專利名稱：電子發(fā)射器件,使用其的電子發(fā)射顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射器件。更具體的是本發(fā)明涉及一種具有控制電子發(fā)射的驅(qū)動電極以及用于增加相應像素的電子發(fā)射均勻性的電阻層的電子發(fā)射器件，使用該電子發(fā)射器件的電子發(fā)射顯示裝置，以及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常來說，可根據(jù)所使用的電子源種類來對電子發(fā)射元件進行分類。電子發(fā)射元件的種類包括采用熱陰極的第一類型以及采用冷陰極的第二類型。
第二類型的電子發(fā)射元件，即，冷陰極型，包括場致發(fā)射器陣列(FEA)型、表面導電發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、以及金屬-絕緣體-半導體(MIS)型。
FEA型的工作原理是將電場施加到真空下的電子發(fā)射區(qū)時電子容易從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射。電子發(fā)射區(qū)可以用具有低功函和/或高縱橫比的材料形成，該材料包括例如碳納米管、石墨或者類金剛石碳(diamond-like carbon)的含碳材料。
FEA型具有電子發(fā)射區(qū)，以及作為控制電子從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的驅(qū)動電極的陰極電極和柵電極。該電子發(fā)射元件可以在基底上形成為元件的陣列，從而形成電子發(fā)射器件。該電子發(fā)射器件可與另一具有陽極電極以及基于熒光層的電子發(fā)射單元的另一基底組合，從而形成電子發(fā)射顯示裝置。
基于FEA的電子發(fā)射顯示裝置的一個通用實例包括第一和第二基底，該第一和第二基底形成真空容器。電子發(fā)射區(qū)與作為驅(qū)動電極的陰極電極和柵電極一起形成在第一基底上。熒光層與用于將從第一基底發(fā)射的電子向熒光層加速的陽極電極一起形成在第二基底的表面，所述表面面對第一基底。
陰極電極電連接到電子發(fā)射區(qū)，從而提供發(fā)射電子所需的電流。柵電極通過基于柵電極和陰極電極之間的電壓差產(chǎn)生電場而控制電子發(fā)射。
然而，在實際上，當驅(qū)動電子發(fā)射器件時，施加到設置在相應像素的電子發(fā)射區(qū)的電壓不同。特別是，由于驅(qū)動電極例如陰極電極的內(nèi)部電阻，可使得電壓在像素之間是不同的。結(jié)果，來自電子發(fā)射區(qū)的放電電流量在像素之間是不同的。這樣，當將電子發(fā)射器件用作光源或者顯示單元時，在像素之間可感覺到亮度差。
針對不均勻亮度的一種可能方案是減小驅(qū)動電極所用材料的電阻值。另一種可能的方案是在陰極電極和發(fā)射區(qū)之間提供電阻層。該電阻層可通過絲網(wǎng)印刷或者摻雜具有特定電阻率的材料的薄膜而形成。然而，由于具有這種電阻率的材料非常昂貴，因此材料成本增加。此外，當電阻層的形成不同于常規(guī)形成工藝時，需要形成電阻層的獨立設備。此外，就耐酸性而言，電阻層可以非常弱，這樣它們在蝕刻工藝中容易被蝕刻溶液損壞。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射器件，使用該電子發(fā)射器件的電子發(fā)射顯示裝置，以及其制造方法，其基本克服了現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷或者缺點所帶來的一個或者多個問題。
因此，本發(fā)明的一個實施例的特點是提供一種電子發(fā)射器件，其構(gòu)造成補償由電極的內(nèi)部電阻所導致的電壓降，該電子發(fā)射器件包括電阻層，所述電阻層具有在該電阻層的厚度方向上變化的電阻。
因此，本發(fā)明的一個實施例的另一個特點是提供一種電子發(fā)射器件，其包括表現(xiàn)抗蝕性的電阻層。
本發(fā)明的至少一個上述或者其它特點和優(yōu)點可通過提供一種電子發(fā)射器件實現(xiàn)，該電子發(fā)射器件包括基底；基底上的陰極電極，該陰極電極具有主電極和輔助電極；輔助電極上的至少一電阻層，該電阻層沿著電阻層的厚度方向電阻率變化；以及連接到電阻層的至少一個電子發(fā)射區(qū)。
