專利名稱：電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射顯示器，更具體地，涉及一種通過改進(jìn)聚焦電極能有效聚焦電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子束的電子發(fā)射顯示器。
背景技術(shù)：
通常，根據(jù)電子源的種類，電子發(fā)射元件可以分為熱陰極型和冷陰極型。
存在若干類型的冷陰極電子發(fā)射元件，包括場發(fā)射體陣列(FEA)元件、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)元件、金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件。
FEA元件包括電子發(fā)射區(qū)和用作驅(qū)動(dòng)電極的陰極電極及柵電極。電子發(fā)射區(qū)由相對(duì)低功函數(shù)和/或相對(duì)高縱橫比的材料形成，例如，基于鉬(Mo)材料、基于硅(Si)材料，或者諸如碳納米管(CNT)、石墨和類金剛石碳(DLC)之類的基于碳材料，使得電子發(fā)射區(qū)處于真空環(huán)境(或真空狀態(tài))下的電場時(shí)，能夠有效地發(fā)射電子。在由基于鉬材料或者基于硅材料形成時(shí)，電子發(fā)射區(qū)形成為尖端結(jié)構(gòu)。
電子發(fā)射元件排列在第一基板上形成了電子發(fā)射裝置。光發(fā)射單元(具有熒光物質(zhì)層和陽極電極)形成于第二基板上。第一基板、第二基板、電子發(fā)射裝置和光發(fā)射單元構(gòu)成了電子發(fā)射顯示器。
電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射區(qū)和用作掃描電極和數(shù)據(jù)電極的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極。電子發(fā)射區(qū)和驅(qū)動(dòng)電極控制每個(gè)像素的開/關(guān)操作和發(fā)射電子的數(shù)量。電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子可激發(fā)熒光物質(zhì)層以顯示圖像(可以為預(yù)定的)。
第一基板和第二基板在它們的周邊使用密封元件密封在一起，而第一基板和第二基板之間的內(nèi)部空間被排空以形成真空封裝。另外，多個(gè)間隔物設(shè)置在第一基板和第二基板之間的真空封裝內(nèi)，防止基板被真空封裝的內(nèi)外壓差損壞或破壞。
間隔物暴露在電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子在其內(nèi)移動(dòng)的真空封裝的內(nèi)部空間。這些間隔物由碰撞它們的電子正向充電或者負(fù)向充電。這些帶電的間隔物通過吸引或者排斥電子而使電子束路徑變形，結(jié)果是，增加了熒光物質(zhì)層的非電子發(fā)射區(qū)。
例如，當(dāng)間隔物被正向充電時(shí)，該間隔物吸引電子，使得相對(duì)大量的電子碰撞該間隔物附近的熒光物質(zhì)層部分。結(jié)果是，間隔物周圍的熒光物質(zhì)層部分的亮度高于其他部分的亮度。這種情形下，在屏幕上能檢測到(看到)這些間隔物。
為了減少或者防止電子束路徑的變形，可以將間隔物涂敷上絕緣材料，或者可以將間隔物與電極相連來釋放累積在間隔物上的電荷。
然而，由于間隔物與電極之間的連接存在缺陷，電荷并不能得到有效地釋放。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面在于提供了電子發(fā)射顯示器，能夠通過改變電子束周圍的等勢線，補(bǔ)償由于間隔物上積累的正電荷或者負(fù)電荷而引發(fā)的電子束的變形(或者掃描變形)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，提供的電子發(fā)射顯示器包括彼此相對(duì)以形成真空封裝的第一基板和第二基板、形成在第一基板上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極、由所述驅(qū)動(dòng)電極控制的多個(gè)電子發(fā)射區(qū)、置于所述驅(qū)動(dòng)電極上并與該驅(qū)動(dòng)電極絕緣的聚焦電極，該聚焦電極帶有使電子束通過其中的多個(gè)第一開口、形成在第二基板表面上的多個(gè)熒光物質(zhì)層、形成在所述熒光物質(zhì)層表面上的陽極電極，和用于保持第一基板與第二基板之間間隙的多個(gè)間隔物。其中所述聚焦電極包括用于形成勢阱的電勢控制單元，該電勢控制單元形成在至少兩個(gè)第一開口之間并對(duì)應(yīng)所述間隔物。
