專利名稱：金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板，尤其是一種金屬網(wǎng)板型 等離子體顯示平板掃描電極驅(qū)動(dòng)電路，具體地說是一種金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
目前，等離子體顯示平板作為一項(xiàng)具體的平板顯示器件，同樣具有輕、 薄、屏幕大、視角寬、惰性小等優(yōu)點(diǎn)，在大屏幕顯示領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前
學(xué)
目前正在開發(fā)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板一種對向放電型交流等離 子體顯示平板，它與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比，具有制造 工藝簡單、更容易實(shí)現(xiàn)高分辨率、以及制造成本和驅(qū)動(dòng)成本低等優(yōu)點(diǎn)，具有 更強(qiáng)的市場競爭力。正是由于這種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板在結(jié)構(gòu)上與 傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比具有較大差別，需要針對新結(jié)構(gòu) 的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板設(shè)計(jì)一種全新的驅(qū)動(dòng)電路，以滿足金屬網(wǎng)板 型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求，并且要滿足高性能和低成本的要求，從驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)的角度來體現(xiàn)技術(shù)先進(jìn)性，以低成本的電路來提高產(chǎn)品市場競爭力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板急需高性能、低成本 驅(qū)動(dòng)電路的問題，設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)簡單，成本低\易于實(shí)現(xiàn)的金屬網(wǎng)板型等離子 體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路，其特征是它主要由 能量恢復(fù)模塊1、維持模塊2、擦除模塊3、隔離模塊4、復(fù)位模塊5及尋址 模塊6所組成，上述各電路模塊所需的控制輸入信號XERH、 XERL、 XSUH、 XSUL、
XERA、 XPAS、 XRST、 XADD及XS0T由數(shù)字信號發(fā)生器7提供，其中能量恢復(fù)模 塊l、維持模塊2、擦除模塊3、復(fù)位模塊5及尋址模塊6所需的電源輸入信 號VPS、 VNS、 VSETUP及VADD由直流穩(wěn)壓電源8提供，能量恢復(fù)模塊1的輸 出端和維持模塊2的輸出端以及擦除模塊3的輸出端一起與隔離模塊4的一 路輸出端相連，隔離模塊4的另一路輸出端和復(fù)位模塊5的輸出端以及尋址 模塊6的一路輸出端一起與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1參考地輸入端XVSS相連，尋址 模塊6的另一路輸出端與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的電源輸入端XVDD相連。 其中
所述的能量恢復(fù)模塊l由場效應(yīng)管Q1、場效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管 D2、 二極管D3、 二極管D4和電感Ll所組成，能量恢復(fù)模塊1控制輸入信號 從場效應(yīng)管Ql和場效應(yīng)管Q2的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信 號輸出端XERH和XERL，能量恢復(fù)模塊1的一路電源輸入端通過二極管D3輸 出端與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VPS相連，另一路電源輸入端通過二 極管D4的輸入端與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VNS相連，能量恢復(fù)模塊 1的輸出端通過電感L1的一端引出接維持模塊2。
所述的維持模塊2由場效應(yīng)管Q3與場效應(yīng)管Q4組成，維持模塊2控制 輸入信號從場效應(yīng)管Q3與場效應(yīng)管Q4的柵極引接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字 開關(guān)信號輸出端XSUH和XSUL，維持模塊2 —路電源輸入端通過場效應(yīng)管Q3 的漏極與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VPS相連，另一路電源輸入端通過場 效應(yīng)管Q4的源極與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VNS相連，維持模塊2輸 出從場效應(yīng)管Q3的源極和場效應(yīng)管Q4的漏極的連接點(diǎn)接能量恢復(fù)模塊1中 的電感L1的一端，同時(shí)接擦除模塊3。
所述的擦除模塊3由二極管D5、可變電阻VR1、電容C1、電阻R1與場效 應(yīng)管Q5所組成，擦除模塊3控制輸入信號從場效應(yīng)管Q5的柵極引出通過可 變電阻VR1并聯(lián)二級管D5接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XERA， 擦除模塊3電源輸入端通過場效應(yīng)管Q5的源極與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出 信號VNS相連，擦除模塊3輸出從電阻Rl和場效應(yīng)管Q5的漏極連接點(diǎn)接維 持模塊2的輸出端，同時(shí)接隔離模塊4。
