專利名稱：一種表面放電型等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示裝置，特別涉及一種表面放電型等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的交流表面放電型等離子體顯示板由上基板和下基板組成。上基板包括上基板玻璃，其下表面設(shè)有透明介質(zhì)層和保護層，上基板玻璃與透明介質(zhì)層之間設(shè)有透明電極和金屬電極構(gòu)成的放電電極；放電電極有二種，一種被稱為維持電極，另一種被稱為掃描電極，掃描電極和維持電極成對出現(xiàn)，它們相互平行并交替排列；下基板包括下基板玻璃，其上表面設(shè)有垂直于上基板電極的尋址電極、介質(zhì)層及用于隔開相鄰放電空間的位于尋址電極兩側(cè)的條形障壁，在相鄰的障壁間涂敷有光致熒光粉；將上基板和下基板四周密封并在其間充入合適的混合惰性氣體，就構(gòu)成了表面放電型等離子體顯示板。為了實現(xiàn)穩(wěn)定的圖像顯示，上基板的一個掃描電極和一個維持電極所構(gòu)成的放電電極對的占空比一般小于70％。
上述等離子體顯示板的一種改進結(jié)構(gòu)是下基板的障壁可設(shè)計為井字形，在井字形障壁每個口中間涂敷光致熒光粉；上、下基板經(jīng)過精密對位并密封構(gòu)成等離子體顯示板。這種顯示板增加了熒光粉的涂敷面積，從而一定程度上提高了顯示屏的亮度。
但上述表面放電型等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)及改進還存在以下問題1)為了實現(xiàn)可靠的尋址和穩(wěn)定的圖像顯示，上基板上一個掃描電極和一個維持電極所構(gòu)成的放電電極對的占空比一般小于70％，非放電間隙所占空間較大，因此顯示屏空間利用率小，同時放電路徑短，顯示屏放電效率低，限制了亮度的進一步提高。2)由于放電電極對的占空比小于70％，顯示屏放電效率低，因此，井字形障壁熒光粉涂敷面積增大后的利用效率不高。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有交流等離子體顯示板結(jié)構(gòu)所存在的不足，本發(fā)明提供了一種能顯著提高放電電極對占空比、提高熒光粉涂敷面積的利用效率，進一步增加顯示屏亮度的表面放電型等離子體顯示板。
為達到以上目的，本發(fā)明是采取如下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的一種表面放電型等離子體顯示板，由下基板和上基板構(gòu)成，所述的下基板包括下基板玻璃，下基板玻璃的上表面設(shè)有介質(zhì)層，該介質(zhì)層與下基板玻璃之間設(shè)有等間距平行的尋址電極，介質(zhì)層上設(shè)有垂直于尋址電極的障壁，該障壁之間設(shè)有熒光粉層；所述的上基板包括上基板玻璃，上基板玻璃的下表面設(shè)有透明介質(zhì)層及保護膜，該透明介質(zhì)層與上基板玻璃之間設(shè)有垂直于尋址電極的透明電極及金屬電極，兩條金屬電極構(gòu)成放電電極對；所述障壁為條形或井字形；所述的放電電極對置于障壁之間的放電空間中央，放電電極對相鄰的非放電間隙置于障壁頂部；所述障壁的頂部與保護膜之間設(shè)有低熔點玻璃介質(zhì)層，該低熔點玻璃介質(zhì)層僅在放電電極對下方形成氣體通道，放電電極對相鄰的非放電間隙到放電空間沒有氣體通道。
上述方案中，所述障壁頂部的寬度不小于40μm；所述放電電極對的占空比大于80％；所述非放電間隙不小于50μm；所述低熔點玻璃介質(zhì)層的厚度為10～40μm。
本發(fā)明的等離子體顯示板與現(xiàn)有技術(shù)相比有如下明顯的優(yōu)點(1)由于障壁頂部的低熔點玻璃介質(zhì)層在上、下基板封接時被熔化，從而在障壁頂部將上、下基板也密封在一起，增加了顯示板的整體強度，降低了障壁的制作難度，可提高充氣壓強進而提高顯示屏的亮度。
(2)由于低熔點玻璃介質(zhì)層在垂直于尋址電極的障壁頂部隔開了放電間隙與非放電間隙間的氣體通道，因此，即使非放電間隙減小也不影響尋址的可靠性和放電的穩(wěn)定性，從而放電電極對的占空比可以加大到80％以上，進而可顯著提高放電效率及增加等離子體顯示板圖像顯示的亮度和對比度。
(3)由于非放電間隙變小，放電電極之間放電間隙的加寬及放電效率的提高，因此可采用井字形障壁以大幅增加熒光粉的涂敷面積，從而使得顯示屏放電空間利用率提高。