電阻層的電阻率在電阻層的厚度方向上逐漸變化。電阻層的電阻率可從電阻層接觸輔助電極的表面增加到電阻層接觸電子發(fā)射區(qū)的相對表面。輔助電極可包括擴散材料。該擴散材料可為銀。輔助電極和電阻層可均包括擴散材料。
主電極可以對于紫外光透明，并且輔助電極可以具有與電子發(fā)射區(qū)對應的至少一個孔。電阻層的厚度范圍為約1微米到約10微米。該電子發(fā)射器件還包括基底上的絕緣層，該絕緣層具有露出電子發(fā)射區(qū)的開口，以及絕緣層上的柵電極，該柵電極具有與絕緣層開口對應的開口。絕緣層和電阻層可包括相同的絕緣材料。
本發(fā)明的至少一個上述和其它特點以及優(yōu)點還可通過提供一種電子發(fā)射顯示裝置實現(xiàn)，該電子發(fā)射顯示裝置包括彼此相對的第一基底和第二基底；第一基底上的陰極電極，每個陰極電極具有主電極和輔助電極；輔助電極上的電阻層，電阻層沿著該電阻層的厚度方向變化電阻率；連接到電阻層的電子發(fā)射區(qū)；與陰極電極隔開的柵電極，在陰極電極和柵電極之間插入有絕緣層；第二基底面對第一基底的表面上的熒光層；以及與熒光層相鄰的至少一個陽極電極。
電阻層的電阻率在電阻層的厚度方向上逐漸變化。電阻層的電阻率可從電阻層接觸輔助電極的表面增加到電阻層接觸電子發(fā)射區(qū)的相對表面。輔助電極包括銀。可以對于相應像素形成單獨電阻層。
本發(fā)明的至少一個上述和其它特點和優(yōu)點還可通過提供一種制造電子發(fā)射器件的方法來實現(xiàn)，該方法包括在基底上形成陰極電極，在陰極電極上的預定位置形成擴散目標層，以及通過將包含在陰極電極中的導電擴散材料擴散到擴散目標層中而將擴散目標層轉(zhuǎn)換成電阻層。
在基底上形成陰極電極包括在基底上形成主電極以及在主電極上形成輔助電極，該輔助電極包括擴散材料。該擴散材料可為銀。該方法還可包括在基底上形成絕緣層和柵電極，以及形成電子發(fā)射區(qū)，使得電子發(fā)射區(qū)連接到電阻層。形成擴散目標層和形成絕緣層均可采用相同的絕緣材料實現(xiàn)。形成擴散目標層和形成絕緣層均可在相同的處理條件下進行。
形成電子發(fā)射區(qū)可包括將包含電子發(fā)射材料和光敏材料的混合物涂覆到基底上，采用曝光局部硬化所涂覆的混合物，以及去掉所涂覆的混合物中未硬化的部分。該主電極可由透明材料形成，并且一個或者多個孔可形成在相應像素的輔助電極中，并且局部硬化所涂覆的混合物包括選擇性地照射紫外光通過輔助電極中的孔。


參考附圖，通過具體描述其示范性實施例，可使本發(fā)明的上述和其它特點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說更加清楚，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示裝置的局部分解透視圖；圖2示出了圖1的電子發(fā)射顯示裝置的局部剖視圖；
圖3示出了圖2的電阻層的剖視圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電子發(fā)射顯示裝置的分解透視圖；圖5A到5G示出在根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電子發(fā)射器件的方法中的各個階段的剖視圖；以及圖6A到6D示出在根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造電子發(fā)射器件的方法中的各個階段的剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將在下文中參考附圖更全面描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的示范性實施例。然而，本發(fā)明可以不同形式實現(xiàn)，并不局限于本文中列出的實施例。當然，提供這些實施例使得本發(fā)明清楚和完整，并且對本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明的范圍。在附圖中，為演示的清楚起見，夸大了層和區(qū)域的尺寸。我們也應該理解，當稱某層在另一層或者基底“上”時，其可以直接在另一層或者基底上，也可出現(xiàn)中間層。此外，我們還應該理解，當稱某層在兩層“之間”時，其可是兩層之間的僅有的一層，也可存在一個或者多個中間層。全文中相同的元件用相同的附圖標記表示。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示裝置的局部分解透視圖，圖2示出了圖1的電子發(fā)射顯示裝置的局部剖視圖。參考圖1和2，根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示裝置可包括彼此相對、即平行設置的第一基底2和第二基底4，其二者之間限定了內(nèi)部空間。電子發(fā)射元件可形成在面對第二基底4的第一基底2的表面上。電子發(fā)射元件可規(guī)則地排列，例如以陣列形式，從而形成電子發(fā)射器件。發(fā)光單元可設置在第二基底4。發(fā)光單元可采用例如熒光劑的材料，從而當由發(fā)射電子激勵時就能發(fā)出可見光。