所述的隔離模塊4由場效應(yīng)管Q6組成，隔離模塊4控制輸入信號通過場 效應(yīng)管Q6的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XPAS，隔離 模塊4 一路輸出端通過場效應(yīng)管Q6的源極與擦除模塊3輸出端相連，另一路 輸出端通過場效應(yīng)管Q6的漏極與復(fù)位模塊5相連。
所述的復(fù)位模塊5由二極管D6、可變電阻VR2、電容C2、電阻R2與場效 應(yīng)管Q7所組成，復(fù)位模塊5控制輸入信號從場效應(yīng)管Q7的柵極引出通過可 變電阻VR2并聯(lián)二級管D6接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XRST， 復(fù)位模塊5電源輸入端通過電阻R2與場效應(yīng)管Q7的漏極連接點(diǎn)接直流穩(wěn)壓 電源8的電源輸出信號VSETUP，復(fù)位模塊5輸出從場效應(yīng)管Q7的源極引出接 隔離模塊4一路輸出端，同時(shí)與尋址模塊6相連。
所述的尋址模塊6由二極管D7、電阻R3、場效應(yīng)管Q9、場效應(yīng)管Q8和 電容C3組成，尋址模塊6控制輸入信號分別從場效應(yīng)管Q9、場效應(yīng)管Q8的 柵極引出分別接對應(yīng)的數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XADD、 XS0T， 尋址模塊6電源輸入端通過二極管D7輸入端接直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信 號VADD，尋址模塊6 —路輸出從場效應(yīng)管Q9的源極和場效應(yīng)管Q8的漏極以 及電容C3 —端連接點(diǎn)引出接掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的電源輸入端XVDD，另一路輸 出從場效應(yīng)管Q8的源極和電容C3另一端的連接點(diǎn)引出接復(fù)位模塊5的輸出 端，同時(shí)接掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的參考地輸入端XVSS。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的電路與已有的驅(qū)動(dòng)電路相比，通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，大量減少了 電路元器件和控制信號的數(shù)量，大幅度降低了驅(qū)動(dòng)電路的成本，簡化的電路 設(shè)計(jì)降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也有利于提高顯示系統(tǒng)整體性能。在具體實(shí)施過程 中只需通過合理選擇關(guān)鍵電子元器件的類型和數(shù)目，就可以驅(qū)動(dòng)任何解析度 和屏幕大小尺寸的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板，同樣本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路也
適用于其它交流等離子體顯示平板。本發(fā)明的電路除了能夠很好的產(chǎn)生金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需基本驅(qū)動(dòng)波形，還具有以下四項(xiàng)顯著的特點(diǎn)
(1)能量恢復(fù)電路簡化設(shè)計(jì)，大量減少電路器件，降低了電路成本。本 發(fā)明的電路裝置將先前設(shè)計(jì)中正電壓能量恢復(fù)電路與負(fù)電壓能量恢復(fù)電路進(jìn)
行功能優(yōu)化合并，合并后的電路不僅具備合并前相同的功能，而且關(guān)鍵電路 元器件減為原先設(shè)計(jì)的一半；
(2) 維持電路簡化設(shè)計(jì)，大量減少了電路器件，降低了電路成本。本發(fā)
明的電路裝置同樣將先前設(shè)計(jì)中正電壓維持電路與負(fù)電壓維持電路進(jìn)行功能 優(yōu)化合并，合并后的電路同樣不僅具備合并前相同的功能，而且關(guān)鍵電路元
器件減為原先設(shè)計(jì)的一半；
(3) 由于(1)與(2)所述的將能量恢復(fù)電路與維持電路進(jìn)行簡化了設(shè) 計(jì)，導(dǎo)致本發(fā)明的電路裝置中隔離電路部分也由先前的兩路隔離電路減少為 一路，減少了電路器件，降低了電路成本；
(4) 本發(fā)明的電路裝置中與先前設(shè)計(jì)相比，在掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的電源 輸入端XVDD與參考地輸入端XVSS之間增加額外儲能電容C3，大大減弱由于 顯示系統(tǒng)在尋址工作中由于電源供給反應(yīng)速度慢而產(chǎn)生掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1上 超過芯片耐壓值的波形毛剌現(xiàn)象，這樣不僅起到了保護(hù)掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的 作用，而且波形毛刺現(xiàn)象減少也有利于提高顯示系統(tǒng)整體工作性能和穩(wěn)定性。


圖1是本發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需要的基本驅(qū)動(dòng)波形示 意圖。
圖3是本發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路原理框圖。 圖4是與圖3所示的框圖相配的一個(gè)電原理圖。
圖5是利用本發(fā)明的新型驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)形成的維持期驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)構(gòu)附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。 如圖3、 4所示。
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路，它主要由能量恢復(fù) 模塊l、維持模塊2、擦除模塊3、隔離模塊4、復(fù)位模塊5及尋址模塊6所 組成，上述各電路模塊所需的控制輸入信號XERH、 XERL、 XSUH、 XSUL、 XERA、 XPAS、 XRST、 XADD及XSOT由數(shù)字信號發(fā)生器7提供，其中能量恢復(fù)模塊1、
