專(zhuān)利名稱(chēng)：經(jīng)由毛細(xì)管的參考物質(zhì)引入的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及質(zhì)譜系統(tǒng)，更具體但非限制性地說(shuō)，本發(fā)明涉及用于經(jīng)由毛細(xì)管將參考物質(zhì)引入質(zhì)譜儀的裝置和方法。
背景技術(shù)：
在質(zhì)譜儀中，用參考物質(zhì)對(duì)質(zhì)譜儀裝置進(jìn)行校準(zhǔn)經(jīng)常是有益的，由于所述的參考物質(zhì)是精確已知的，所以它可以用于補(bǔ)償質(zhì)量數(shù)測(cè)定的偏差。參考物質(zhì)通常被引入離子源部分，在該處它們有時(shí)會(huì)對(duì)產(chǎn)生被分析物的離子帶來(lái)干擾，或者使設(shè)計(jì)和被分析物離子源的易用性復(fù)雜化。例如，在電噴霧(ESI和nano ESI)源中，使用了雙噴霧器入口，這需要額外的元件并限制了源模塊的互換性。對(duì)于APCI、APPI和多模式源，參考物質(zhì)通常直接加到被分析物流，這可能引起信號(hào)抑止以及沉淀。在AP-MALDI源中，離子被釘?shù)交|(zhì)中。這種方法會(huì)受到嵌入基質(zhì)中的參考物質(zhì)或被分析物的離子抑止的不利影響。此外，一般對(duì)于在被分析物離子源臺(tái)引入?yún)⒖嘉镔|(zhì)的所有技術(shù)，為了正確操作，通常需要對(duì)用戶(hù)進(jìn)行附加的指導(dǎo)并要求制造商進(jìn)行附加的開(kāi)發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在一個(gè)方面提供了一種質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，它包括毛細(xì)管、被分析物離子源、參考物質(zhì)離子源和質(zhì)量分析儀，所述被分析物離子源在第一點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管，所述參考物質(zhì)離子源在第一點(diǎn)下游的第二點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管，所述質(zhì)量分析儀在第一點(diǎn)和第二點(diǎn)下游的第三點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管。參考物質(zhì)離子源可以經(jīng)由三通連接部耦合到毛細(xì)管。參考物質(zhì)離子源可以包括室、在各種實(shí)施例中位于室內(nèi)部的離子化器件以及一個(gè)或多個(gè)參考物質(zhì)源，所述一個(gè)或多個(gè)參考物質(zhì)源可以位于室內(nèi)部或者位于室外部并耦合到室。
本發(fā)明在另一個(gè)方面提供了一種用于質(zhì)譜儀的離子源，它包括被分析物離子源室、毛細(xì)管，所述被分析物離子源室具有用于傳遞被分析物離子的第一輸出，所述毛細(xì)管具有第一點(diǎn)、第二點(diǎn)和第三點(diǎn)，所述第一點(diǎn)在第二點(diǎn)的上游，所述第二點(diǎn)在第三點(diǎn)的上游。毛細(xì)管在第一點(diǎn)處耦合到被分析物離子源室的輸出，具有用于傳遞參考物質(zhì)離子的第二輸出的參考物質(zhì)離子源在第二點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管。被分析物例子和參考物質(zhì)離子在第二點(diǎn)下游的毛細(xì)管中會(huì)合用于在第三點(diǎn)處輸出。
本發(fā)明在另一個(gè)方面提供了一種質(zhì)譜儀，它包括校準(zhǔn)的離子源，所述離子源包括毛細(xì)管、在沿毛細(xì)管的第一點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管的被分析物離子源、以及在第一點(diǎn)下游的第二點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管的參考物質(zhì)離子源。質(zhì)譜儀還包括在第二點(diǎn)的下游耦合到毛細(xì)管的質(zhì)量分析儀以及位于質(zhì)量分析儀下游并耦合到質(zhì)量分析儀的檢測(cè)器。
本發(fā)明在另外的方面提供了一種用質(zhì)譜儀中的參考物質(zhì)離子對(duì)被分析物離子進(jìn)行質(zhì)量校準(zhǔn)的方法，所述質(zhì)譜儀包括離子源、質(zhì)量分析儀以及將離子源與質(zhì)量分析儀耦合的毛細(xì)管。所述方法包括在與離子源隔開(kāi)并耦合到毛細(xì)管的室中將參考物質(zhì)離子化，以及在位于離子源與質(zhì)量分析儀之間的毛細(xì)管的連接部將參考物質(zhì)離子引入毛細(xì)管中。


圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，能夠經(jīng)由毛細(xì)管將參考物質(zhì)離子引入其內(nèi)部的質(zhì)譜儀。
圖2A圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中參考物質(zhì)化合物的一個(gè)源位于參考物質(zhì)離子源室外部，另一個(gè)源位于室的內(nèi)部。
圖2B圖示了根據(jù)圖2A的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中，參考物質(zhì)化合物的外部源是起泡器，內(nèi)部源被加熱，離子化器件是電暈針。
圖2C圖示了根據(jù)圖2B的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中用光致電離源使參考物質(zhì)離子化。
圖3A圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考物質(zhì)離子源，其中有一個(gè)位于參考物質(zhì)離子源室外部的參考物質(zhì)源。
圖3B圖示了根據(jù)圖3A的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中參考物質(zhì)經(jīng)由電噴霧離子發(fā)生器引入?yún)⒖嘉镔|(zhì)離子源。
圖3C圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的可替換實(shí)施例，其中一個(gè)參考物質(zhì)源位于參考物質(zhì)離子源室內(nèi)部。
圖4A圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中多個(gè)參考物質(zhì)的源位于參考物質(zhì)離子源室的外部。
圖5A圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中多個(gè)參考物質(zhì)的源位于參考物質(zhì)離子源室內(nèi)部。
圖5B圖示了根據(jù)圖5A的參考物質(zhì)離子源的實(shí)施例，其中基質(zhì)輔助激光解吸電離(MALDI)器件位于參考物質(zhì)離子源室內(nèi)部，用于使嵌入一個(gè)或多個(gè)基質(zhì)中的參考物質(zhì)離子化。
具體實(shí)施例方式
在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明之前，必須注意，本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中所用的單數(shù)形式“一個(gè)”和“該”包括多個(gè)指示物，除非上下文有相反的明確表示。因此，例如，涉及的“一個(gè)毛細(xì)管”包括多于一個(gè)“毛細(xì)管”。涉及“一個(gè)電噴霧離子源”或“一個(gè)常壓離子源”包括多于一個(gè)“電噴霧離子源”或“常壓離子源”。在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明和權(quán)利要求中，將用到根據(jù)下述定義的下列術(shù)語(yǔ)。
術(shù)語(yǔ)“鄰近”表示靠近、貼近或緊挨。鄰近的某物還可以與另一元件接觸、圍繞另一元件(即與之同心)、與另一元件分開(kāi)或包含另一元件的一部分。
術(shù)語(yǔ)“電暈針”指可以用于產(chǎn)生電暈放電的任何導(dǎo)管、針、物體或器件。
術(shù)語(yǔ)“被分析物離子源”或“離子源”指產(chǎn)生被分析物離子的任何源。
術(shù)語(yǔ)“參考物質(zhì)離子源”指產(chǎn)生參考物質(zhì)離子的任何源。
術(shù)語(yǔ)“電噴霧離子源”指用于產(chǎn)生電噴霧離子的噴霧器和相關(guān)零件。噴霧器可以處于接地電位，也可以不處于。此術(shù)語(yǔ)還應(yīng)當(dāng)廣義解釋為包括例如帶有電極的管子的裝置或器件，所述裝置或器件可對(duì)帶電微粒進(jìn)行放電，所述微粒與使用本領(lǐng)域熟知的電噴霧離子化技術(shù)產(chǎn)生的離子相同或相似。
術(shù)語(yǔ)“紫外光子源”定義為包括真空紫外輻射源。在本文中，紫外輻射譜定義為波長(zhǎng)從200到400納米范圍內(nèi)，真空紫外譜占據(jù)了從200到280納米的紫外波長(zhǎng)子范圍。
本發(fā)明是參考附圖進(jìn)行說(shuō)明的。附圖并未按比例，特別地，為了描述清楚，可能夸大了某些尺寸。
