專利名稱：電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置，更特別地，涉及具有放置在電子發(fā)射區(qū)域和驅(qū)動電極上方以聚焦電子束的聚焦電極的電子發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為利用熱陰極作為電子發(fā)射源的裝置和利用冷陰極作為電子發(fā)射源的裝置。有數(shù)種類型的冷陰極電子發(fā)射裝置，包括場發(fā)射器陣列(FEA)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型以及表面導(dǎo)電發(fā)射器(SCE)型。
MIM型和MIS型電子發(fā)射裝置具有分別具有金屬/絕緣體/金屬(MIM)結(jié)構(gòu)和金屬/絕緣體/半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)電壓施加到絕緣體各側(cè)的兩金屬、或者金屬和半導(dǎo)體時，下邊上的金屬或半導(dǎo)體提供的電子由于隧道效應(yīng)(tunneling effect)經(jīng)過絕緣體并且到達(dá)上邊上的金屬。在到達(dá)上邊上的金屬的電子中，具有大于或等于上邊上的金屬的功函數(shù)的能量的電子從上電極發(fā)射。
SCE型電子發(fā)射裝置包括形成在基板上且彼此相對的第一和第二電極、以及位于第一和第二電極之間的導(dǎo)電薄膜。在導(dǎo)電薄膜內(nèi)形成微縫(micro-crack)從而形成電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)施加電壓到電極同時使電流流到導(dǎo)電薄膜的表面時，電子從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射。
FEA型電子發(fā)射裝置基于這樣的原理當(dāng)具有低功函數(shù)或高深寬比(aspect ratio)的材料用作電子發(fā)射源時，由于真空環(huán)境內(nèi)的電場電子容易地從材料發(fā)射。基于鉬Mo或硅Si的尖的尖端結(jié)構(gòu)(tip structure)、或諸如碳納米管的碳質(zhì)材料已經(jīng)被發(fā)展為用作電子發(fā)射區(qū)域。
盡管電子發(fā)射裝置根據(jù)其類型在它們的特定結(jié)構(gòu)上有差異，它們基本上具有彼此密封從而形成真空容器(vacuum vessel)的第一和第二基板、形成在第一基板上的電子發(fā)射區(qū)域、用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的驅(qū)動電極、形成在面對第一基板的第二基板的表面上的熒光體層、以及用于將從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向熒光體層加速從而導(dǎo)致發(fā)光或產(chǎn)生顯示的陽極電極。
對于該電子發(fā)射裝置，已進(jìn)行試驗(yàn)以將電子束的軌跡導(dǎo)向目標(biāo)方向且增強(qiáng)圖像質(zhì)量。從第一基板發(fā)射的電子經(jīng)常不筆直地朝著第二基板遷移，而是擴(kuò)散從而它們撞擊與目標(biāo)顏色熒光體層相鄰的不正確顏色熒光體層并且使它們發(fā)光。
已經(jīng)提出應(yīng)該設(shè)置聚焦電極以控制電子束。聚焦電極放置在第一基板的最上面區(qū)域同時通過絕緣層與驅(qū)動電極絕緣。聚焦電極具有供電子束穿過的開口。幾到幾十伏的負(fù)直流電壓施加到聚焦電極從而向經(jīng)過聚焦電極的電子提供排斥力，并且電子被聚焦到電子束叢(bundle)的中間。
根據(jù)電子發(fā)射裝置的操作，聚焦電極周圍的電場根據(jù)施加到聚焦電極的電壓的大小而改變，從而到達(dá)第二基板的電子束叢具有主束(main beam)分量、以及主束分量以外的次束(sub beam)分量。次束分量具有比主束分量直徑大的直徑，但是其強(qiáng)度弱于主束分量的強(qiáng)度。
表1為在x和y方向上不存在或存在次束分量的情況下觀察到的紅、綠、以及藍(lán)熒光體層的顏色坐標(biāo)(color coordinate)，并且括號內(nèi)的數(shù)字為該顏色坐標(biāo)與NTSC顏色坐標(biāo)的差異。
表1