所述電勢控制單元通過移除所述聚焦電極的一部分而形成。
所述電勢控制單元包括形成在聚焦電極上的第二開口，以露出形成在所述聚焦電極下面的絕緣層。
所述聚焦電極可以形成為單一體，而所述間隔物設(shè)置于該聚焦電極上。
所述間隔物可以為壁型間隔物。
所述電勢控制單元可以形成為對(duì)應(yīng)于間隔物長度的單一部分，或者，可選擇地，所述電勢控制單元可以分成對(duì)應(yīng)每個(gè)間隔物長度的至少兩個(gè)部分。
所述電勢控制單元的每個(gè)部分可以對(duì)應(yīng)聚焦電極的每個(gè)第一開口。
所述間隔物可以形成為圓柱形。
所述電勢控制單元可以形成為矩形形狀。
所述驅(qū)動(dòng)電極可以包括在上面形成有絕緣層的多個(gè)陰極電極，和形成在所述陰極電極上并與陰極電極交叉的多個(gè)柵電極。所述電子發(fā)射區(qū)形成在所述陰極電極上并位于所述陰極電極與柵電極的各個(gè)相交區(qū)域。
所述聚焦電極內(nèi)的每個(gè)第一開口可以與所述陰極電極和柵電極的每個(gè)相交區(qū)域一一對(duì)應(yīng)。
所述電子發(fā)射區(qū)可由選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米絲和上述材料的組合所組成的組中的一種材料制成。


附圖結(jié)合本公開內(nèi)容，描述了本發(fā)明示例性實(shí)施例，并結(jié)合本說明書解釋了本發(fā)明的原理。
圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的局部分解透視圖；圖2為圖1所示的電子發(fā)射顯示器的局部截面圖；圖3為圖1所示的電子發(fā)射顯示器的局部截面圖；圖4為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的局部頂視圖；以及圖5為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的局部頂視圖。
具體實(shí)施例方式
下面的詳細(xì)描述只是通過圖示的方式示出和描述了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明能夠以許多不同的方式來實(shí)施，其結(jié)構(gòu)并不局限于此處所列出的這些實(shí)施例。
圖1到圖3所示為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器1。
參照?qǐng)D1和圖2，電子發(fā)射顯示器1包括彼此相對(duì)并分隔一定距離(該距離可以預(yù)先設(shè)定)的第一基板2和第二基板4。在第一基板2和第二基板4的周邊提供了密封構(gòu)件(未示出)，以將二者密封在一起。第一基板2和第二基板4以及所述密封構(gòu)件所限定的空間被排空，以形成一個(gè)真空度保持在大約10-6托的真空封裝(或腔)。
多個(gè)電子發(fā)射元件排列在第一基板2上，形成了電子發(fā)射裝置100。電子發(fā)射顯示器1由電子發(fā)射裝置100和形成在第二基板4上的光發(fā)射單元200組成。
多個(gè)陰極電極(第一驅(qū)動(dòng)電極)6在第一基板2上布置成沿一個(gè)方向(圖1中的y軸方向)延伸的條形圖案，而第一絕緣層8形成在第一基板2上以覆蓋所述陰極電極6。多個(gè)柵電極(第二驅(qū)動(dòng)電極)10在第一絕緣層8上形成為沿與陰極電極6垂直相交的一個(gè)方向(圖1中的x軸方向)延伸的條形圖案。
陰極電極6與柵電極10的每個(gè)相交區(qū)域都限定了一個(gè)單位像素。一個(gè)或者多個(gè)電子發(fā)射區(qū)12形成在陰極電極6上的每個(gè)單位像素處。對(duì)應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)12的開口82和102分別形成在第一絕緣層8和柵電極10上，以便暴露出電子發(fā)射區(qū)12。
