專利名稱：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示面板，特別是對(duì)可將工作單純化的等離子顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(Plasma Display PanelPDP)是利用在紫外線激發(fā)熒光體的時(shí)候由熒光體產(chǎn)生的可視光線的顯示裝置。PDP比起目前主流的顯示手段即陰極線管(Cathode Ray TubeCRT)而言有厚度薄、高鮮明大型畫面呈現(xiàn)等長處。PDP由矩陣形式排列的多個(gè)放電槽單元構(gòu)成，每個(gè)放電槽形成畫面中的一個(gè)畫素。
原先三電極交流面放電型PDP的放電槽由以下幾個(gè)部分構(gòu)成一.上部基板上形成的，包含維持電極成雙的掃描電極及維持電極的上板；二.位于下部基板上與維持電極雙交叉形成的尋址電極的下板；三.上下基板之間形成放電空間的隔板。
這種結(jié)構(gòu)的PDP在按照尋址或數(shù)據(jù)電極與維持電極各自的方向選擇后，由維持電極之間的面放電維持放電。維持放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線激發(fā)致熒光體發(fā)光，使可視光線向槽的外部放出。結(jié)果，調(diào)整放電槽放電維持的時(shí)間來實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)，這些放電槽按矩陣形態(tài)排列的PDP顯示畫像。
這樣的PDP在放電氣體注入后，為了穩(wěn)定放電初始電壓及將放電槽內(nèi)的放電特性均一化，需要實(shí)施邊緣處理工作。此邊緣處理工程帶有工作復(fù)雜、生產(chǎn)費(fèi)用上升等問題。所以最近對(duì)可以將工作簡單化，并減少生產(chǎn)費(fèi)用的PDP的需要越來越大。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提出一種使工作簡單化的等離子顯示面板及其制造方法。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中等離子顯示面板及其制造方法，其特征包括以下三個(gè)階段一.準(zhǔn)備下基板階段；二.N2，Ar，He及O2中至少利用一個(gè)進(jìn)行表面處理的保護(hù)膜的上基板準(zhǔn)備階段；三.上述上基板與下基板相結(jié)合的階段。
準(zhǔn)備包含表面處理的保護(hù)膜的上基板的階段可分為上部基板上形成維持電極雙的階段；上部形成絕緣體層來覆蓋上述的維持電極雙的階段；在上述上部絕緣層上形成保護(hù)膜的階段；保護(hù)膜利用N2，Ar，He及O2中的一個(gè)進(jìn)行表面處理的階段。
準(zhǔn)備上述下基板的階段包括與上部基板對(duì)應(yīng)的下部基板上形成尋址電極的階段；覆蓋上述尋址電極的基板絕緣體層形成階段；下基板絕緣體層上形成隔板的階段；上述隔板及基板絕緣體層上形成熒光體層的階段。
準(zhǔn)備下基板的階段還包括將上述熒光體層用N2，Ar，He及O2中的一個(gè)進(jìn)行表面處理的階段。
上部基板上形成的保護(hù)膜由N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理。
上述等離子顯示面板還應(yīng)具備起到覆蓋上部電極作用的下部絕緣體層；上述隔板；下部絕緣體層上形成的熒光體層。
上述熒光體層由N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理。
具體而言，下部基板(14)制備，按以下順序排列，尋址電極(X)、下部絕緣體層(18)、隔板(8)、熒光體層(6)形成下基板(40)；，按維持電極對(duì)(Y，Z)、上部絕緣體層(20)、保護(hù)膜(10)的順序形成在上部基板上，由此得到上基板或上板(30) (S12階段)；然后上基板保護(hù)膜(10)在圖4所示的等離子室(50)中注入的工業(yè)氣體，例如，N2，Ar，He，O2等進(jìn)行表面處理(S13階段)；包含已表面處理的保護(hù)膜(10)的上板(30)在粘結(jié)室(60)與特別準(zhǔn)備的下基板或下板(40)通過粘結(jié)劑結(jié)合(S14階段)。在已結(jié)合的上基板(30)與下基板(40)之間的氣體通過排氣工程向外排放后此后在上基板(30)與下基板(40)之間的放電空間注入放電氣體，這樣面板就完成了(S15階段)；至少用N2，Ar，He及O2中一種氣體對(duì)上基板的保護(hù)膜進(jìn)行表面處理。