從表1可以看出，色再現(xiàn)性根據(jù)次束分量的存在或不存在而有很大差異。就是說，與不存在次束分量的情形相比，存在次束分量的情形涉及降低了22％的顏色表現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，提供了一種電子發(fā)射裝置，其優(yōu)化聚焦電極的結(jié)構(gòu)與聚焦電壓之間的關(guān)系，從而防止次束的產(chǎn)生并且提高色純度(color purity)。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，電子發(fā)射裝置包括形成在第一基板上的電子發(fā)射區(qū)域、用于控制從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子發(fā)射的驅(qū)動電極、以及具有電子從其穿過的開口的用于聚焦電子的聚焦電極。第一絕緣層設(shè)置在該驅(qū)動電極和該聚焦電極之間。該聚焦電極和該絕緣層滿足下面兩個條件中的至少一個1.0≤|Vf/t|≤6.0；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4，這里Vf(V)表示施加到該聚焦電極的電壓，t(μm)表示該絕緣層的厚度，并且Wh(μm)表示該聚焦電極的開口的寬度。
在一實(shí)施例中聚焦電極接收負(fù)電壓。
電子發(fā)射區(qū)域可布置在沿第一方向定義在第一基板上的像素區(qū)域處，并且聚焦電極的開口收納一個或更多的電子發(fā)射區(qū)域。在一實(shí)施例中，Wh的值可沿垂直于第一方向的方向測量。
電子發(fā)射裝置還可以包括對著第一基板的第二基板、以及形成在第二基板上的多色(multi-colored)熒光體層。各熒光體層的顏色可以沿垂直于第一方向的方向改變。
電子發(fā)射裝置還可包括形成在第一基板上的陰極電極、以及形成在第一基板上且通過形成在陰極電極和柵極電極之間的第二絕緣層與陰極電極絕緣的柵極電極。聚焦電極在柵極和陰極電極的上方。熒光體層形成在第二基板上。陽極電極形成在熒光體層的表面上。
柵極和陰極電極可設(shè)置為彼此垂直且在一交叉區(qū)域相交。電子發(fā)射區(qū)域也可在交叉區(qū)域處沿著陰極電極的長度直線地設(shè)置。聚焦電極的開口可以收納該直線排列的電子發(fā)射區(qū)域，并且Wh的值可以沿著陰極電極的寬度測量。
本發(fā)明的另一實(shí)施例為在電子發(fā)射裝置中使用的用于聚焦從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子束的聚焦電極。該聚焦電極包括為電子束提供空間而設(shè)置的多個開口。每個開口具有寬度Wh。聚焦電極以電壓Vf(V)驅(qū)動，并且寬度與電壓的關(guān)系滿足下面條件0.2≤|Vf/Wh|≤0.4。在一實(shí)施例中電壓Vf為負(fù)。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，電子發(fā)射裝置包括沿第一方向縱向設(shè)置的第一電極、以電壓Vf(V)驅(qū)動且具有寬度為Wh(μm)的開口的聚焦電極、以及設(shè)置在驅(qū)動電極和聚焦電極之間的絕緣層。絕緣層具有厚度t(μm)。聚焦電極和絕緣層可以滿足下面條件1.0≤|Vf/t|≤6.0。
聚焦電極和絕緣層還可以滿足下面條件0.2≤|Vf/Wh|≤0.4。寬度Wh也可以沿第一方向測量，并且電壓Vf可以為負(fù)。第一電極可以控制從沿著垂直于第一方向的方向設(shè)置的多個電子發(fā)射區(qū)域的電子束發(fā)射。設(shè)置開口的大小從而為從多個電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的一個或更多的電子束提供空間。第一電極可以為陰極電極或驅(qū)動電極。


圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部分解透視圖；圖2為根據(jù)圖1的實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部截面圖；圖3為圖1所示的第一基板上的結(jié)構(gòu)的局部平面圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射單元的一實(shí)施例的局部截面圖；圖5為第二基板和發(fā)光單元局部截面圖，示出發(fā)光單元的變體；圖6為示出了對于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