電子發(fā)射區(qū)域12可由諸如碳質(zhì)材料和/或納米尺寸材料的一種材料制成，當(dāng)處于真空環(huán)境下向電子發(fā)射區(qū)12施加電場時(shí)，這種材料可發(fā)射電子。例如，電子發(fā)射區(qū)12可以由碳納米管(CNT)、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳(DLC)、C60、硅納米絲，或上述材料的組合形成。
可選擇地，電子發(fā)射區(qū)12可以形成為基于鉬和/或硅的尖端結(jié)構(gòu)。
電子發(fā)射區(qū)12可以沿著各陰極電極6和柵電極10中的一個(gè)的長度方向一線排列。每個(gè)電子發(fā)射區(qū)12可以帶有平坦的圓形上表面。不過，電子發(fā)射區(qū)12并不限于上面所描述的排列和形狀。
在以上的描述中，雖然在一個(gè)實(shí)施例中描述了柵電極10置于陰極電極6上方并將第一絕緣層8插置于二者之間的情況，但本發(fā)明并不局限于此。也就是說，所述柵電極也可以置于陰極電極的下方并將第一絕緣層插置于二者之間。在這種情況下，所述電子發(fā)射區(qū)可以形成在位于第一絕緣層上的所述陰極電極的側(cè)壁上。
第二絕緣層16形成于第一絕緣層8上并同時(shí)覆蓋柵電極10，而聚焦電極14形成于第二絕緣層16上。柵電極10與聚焦電極14通過第二絕緣層16絕緣。使電子束通過其中的開口142和162形成在聚焦電極14和第二絕緣層16之中。
聚焦電極14的每個(gè)開口142對(duì)應(yīng)每個(gè)單位像素而形成，以聚焦對(duì)每個(gè)單位像素所發(fā)射的電子?？蛇x擇地，聚焦電極14的每個(gè)開口142可以對(duì)應(yīng)柵電極10的每個(gè)開口102而形成，以分別聚焦每個(gè)電子發(fā)射區(qū)12所發(fā)射的電子。本實(shí)施例所示為前者情況。
另外，聚焦電極14可以形成于第二絕緣層16的整個(gè)表面上，或者，形成為具有多個(gè)部分的一定(或者預(yù)定的)圖案。
現(xiàn)在對(duì)光發(fā)射單元200進(jìn)行描述。熒光物質(zhì)層18，例如紅色熒光物質(zhì)層18R、綠色熒光物質(zhì)層18G和藍(lán)色熒光物質(zhì)層18B形成在第二基板4的面對(duì)第一基板2的一個(gè)表面上。在紅色熒光物質(zhì)層18R、綠色熒光物質(zhì)層18G和藍(lán)色熒光物質(zhì)層18B之間設(shè)置黑層20，以增強(qiáng)屏幕對(duì)比度。熒光物質(zhì)層18可以對(duì)應(yīng)在第一基板2上所限定的單位像素而形成。
用諸如鋁的導(dǎo)電材料在熒光物質(zhì)層18和黑層20上形成陽極電極22。陽極電極22通過接收加速電子束所需的高電壓，并朝向第二基板4反射由熒光物質(zhì)層18向第一基板2發(fā)射的可見光線，用于增強(qiáng)屏幕亮度。
可選擇地，陽極電極22能夠由諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料制成，而非由金屬材料制成。在這種情況下，陽極電極22形成在第二基板4上，而熒光物質(zhì)層18和黑層20形成在陽極電極22上?？蛇x擇地，陽極電極22可以包括透明導(dǎo)電層和金屬層。
間隔物24被設(shè)置在第一基板2與第二基板4之間，用于在第一基板2與第二基板4之間均勻地保持間隙。間隔物24是對(duì)應(yīng)黑層20設(shè)置的，使得間隔物24不會(huì)妨礙熒光物質(zhì)層18。在圖1中，所示的是壁型間隔物。
根據(jù)本實(shí)施例，為了給電子束提供方向性，聚焦電極14包括用來形成勢阱的電勢控制單元。如圖1所示，所述電勢控制單元是通過消除聚焦電極14的一部分而形成的。該電勢控制單元包括形成在聚焦電極14之中的開口144，以露出第二絕緣層16。下文中，為了描述方便，使電子束通過的開口稱為第一開口，而用于所述電勢控制單元的開口稱為第二開口。
如圖2所示，第二開口144形成一個(gè)相對(duì)于第二基板4凹入的勢阱E，使得沿聚焦電極14的表面形成的等勢線的電勢低于周圍的電勢。勢阱E吸引朝向第二基板4移動(dòng)的電子束。因此，可能會(huì)朝向間隔物24反射的電子束被勢阱E吸引，其結(jié)果是增強(qiáng)了電子束的方向性。