維持模塊2、擦除模塊3、復(fù)位模塊5及尋址模塊6所需的電源輸入信號VPS、 VNS、 VSETUP及VADD由直流穩(wěn)壓電源8提供，能量恢復(fù)模塊1的輸出端和維 持模塊2的輸出端以及擦除模塊3的輸出端一起與隔離模塊4的一路輸出端 相連，隔離模塊4的另一路輸出端和復(fù)位模塊5的輸出端以及尋址模塊6的 一路輸出端一起與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1參考地輸入端XVSS相連，尋址模塊6的 另一路輸出端與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的電源輸入端XVDD相連。
具體實(shí)施時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路圖如圖4所示。其中能量恢復(fù)模塊1由場效應(yīng) 管Q1、場效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管D2、 二極管D3、 二極管D4和電感 Ll所組成，能量恢復(fù)模塊1控制輸入信號從場效應(yīng)管Ql和場效應(yīng)管Q2的柵 極引出接數(shù)字信號發(fā)生器7 (可使用FPGA電路板編程推動(dòng)IR2113S等芯片而形 成)的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XERH和XERL，能量恢復(fù)模塊1的一路電源輸入端 通過二極管D3輸出端與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VPS相連，另一路電 源輸入端通過二極管D4的輸入端與直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VNS相連， 能量恢復(fù)模塊1的輸出端通過電感Ll的一端引出接維持模塊2。維持模塊2 由場效應(yīng)管Q3與場效應(yīng)管Q4組成，維持模塊2控制輸入信號從場效應(yīng)管Q3 與場效應(yīng)管Q4的柵極引接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XSUH和 XSUL，維持模塊2 —路電源輸入端通過場效應(yīng)管Q3的漏極與直流穩(wěn)壓電源8 的電源輸出信號VPS相連，另一路電源輸入端通過場效應(yīng)管Q4的源極與直流 穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VNS相連，維持模塊2輸出從場效應(yīng)管Q3的源極 和場效應(yīng)管Q4的漏極的連接點(diǎn)接能量恢復(fù)模塊1中的電感Ll的一端，同時(shí) 接擦除模塊3。擦除模塊3由二極管D5、可變電阻VR1、電容C1、電阻R1與 場效應(yīng)管Q5所組成，擦除模塊3控制輸入信號從場效應(yīng)管Q5的柵極引出通 過可變電阻VR1并聯(lián)二級管D5接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端 XERA，擦除模塊3電源輸入端通過場效應(yīng)管Q5的源極與直流穩(wěn)壓電源8的電 源輸出信號VNS相連，擦除模塊3輸出從電阻Rl和場效應(yīng)管Q5的漏極連接 點(diǎn)接維持模塊2的輸出端，同時(shí)接隔離模塊4。隔離模塊4由場效應(yīng)管Q6組 成，隔離模塊4控制輸入信號通過場效應(yīng)管Q6的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器 7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XPAS，隔離模塊4 一路輸出端通過場效應(yīng)管Q6的源極與擦除模塊3輸出端相連，另一路輸出端通過場效應(yīng)管Q6的漏極與復(fù)位模
塊5相連。復(fù)位模塊5由二極管D6、可變電阻VR2、電容C2、電阻R2與場效 應(yīng)管Q7所組成，復(fù)位模塊5控制輸入信號從場效應(yīng)管Q7的柵極引出通過可 變電阻VR2并聯(lián)二級管D6接數(shù)字信號發(fā)生器7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XRST， 復(fù)位模塊5電源輸入端通過電阻R2與場效應(yīng)管Q7的漏極連接點(diǎn)接直流穩(wěn)壓 電源8的電源輸出信號VSETUP，復(fù)位模塊5輸出從場效應(yīng)管Q7的源極引出接 隔離模塊4一路輸出端，同時(shí)與尋址模塊6相連。尋址模塊6由二極管D7、 電阻R3、場效應(yīng)管Q9、場效應(yīng)管Q8和電容C3組成，尋址模塊6控制輸入信 號分別從場效應(yīng)管Q9、場效應(yīng)管Q8的柵極引出分別接對應(yīng)的數(shù)字信號發(fā)生器 7的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XADD、 XS0T，尋址模塊6電源輸入端通過二極管D7 輸入端接直流穩(wěn)壓電源8的電源輸出信號VADD，尋址模塊6 —路輸出從場效 應(yīng)管Q9的源極和場效應(yīng)管Q8的漏極以及電容C3 —端連接點(diǎn)引出接掃描驅(qū)動(dòng) 芯片IC1的電源輸入端XVDD，另一路輸出從場效應(yīng)管Q8的源極和電容C3另 一端的連接點(diǎn)引出接復(fù)位模塊5的輸出端，同時(shí)接掃描驅(qū)動(dòng)芯片工C1的參考 地輸入端XVSS。 詳述如下