，未產(chǎn)生次發(fā)光的作為第二絕緣層的厚度的函數(shù)的|Vf/t|條件的曲線圖；圖7為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例未產(chǎn)生次發(fā)光的作為聚焦電極開口的水平寬度的函數(shù)的|Vf/Wh|條件的曲線圖；圖8為示出了本發(fā)明實(shí)施例的|Vf/t|的值與色再現(xiàn)性之間的關(guān)系的曲線圖；圖9為示出了本發(fā)明另一實(shí)施例的|Vf/Wh|的值與色再現(xiàn)性之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1到3所示，電子發(fā)射裝置包括以預(yù)定距離相互平行設(shè)置的第一和第二基板2和4。密封部件(未示出)設(shè)置在第一和第二基板2和4的外圍，從而與兩個基板結(jié)合形成真空內(nèi)部空間。即，第一和第二基板2和4、以及密封部件形成真空容器(vacuum vessel)。
電子發(fā)射單元100設(shè)置在第一基板2的面對第二基板4的表面上，從而朝向第二基板4發(fā)射電子，并且發(fā)光單元200設(shè)置在第二基板4的面對第一基板2的表面上，從而由于電子而發(fā)出可見光，由此引起發(fā)光或顯示發(fā)生。在本實(shí)施例中，電子發(fā)射單元和發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)將利用場發(fā)射器陣列(FEA)型電子發(fā)射裝置來解釋。
陰極電極6在第一基板2上被條形構(gòu)圖，并且第一絕緣層8基本上覆蓋第一基板2的所有表面。第一絕緣層也覆蓋陰極電極6。柵極電極10垂直于陰極電極6在第一絕緣層8上被條形構(gòu)圖。
在本實(shí)施例中，當(dāng)陰極和柵極電極6和10的交叉區(qū)域被定義為像素區(qū)域時，電子發(fā)射區(qū)域12在各像素區(qū)域處形成在陰極電極6上，并且開口8a和10a對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域12形成在第一絕緣層8和柵極電極10處，從而暴露第一基板2上的陰極電極6上的電子發(fā)射區(qū)域12。
電子發(fā)射區(qū)域12利用在真空環(huán)境中施加電場時發(fā)射電子的材料諸如碳質(zhì)材料、或者納米尺寸材料形成。電子發(fā)射區(qū)域12可利用碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線或其適當(dāng)?shù)慕M合通過例如絲網(wǎng)印刷、直接生長、化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射而形成。
在本實(shí)施例中，當(dāng)從平面圖觀察時電子發(fā)射區(qū)域12為圓狀，且多個電子發(fā)射區(qū)域12在像素區(qū)域中沿著陰極電極6的長度排列。然而，電子發(fā)射區(qū)域12的形狀、每像素區(qū)域中的數(shù)目、以及排列不局限于所示例子，而可以各種方式改變。
如圖4所示，陰極和柵極電極6’和10’可被調(diào)換。對于電子發(fā)射單元101，柵極電極10’放置在陰極電極6’之下并且第一絕緣層8設(shè)置在它們之間。在此情形下，電子發(fā)射區(qū)域12’可接觸陰極電極6’的側(cè)面同時設(shè)置在第一絕緣層8上。對電極13可與柵極電極10’電連接，并且在陰極電極6’之間與電子發(fā)射區(qū)域12’分隔開。對電極13將柵極電極10’的電場引到第一絕緣層8的上方，從而在電子發(fā)射區(qū)域12’周圍形成強(qiáng)電場。
再回到圖1至3，第二絕緣層14和聚焦電極16形成在柵極電極10和第一絕緣層8上。開口14a和16a形成在第二絕緣層14和聚焦電極16處以讓電子束通過。開口14a和16a可在各像素區(qū)域處一一對應(yīng)地設(shè)置，并且利用該結(jié)構(gòu)，聚焦電極16將像素區(qū)域處發(fā)射的電子共同聚焦。
聚焦電極16和電子發(fā)射區(qū)域12之間的高度差別越大，聚焦效應(yīng)變得越大。因此，第二絕緣層14的厚度可大于第一絕緣層8的厚度。聚焦電極16可以利用第二絕緣層14上涂覆的導(dǎo)電膜、或具有開口16a的金屬板(metallicplate)形成。