第二開口144可以形成在各第一開口142之間，以對(duì)應(yīng)間隔物24。在這種情況下，能夠減小或者防止由于二次電子發(fā)射使間隔物24帶正電所引發(fā)的電子束路徑的變形(電子束路徑在圖2的實(shí)箭頭所示的方向上彎曲的狀態(tài))。也就是說，勢阱E形成在第一開口142周圍并位于面對(duì)間隔物24的位置，使得間隔物24的電子束吸引力能夠與勢阱E的電子束吸引力平衡，從而保持電子束的方向性(圖2的虛箭頭所指示)。
參照?qǐng)D3，第二開口144可以形成在矩形的單一部分中，使得勢阱沿著(或?qū)?yīng))壁型間隔物24的長度方向而形成。
圖4所示為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器。
參照?qǐng)D4，第二開口(或部分)146形成在聚焦電極14′上，且對(duì)應(yīng)一個(gè)間隔物24′。每個(gè)第二開口(或部分)146至少對(duì)應(yīng)一個(gè)第一開口142′。
圖5所示為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器。
圖5所示的間隔物24″為圓柱形。對(duì)應(yīng)于該圓柱形間隔物24″的第二開口148形成于聚焦電極14″上且位于兩個(gè)第一開口142″之間。
在圖4和圖5中，附圖標(biāo)記12′和12″都表示電子發(fā)射區(qū)。
如上所述，第二開口的排列、形狀、位置和尺寸可以根據(jù)間隔物的形狀、電荷的類型、電子束的變形程度和其他適當(dāng)因素而有所變化。
在對(duì)陰極電極6、柵電極10、聚焦電極14和陽極電極22施加一定(或者預(yù)定的)電壓時(shí)，上面所述的電子發(fā)射顯示器被驅(qū)動(dòng)。
例如，陰極電極6可以用作掃描電極以接收掃描驅(qū)動(dòng)電壓，而柵電極10可以用作數(shù)據(jù)電極以接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓，反之亦然。聚焦電極14接收用來聚焦電子束的電壓，例如，零伏或者幾伏到幾十伏的負(fù)直流電壓。陽極電極22接收用來加速電子束的電壓，例如，數(shù)百伏到數(shù)千伏的正直流電壓。
在電子發(fā)射區(qū)12周圍的單位像素處形成有電場，這里陰極電極6與柵電極10之間的電壓差等于或者大于一個(gè)閾值，因此電子可從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射出來。這些發(fā)射出的電子被施加到陽極電極22上的高電壓吸引到對(duì)應(yīng)的熒光物質(zhì)層18上，并且撞擊熒光物質(zhì)層18，從而激發(fā)熒光物質(zhì)層18發(fā)光。
在上述的驅(qū)動(dòng)過程中，間隔物24可以被正向充電而吸引通過第一開口142、142′和142″的電子束。不過，由于在第一開口142、142′和142″相對(duì)側(cè)，第二開口144、146和148形成勢阱E來吸引電子束，所以勢阱形成的吸引力抵消了間隔物的吸引力。結(jié)果是，電子束可以不被反射，而保持其期望的路徑。
盡管上述實(shí)施例中所描述的電子發(fā)射顯示器具有場發(fā)射體陣列(FEA)型的電子發(fā)射元件，但本發(fā)明并不局限于此。也就是說，本發(fā)明可以應(yīng)用于帶有其他類型電子發(fā)射元件的電子發(fā)射顯示器，例如帶有SCE元件、MIM元件或者M(jìn)IS元件的電子發(fā)射顯示器。
根據(jù)本發(fā)明，通過在聚焦電極上提供形成勢阱的電勢控制單元，能夠減少或者防止由間隔物引發(fā)的電子束變形現(xiàn)象。因此，減少了熒光物質(zhì)層的非發(fā)射區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的圖像。
雖然結(jié)合幾個(gè)示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明并不局限于所公開的實(shí)施例，相反地，本發(fā)明涵蓋了在本發(fā)明理論和精神、權(quán)利要求及其等效內(nèi)容所限定的本發(fā)明范圍之內(nèi)的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射顯示器，包括第一基板；與第一基板面對(duì)以形成一真空封裝的第二基板；形成在第一基板上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極；由所述驅(qū)動(dòng)電極控制的多個(gè)電子發(fā)射區(qū)；設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)電極上并且與該驅(qū)動(dòng)電極絕緣的聚焦電極，該聚焦電極帶有使電子束通過其中的多個(gè)第一開口；形成在第二基板表面上的多個(gè)熒光物質(zhì)層；形成在所述熒光物質(zhì)層表面上的陽極電極；和用于保持第一基板與第二基板之間間隙的多個(gè)間隔物，其中所述聚焦電極包括用于形成勢阱的電勢控制單元，該電勢控制單元形成在至少兩個(gè)第一開口之間并對(duì)應(yīng)所述間隔物。