下板準(zhǔn)備階段也包含熒光體層用N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理的階段工業(yè)氣體處理的時(shí)間是0.5-12小時(shí)。
除了上述目的以外，本發(fā)明的其它目的及特征，將通過追加參考附圖和實(shí)施例來明確的表達(dá)出來。

圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
圖2(包括圖2a至圖2d)是顯示圖1中保護(hù)膜的表面粗糙度的圖。
圖2a是保護(hù)膜利用15KHz頻率等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar工業(yè)氣體進(jìn)行7小時(shí)表面處理后的狀態(tài)用所測值顯示的2b是顯示保護(hù)膜利用15KHz頻率等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar工業(yè)氣體進(jìn)行7小時(shí)表面處理后的狀態(tài)的2c是保護(hù)膜利用50KHz頻率等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar工業(yè)氣體進(jìn)行24時(shí)表面處理后的狀態(tài)用所測值顯示的2d是顯示保護(hù)膜利用50KHz頻率等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar工業(yè)氣體進(jìn)行24時(shí)表面處理后的狀態(tài)的3是顯示圖1中的等離子顯示面板的制造方法的流程圖。
圖4是為了說明圖3中等離子處理工程的斜視圖。
圖5是顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
圖6是顯示圖5中提出的等離子顯示面板的制造方法的流程圖。
圖7是顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
圖8是顯示圖7中提出的等離子顯示面板的制造方法的流程圖。
如圖所示6熒光體 8隔板10保護(hù)膜 12Y，12Z透明電極13Y，13Z總線電極 14，16上部，下部基板18，20絕緣體層30上基板40下基板 50等離子室60結(jié)合室 X尋址電極Y掃描電極 Z維持電極具體實(shí)施方式
以下的參考和結(jié)合圖1至圖8對(duì)本發(fā)明可靠的實(shí)施例進(jìn)行了說明。
圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
參考圖1，本發(fā)明的實(shí)施例1中等離子顯示面板，具備上部基板(16)上形成的掃描電極(Y)及維持電極(Z)，下部基板(14)上形成的尋址電極(X)。掃描電極(Y)與維持電極(Z)各自包含透明電極(12Y，12Z)及寬度比透明電極(12Y，12Z)窄，位于透明電極(12Y，12Z)的一側(cè)的總線BUS電極(13Y，13Z)。透明電極(12Y，12Z)通常為銦錫氧化物ITO，在上部基板(16)上形成?？偩€BUS電極(13Y，13Z)在透明電極(12Y，12Z)基礎(chǔ)上由導(dǎo)電率較高的金屬形成，減少高電阻的透明電極(12Y，12Z)引起的電壓下降問題。
在掃描電極(Y)與維持電極(Z)并列形成的上部基板(16)上堆積上部絕緣體層(20)及保護(hù)膜(10)。等離子放電時(shí)發(fā)生的壁電荷聚集在上部絕緣體層(20)上。保護(hù)膜(10)防止等離子放電時(shí)產(chǎn)生的噴射引起上部絕緣體層(20)的損傷，同時(shí)提高二次電子的放電效率。作為保護(hù)膜(10)，通常形成氧化鎂(MgO)，并用N2，Ar，He，O2等工業(yè)氣體進(jìn)行表面處理。