熒光體層18與黑層20一起形成在第二基板4的面對第一基板2的表面上，該黑層被設(shè)置在各熒光體層18之間以增強(qiáng)屏幕對比度。熒光體層18可以以間隔開特定距離的紅、綠、和藍(lán)熒光體層18R、18G和18B形成。圖1示出熒光體層18和黑層20為條形圖案，但是每個熒光體層18可在各像素區(qū)域處一一對應(yīng)地單獨(dú)設(shè)置。在后一種情形中，黑層20也可形成在除了熒光體層18以外的所有非發(fā)光區(qū)域處。
陽極電極22利用金屬材料例如鋁在熒光體層18和黑層20上形成。陽極電極22接收用于加速來自發(fā)射區(qū)域的電子束所需的高電壓，并且反射從熒光體層19輻射的可見光，從而增加屏幕亮度。
供選地，如圖5所示，陽極電極22’首先形成在第二基板4的表面上，并且熒光體層18和黑層20形成在陽極電極22’上。在這種情形下，陽極電極22’利用諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，從而可以透射從熒光體層18輻射的可見光。圖5的附圖標(biāo)記201指發(fā)光單元。
再參考圖1至3，多個間隔物24設(shè)置在第一基板2與第二基板4之間從而維持第一基板2與第二基板4之間的距離。間隔物24支承真空容器從而防止真空容器的變形和斷裂。間隔物24對應(yīng)于黑層20設(shè)置從而它們不占據(jù)熒光體層18的區(qū)域。
利用上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射裝置，在操作中，預(yù)定電壓從外部施加到陰極電極6、柵極電極10、聚焦電極16、以及陽極電極22。例如，掃描驅(qū)動電壓施加到陰極電極6和柵極電極10中的一種，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動電壓施加到另一電極。幾到幾十伏特的負(fù)直流(DC)電壓施加到聚焦電極16，并且?guī)装俚綆浊Х氐恼鼶C電壓施加到陰極電極22。
因此，對于陰極電極6和柵極電極10之間的電壓差異超過閾值的像素區(qū)域，在電子發(fā)射區(qū)域12的周圍形成電場，并且電子從電子發(fā)射區(qū)域12發(fā)射。所發(fā)射的電子經(jīng)過聚焦電極16時經(jīng)歷排斥力，并且被聚焦到電子束的中心。聚焦的電子被施加到陽極電極的高電壓吸引，并且碰撞相應(yīng)的熒光體層從而使它們發(fā)光。
聚焦電極16的電子束聚焦操作根據(jù)聚焦電壓的大小、第二絕緣層14的厚度以及聚焦電極16的開口16a的水平寬度而改變?；谶@些因素，對于根據(jù)本實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，通過優(yōu)化聚焦電壓和聚焦電極的結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，防止了引起次發(fā)光(subsidiary light emission)的次束分量的產(chǎn)生以及由過大聚焦電壓導(dǎo)致的發(fā)射錯誤。
利用根據(jù)本實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，聚焦電極16和第二絕緣層14滿足下列兩個條件中的至少一個1.0≤|Vf/t|≤6.0(公式1)；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4 (公式2)，這里Vf(V)表示聚焦電壓，t(μm)表示圖2所示的第二絕緣層14的厚度，并且Wh(μm)表示圖3所示的聚焦電極開口16a的水平寬度。
圖6為示出了不產(chǎn)生次發(fā)光時的|Vf/t|的條件的曲線圖。第二絕緣層的厚度和聚焦電壓被改變。第二絕緣層的厚度從0.2μm變到了25μm。當(dāng)|Vf/t|的值處于從1V/μm到6V/μm的范圍時，次發(fā)光沒有產(chǎn)生。
在|Vf/t|的值小于1V/μm的情形下，聚焦電壓太弱以至于不足以在第二絕緣層的上述厚度內(nèi)聚焦電子，因而產(chǎn)生次發(fā)光。在|Vf/t|的值大于6V/μm的情形下，聚焦電壓在第二絕緣層的上述厚度內(nèi)過大，從而導(dǎo)致電子從關(guān)閉狀態(tài)的像素區(qū)域發(fā)射的發(fā)射錯誤。
圖7為示出了不產(chǎn)生次發(fā)光時的|Vf/Wh|的條件的曲線圖。聚焦電極開口的水平寬度和聚焦電壓被改變。聚焦電極開口的水平寬度從22μm變到82μm。在此水平寬度范圍內(nèi)，當(dāng)|Vf/Wh|的值處于0.2V/μm到0.4V/μm的范圍內(nèi)時，不產(chǎn)生次發(fā)光。