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元通過移除所述聚焦電極的一部分而形成。
3.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射顯示器，進(jìn)一步包括形成在所述聚焦電極下面并將該聚焦電極與所述驅(qū)動(dòng)電極絕緣的絕緣層，其中所述電勢控制單元包括形成在所述聚焦電極上的多個(gè)第二開口，以露出所述絕緣層。
4.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述聚焦電極形成為單一體，而所述間隔物設(shè)置于該聚焦電極上。
5.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述間隔物為壁型間隔物。
6.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述間隔物形成為圓柱形。
7.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元形成為矩形形狀。
8.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電極包括在其上面形成有絕緣層的多個(gè)陰極電極，和形成在所述陰極電極上并與陰極電極交叉的多個(gè)柵電極，其中所述電子發(fā)射區(qū)形成在所述陰極電極上并位于所述陰極電極與柵電極的各個(gè)相交區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的電子發(fā)射顯示器，其中每個(gè)第一開口對(duì)應(yīng)所述陰極電極與柵電極的每個(gè)相交區(qū)域而形成。
10.如權(quán)利要求8所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射區(qū)由選自一組中的材料制成，所述組由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線和上述材料的組合所組成。
11.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元形成為對(duì)應(yīng)于相應(yīng)一個(gè)所述間隔物的長度的單一第二開口。
12.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元沿相應(yīng)一個(gè)所述間隔物的長度至少形成兩部分。
13.如權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元的每個(gè)第二開口對(duì)應(yīng)于每個(gè)第一開口。
14.一種電子發(fā)射顯示器，包括第一基板；與第一基板面對(duì)的第二基板；形成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電極；與所述驅(qū)動(dòng)電極電連接的電子發(fā)射區(qū)；形成在所述驅(qū)動(dòng)電極上的絕緣層；設(shè)置于所述絕緣層上的聚焦電極，該聚焦電極帶有使電子束通過其中的第一開口；和用于保持第一基板與第二基板之間間隙的間隔物，其中所述聚焦電極包括用于形成勢阱的電勢控制單元。
15.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元通過移除所述聚焦電極的一部分而形成。
16.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元形成為對(duì)應(yīng)于相應(yīng)間隔物長度的單一第二開口。
17.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元沿相應(yīng)間隔物的長度至少形成兩部分。