圖1示意性圖示了質(zhì)譜儀100，它能夠經(jīng)由毛細(xì)管將參考物質(zhì)離子引入其內(nèi)部。一開(kāi)始，被分析物樣品經(jīng)由入口108引入離子源部分110，所述入口108通常采取被分析物與溶劑混合的液流形式。為此目的，入口可以耦合到液相色譜系統(tǒng)，例如HPLC、微LC或毛細(xì)電泳儀器。盡管只示出了一個(gè)入口108，但是離子源110可以包括用于引入樣品的附加入口。
之后，被分析物樣品液流經(jīng)過(guò)一個(gè)或多個(gè)離子化器件115傳遞或暴露于所述一個(gè)或多個(gè)離子化器件115。被分析物離子源110可以在常壓或者常壓附近工作，通常是0.5到2大氣壓之間，在此情況下，離子化器件115可以包括本領(lǐng)域已知的任何常壓離子化技術(shù)，包括ESI、APCI、APPI、AP-MALDI或在多模式源中包括這些器件的適當(dāng)組合。在暴露于離子化器件115時(shí)，樣品中的大部分被分析物被離子化，因此受到離子源中的靜電場(chǎng)作用，所述靜電場(chǎng)將被分析物離子吸引(或排斥)向毛細(xì)管125的入口118，所述毛細(xì)管125將被分析物離子向下游帶到質(zhì)譜儀的后續(xù)臺(tái)。在進(jìn)入毛細(xì)管125前，被分析物離子可以被加熱以除去殘留的溶劑分子。
毛細(xì)管125從離子源部分110中的入口118經(jīng)過(guò)質(zhì)譜儀的過(guò)渡部分120延伸。沿毛細(xì)管125長(zhǎng)度方向的壓力將介于常壓和高真空之間，例如在1mtorr到接近常壓的范圍內(nèi)。毛細(xì)管125包括過(guò)渡部分120中沿著其長(zhǎng)度方向的第二分支或入口128，所述第二分支或入口128可以定向?yàn)榕c毛細(xì)管軸線垂直，形成“三通連接部”124。注意，入口也可以相對(duì)于毛細(xì)管以其他角度定向，垂直的三通布置僅僅代表了可用于本發(fā)明內(nèi)容中的毛細(xì)管連接部的一種可能實(shí)施方式。毛細(xì)管125經(jīng)過(guò)過(guò)渡部分120延伸到出口132，所述出口132經(jīng)過(guò)分離器134通向一個(gè)或多個(gè)真空臺(tái)127，然后通向質(zhì)量分析儀部分130。示出的真空臺(tái)127的數(shù)量(兩個(gè))僅僅是示例性的，在本領(lǐng)域已知的變化中，其數(shù)目以及其中維持的普遍壓力將取決于采用的質(zhì)量分析儀類(lèi)型以及相應(yīng)的對(duì)離子進(jìn)行調(diào)節(jié)的方式。真空臺(tái)可以包括一個(gè)或多個(gè)離子導(dǎo)向裝置(未示出)用于在朝向質(zhì)量分析儀輸送離子時(shí)對(duì)離子進(jìn)行聚焦。
參考物質(zhì)離子源室150設(shè)在過(guò)渡部分120中(如所示的)或經(jīng)由連接到毛細(xì)管125的第二入口128的出口151直接耦合到過(guò)渡部分120，使得來(lái)自源室的參考物質(zhì)離子可以經(jīng)過(guò)三通連接部124傳遞到毛細(xì)管。參考物質(zhì)離子源150可以在高于毛細(xì)管125中的普遍壓力的壓力下工作，例如在常壓或亞大氣壓(取決于沿毛細(xì)管125長(zhǎng)度方向的壓力)，使得參考物質(zhì)離子源中產(chǎn)生的離子由源與毛細(xì)管之間的壓力差推向連接部124。通過(guò)這種布置，當(dāng)參考物質(zhì)離子流向三通連接部124時(shí)，它們由來(lái)自被分析物離子源110的下游的被分析物離子流帶走并合并在其中?？汕袚Q電源129可以耦合到第二入口128(或者出口151)，使得可以向該點(diǎn)施加電壓電平用于選擇適當(dāng)極性的參考物質(zhì)離子進(jìn)入毛細(xì)管125并接著從其向下輸送。
被分析物離子和參考物質(zhì)離子都通過(guò)分離器134經(jīng)由真空臺(tái)127向質(zhì)量分析儀部分130輸送，在所述質(zhì)量分析儀部分130處被分析物和參考物質(zhì)的離子被掃描并根據(jù)其各自的m/z比區(qū)分開(kāi)來(lái)。質(zhì)量分析儀135包括對(duì)與其接觸的被分析儀和參考物質(zhì)的離子產(chǎn)生質(zhì)譜信號(hào)的檢測(cè)器138。例如并且非限制性地，質(zhì)量分析儀可以包括TOF(飛行時(shí)間)、多極(例如四極桿)、FT-ICR(傅立葉變換-離子回旋共振)、離子阱、軌道阱、磁扇區(qū)或這些器件串聯(lián)布置的任意組合。