在|Vf/Wh|的值小于0.2V/μm的情形下，聚焦電壓太弱以至于不足以在聚焦電極開口的上述寬度范圍內(nèi)聚焦電子，從而產(chǎn)生次發(fā)光。在|Vf/Wh|的值超過0.4V/μm的情形下，聚焦電壓在上述厚度范圍內(nèi)過大，從而導(dǎo)致電子從關(guān)閉狀態(tài)像素區(qū)域發(fā)射的發(fā)射錯誤。
圖8為示出了對于滿足公式1的條件的電子發(fā)射裝置的作為|Vf/t|的變化的函數(shù)的色再現(xiàn)性(與NTSC相比)的曲線圖。圖9為示出了對于滿足公式2的條件的電子發(fā)射裝置的作為|Vf/Wh|的變化的函數(shù)的色再現(xiàn)性(也與NTSC相比)的曲線圖。如圖8和9所示，當(dāng)|Vf/t|處于1V/μm到6V/μm的范圍并且|Vf/Wh|的值處于0.2V/μm到0.4V/μm的范圍內(nèi)時，可以得到65％或更大的色再現(xiàn)性。
在電子發(fā)射裝置和聚焦電極的上述實(shí)施例中，通過優(yōu)化聚焦電壓和聚焦電極的結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系可以防止引起次發(fā)光的次束分量的產(chǎn)生。因此，從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子可以落在正確的、相應(yīng)的熒光體層上。因此，熒光體層的顏色表現(xiàn)以及顯示圖像的顯示質(zhì)量可以被提高。
上面關(guān)于FEA型電子發(fā)射裝置描述了些特征，其中電子發(fā)射區(qū)域形成以施加電場時發(fā)射電子的材料。然而，本發(fā)明不局限于FEA型電子發(fā)射裝置，而可以容易地應(yīng)用到其他類型的電子發(fā)射裝置。
盡管上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)該容易理解，這里所教導(dǎo)的基本發(fā)明構(gòu)思的對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的很多變體和/或修改都落在權(quán)利要求及其等價物所定義的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括電子發(fā)射區(qū)域，其形成在第一基板上；驅(qū)動電極，其用于控制電子從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射；聚焦電極，其用于聚焦電子且具有所述電子通過的開口；以及第一絕緣層，其設(shè)置在所述驅(qū)動電極和所述聚焦電極之間；其中所述聚焦電極和所述第一絕緣層滿足下面兩個條件中的至少一個1.0≤|Vf/t|≤6.0；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4，這里Vf(V)表示施加到所述聚焦電極的電壓，t(μm)表示所述第一絕緣層的厚度，并且Wh(μm)表示所述聚焦電極的所述開口的寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極接收負(fù)電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)域布置在沿著第一方向定義在所述第一基板上的像素區(qū)域處，并且所述聚焦電極的所述開口收納一個或更多的所述電子發(fā)射區(qū)域，且其中所述開口的所述寬度沿垂直于所述第一方向的方向測量。
4.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射裝置，還包括設(shè)置在所述第二基板上面對所述第一基板的多色熒光體層，從而各個熒光體層的顏色沿著垂直于所述第一方向的方向交替。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，還包括第二基板，其面對所述第一基板且具有形成在其上的熒光體層；陽極電極，其形成在所述熒光體層的表面上；陰極電極，其形成在所述第一基板上；以及柵極電極，其形成在所述第一基板上且通過形成在所述陰極電極和所述柵極電極之間的第二絕緣層與所述陰極電極絕緣。