圖1為本發(fā)明顯示板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明顯示板的上基板斷面示意圖。
圖3為圖2的a向示意圖。
圖4為本發(fā)明顯示板的一種下基板斷面示意圖。
圖5為圖4的b向示意圖。
圖6為本發(fā)明顯示板的另一種下基板斷面示意圖。
圖7為圖6的c向示意圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步的詳細描述實施例1如圖1所示，一種表面放電型等離子體顯示板，由下基板1和上基板9構(gòu)成，所述的下基板1包括下基板玻璃2，下基板玻璃2的上表面設(shè)有介質(zhì)層4，該介質(zhì)層4與下基板玻璃2之間設(shè)有等間距平行的尋址電極3，介質(zhì)層4上設(shè)有垂直于尋址電極的井字形障壁5，其口形中間設(shè)有熒光粉層6；所述的上基板9包括上基板玻璃10，上基板玻璃10的下表面設(shè)有透明介質(zhì)層13及保護膜14，該透明介質(zhì)層13與上基板玻璃9之間設(shè)有垂直于尋址電極3的透明電極11及金屬電極12，兩條金屬電極12構(gòu)成放電電極對17，其占空比為80％；所述的放電電極對17置于障壁5之間的放電空間15中央，放電電極對17相鄰的非放電間隙16置于障壁5頂部；所述障壁5頂部的寬度為45μm，該障壁5頂部與保護膜14之間設(shè)有低熔點玻璃介質(zhì)層7，該低熔點玻璃介質(zhì)層7僅在放電電極對17下方形成氣體通道8，放電電極對17相鄰的非放電間隙16到放電空間15沒有氣體通道。由于非放電間隙16被障壁5頂部的低熔點玻璃介質(zhì)層7覆蓋并密封，因此非放電間隙16的寬度以低熔點玻璃介質(zhì)層7不被擊穿為限制，本實施例非放電間隙16的寬度為55μm。
如圖2、圖3、圖4、圖5所示，上述等離子體顯示板的一種制造方法在下基板玻璃2上形成尋址電極3，然后形成介質(zhì)層4，在介質(zhì)層4上形成井字形障壁5，障壁5的口形中央與尋址電極3的方向嚴格對準，在障壁5的口形中間涂敷三基色熒光粉層6，R代表紅色、G代表綠色、B代表藍色，在井字形障壁5的頂部涂敷一層厚度為10μm豐字狀低熔點玻璃介質(zhì)層7，并在垂直尋址電極的方向、障壁5的口形中間形成氣體通道8，為了防止封接后低熔點玻璃介質(zhì)層7覆蓋熒光粉層6使發(fā)光亮度下降，低熔點玻璃介質(zhì)層7涂敷寬度不大于障壁5頂部的寬度；然后在上基板玻璃10上形成垂直于尋址電極3的透明電極11和金屬電極12，每兩條金屬電極12形成放電電極對17，該放電電極對17的占空比可做成80％，然后順序形成透明介質(zhì)層13和保護膜14；在下基板1或上基板9的四周涂敷低熔點玻璃材料，將上、下基板有膜面對向放置，使放電電極對17置于障壁5的放電空間15中央，放電電極對17相鄰的非放電間隙16置于障壁5頂部，最后將上、下基板封接在一起，封接后仍要保證氣體通道8的暢通。顯示板在密封后通過障壁5頂部與透明介質(zhì)層13之間的氣體通道8將放電空間15抽真空后充入合適的混合惰性氣體，就制成了本發(fā)明的寬放電間隙等離子體顯示板。
為了防止上基板9的保護膜14在封接時開裂，井字型障壁5頂部的低熔點玻璃介質(zhì)層7的膨脹系數(shù)應(yīng)與保護膜14的膨脹系數(shù)相當，同時還要與障壁5的膨脹系數(shù)匹配；涂敷厚度要保證在封接后不產(chǎn)生光串擾。低熔點玻璃介質(zhì)層7可采用PbO-B2O3-ZnO組成的焊料玻璃，其燒結(jié)(封接)溫度為350～450℃。
實施例2如圖6、圖7所示，本發(fā)明等離子體顯示板的另一種制造方法在實施例1中。為防止封接過程中低熔點玻璃介質(zhì)層7堵塞氣體通道8，只在垂直于尋址電極3的井字形障壁5頂部涂敷30μm厚的低熔點玻璃介質(zhì)層7，其寬度小于障壁5頂部的寬度，以保證封接后低熔點玻璃介質(zhì)層7不覆蓋熒光粉層6。本實施例中，井字形障壁5頂部的寬度為40μm；放電電極對的占空比為83％；非放電間隙16為50μm；其它工序同實施例1。
實施例3在上述實施例1中，將低熔點玻璃介質(zhì)層7涂敷于圖2、圖3所示上基板9的保護膜14下表面，涂敷的位置、形狀與實施例1在井字形障壁5頂部涂敷的位置、形狀相同，涂覆厚度為40μm；其它工序同實施例1。
實施例4在上述實施例2中，將低熔點玻璃介質(zhì)層7涂敷于圖2、圖3所示上基板9的保護膜14下表面，涂敷的位置、形狀與實施例2在井字形障壁5頂部涂敷的位置、形狀相同，涂敷厚度為35μm；其它工序同實施例1。