本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)框圖如圖1所示， 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上引出了一系列金屬電極，根據(jù)功能不同分成 兩類數(shù)據(jù)電極與掃描維持電極，兩類電極的數(shù)目與金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板的解析度相關(guān)。在對金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板實(shí)施驅(qū)動(dòng)時(shí)，需要 將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2、掃描驅(qū)動(dòng)芯片工C1與相應(yīng)的數(shù)據(jù)電極和掃描電極相連， 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路通過給掃描驅(qū)動(dòng)芯片提供掃描驅(qū)動(dòng)芯 片IC1電源端(XVDD)和參考地端(XVSS)提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平 板所需的基本驅(qū)動(dòng)波形，達(dá)到驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的目的。有 效驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本驅(qū)動(dòng)波形如圖2所示，根據(jù) 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板顯示原理的需要，驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板時(shí)所需要的驅(qū)動(dòng)波形主要由圖2所示的四部分(WP1、 WP2、 WP3、 WP4) 進(jìn)行合理組合而形成，根據(jù)波形相應(yīng)特征和功能，WP1波形被稱為復(fù)位波形，
其時(shí)長可為300us—500us，WP2波形被稱為尋址波形，其時(shí)長可為500us—2ms， WP3波形被稱為維持波形，其時(shí)長可為2us—5ms， WP4波形被稱為擦除波形， 其時(shí)長可為20us—300us。本發(fā)明的一種新型金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū) 動(dòng)電路的原理框圖如圖3所示，能夠很好的產(chǎn)生掃描維持電極所需要的上述 四部分的基本驅(qū)動(dòng)波形，并提供較大的負(fù)載電流，滿足系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)的要求。驅(qū) 動(dòng)電路具體的電原理圖如圖4所示，它是圖3框圖的具體實(shí)施方案，驅(qū)動(dòng)電 路方案中主要由一系列金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)、快恢復(fù)二級管、 電容和電感組成，其中IC1表示掃描驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7617芯片)， 實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板顯示系統(tǒng)中根據(jù)解析度的要求需要較多掃 描驅(qū)動(dòng)芯片IC1，這里僅提供一個(gè)框圖作方案原理說明，在實(shí)際驅(qū)動(dòng)過程中金 屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板可以看成一個(gè)容性負(fù)載，這里用Cp加以表示，IC2 表示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7630芯片)，實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子 體顯示平板顯示系統(tǒng)中根據(jù)解析度的要求需要較多數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2，這里也 僅提供一個(gè)框圖作方案原理說明，圖4下部虛線框中所表示是一個(gè)等效原理 圖。圖l、圖2、圖3、圖4中其他技術(shù)方案相關(guān)詳細(xì)信息將在下面描述整個(gè) 驅(qū)動(dòng)方法詳細(xì)操作流程中同時(shí)加以描述。
如圖1所示，將掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的輸出與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平 板掃描維持電極一一對應(yīng)相連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2的輸出與數(shù)據(jù)電極一一 對應(yīng)相連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2的電源端VA連接直流穩(wěn)壓電源，根據(jù)金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求選擇合適電壓幅度，參考地直接與系統(tǒng)地相 連；掃描驅(qū)動(dòng)芯片工C1的電源端XVDD和參考地端XVSS均與本設(shè)計(jì)方案中的 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板新型驅(qū)動(dòng)電路相連接。圖2所示的是驅(qū)動(dòng)金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需基本驅(qū)動(dòng)波形，上述的基本驅(qū)動(dòng)波形由數(shù)據(jù)電 極和掃描維持電極輸出，數(shù)據(jù)電極輸出波形可以直接由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2產(chǎn) 生，不需要驅(qū)動(dòng)電路，掃描維持電極輸出的波形由掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1輸出端 輸出，但是需要本發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板新型驅(qū)動(dòng)電路與掃描 驅(qū)動(dòng)芯片IC1相連接，由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板新型驅(qū)動(dòng)電路提供所 需驅(qū)動(dòng)波形，圖2中的標(biāo)示VPS、 VNS、 VSETUP、 VADD、 VA都是與圖4中所提
供的直流穩(wěn)壓電源相互一一對應(yīng)的電壓標(biāo)示，具體電壓幅值由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求決定。