包含尋址電極(X)的下部基板(14)上，形成基板絕緣體層(18)及隔板(8)，基板絕緣體層(18)與隔板(8)表面上被噴涂熒光體。尋址電極(X)在掃描電極(Y)與維持電極(Z)交叉的方向形成(在成對(duì)維持電極和掃描電極下部的中間位置)。隔板(8)防止放電生成的紫外線及可視光線泄漏到鄰接的放電槽中。熒光體(6)被等離子放電時(shí)發(fā)生的紫外線激活并發(fā)出紅色、綠色或者青色中任意一種可視光線。上/下部基板(16，14)與隔板(8)之間的放電空間中注入氣體放電所需的惰性氣體。同時(shí)，本發(fā)明的第一實(shí)施例中等離子顯示面板的保護(hù)膜(10)在附上氧化鎂后，利用工業(yè)氣體，如圖2a至圖2b中顯示的方式進(jìn)行表面處理。圖2a及圖2b中顯示的保護(hù)膜(10)是利用15kHz頻率在等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar氣體進(jìn)行7小時(shí)的表面處理的狀態(tài)。還有，圖2c及圖2d上顯示保護(hù)膜(10)是利用50kHz頻率在等離子室內(nèi)形成等離子后利用Ar氣體進(jìn)行24小時(shí)的表面處理的狀態(tài)。經(jīng)過這樣的表面處理后，保護(hù)膜的表面粗糙度變?yōu)?000~4000 左右。這樣，保護(hù)膜(10)表面處理時(shí)使用的工業(yè)氣體與保護(hù)膜(10)表面殘留的不純物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或者化學(xué)結(jié)合，最終保護(hù)膜(10)上的不純物被清除。例如，保護(hù)膜(10)上附著的碳(C)與氧氣(O2)反應(yīng)后變成二氧化碳(CO2)或者一氧化碳(CO)，這樣保護(hù)膜(10)表面的碳成分被去除掉了。如此，本發(fā)明的第一實(shí)施例中等離子顯示面板的保護(hù)膜(10)表面的不純物在表面處理工程中被去除，因此可以省略邊緣處理工藝而達(dá)到工藝簡化的目的。
圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例中等離子顯示面板的制造方法的流水圖。
參考圖3，在下部基板(14)上按順序排列，尋址電極(X)、下基板絕緣體層(18)、隔板(8)及熒光體層(6)形成下基板(40)(S11階段)。此外，在上部基板(16)上按順序排列，維持電極對(duì)(掃描電極與維持電極Y，Z)、上部絕緣體層(20)及保護(hù)膜(10)形成上基板(30)(S12階段)。然后，上基板裝填到圖4中顯示的等離子室(50)后，上部基板上形成的保護(hù)膜(10)利用等離子室中注入的工業(yè)氣體，例如N2，Ar，He，O2等進(jìn)行表面處理(S13階段)。包含表面處理后的保護(hù)膜(10)的上基板(30)在結(jié)合室(60)內(nèi)與特別準(zhǔn)備的下基板(40)通過粘結(jié)劑粘結(jié)(S14階段)。粘結(jié)后的上基板(30)與下基板(40)之間的氣體通過排氣工藝排到外部，此后在上基板(30)與下基板(40)之間的放電空間注入Xe，Ne，Ar等放電氣體，這樣面板就完成了(S15階段)。
圖5是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
參考圖5，本發(fā)明的第二實(shí)施例中等離子顯示面板與圖1中顯示的等離子顯示面板相比，除了熒光體層表面處理代替保護(hù)膜以外，其他所有要素均相同。因此在這里省略相同構(gòu)成要素的詳細(xì)說明。
熒光體(6)被等離子放電時(shí)發(fā)生的紫外線激發(fā)并發(fā)出紅色、綠色或者青色中任意一種可視光線。這樣的熒光體(6)用N2，Ar，He，O2等工業(yè)氣體進(jìn)行表面處理。這熒光體(6)表面處理時(shí)使用的工業(yè)氣體與熒光體(6)表面殘留的不純物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或者化學(xué)結(jié)合，最終熒光體(6)上的不純物被清除。例如，熒光體(6)上附著的碳(C)與氧氣(O2)反應(yīng)后變成二氧化碳(CO2)或者一氧化碳(CO)，這樣熒光體(6)表面的碳成分被去除掉了。如此，本發(fā)明的第二實(shí)施例中等離子顯示面板的熒光體(6)表面的不純物在表面處理工程中被去除，因此可以省略邊緣處理工程達(dá)到工作簡化的目的。