圖2A圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的第一示例性實(shí)施例。在此實(shí)施例中，參考物質(zhì)離子源150包括室，所述室包括入口157，用于接收從外部源154發(fā)出的第一組參考物質(zhì)(RM1)，而另一組參考物質(zhì)(RM2)設(shè)在位于室內(nèi)部的固定位置152上。兩組參考物質(zhì)RM1和RM2都可以以氣體形式提供。參考物質(zhì)離子化器件155也設(shè)在室中，并布置為使得兩組參考物質(zhì)RM1和RM2都是一汽化就被離子化。例如，圖2B是圖2A所示參考物質(zhì)離子源裝置的具體實(shí)施例，如圖2B所示，外部參考物質(zhì)源154可以用起泡器形式實(shí)現(xiàn)，所述起泡器由包含低質(zhì)量參考化合物的液體起泡形成載氣，而內(nèi)部參考物質(zhì)源152可以用加熱器158實(shí)現(xiàn)，所述加熱器158使室內(nèi)以液體、固體或結(jié)晶基質(zhì)形式提供的高質(zhì)量參考化合物蒸發(fā)或升華。包括低質(zhì)量參考化合物的載氣與汽化的高質(zhì)量參考化合物在室內(nèi)混合，它們都暴露到離子化器件的操作，所述離子化器件可以用例如電暈針155實(shí)現(xiàn)。電暈針可以耦合到用于其操作的單獨(dú)電源162。圖2C圖示了一種可替換實(shí)施例，其中用光致電離源155(例如真空紫外(VUV)光子源(也可以耦合到單獨(dú)的電源))而不是電暈針對(duì)參考物質(zhì)化合物進(jìn)行離子化。
圖3A圖示了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的第二示例性實(shí)施例，它包括一個(gè)外部參考物質(zhì)源154，在此情況下以如圖2B和2C中的起泡器形式實(shí)現(xiàn)。圖3B圖示了兩組參考物質(zhì)RM1、RM2在外部參考物質(zhì)源154中混合的實(shí)施例，所述外部參考物質(zhì)源154經(jīng)由一個(gè)流出管道耦合到電噴霧器離子化器件155。在此情況下，參考物質(zhì)化合物可以在從外部參考物質(zhì)源154到噴霧器155的液體溶液中供給；噴霧器155將流出的液體溶液轉(zhuǎn)換為帶電的氣溶膠。產(chǎn)生的參考物質(zhì)離子可以由靜電力和/或朝向室出口的氣流導(dǎo)入毛細(xì)管125中。在使用其他離子化機(jī)構(gòu)的實(shí)施例中，參考物質(zhì)以氣體形式供給室150是有利的。
相反，在圖3C的實(shí)施例中，設(shè)有單個(gè)內(nèi)部參考物質(zhì)源152，在此情況下以暴露于加熱器158的可汽化的固體樣品形式實(shí)現(xiàn)，所述加熱器使參考物質(zhì)樣品汽化。通常，此處可以使用任何適合的離子化器件(例如APCI電暈針或光致電離源)來(lái)使參考物質(zhì)化合物離子化，所述參考物質(zhì)化合物是從圖3B和3C的實(shí)施例中的參考物質(zhì)源發(fā)出的。
圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的參考物質(zhì)離子源的可替換實(shí)施例，其中多個(gè)參考物質(zhì)化合物源位于參考物質(zhì)離子源室150的外部。如圖所示，第一外部參考物質(zhì)源154a包括參考物質(zhì)RM1，第二外部參考物質(zhì)源154b包括參考物質(zhì)RM2。在此情況下，參考物質(zhì)離子源室150可以包括單個(gè)入口，用于輸入?yún)⒖嘉镔|(zhì)化合物RM1、RM2，或者，它也可以包括多個(gè)入口164a、164b(如所示的)用于此目的。在將多個(gè)外部參考物質(zhì)源經(jīng)由連接器、閥門(mén)、管子等耦合到參考物質(zhì)離子源室150更方便的情況下，此實(shí)施例可能特別有利。如此，參考物質(zhì)化合物的制備和存儲(chǔ)可以與圖3B的實(shí)施例類(lèi)似地獨(dú)立進(jìn)行。參考物質(zhì)化合物RM1、RM2可以經(jīng)由入口164a、164b作為液流或氣體引入?yún)⒖嘉镔|(zhì)離子源室。可以使用任何適當(dāng)?shù)碾x子化機(jī)構(gòu)，包括電噴霧、光致電離和APCI。
在圖5A所示的實(shí)施例中，參考物質(zhì)源152a、152b都位于參考物質(zhì)源室150內(nèi)。在此情況下，可以在室內(nèi)以液體、固體或結(jié)晶基質(zhì)的形式提供參考物質(zhì)源。在特定的實(shí)現(xiàn)方式中，可以提供獨(dú)立的加熱器158a、158b來(lái)使每種參考物質(zhì)化合物獨(dú)立汽化，所述參考物質(zhì)化合物可能具有相似或不同的汽化溫度。使用具有不同汽化溫度的參考物質(zhì)RM1、RM2，操作者可以控制是將一種還是兩種參考物質(zhì)離子都引入毛細(xì)管125，還可以根據(jù)所提供的用于汽化參考物質(zhì)的熱量來(lái)控制不同參考物質(zhì)離子的濃度。