陰極電極6可以條狀圖案設置在第一基底2上，并可沿著第一基底2在例如圖1的y軸方向上延伸。絕緣層8可形成在第一基底2的整個表面上，覆蓋陰極電極6。柵電極10以條狀圖案設置在絕緣層8上，并且可在例如圖1的x軸方向的垂直于陰極電極6的方向上在絕緣層8上延伸。其中將陰極電極6和柵電極10交叉的區(qū)域限定為像素。
電阻層14可在相應像素處形成在陰極電極6上。下面提供電阻層14的形成細節(jié)。一個或者多個電子發(fā)射區(qū)12形成在每個電阻層14上。開口8a形成在絕緣層8中，開口10a形成在柵電極10中。開口8a，10a可定位成對應于每個電子發(fā)射區(qū)12，從而露出電子發(fā)射區(qū)12。
每個陰極電極6具有雙層結(jié)構(gòu)，其中主電極6a由輔助電極6b重疊。輔助電極6b的電阻值比主電極6a的小，從而減小陰極電極6的線電阻。
主電極6a可由例如氧化銦錫(ITO)的透明材料形成。輔助電極6b由例如具有高擴散系數(shù)的銀(Ag)的擴散材料形成。在電子發(fā)射顯示裝置的工藝中，輔助電極6b可將其內(nèi)部導電材料擴散到擴散目標層13(圖5C所示)，從而將擴散目標層13變換成表現(xiàn)預定電阻率范圍的電阻層14。下面另外詳細描述該工藝。
在其中電壓降是因為陰極電極6的電阻引起的情況下，電阻層14能夠使得對于像素的電壓條件獲得更均勻的控制。特別是，電阻層14的電阻值比陰極電極6的高，因此增加了陰極電極6的整個線電阻，并且減小了每個像素的整體放電電流量。此外，電阻層14可減小像素之間的放電電流量的差異。因此，電阻層14可降低和平衡每個像素的放電電流量。
電阻層14沿其厚度方向，即圖1的z軸方向表現(xiàn)出不同的電阻率。特別是，電阻層14的電阻率可逐漸變化。例如，電阻層14的電阻率可沿著厚度方向增加，厚度方向如從接觸輔助電極6b的表面向接觸電子發(fā)射區(qū)12的相對表面確定。電阻層14的電阻率取決于其中擴散材料的變化的密度和濃度，即密度和濃度在厚度方向上變化。如上所述，擴散材料可以例如是銀。
圖3示出了圖2中所示的電阻層的剖視圖。參考圖3，電阻層14內(nèi)擴散材料的密度和濃度從其接觸輔助電極6b的表面向接觸電子發(fā)射發(fā)射區(qū)12的相對表面逐漸減小。當擴散材料具有低電阻率時，其特定材料的分布較大的部分具有成比例降低的電阻值。電阻率可在約103Ω·cm到約109Ω·cm的范圍內(nèi)變化。下面另外具體描述電阻率的變化。電阻層14的厚度為約1微米到約10微米。
電子發(fā)射區(qū)12可用在真空大氣下將電場施加到其上時發(fā)射電子的材料形成，該材料例如含碳材料，納米(nm)大小的材料等。電子發(fā)射區(qū)12可用碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、富勒烯C60、硅納米線等以及其組合物形成。
電子發(fā)射區(qū)12可以是圓形的或者圓柱形的，并且在相應像素可排列為例如陰極電極6的縱向上的一行，如圖1和2所示。然而，可選擇每個像素的電子發(fā)射區(qū)12的其它形狀，排列以及數(shù)量，本發(fā)明并不局限于所示的電子發(fā)射顯示裝置。
同樣，電阻層14可以是矩形形狀，并且可覆蓋每個像素的整個區(qū)域，但其形狀和位置可以各種方式變化，并且本發(fā)明并不局限于所示出的電子發(fā)射顯示裝置。例如，電阻層14可單獨設置在每個像素的相應電子發(fā)射區(qū)12下。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電子發(fā)射顯示裝置的分解透視圖。參考圖4，陰極電極6’具有輔助電極6b’，在每個像素內(nèi)的部分輔助電極6b’上具有一個或者多個孔7?？蓪⒖?對應于每個電子發(fā)射區(qū)12來定位，并且在電子發(fā)射區(qū)12的形成過程中可采用孔7來使得紫外光通過輔助電極6b’，如下面具體描述。孔7的尺寸可略微大于電子發(fā)射區(qū)12的尺寸。孔7的形狀，大小以及排列可以各種方式變化?？梢罁?jù)電子發(fā)射區(qū)12的工藝特性形成孔7，這將在下面描述。
