專利名稱：凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器及其制作工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于平面顯示技術領域、電子科學與技術領域、真空科學與技術領域、集成電路科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發(fā)射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發(fā)射顯示器的器件制作方面的內容，特別涉及到一種凹面星形柵控陰極陣列結構的碳納米管場致發(fā)射平板顯示器件的器件制作及其制作工藝。
背景技術：
碳納米管是一種同軸的管狀物質，具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率以及優(yōu)良的物理化學特性，能夠在外加電壓的作用下發(fā)射出大量的電子，是一種相當優(yōu)秀的冷陰極場致發(fā)射陰極材料。制作大面積、薄型化、平板化的場致發(fā)射顯示器，一直是顯示技術研究領域的眾多研究者們不斷追求的目標。碳納米管材料的發(fā)現(xiàn)，并被成功的用作器件陰極來發(fā)射大量的電子，使得在平板顯示設備領域產(chǎn)生了革新性的變化。利用碳納米管作為陰極材料而制作的平板顯示器件具有高清晰度、高亮度、高分辨率等特點，其應用越來越廣泛。
在三極結構的場致發(fā)射顯示器件當中，柵極是一個比較關鍵的元件，它對碳納米管陰極的電子發(fā)射起著必要的控制作用。如何在充分發(fā)揮柵極控制功能的同時，將柵極和陰極結構有機的結合到一起，促進整體器件的高度集成化發(fā)展，以及如何選擇適合的柵極結構形式，如何選擇適合的柵極制作工藝，等等，這些都是需要重點考慮的現(xiàn)實問題。另外，當在柵極上施加適當電壓以后，就會迫使碳納米管發(fā)射出大量的電子，但并不是所有的碳納米管陰極都能夠均勻穩(wěn)定的發(fā)射大量電子的，而是位于陰極邊緣位置的碳納米管發(fā)射的電子最多，位于陰極中央位置的碳納米管發(fā)射的電子則相對要少一些，或者根本就不發(fā)射電子，這就是獨特的邊緣位置發(fā)射大量電子的現(xiàn)象。在器件制作的過程中，應該充分利用這一現(xiàn)象。
此外，在三極結構的平板場致發(fā)射顯示器件當中，在確保整體器件良好圖像質量的前提下，還要盡可能的降低總體器件成本，進行穩(wěn)定可靠、成本低廉、性能優(yōu)良、高質量的器件制作。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、制作過程穩(wěn)定可靠、制作成功率高、結構簡單的凹面星形柵控陰極陣列結構的碳納米管平板顯示器件及其制作工藝。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及制備在陽極導電層上的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極玻璃面板上的刻蝕后的二氧化硅層形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層；陰極增高層斜坡面上的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)；柵極導電層上面的刻蝕后的二氧化硅層形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；碳納米管制備在陰極導電層的上面。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位于碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發(fā)射，陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬，柵極導電層為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層的制作在陰極玻璃面板上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極引線層；3)陰極增高層的制作在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；4)陰極導電層的制作在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層；5)絕緣隔離層的制作在陰極增高層的最高處平面的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極導電層；7)柵極覆蓋層的制作在柵極導電層的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管的制備在陰極導電層上制備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；12)絕緣漿料層的制作在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；13)熒光粉層的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構和玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑附屬元件[15]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；15)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上。
所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)。
所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
所述步驟15具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發(fā)明具有如下的積極效果首先，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，柵極位于碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發(fā)射。當在柵極上施加適當電壓以后，就會在碳納米管頂端形成強大的電場強度，迫使碳納米管發(fā)射出大量的電子。所制作的柵極導電層伸出了絕緣隔離層部分，形成一種懸空狀態(tài)，這比較有利于縮短柵極-陰極之間的距離，加大柵極的控制能力；其次，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，對碳納米管陰極的形狀也作了進一步的優(yōu)化處理。一方面，制作了陰極增高層，并制作了斜坡面，這樣使得碳納米管陰極就形成了一個斜坡形狀，使得斜坡的高端更加接近于柵極，能夠有效地降低整體器件的工作電壓；另一方面，并沒有在斜坡面上布滿碳納米管陰極，而是制作成了五角星形狀，這樣就更加增強了角形處碳納米管陰極的表面電場強度，迫使碳納米管發(fā)射出更多的電子，充分利用邊緣位置發(fā)射大量電子的現(xiàn)象；第三，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，在柵極導電層的上面制作了柵極覆蓋層，將大部分柵極導電層覆蓋起來，這樣，可以進一步避免其它雜質對于柵極結構的影響，有利于進一步提高整體器件的制作成功率。
此外，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，并沒有采用特殊的結構制作材料，也沒有采用特殊的器件制作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體顯示器件的制作成本，簡化了器件的制作過程，能夠進行大面積的器件制作。


圖1給出了凹面星形柵控陰極陣列結構的縱向結構示意圖；圖2給出了凹面星形柵控陰極陣列結構中陰極導電層的俯視結構示意圖；圖3給出了凹面星形柵控陰極陣列結構的橫向結構示意圖；圖4給出了帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的、碳納米管場致發(fā)射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行進一步說明，但本發(fā)明并不局限于這些實施例。
所述的一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板9、陰極玻璃面板1和四周玻璃圍框14所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層10以及制備在陽極導電層上的熒光粉層12；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構13以及消氣劑附屬元件15；在陰極玻璃面板上有控制柵極6、碳納米管陰極8以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構包括陰極玻璃面板1、陰極引線層2、陰極增高層3、陰極導電層4、絕緣隔離層5、柵極導電層6、柵極覆蓋層7和碳納米管8陰極。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板1；陰極玻璃面板1上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層2；陰極玻璃面板上的刻蝕后的二氧化硅層形成陰極增高層3；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層5；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層2；陰極增高層斜坡面上的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層4；陰極導電層4在陰極增高層的最低處和陰極引線層2相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層5；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極導電層6；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)；柵極導電層上面的刻蝕后的二氧化硅層形成柵極覆蓋層7；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層6，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；碳納米管8制備在陰極導電層4的上面。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位于碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發(fā)射。陰極引線層可以為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬。陰極導電層可以為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬。柵極導電層可以為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板1的制作對整體平板玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層2的制作在陰極玻璃面板上制備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕后形成陰極引線層；3)陰極增高層3的制作在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；4)陰極導電層4的制作在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，如金屬鉬層，刻蝕后形成陰極導電層4；5)絕緣隔離層5的制作在陰極增高層的最高處平面的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層6的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕后形成柵極導電層；