圖5B示出了根據(jù)圖5A的參考物質(zhì)離子源的有利實(shí)現(xiàn)方式，其中MALDI激光源190a、190b用于將參考物質(zhì)離子從它們各自的固體基質(zhì)RM1、RM2中“釋放”出來(lái)。在此情況下，激光被導(dǎo)向具有包括各參考物質(zhì)RM1和RM2的結(jié)晶基質(zhì)152a、152b的樣品板上。激光器使基質(zhì)上的目標(biāo)區(qū)域汽化，使部分基質(zhì)離子化，此后部分參考物質(zhì)化合物RM1、RM2由基質(zhì)離子通過(guò)電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程離子化。注意，可以使用具有多種參考物質(zhì)RM1、RM2等的單個(gè)樣品板，所述多種參考物質(zhì)位于樣品板上的特定樣品區(qū)域。在此情況下，可以使用一個(gè)激光器，所述激光器可以選擇性地導(dǎo)向多個(gè)區(qū)域以使特定參考物質(zhì)脫離并引起其離子化。
雖然已經(jīng)對(duì)于本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，說(shuō)明書(shū)并不意味著限制，因?yàn)閷?duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，更多的改變和變化可能是明顯的和可以想到的。本發(fā)明意在覆蓋落在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有這些改變和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于被分析物離子源的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，包括在第一點(diǎn)處耦合到所述被分析物離子源的毛細(xì)管；以及在第二點(diǎn)處耦合到所述毛細(xì)管的參考物質(zhì)離子源，所述第二點(diǎn)位于所述第一點(diǎn)的下游。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)源在所述第二點(diǎn)處維持足以將參考物質(zhì)離子排斥離開(kāi)所述參考物質(zhì)源進(jìn)入到所述毛細(xì)管中的壓力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源經(jīng)由三通連接部耦合到所述毛細(xì)管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，還包括在所述毛細(xì)管中耦合到所述三通連接部以選擇離子極性的電壓源。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室外部并耦合到所述室的第一參考物質(zhì)化合物的第一源；位于所述室內(nèi)部的第二參考物質(zhì)化合物的第二源；以及位于所述室中的離子化器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述第一參考物質(zhì)化合物的第一源包括起泡器，所述起泡器由第一參考物質(zhì)化合物起泡形成載氣以將氣態(tài)的所述第一參考物質(zhì)化合物提供到所述室，所述第二參考物質(zhì)化合物的第二源包括加熱器，所述加熱器設(shè)置為汽化所述第二參考物質(zhì)化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述第一參考物質(zhì)化合物以液態(tài)提供。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括電暈放電裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括紫外光子源。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述紫外光子源器件包括真空紫外光子源。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，還包括設(shè)置為使位于所述室內(nèi)的所述第二參考物質(zhì)化合物汽化的加熱器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室中的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述室中的離子化器件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源包括基質(zhì)，所述化合物嵌入所述基質(zhì)中，所述離子化器件包括基質(zhì)輔助激光解吸電離單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室外部并耦合到所述室的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述室中的離子化器件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括電暈放電裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括紫外光子源。