聚焦電極(未示出)可形成在柵電極10和絕緣層8上，從而將從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射的電子聚焦。將絕緣層8標注為第一絕緣層，第二絕緣層(未示出)可形成在柵電極10和聚焦電極之間，以將它們彼此絕緣。
熒光層18和黑色層20可形成在面對第一基底2的第二基底4的表面上，陽極電極22可形成在熒光層18和黑色層20的表面上。陽極電極22可由例如鋁的金屬材料形成。工作中，陽極電極22接收用于加速電子束的高壓。陽極電極22還將從熒光層18發(fā)射的可見光反射到電子發(fā)射顯示裝置的外部。特別是，陽極電極22可在第一基底的方向上提取由熒光層18發(fā)射的可見光，并將其向著第二基底4的外部反射回去，這樣提高了屏幕亮度。
在另一種實施方式(未示出)中，陽極電極22可由例如ITO的透明材料形成。此時，陽極電極可設置在熒光層18和黑色層20的外表面上，即，這樣設置使得熒光層18和黑色層20在陽極電極22和第一基底2之間。陽極電極22可被構(gòu)圖為多個單獨的電極部分。
分隔體24可設置在第一基底2和基底4之間，以保持其之間的恒定距離。分隔體24還定位成與黑色層20的非發(fā)光區(qū)對應。
上述的電子發(fā)射顯示裝置可通過將預定電壓施加到陰極電極6、柵電極10以及陽極電極22而進行工作。例如，可將電壓差為幾伏特到幾十伏特的驅(qū)動電壓施加到陰極電極6和柵電極10上，并將幾百伏特到幾千伏特的正(+)電壓施加到陽極電極22。因此，在像素的陰極電極6和柵電極10之間的電壓差超過預定值的地方，電子可以從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射。所發(fā)射的電子然后由施加到陽極電極22的高壓吸引，然后與每個熒光層18碰撞從而導致可見光發(fā)射。
在工作中，形成在陰極電極6的電阻層14有助于補償陰極電極6的任何正電壓差，其可增強每個像素的放電電流量的均勻性。
現(xiàn)在參考圖5A到5G說明本發(fā)明的實施例的制造電子發(fā)射器件的方法，其示出在本發(fā)明實施例的制造電子發(fā)射器件的方法中各個階段的剖視圖。
參考圖5A，例如ITO的透明導電材料可以涂覆在第一基底2上，例如為條狀圖案，從而形成主電極6a。接著，參考圖5B，在每個主電極6a上形成與主電極6a的圖案一致的輔助電極6b。如上所述，輔助電極6b的材料可以是具有高擴散系數(shù)的銀。
圖5C和5D示出了擴散目標層13到電阻層14的變換。參考圖5C和5D，將絕緣漿料涂覆在輔助電極6b上以在每個像素形成擴散目標層13。擴散目標層13可采用與絕緣層8相同的工藝設備和步驟用絕緣層8(此后將要形成)的漿料形成。形成在輔助電極6b上的擴散目標層13可以被加熱或者燒制，這樣輔助電極6b中的某些導電擴散材料擴散到擴散目標層13中。擴散材料的擴散方向由圖5C中的向上箭頭示出。
擴散導致擴散目標層13的性質(zhì)發(fā)生變化。如所示，將擴散目標層13變換成電阻層14，其中擴散目標層13的初始絕緣性質(zhì)減小而正在形成的電阻層14的導電性質(zhì)形成。
特別是，如電阻層14的厚度方向所確定的，隨著離輔助電極6b的距離增加，電阻層14的電阻率增加。電阻率增加是因為隨著離輔助電極6b的距離增加導電材料從輔助電極6b的擴散量減小。因此，如上所述，電阻層14的電阻率在其厚度方向上逐漸變化。
為了增加燒制工藝中輔助電極6b的導電擴散材料擴散到擴散目標層13中的擴散率，輔助電極6b可由具有高擴散系數(shù)的材料形成。
電阻層14的最終電阻率取決于加熱/燒制溫度，燒制時間，以及擴散材料的成分。因此，例如，為了降低電阻層14的電阻率，可增加燒制溫度和燒制時間，由此使得擴散量增加而且減小了電阻層14的電阻率。因此，顯而易見的是可以直接的方式控制電阻層14的電阻率，例如，通過改變工藝溫度，時間等。此外，可簡化工藝，這是因為直接采用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的輔助電極。
相反，常規(guī)上，電阻率可通過改變非晶硅(a-Si)中摻雜劑的濃度來進行控制。然而，與本發(fā)明的方法相比，在常規(guī)方法中均勻控制摻雜非晶硅層的電阻率更加困難，如上所述。
參考圖5E，將絕緣材料涂覆到第一基底2的整個表面上，從而形成絕緣層8。然后導電層可以形成在絕緣層8上，采用例如掩模層(未示出)將開口10a形成在導電層中。