7)柵極覆蓋層7的制作在柵極導電層的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管8的制備在陰極導電層上制備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板9的制作對整體平板玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，進行劃割，制作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層10的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；12)絕緣漿料層11的制作在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；13)熒光粉層12的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構13和玻璃圍框14裝配到一起，并將消氣劑附屬元件15放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；15)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，如金屬鉬層，刻蝕后形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上。
所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕后形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)。
所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)；所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)；所述步驟15具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
權利要求
1.一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[9]、陰極玻璃面板[1]和四周玻璃圍框[14]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[10]以及制備在陽極導電層上的熒光粉層[12]；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構[13]以及消氣劑附屬元件[15]；其特征在于在陰極玻璃面板上有控制柵極[6]、碳納米管陰極[8]以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板[1]上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層[2]；陰極玻璃面板上的刻蝕后的二氧化硅層形成陰極增高層[3]；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層[5]；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層[2]；陰極增高層斜坡面上的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層[4]；陰極導電層[4]在陰極增高層的最低處和陰極引線層[2]相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層[5]；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極導電層[6]；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)；柵極導電層上面的刻蝕后的二氧化硅層形成柵極覆蓋層[7]；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層[6]，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；碳納米管[8]制備在陰極導電層[4]的上面。
3.根據(jù)權利要求2所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位于碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發(fā)射，陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬，柵極導電層為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
4.一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層[2]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極引線層；3)陰極增高層[3]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；4)陰極導電層[4]的制作在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層[4]；5)絕緣隔離層[5]的制作在陰極增高層的最高處平面的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環(huán)柱型結構環(huán)繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層[6]的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極導電層；7)柵極覆蓋層[7]的制作在柵極導電層的上面制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位于絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現(xiàn)懸空狀態(tài)部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管[8]的制備在陰極導電層上制備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板[9]的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層[10]的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；12)絕緣漿料層[11]的制作在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；13)熒光粉層[12]的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構[13]和玻璃圍框[14]裝配到一起，并將消氣劑附屬元件[15]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；15)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
5.根據(jù)權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上制備出一個二氧化硅層，刻蝕后形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來制作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來制作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化硅被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
6.根據(jù)權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層并不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現(xiàn)一種五角星型形狀位于陰極增高層的斜坡面上。
7.根據(jù)權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位于絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態(tài)。
8.根據(jù)權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
9.根據(jù)權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
10.根據(jù)權利要求4所述的一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述步驟15具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發(fā)明涉及到一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器及其制作工藝，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及制備在陽極導電層上的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件，在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及凹面星形柵控陰極陣列結構；能夠進一步縮短柵極－陰極二者之間的距離，在增強柵極控制能力的同時有效地降低器件的工作電壓，提高器件的顯示亮度，具有制作過程穩(wěn)定可靠、制作工藝簡單、制作成本低廉、結構簡單的優(yōu)點。
文檔編號H01J1/00GK1909176SQ20061004853
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優(yōu)先權日2006年8月2日
發(fā)明者李玉魁 申請人:中原工學院