18.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電勢控制單元包括形成在聚焦電極上的多個(gè)第二開口，以露出所述絕緣層。
19.如權(quán)利要求18所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電極包括在其上面形成有絕緣層的陰極電極，和形成在所述陰極電極上并與陰極電極交叉的柵電極，其中所述電子發(fā)射區(qū)形成在所述陰極電極上并位于所述陰極電極與柵電極的相交區(qū)域。
20.一種電子發(fā)射顯示器，包括第一基板；與第一基板面對(duì)的第二基板；形成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電極；由所述驅(qū)動(dòng)電極控制的電子發(fā)射區(qū)；與所述驅(qū)動(dòng)電極絕緣的聚焦電極，該聚焦電極帶有使電子束通過其中的多個(gè)第一開口；形成在第二基板表面上的熒光物質(zhì)層；形成在所述熒光物質(zhì)層表面上的陽極電極；和用來保持第一基板與第二基板之間間隙的間隔物，其中所述聚焦電極包括用于形成勢阱的電勢控制單元，該電勢控制單元形成在至少兩個(gè)第一開口之間并對(duì)應(yīng)所述間隔物。
21.一種用于電子發(fā)射顯示器的電子發(fā)射單元，包括基板；形成在所述基板上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極；用于在所述驅(qū)動(dòng)電極的控制下發(fā)射電子束的多個(gè)電子發(fā)射區(qū)；和設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電極上并且與該驅(qū)動(dòng)電極絕緣的聚焦電極，該聚焦電極帶有使電子束通過其中的多個(gè)第一開口，和用于設(shè)置多個(gè)間隔物的多個(gè)間隔座，所述多個(gè)間隔物用于保持所述基板與帶有光發(fā)射單元的另一基板之間的間隙，其中所述聚焦電極包括用于形成多個(gè)勢阱的電勢控制單元，所述多個(gè)勢阱用于吸引電子束遠(yuǎn)離所述間隔座，并且所述多個(gè)勢阱分別與對(duì)應(yīng)第一開口的間隔座面對(duì)地形成。
22.如權(quán)利要求21所述的電子發(fā)射單元，其中所述電勢控制單元通過移除所述聚焦電極的一部分而形成。
23.如權(quán)利要求22所述的電子發(fā)射單元，其中所述電勢控制單元形成為矩形形狀。
24.如權(quán)利要求21所述的電子發(fā)射單元，其中所述電子發(fā)射區(qū)由選自一組中的材料制成，所述組由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線和上述材料的組合所組成。
25.如權(quán)利要求21所述的電子發(fā)射單元，其中所述電勢控制單元形成為對(duì)應(yīng)于相應(yīng)一個(gè)所述間隔座的長度的單一第二開口。
全文摘要
一種電子發(fā)射顯示器，包括彼此相對(duì)并形成一真空封裝的第一基板和第二基板，形成在第一基板上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極，由所述驅(qū)動(dòng)電極控制的多個(gè)電子發(fā)射區(qū)，設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)電極上、與該驅(qū)動(dòng)電極絕緣并且?guī)в惺闺娮邮ㄟ^其中的多個(gè)第一開口的聚焦電極，形成在第二基板表面上的多個(gè)熒光物質(zhì)層，形成在所述熒光物質(zhì)層表面上的陽極電極，和用來保持第一基板與第二基板之間間隙的多個(gè)間隔物。所述聚焦電極包括用于形成勢阱的電勢控制單元，并且該電勢控制單元形成在至少兩個(gè)第一開口之間并對(duì)應(yīng)所述間隔物。所述勢阱可吸引電子束，以增強(qiáng)電子束的方向性。
文檔編號(hào)H01J29/46GK1959918SQ200610137628
公開日2007年5月9日 申請(qǐng)日期2006年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者池應(yīng)準(zhǔn), 俞昇濬, 張喆鉉 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社