參考圖5F，可例如通過在蝕刻溶液中進行浸漬而對形成在第一基底2上的結(jié)構(gòu)進行蝕刻。因此可將絕緣層8通過導電層的開口10a暴露的部分進行蝕刻，從而在絕緣層8中形成開口8a。然后可以將導電層構(gòu)圖為例如條狀圖案，從而完成柵電極10。
參考圖5G，電子發(fā)射區(qū)12形成在電阻層14上?？刹捎酶鞣N合適的技術(shù)形成電子發(fā)射區(qū)12，例如直接生長、化學氣相沉積、濺射、絲網(wǎng)印刷等。
最后的操作(未示出)包括將分隔體安裝在電子發(fā)射設備上；在第二基底上形成熒光體、黑色層以及陽極電極；將第一和第二基底彼此貼附，在其周邊采用例如玻璃粉；并且將基底之間的內(nèi)部空間排氣。
現(xiàn)在參考圖6A到6D說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造電子發(fā)射器件的方法，圖6A到6D示出了制造電子發(fā)射器件方法中各個階段的剖視圖。如上所述可以形成主電極6a、輔助電極6b’、電阻層14、絕緣層8以及柵電極10。此外，在每個像素的輔助電極6b’中形成一個或者多個孔7，從而允許紫外光固化?？?可采用例如構(gòu)圖的掩模層(未示出)來形成。注意，即使出現(xiàn)孔7，輔助電極6b’仍然在燒制過程中將擴散材料擴散到擴散目標層13中，由此將其變換成電阻層14。
圖6A示出主電極6a、具有孔7的輔助電極6b’、電阻層14、絕緣層8、以及柵電極10的形成。上面闡述了形成這些元件的操作細節(jié)。
參考圖6B，制備包含電子發(fā)射材料和光敏材料的漿料狀混合物，并且將其涂覆到第一基底2的結(jié)構(gòu)的整個表面上，其中光敏材料例如為可紫外光硬化材料。
參考圖6C，將曝光掩模30安裝在第一基底2的背部，曝光掩模30在與輔助電極6b’的孔7的位置對應的部分上具有開口30a。從第一基底2的后側(cè)照射紫外光(如箭頭所示)通過孔7和開口30a，從而硬化漿料狀混合物重疊電阻層14并且對應于孔7的部分。也就是說，因為輔助電極6b’不能透射紫外光，因此除非孔設置在輔助電極6b’上，漿料狀混合物不被硬化。此外，電阻層14可以是透明的，這樣即使在將導電材料擴散到其中之后，仍可采用后側(cè)曝光。
在另一種實施方式(未示出)中，可省略曝光掩模30。特別是，即使在不提供曝光掩模30時，仍然可通過采用孔7來使用后側(cè)曝光，從而控制曝光。
參考圖6D，通過顯影來去掉未硬化的部分，將剩余的硬化混合物，即對應于紫外光照射部的混合物進行干燥和燒制，從而形成電子發(fā)射區(qū)12。
根據(jù)本發(fā)明，由于將輔助電極的導電材料擴散到擴散目標層中，從而將其變換成電阻層，容易形成該電阻層而不需要額外的工藝步驟。此外，電阻層的材料是有成本效益的，并且具有高抗酸性，這樣它在蝕刻工藝中不會被蝕刻溶液損壞。
本文中已經(jīng)公開了本發(fā)明的示范性實施例，并且雖然采用了特定術(shù)語，但是它們僅以通用和描述性意義使用并且其目的不在于限制。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應該理解在不脫離由權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可進行各種形式和細節(jié)上的變化。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射器件，包括基底；所述基底上的陰極電極，所述陰極電極具有主電極和輔助電極；所述輔助電極上的至少一電阻層，所述電阻層的電阻率沿所述電阻層的厚度方向變化；以及連接到所述電阻層的至少一個電子發(fā)射區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層的電阻率在所述電阻層的厚度方向上逐漸變化。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層的電阻率從所述電阻層接觸所述輔助電極的表面到所述電阻層接觸所述電子發(fā)射區(qū)的相對表面增加。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述輔助電極包括擴散材料。
5.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射器件，其中所述擴散材料是銀。
6.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射器件，其中所述輔助電極和電阻層均包括所述擴散材料。