圖3是為了產(chǎn)生圖2所示四種基本驅(qū)動(dòng)波形而發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子 體顯示平板的驅(qū)動(dòng)電路原理框圖，該驅(qū)動(dòng)電路方案按功能劃分可以分為能量恢復(fù)模塊l、維持模塊2、擦除模塊3、隔離模塊4、復(fù)位模塊5、尋址模塊6、 數(shù)字信號發(fā)生器7和直流穩(wěn)壓電源8。能量恢復(fù)模塊1與維持模塊2協(xié)調(diào)工作， 在功能上產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的維持脈沖(圖2中WP3)，并提供有效負(fù) 載電流，而降低無效電流在電路上的損耗；擦除模塊3產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需 要的擦除波形(圖2中WP4);復(fù)位模塊5與擦除模塊3協(xié)同工作，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng) 顯示屏所需要的復(fù)位波形(圖2中WP1);尋址模塊6產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要 的尋址波形(圖2中的WP2);隔離模塊4主要起到分時(shí)隔離銜接復(fù)位模塊5、 尋址模塊6與維持模塊2、能量恢復(fù)模塊1的作用。
圖4是本發(fā)明的具體驅(qū)動(dòng)電路的電原理圖，能量恢復(fù)模塊1由場效應(yīng)管 Ql、 Q2、 二極管D1、 D2、 D3、 D4和電感L1所組成，維持模塊2由場效應(yīng)管 Q3和Q4組成，擦除模塊3由二極管D5、可變電阻VR1、電容C1、電阻Rl和 場效應(yīng)管Q5組成，隔離模塊4由場效應(yīng)管Q6組成，復(fù)位模塊5由二極管D6、 可變電阻VR2、電容C2、電阻R2和場效應(yīng)管Q7組成，尋址模塊6由二極管 D7、電阻R3、場效應(yīng)管Q9、 Q8和電容C3組成；上述能量恢復(fù)模塊1通過電 感Ll的一端輸出與維持模塊2 —輸出端(即M0SFET Q3的源極與M0SFET Q4 的漏極連接處)、擦除模塊3的輸出端(即M0SFET Q5的漏極與電阻Rl —端 的連接處)以及隔離模塊4一輸出端(即M0SFETQ6源極)相連，復(fù)位模塊5 通過M0SFET Q7的源極輸出與隔離模塊4另一輸出端(即M0SFET Q6漏極)、 尋址模塊一輸出端(即M0SFET Q8的源極與電容C3—端的連接處)以及掃描 驅(qū)動(dòng)芯片IC1參考地端(即XVSS)相連，尋址模塊6另一輸出端(即M0SFET Q8漏極與M0SFET Q9源極以及電容C3另一端的連接處)與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1 的電源輸入端(即XVDD)相連。
上述所提及的模塊之間的連接都是模塊的輸出端的連接，各模塊的控制 信號輸入端是圖4中所標(biāo)注的XERH、 XERL、 XSUH、 XSUL、 XERA、 XPAS、 XRST、
XADD及XS0T這9個(gè)控制信號，這些控制信號都是由數(shù)字信號發(fā)生器7所產(chǎn)生， 由數(shù)字信號發(fā)生器7輸出與其他電路模塊一一相連，各模塊的電源輸入端是 圖4中所標(biāo)注的VPS、 VNS、 VSETUP及VADD這4路直流穩(wěn)壓電源，這些電源 輸入信號由直流穩(wěn)壓電源8所提供，由直流穩(wěn)壓電源8輸出與相應(yīng)電路模塊 一一相連。
技術(shù)方案操作流程描述
通過圖4所示的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板新型驅(qū)動(dòng)電路，可以產(chǎn)生 圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需要的基本驅(qū)動(dòng)波形，下面 按照四種基本驅(qū)動(dòng)波形情況分別詳細(xì)描述通過有效控制圖4所示的金屬網(wǎng)板 型等離子體顯示平板新型驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板所需要的四種基本驅(qū)動(dòng)波形。
由于在產(chǎn)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP1、 WP2、 WP4時(shí)的控制流程需要基本驅(qū)動(dòng)波 形WP3的部分控制流程，所以首先描述產(chǎn)生波形WP3的控制流程。圖5為WP3 的基本波形放大圖，Tl、 T2、 T3、 T4為波形相應(yīng)的時(shí)間段(在使用200kHz維 持頻率波形情況下，可分別為0.7us、 1.8ixs、 0. 7"s、 1.8ixs)，在輸出 WP3的基本驅(qū)動(dòng)波形時(shí)候數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片輸出GND使得數(shù)據(jù)電極接地，控制掃描 驅(qū)動(dòng)芯片輸出為參考地，即輸出均為XVSS。整個(gè)控制過程是一個(gè)能量回收利 用的過程，被稱為能量恢復(fù)。能量恢復(fù)的方法不僅可以使得關(guān)鍵MOSFET場效 應(yīng)管Ql和Q2在接近軟開關(guān)條件下工作，而且能夠節(jié)省大部分由金屬網(wǎng)板型 等離子體顯示平板電容Cp所導(dǎo)致的位移電流在電路上所消耗的功耗。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP3的控制流程如下在Tl之前，MOSFET中的場效應(yīng) 管Q4、 Q6、 Q8處于打開導(dǎo)通狀態(tài)，其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截止?fàn)顟B(tài)， 這時(shí)所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的參考地端XVSS和電源端XVDD電壓保持電源電 壓VNS(根據(jù)驅(qū)動(dòng)需要可選擇電壓范圍-100V—-250V)，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1 輸出為VNS;進(jìn)入T1時(shí)期，首先關(guān)閉Q4，然后打開Q1，能量恢復(fù)電路l通過 