緣體層、和被第二基板與密封材料夾著的第二絕緣體層，當(dāng)假定在露出第一絕緣體層和第二絕緣體層各自的厚度方向的單面的狀態(tài)下實(shí)施相同的蝕刻時(shí)，選定第一絕緣體層和第二絕緣體層各自的材質(zhì)和厚度，使得蝕刻深度達(dá)到層的厚度為止所需要的時(shí)間在這些層之間相等。
文檔編號(hào)H01J9/02GK101170037SQ20071010221
公開日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月23日
發(fā)明者下吉旭, 平原英明, 木船素成 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司