實施例5在實施例1～4中，可將熒光粉層6與低熔點玻璃介質(zhì)層7一同燒結(jié)，或者在上、下基板封接時與低熔點玻璃介質(zhì)層7一同燒結(jié)，燒結(jié)(封接)溫度為450℃，從而可省略熒光粉層6單獨的燒結(jié)工序，可進一步降低制造成本。
以上實施例只是本發(fā)明優(yōu)選的實施例，但不僅限于這些實施例。如前述等離子體顯示板，為了防止低熔點玻璃介質(zhì)層7的頂部粘有熒光粉而影響密封性，可以在熒光粉層6燒結(jié)前，采用拋光等方法去除低熔點玻璃介質(zhì)層7頂部的熒光粉；如前述的等離子體顯示板，在井字形障壁5中不涂敷熒光粉，而只是在下基板1和上基板9的間隙中充入合適的混合惰性氣體，構(gòu)成單色等離子體顯示板；如前述等離子體顯示板，其井字形障壁5中涂敷單色光致熒光粉，構(gòu)成單色等離子體顯示板等等。凡依本發(fā)明的技術(shù)方案所作出的等效變換，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種表面放電型等離子體顯示板，由下基板(1)和上基板(9)構(gòu)成，所述的下基板(1)包括下基板玻璃(2)，下基板玻璃(2)的上表面設(shè)有介質(zhì)層(4)，該介質(zhì)層(4)與下基板玻璃(2)之間設(shè)有等間距平行的尋址電極(3)，介質(zhì)層(4)上設(shè)有垂直于尋址電極(3)的障壁(5)，該障壁(5)之間設(shè)有熒光粉層(6)；所述的上基板(9)包括上基板玻璃(10)，上基板玻璃(10)的下表面設(shè)有透明介質(zhì)層(13)及保護膜(14)，該透明介質(zhì)層(13)與上基板玻璃(10)之間設(shè)有垂直于尋址電極(3)的透明電極(11)及金屬電極(12)，兩條金屬電極(12)構(gòu)成放電電極對(17)；其特征是，所述障壁(5)為條形或井字形；所述的放電電極對(17)置于障壁(5)之間的放電空間(15)中央，放電電極對(17)相鄰的非放電間隙(16)置于障壁(5)的頂部；障壁(5)的頂部與保護膜(14)之間設(shè)有低熔點玻璃介質(zhì)層(7)，該低熔點玻璃介質(zhì)層(7)僅在放電電極對(17)下方形成氣體通道(8)，放電電極對(17)相鄰的非放電間隙(16)到放電空間(15)沒有氣體通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面放電型等離子體顯示板，其特征是，所述障壁(5)頂部的寬度不小于40μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面放電型等離子體顯示板，其特征是，所述的放電電極對(17)的占空比大于80％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面放電型等離子體顯示板，其特征是，所述非放電間隙(16)不小于50μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面放電型等離子體顯示板，其特征是，所述低熔點玻璃介質(zhì)層(7)的厚度為10～40μm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種表面放電型等離子體顯示板，由下基板和上基板構(gòu)成，下基板包括下基板玻璃，下基板玻璃的上表面設(shè)有介質(zhì)層，該介質(zhì)層與下基板玻璃之間設(shè)有等間距平行的尋址電極，介質(zhì)層上設(shè)有垂直于尋址電極的障壁，該障壁之間設(shè)有熒光粉層；上基板包括上基板玻璃，上基板玻璃的下表面設(shè)有透明介質(zhì)層及保護膜，透明介質(zhì)層與上基板玻璃之間設(shè)有垂直于尋址電極的透明電極及金屬電極，兩條金屬電極構(gòu)成放電電極對；所述障壁為條形或井字形；所述的放電電極對置于障壁之間的放電空間中央，放電電極對相鄰的非放電間隙置于障壁頂部；所述障壁的頂部與保護膜之間設(shè)有低熔點玻璃介質(zhì)層，該低熔點玻璃介質(zhì)層僅在放電電極對下方形成氣體通道，放電電極對相鄰的非放電間隙到放電空間沒有氣體通道。
文檔編號H01J11/10GK1845286SQ200610041928
公開日2006年10月11日 申請日期2006年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
發(fā)明者卜忍安, 范玉鋒, 張勁濤, 王建琪, 王文江 申請人:西安交通大學