電流流向路徑GND-Q1-Dl-LI-Q6-XVSS-Cp給Cp進(jìn)行充電，在Tl結(jié)束的時(shí)候， 掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1輸出端電壓可以很接近VPS(根據(jù)驅(qū)動(dòng)需要可選擇電壓范圍 100V—250V， 一般取VPS電壓大小與VNS相等，極性相反)，Tl的時(shí)間長度主要由Ll和Cp的大小所決定；進(jìn)入T2時(shí)期，關(guān)閉Ql，打開場效應(yīng)管Q3， VPS 通過VPS-Q3-Q6-XVSS-Cp給Cp提供VPS電源，用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量，T2的時(shí)間長度可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇；進(jìn)入T3時(shí)期，關(guān)閉Q3， 然后打開效應(yīng)管Q2， Cp上由原先Tl時(shí)期充電所得的能量反過來通過電流流 向路徑Cp-XVSS-Q6-Ll-D2-Q2-GND進(jìn)行放電，將能量回收，在T3結(jié)束的時(shí)候， 掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1輸出端電壓可以很接近VNS， T3的時(shí)間長度主要由Ll和Cp 的大小所決定， 一般大小取與T1基本相等；進(jìn)入T4時(shí)期，關(guān)閉Q2，打開Q4， VNS通過VNS-Q4-Q6-XVSS-Cp給Cp提供VNS電源，用以提供金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量，T4的時(shí)間長度可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型 等離子體顯示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇， 一般大小取與T2 基本相等。上面所闡述的是單個(gè)維持波形發(fā)生的詳細(xì)流程，在實(shí)際對金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的時(shí)候根據(jù)實(shí)際情況需要若干重復(fù)的維持脈 沖波形，這些重復(fù)的維持脈沖波形的發(fā)生是上面所闡述的單個(gè)維持波形的重 復(fù)發(fā)生，此外，根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)不同需求，需要 選擇合適的T2和T4的時(shí)間長度，發(fā)生出不同頻率的維持脈沖波形進(jìn)行波形 組合。
在輸出WP1的基本驅(qū)動(dòng)波形時(shí)候數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片輸出GND使得數(shù)據(jù)電極接 地，控制掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1輸出為參考地，即輸出均為XVSS。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng) 波形WP1的控制流程如下首先與上述的WP3進(jìn)入Tl之前以及Tl的控制流 程相同，驅(qū)動(dòng)波形由VNS上升到VPS，接著關(guān)閉效應(yīng)管Q6，打開效應(yīng)管Q7， 由于效應(yīng)管MOSFET Q7柵極串聯(lián)可調(diào)電阻VR2 (可選擇100K可調(diào)電阻)以及 效應(yīng)管Q7柵極與源極之間的電容C2 (電容值可選擇lnf)和電阻R2 (電阻值 范圍可選擇1K一10K)的作用，在效應(yīng)管Q7的源極輸出由電壓VPS到電壓 VSETUP (電壓值范圍在VPS—500V)的三角斜坡波形，三角斜坡波形通過 Q7-XVSS-Cp的電流途徑，在掃描電極輸出端產(chǎn)生圖2中WP1區(qū)所示的VPS到 VSETUP的三角波形，滿足金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的正電壓強(qiáng)制復(fù)位點(diǎn) 火的要求，整個(gè)三角上升斜坡的時(shí)間長度由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的
特性來決定，然后通過調(diào)整VR2的大小，可以得到合適斜率的三角斜坡波形;
波形達(dá)到VSETUP以后，接著關(guān)閉效應(yīng)管Q7，打開效應(yīng)管Q6，通過 Cp-XVSS-Q6-Q3-VPS的電流路徑將波形從電壓VSETUP回復(fù)到VPS，然后先關(guān) 閉效應(yīng)管Q3，再打開效應(yīng)管Q5，由于M0SFET效應(yīng)管Q5柵極串聯(lián)可調(diào)電阻 VR1 (可選擇100K可調(diào)電阻)以及效應(yīng)管Q5柵極與源極之間的電容C1 (電容 值可選擇lnf)和電阻Rl (電阻值范圍可選擇1K一10K)的作用，在效應(yīng)管 Q5的漏極輸出由電壓VPS下降到電壓VNS的三角斜坡波形，三角斜坡波形通 過Cp-XVSS-Q6-Q5-VNS的電流途徑，在掃描電極輸出端產(chǎn)生圖2中WP1區(qū)所 示的VPS到VNS的三角波形，滿足金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的正電壓強(qiáng) 制復(fù)位點(diǎn)火后對金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的擦除要求，整個(gè)三角下降斜 坡的時(shí)間長度由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的特性來決定，然后通過調(diào)整 VR1的大小，可以得到合適斜率的三角斜坡波形。