圖6是顯示圖5中等離子顯示面板的制造方法的流水圖。
首先，在上部基板(16)上按順序排列，維持電極對(duì)(Y，Z)、上部絕緣體層(20)及保護(hù)膜(10)形成上基板(30)(S21階段)。此外在下部基板(14)上按順序排列，尋址電極(X)、下基板絕緣體層(18)、隔板(8)及熒光體層(6)形成下基板(40)(S22階段)。然后，下基板裝填到圖4中顯示的等離子室(50)后，熒光體(6)利用等離子室(50)中注入的工業(yè)氣體，例如N2，Ar，He，O2等進(jìn)行表面處理(S23階段)。包含表面處理后的熒光體(6)的下基板(40)在結(jié)合室(60)內(nèi)與特別準(zhǔn)備的上基板(30)通過粘結(jié)劑粘結(jié)(S24階段)。粘結(jié)后的上基板(30)與下基板(40)之間的氣體通過排氣工程排到外部以后，在上基板(30)與下基板(40)之間的放電空間注入Xe，Ne，Ar等放電氣體，這樣面板就完成了(S25階段)。
圖7是本發(fā)明的第三實(shí)施例中等離子顯示面板的截面圖。
參考圖7，與圖1表示的等離子顯示面板相比，除了保護(hù)膜及熒光體層進(jìn)行表面處理以外，其他構(gòu)成要素相同，因此省略對(duì)相同構(gòu)成要素的詳細(xì)說明。
保護(hù)膜(10)防止等離子放電時(shí)產(chǎn)生的噴射引起上部絕緣體層被損傷的同時(shí)提高二次電子的放電效率。熒光體(6)被等離子放電時(shí)發(fā)生的紫外線激發(fā)并發(fā)出紅色、綠色或者青色中任意一種可視光線。
這樣的熒光體(6)及保護(hù)膜(10)用N2，Ar，He，O2等工業(yè)氣體進(jìn)行表面處理。這熒光體(6)及保護(hù)膜(10)表面處理時(shí)使用的工業(yè)氣體與熒光體(6)及保護(hù)膜(10)表面殘留的不純物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或者化學(xué)結(jié)合，最終熒光體(6)及保護(hù)膜(10)上的不純物被清除。例如，熒光體(6)及保護(hù)膜(10)上附著的碳(C)與氧氣(O2)反應(yīng)后變成二氧化碳(CO2)或者一氧化碳(CO)，這樣熒光體(6)及保護(hù)膜(10)表面的碳成分被去除掉了。如此，本發(fā)明的第三實(shí)施例中等離子顯示面板的熒光體(6)及保護(hù)膜(10)表面的不純物在表面處理工程中被去除，因此可以省略邊緣處理工程達(dá)到工藝簡化的目的。
圖8是顯示圖7中等離子顯示面板的制造方法的流水圖。
首先，在上部基板(16)按順序排列制備，維持電極對(duì)(Y，Z)、上部絕緣體層(20)及保護(hù)膜(10)形成上基板(30)(S31階段)。上基板(30)裝填到等離子室(50)后，利用等離子室(50)中注入的工業(yè)氣體，例如N2，Ar，He，O2等進(jìn)行保護(hù)膜(10)表面處理(S23階段)。另外，在下部基板(14)上按順序排列制備，尋址電極(X)、下部絕緣體層(18)、隔板(8)及熒光體層(6)形成下基板(40)(33階段)。下基板(40)裝填到等離子室(50)后，熒光體(6)利用等離子室(50)中注入的工業(yè)氣體，例如N2，Ar，He，O2等進(jìn)行表面處理(S34階段)。包含表面處理后的熒光體(6)的下基板(40)在結(jié)合室(60)內(nèi)與包含已表面處理的保護(hù)膜的上基板(30)通過粘結(jié)劑粘結(jié)(S35階段)。粘結(jié)后的上基板(30)與下基板(40)之間的氣體通過排氣工程排到外部以后，在上基板(30)與下基板(40)之間的放電空間注入Xe，Ne，Ar等放電氣體，這樣面板就完成了(S36階段)。上述本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例的等離子顯示面板的制造方法為了提高工程的效率，可以另外追加邊緣處理工藝。此邊緣處理工程因表面處理工程，與原先工程相比可大大減少工藝時(shí)間。
本發(fā)明效果如上面所述，本發(fā)明中等離子顯示面板及其制造方法，在保護(hù)膜與熒光體中至少有一個(gè)利用工業(yè)氣體進(jìn)行表面處理。用表面處理時(shí)所利用的工業(yè)氣體與保護(hù)膜及熒光體其中一個(gè)上面帶有的不純物相互起反應(yīng)并去除殘余的不純物。因此，原先為了去除面板內(nèi)殘留的不純物的邊緣處理工程可以被省略，工程時(shí)間可以縮短3小時(shí)以上。