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括電噴霧單元，所述多個(gè)參考物質(zhì)化合物以溶液形式從所述外部源提供給所述電噴霧單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；耦合到所述室的起泡器，所述起泡器包括液態(tài)參考物質(zhì)化合物的源，并包括將所述參考物質(zhì)化合物以氣態(tài)傳遞到所述室的載氣；以及位于所述室中的離子化器件。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室內(nèi)部的固態(tài)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述室中的離子化器件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，還包括設(shè)置為使位于所述室內(nèi)部的所述參考物質(zhì)化合物汽化的加熱器。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述離子化器件包括基質(zhì)輔助激光解吸電離單元。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述毛細(xì)管包括導(dǎo)體。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，其中，所述毛細(xì)管包括絕緣體。
24.一種用質(zhì)譜儀中的參考物質(zhì)離子對(duì)被分析物離子進(jìn)行質(zhì)量校準(zhǔn)的方法，所述質(zhì)譜儀包括離子源、質(zhì)量分析儀以及將所述離子源與所述質(zhì)量分析儀耦合的毛細(xì)管，所述方法包括在與所述離子源隔開(kāi)并耦合到所述毛細(xì)管的室中將參考物質(zhì)離子化；以及在位于所述離子源與所述質(zhì)量分析儀之間的所述毛細(xì)管的連接部將參考物質(zhì)離子引入所述毛細(xì)管中。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述在室中將參考物質(zhì)離子化的步驟包括將參考物質(zhì)化合物汽化為氣態(tài)；以及用下列方法之一將所述氣態(tài)參考物質(zhì)化合物離子化電暈放電；和真空紫外光子源。
26.一種用于質(zhì)譜儀的離子源，包括具有第一輸出的被分析物離子源室，所述第一輸出用于傳遞被分析物離子；具有第一、第二和第三點(diǎn)的毛細(xì)管，所述第一點(diǎn)在所述第二點(diǎn)的上游，所述第二點(diǎn)在所述第三點(diǎn)的上游，所述毛細(xì)管在所述第一點(diǎn)處耦合到所述被分析物離子源室的輸出；以及具有第二輸出的參考物質(zhì)離子源，所述第二輸出用于傳遞參考物質(zhì)離子，所述參考物質(zhì)離子源在所述第二點(diǎn)處耦合到所述毛細(xì)管；其中，所述被分析物離子和參考物質(zhì)離子在所述第二點(diǎn)下游的所述毛細(xì)管中會(huì)合用于在所述第三點(diǎn)處輸出。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的離子源，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括參考物質(zhì)離子源室；位于所述參考物質(zhì)離子源室外部并耦合到所述參考物質(zhì)離子源室的第一參考物質(zhì)化合物的第一源；位于所述參考物質(zhì)離子源室中的第二參考物質(zhì)化合物的第二源；以及位于所述參考物質(zhì)離子源室中的離子化器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的離子源，其中，所述第一參考物質(zhì)化合物的所述第一源包括起泡器，所述起泡器通過(guò)第一參考物質(zhì)化合物起泡形成載氣以將氣態(tài)的所述第一參考物質(zhì)化合物提供到所述參考物質(zhì)離子源室，所述第二參考物質(zhì)化合物的所述第二源包括加熱器，所述加熱器設(shè)置為汽化所述第二參考物質(zhì)化合物。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的離子源，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括參考物質(zhì)離子源室；位于所述參考物質(zhì)離子源室中的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述參考物質(zhì)離子源室中的離子化器件。