在輸出WP2的基本驅(qū)動(dòng)波形時(shí)候數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2和掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1 均處在移位工作模式。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP2的控制流程如下首先由發(fā)生 基本驅(qū)動(dòng)波形WP1結(jié)束狀態(tài)時(shí)可知驅(qū)動(dòng)波形處于VNS電位，先打開效應(yīng)管Q4， 接著關(guān)閉效應(yīng)管Q5、 Q8，然后打開效應(yīng)管Q9，這時(shí)候XVSS處于VNS電位， XVDD通過VADD-D7-R3-Q9-XVDD的電流路徑使XVDD處于VADD電位，實(shí)際驅(qū)動(dòng) 中，取電壓VADD大小在GND與VNS之間，具體大小由金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板的特性和掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的耐電壓特性所決定。在WP2時(shí)期中，在 需要對某一掃描電極進(jìn)行尋址點(diǎn)火的時(shí)候，通過控制掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1輸出 相應(yīng)掃描電極為XVSS，其余掃描電極為XVDD，在需要尋址點(diǎn)火的掃描電極輸 出為XVSS的時(shí)候，控制相應(yīng)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片IC2的輸出讓相應(yīng)尋址電極的輸出 為電源VA，這樣可以完成金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上相應(yīng)像素點(diǎn)的尋址 點(diǎn)火，尋址點(diǎn)火的脈寬寬度主要由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的特性所決 定，范圍一般取O. 5us—10"s。在整個(gè)WP2時(shí)期，可以通過對所有掃描電極 如上所述的方法依次輸出XVSS,配合尋址電極上的VA尋址脈沖，完成對整個(gè) 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板中所有像素的尋址點(diǎn)火的操作。尋址結(jié)束的時(shí) 候，先關(guān)閉效應(yīng)管Q9、 Q4，再打開效應(yīng)管Q8。
在輸出WP4的基本驅(qū)動(dòng)波形時(shí)候數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片輸出GND使得數(shù)據(jù)電極接
地，控制掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為參考地，即輸出均為xvss。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形
WP4的控制流程與WP1后半段時(shí)期相同。首先M0SFET中的效應(yīng)管Q3、 Q6、 Q8 處于打開導(dǎo)通狀態(tài)，其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截至狀態(tài)，這時(shí)所有掃描驅(qū) 動(dòng)芯片工C1參考地端XVSS、電源端XVDD處在VPS電位，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片 IC1輸出為VPS;接著關(guān)閉效應(yīng)管Q3，再打開效應(yīng)管Q5，由于MOSFET效應(yīng)管 Q5柵極串聯(lián)可調(diào)電阻VR1以及效應(yīng)管Q5柵極與源極之間的電容Cl和電阻Rl 的作用，在效應(yīng)管Q5的漏極輸出由電壓VPS下降到電壓VNS的三角斜坡波形， 三角斜坡波形通過Cp-XVSS-Q6-Q5-VNS的電流途徑，在掃描電極輸出端產(chǎn)生 圖2中WP4區(qū)所示的VPS到VNS的三角波形，滿足金屬網(wǎng)板型等離子體顯示 平板的擦除要求，整個(gè)三角下降斜坡的時(shí)間長度由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示 平板的特性來決定，與WP1后半段時(shí)期的三角下降斜坡的時(shí)間相同。
如上所述，驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本波形WP1、 WP2、 WP3、 WP4都可以通過有效控制本發(fā)明所公開的驅(qū)動(dòng)電路而產(chǎn)生，實(shí)際驅(qū)動(dòng)中， 對于上述的基本波形采取適當(dāng)?shù)慕M合方式，然后重復(fù)發(fā)生上述組合方式的波 形形式，滿足對金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求。
權(quán)利要求
1、一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置，其特征是它主要由能量恢復(fù)模塊(1)、維持模塊(2)、擦除模塊(3)、隔離模塊(4)、復(fù)位模塊(5)及尋址模塊(6)所組成，上述各電路模塊所需的控制輸入信號XERH、XERL、XSUH、XSUL、XERA、XPAS、XRST、XADD及XSOT由數(shù)字信號發(fā)生器(7)提供，其中能量恢復(fù)模塊(1)、維持模塊(2)、擦除模塊(3)、復(fù)位模塊(5)及尋址模塊(6)所需的電源輸入信號VPS、VNS、VSETUP及VADD由直流穩(wěn)壓電源(8)提供，能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端和維持模塊(2)的輸出端以及擦除模塊(3)的輸出端一起與隔離模塊(4)的一路輸出端相連，隔離模塊(4)的另一路輸出端和復(fù)位模塊(5)的輸出端以及尋址模塊(6)的一路輸出端一起與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1參考地輸入端XVSS相連，尋址模塊(6)的另一路輸出端與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的電源輸入端XVDD相連。