綜上所述，本說明書還可以對(duì)基于該項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)還有更多樣的變更及修正。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不僅限于說明書中的說明內(nèi)容，而是取決于本發(fā)明的權(quán)利所保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1.等離子顯示面板制造方法，包括以下步驟包含準(zhǔn)備下部基板的階段；下部基板(14)制備時(shí)，按以下順序排列，尋址電極(X)、基板絕緣體層(18)、隔板(8)、熒光體層(6)形成下基板(40)；上部基板(16)制備，按以下順序排列，維持電極對(duì)(Y，Z)、上部絕緣體層(20)、保護(hù)膜(10)；上基板保護(hù)膜(10)在室中注入的工業(yè)氣體進(jìn)行表面處理；粘結(jié)劑粘結(jié)上基板(30)與下基板(40)，先排氣，此后在上基板(30)與下基板(40)之間的放電空間注入放電氣體；其特征是至少用N2，Ar，He及O2中一種氣體對(duì)上基板的保護(hù)膜進(jìn)行表面處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板制造方法，其特征是表面處理保護(hù)膜的上板的準(zhǔn)備階段根據(jù)以下階段組成上部基板上形成維持電極對(duì)的階段；形成覆蓋維持電極對(duì)的上部絕緣體層的階段；上部絕緣體層上形成保護(hù)膜的階段；保護(hù)膜用N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理的階段；以上階段組成等離子顯示面板的制造方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板制造方法，其特征是下板準(zhǔn)備階段根據(jù)以下階段組成下部基板上形成尋址電極的階段；形成覆蓋尋址電極的基板絕緣體層的階段；基板絕緣體層上形成隔壁的階段；隔壁即基板絕緣體層上形成熒光體層的階段；以上階段組成是等離子顯示面板的制造方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示面板制造方法，其特征是下板準(zhǔn)備階段包含熒光體層用N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理的階段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板制造方法，其特征是工業(yè)氣體處理的時(shí)間是0.5-12小時(shí)。
6.具備上部基板及下部基板的等離子顯示面板，其特征是上部基板上形成的保護(hù)膜用N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理為特征的等離子顯示面板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示面板，其特征是還具備覆蓋上述基板電極形成的基板絕緣體層；隔壁與基板絕緣體層上形成的熒光體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示面板，其特征是熒光體層用N2，Ar，He及O2中至少一個(gè)進(jìn)行表面處理的等離子顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于工作單純化的等離子顯示面板及其制造方法，本發(fā)明中等離子顯示面板的特征是它包括以下三個(gè)階段一、準(zhǔn)備下基板階段；二、N
文檔編號(hào)H01J17/49GK101017753SQ20061007923
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2006年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月18日
發(fā)明者徐基源 申請(qǐng)人:樂金電子(南京)等離子有限公司