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的離子源，其中，所述多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源包括基質(zhì)，所述化合物嵌入所述基質(zhì)中，所述離子化器件包括基質(zhì)輔助激光解吸電離單元。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的離子源，還包括設(shè)置為使位于所述室內(nèi)的所述參考物質(zhì)化合物汽化的加熱器。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的離子源，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括參考物質(zhì)離子源室；位于所述參考物質(zhì)離子源室外部并耦合到所述參考物質(zhì)離子源室的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述參考物質(zhì)離子源室中的離子化器件。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的離子源，其中，所述離子化器件包括電噴霧單元，所述多個(gè)參考物質(zhì)化合物以溶液形式從所述外部源提供給所述電噴霧單元。
34.一種質(zhì)譜儀系統(tǒng)，包括a)校準(zhǔn)的離子源，所述離子源包括毛細(xì)管；在沿所述毛細(xì)管的第一點(diǎn)處耦合到所述毛細(xì)管的被分析物離子源；以及在第二點(diǎn)處耦合到所述毛細(xì)管的參考物質(zhì)離子源，所述第二點(diǎn)位于所述第一點(diǎn)的下游；b)在所述第二點(diǎn)的下游耦合到所述毛細(xì)管的質(zhì)量分析儀；以及c)位于所述質(zhì)量分析儀下游并耦合到所述質(zhì)量分析儀的檢測(cè)器。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的質(zhì)譜儀，其中，所述質(zhì)量分析儀選擇下列項(xiàng)目形成的組飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀、離子阱質(zhì)量分析儀、四極桿質(zhì)量分析儀、傅立葉變換離子回旋共振質(zhì)量分析儀、軌道阱質(zhì)量分析儀和串聯(lián)質(zhì)量分析儀。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的質(zhì)譜儀，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室中的第一參考物質(zhì)化合物的第一源；位于所述室外部并耦合到所述室的第二參考物質(zhì)化合物的第二源；以及位于所述室中的離子化器件。
37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室中的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述室中的離子化器件。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的質(zhì)譜儀，其中，所述參考物質(zhì)離子源還包括室；位于所述室外部并耦合到所述室的多個(gè)參考物質(zhì)化合物的源；以及位于所述室中的離子化器件。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于質(zhì)譜儀的質(zhì)量校準(zhǔn)裝置，它包括毛細(xì)管、在第一點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管的被分析物離子源、在第一點(diǎn)下游的第二點(diǎn)耦合到毛細(xì)管的參考物質(zhì)離子源、以及在第一點(diǎn)和第二點(diǎn)下游的第三點(diǎn)處耦合到毛細(xì)管的質(zhì)量分析儀。參考物質(zhì)離子源可以經(jīng)由三通連接部耦合到毛細(xì)管。參考物質(zhì)離子源包括室、位于室內(nèi)部的離子化器件、以及一個(gè)或多個(gè)參考物質(zhì)源，所述一個(gè)或多個(gè)參考物質(zhì)源位于室內(nèi)部或者位于室外部并耦合到室。
文檔編號(hào)H01J49/26GK1975413SQ20061014006
公開(kāi)日2007年6月6日 申請(qǐng)日期2006年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者史蒂文·費(fèi)希爾, 查爾斯·W·魯斯四世, 威廉·巴瑞 申請(qǐng)人:安捷倫科技有限公司