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置， 其特征所述的能量恢復(fù)模塊(1)由場效應(yīng)管Q1、場效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管D2、 二極管D3、 二極管D4和電感Ll所組成，能量恢復(fù)模塊(1)控 制輸入信號從場效應(yīng)管Ql和場效應(yīng)管Q2的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器(7) 的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XERH和XERL，能量恢復(fù)模塊(1)的一路電源輸入端 通過二極管D3輸出端與直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號VPS相連，另一 路電源輸入端通過二極管D4的輸入端與直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號 VNS相連，能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端通過電感L1的一端引出接維持模塊(2)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置， 其特征所述的維持模塊(2)由場效應(yīng)管Q3與場效應(yīng)管Q4組成，維持模塊(2) 控制輸入信號從場效應(yīng)管Q3與場效應(yīng)管Q4的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器(7) 的數(shù)字開關(guān)信號輸出端XSUH和XSUL，維持模塊(2) —路電源輸入端通過場 效應(yīng)管Q3的漏極與直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號VPS相連，另一路電源 輸入端通過場效應(yīng)管Q4的源極與直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號VNS相 連，維持模塊(2)輸出從場效應(yīng)管Q3的源極和場效應(yīng)管Q4的漏極的連接點(diǎn) 接能量恢復(fù)模塊(1)中的電感L1的一端，同時(shí)接擦除模塊(3)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置，其特征是所述的擦除模塊(3)由二極管D5、可變電阻VR1、電容Cl、電阻 Rl與場效應(yīng)管Q5所組成，擦除模塊(3)控制輸入信號從場效應(yīng)管Q5的柵極 引出通過并聯(lián)有二級管D5的可變電阻VR1的一端接數(shù)字信號發(fā)生器(7)的 數(shù)字開關(guān)信號輸出端XERA，擦除模塊(3)電源輸入端通過場效應(yīng)管Q5的源 極與直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號VNS相連，擦除模塊(3)輸出從電 阻R1和場效應(yīng)管Q5的漏極連接點(diǎn)并同時(shí)與維持模塊(2)的輸出端接隔離模 塊(4)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置， 其特征是所述的隔離模塊(4)由場效應(yīng)管Q6組成，隔離模塊(4)控制輸入 信號通過場效應(yīng)管Q6的柵極引出接數(shù)字信號發(fā)生器(7)的數(shù)字開關(guān)信號輸 出端XPAS，隔離模塊(4)輸入端通過場效應(yīng)管Q6的源極與擦除模塊(3)輸 出端相連，另一路輸出端通過場效應(yīng)管Q6的漏極與復(fù)位模塊(5)相連。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置， 其特征是所述的復(fù)位模塊(5)由二極管D6、可變電阻VR2、電容C2、電阻 R2與場效應(yīng)管Q7所組成，復(fù)位模塊(5)控制輸入信號從場效應(yīng)管Q7的柵極 引出通過并聯(lián)有二級管D6的可變電阻VR2的一端接數(shù)字信號發(fā)生器(7)的 數(shù)字開關(guān)信號輸出端XRST，復(fù)位模塊(5)電源輸入端通過電阻R2與場效應(yīng) 管Q7的漏極連接點(diǎn)接直流穩(wěn)壓電源(8)的電源輸出信號VSETUP，復(fù)位模塊(5)輸出從場效應(yīng)管Q7的源極引出并同時(shí)與隔離模塊(4)的輸出端接尋址 模塊(6)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置， 其特征是所述的尋址模塊(6)由二極管D7、電阻R3、場效應(yīng)管Q9、場效應(yīng) 管Q8和電容C3組成，尋址模塊(6)控制輸入信號分別從場效應(yīng)管Q9、場效 應(yīng)管Q8的柵極引出分別接對應(yīng)的數(shù)字信號發(fā)生器(7)的數(shù)字開關(guān)信號輸出 端XADD、 XS0T，尋址模塊(6)電源輸入端通過二極管D7輸入端接直流穩(wěn)壓 電源(8)的電源輸出信號VADD，尋址模塊(6) —路輸出從場效應(yīng)管Q9的源 極和場效應(yīng)管Q8的漏極以及電容C3 —端連接點(diǎn)引出接掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的 電源輸入端XVDD，另一路輸出從場效應(yīng)管Q8的源極和電容C3另一端的連接 點(diǎn)引出接復(fù)位模塊(5)的輸出端，同時(shí)接掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的參考地輸入端 XVSS。
全文摘要
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用新型驅(qū)動(dòng)電路裝置，屬于顯示器技術(shù)領(lǐng)域，它主要由能量恢復(fù)模塊(1)、維持模塊(2)、擦除模塊(3)、隔離模塊(4)、復(fù)位模塊(5)及尋址模塊(6)所組成，上述各電路模塊所需的控制輸入信號XERH、XERL、XSUH、XSUL、XERA、XPAS、XRST、XADD及XSOT由數(shù)字信號發(fā)生器(7)提供。本發(fā)明解決了現(xiàn)有類似電路所用元器件數(shù)量多，成本高，可靠性較差的問題，具有電路簡單，電路器件少，電路成本低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01J17/49GK101105908SQ20071002540
公開日2008年1月16日 申請日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者忠 吳, 雄 張, 朱立鋒, 湯勇明, 王保平 申請人:南京華顯高科有限公司