6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述柵極電極和所述陰極電極彼此垂直設(shè)置且在交叉區(qū)域內(nèi)相交，并且所述電子發(fā)射區(qū)域沿著所述交叉區(qū)域處的所述陰極電極的長度直線地布置。
7.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射裝置，其中設(shè)定所述聚焦電極的所述開口的大小從而收納一個或更多的所述直線布置的電子發(fā)射區(qū)域，并且所述開口的所述寬度沿著垂直于所述陰極電極的所述長度的方向測量。
8.如權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射裝置，其中所述熒光體層是多色的，并且各個熒光體層的顏色沿垂直于所述陰極電極的所述長度的方向交替。
9.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第一絕緣層具有大于所述第二絕緣層的厚度。
10.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)域包括選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和硅納米線的組的至少一種材料。
11.一種在電子發(fā)射裝置中使用的用于聚焦從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子束的聚焦電極，所述聚焦電極包括為所述電子束提供空間而設(shè)置的開口，每個開口具有寬度Wh(μm)，其中所述聚焦電極以電壓Vf(V)驅(qū)動，并且其中所述寬度與所述電壓的關(guān)系滿足下面條件0.2≤|Vf/Wh|≤0.4。
12.如權(quán)利要求11所述的聚焦電極，其中所述電壓Vf為負(fù)。
13.一種電子發(fā)射裝置，包括第一電極，其沿第一方向縱向地設(shè)置；聚焦電極，其以電壓Vf驅(qū)動且具有寬度Wh(μm)的開口；絕緣層，其設(shè)置在所述第一電極和所述聚焦電極之間且具有厚度t(μm)，其中所述聚焦電極和所述絕緣層滿足下面條件1.0≤|Vf/t|≤6.0。
14.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極還滿足下面條件0.2≤|Vf/Wh|≤0.4。
15.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射裝置，其中所述寬度Wh沿所述第一方向測量。
16.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電壓Vf為負(fù)。
17.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第一電極控制電子束從沿垂直于所述第一方向的方向設(shè)置的多個電子發(fā)射區(qū)域的發(fā)射，并且其中設(shè)定所述開口的大小從而為從所述多個電子發(fā)射區(qū)域中的一個或更多發(fā)射的電子束提供空間。
18.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第一電極為驅(qū)動電極。
19.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第一電極為陰極電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射裝置，其包括形成在第一基板上的電子發(fā)射區(qū)域、用于控制從該電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子的發(fā)射的驅(qū)動電極、以及用于聚焦電子并具有電子通過的開口的聚焦電極。第一絕緣層設(shè)置在該驅(qū)動電極和該聚焦電極之間。該聚焦電極和該絕緣層滿足下面兩個條件中的至少一個1.0≤|Vf/t|≤6.0；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4，這里Vf(V)表示施加到該聚焦電極的電壓，t(μm)表示該絕緣層的厚度，并且Wh(μm)表示該聚焦電極的該開口的寬度。
文檔編號H01J29/46GK1873890SQ20061001985
公開日2006年12月6日 申請日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月31日
發(fā)明者全祥皓, 李天珪, 李相祚, 安商爀, 洪秀奉 申請人:三星Sdi株式會社