7.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述主電極對于紫外光透明，并且所述輔助電極具有至少一與所述電子發(fā)射區(qū)對應的孔。
8.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層的厚度范圍是約1微米到約10微米。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，還包括所述基底上的絕緣層，所述絕緣層具有暴露所述電子發(fā)射區(qū)的開口；以及所述絕緣層上的柵電極，所述柵電極具有與所述絕緣層的開口對應的開口。
10.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中所述絕緣層和電阻層包括相同的絕緣材料。
11.一種電子發(fā)射顯示裝置，包括彼此相對的第一基底和第二基底；所述第一基底上的陰極電極，每個陰極電極具有主電極和輔助電極；所述輔助電極上的電阻層，所述電阻層的電阻率沿著所述電阻層的厚度方向變化；連接到所述電阻層的電子發(fā)射區(qū)；與所述陰極電極隔開的柵電極，并且在所述陰極電極與所述柵電極之間插入有絕緣層；面對所述第一基底的第二基底的表面上的熒光層；以及與所述熒光層相鄰的至少一個陽極電極。
12.如權(quán)利要求11所述的電子發(fā)射顯示裝置，其中所述電阻層的電阻率在所述電阻層的厚度方向上逐漸變化。
13.如權(quán)利要求11所述的電子發(fā)射顯示裝置，其中所述電阻層的電阻率從所述電阻層與所述輔助電極接觸的表面到所述電阻層與所述電子發(fā)射區(qū)接觸的相對表面增加。
14.如權(quán)利要求11所述的電子發(fā)射顯示裝置，其中所述輔助電極包括銀。
15.如權(quán)利要求11所述的電子發(fā)射顯示裝置，其中對于每個像素形成獨立的電阻層。
16.一種制造電子發(fā)射器件的方法，包括在基底上形成陰極電極；在所述陰極電極上的預定位置形成擴散目標層；以及通過將包括在陰極電極中的導電擴散材料擴散到所述擴散目標層中而將所述擴散目標層轉(zhuǎn)換成所述電阻層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述基底上形成所述陰極電極包括在所述基底上形成主電極；以及在所述主電極上形成輔助電極，所述輔助電極包括所述擴散材料。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述擴散材料為銀。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述基底上形成絕緣層和柵電極；以及形成電子發(fā)射區(qū)，使得所述電子發(fā)射區(qū)連接到所述電阻層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述擴散目標層和形成所述絕緣層均采用相同的絕緣材料實現(xiàn)。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中形成所述擴散目標層和形成所述絕緣層均在相同的處理條件下進行。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述電子發(fā)射區(qū)包括將包含電子發(fā)射材料和光敏材料的混合物涂覆到所述基底上，采用曝光局部硬化所述涂覆的混合物，以及去掉所述涂覆的混合物中未硬化的部分。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述主電極由透明材料形成，在每個像素的輔助電極中形成一個或者多個孔，以及局部硬化所述涂覆的混合物包括選擇性照射紫外光到輔助電極中的孔中。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中通過燒制而進行導電擴散材料的擴散。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子發(fā)射器件，使用其的電子發(fā)射顯示裝置及其制造方法，所述電子發(fā)射器件包括基底；基底上的陰極電極，該陰極電極具有主電極和輔助電極；輔助電極上的至少一個電阻層，電阻層的電阻率沿著該電阻層的厚度方向變化；以及連接到該電阻層的至少一個電子發(fā)射區(qū)。
文檔編號H01J9/02GK1866458SQ20061008989
公開日2006年11月22日 申請日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者柳敬善 申請人:三星Sdi株式會社