專利名稱：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板(以下記為“PDP”)及其制造方法；具體涉及旨在緩和顯示不勻的PDP及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為PDP，已知的是AC型3電極表面放電型的PDP。該PDP的通用例子是在正面?zhèn)?顯示面?zhèn)?的基板內(nèi)表面上，沿水平方向設(shè)置多個可表面放電的顯示電極；在反面?zhèn)鹊幕鍍?nèi)表面上，在與顯示電極交叉的方向上設(shè)置多個用于選擇發(fā)光單元的地址電極；顯示電極和地址電極的交叉部分為單元。
顯示電極用電介質(zhì)層覆蓋，并在其上形成保護膜。地址電極也用電介質(zhì)層覆蓋，在地址電極與地址電極之間形成隔離壁，在隔離壁間形成熒光體層。
PDP是通過將如此制成的正面?zhèn)鹊娘@示面板部件與反面?zhèn)鹊娘@示面板部件相對并將四周密封之后，在內(nèi)部密封放電氣體而制成的。
在著眼于正面?zhèn)鹊幕宓那闆r下，該PDP的顯示電極用電介質(zhì)層覆蓋，并在其上形成保護膜。一般地，電介質(zhì)層大多是用厚膜形成工藝形成的厚度為10μm以上的低熔點玻璃層，保護膜大多是用厚度1μm左右的薄膜形成工藝形成的。
然而，近年來由于節(jié)能的觀點而在尋求介電系數(shù)低的電介質(zhì)層，因此，一直在用氣相成膜法形成SiO2膜作為電介質(zhì)層。
在用氣相成膜法形成電介質(zhì)層的情況下，電介質(zhì)層的表面的形狀按照電極等基層的形狀而形成。其結(jié)果是電介質(zhì)層的表面變得起伏不平(參照特開2000-21304號公報)。特別地，在基層具有膜厚大的電極的情況下，該電極表面的凹凸起伏很嚴(yán)重，因此，電介質(zhì)層表面的起伏也變得很嚴(yán)重。
如上所述，當(dāng)電介質(zhì)層表面的凹凸起伏很嚴(yán)重時，在電介質(zhì)層上形成的保護膜的表面積變大，使密封在PDP內(nèi)部的放電氣體容易吸附在保護膜上。因此，導(dǎo)致放電電壓因保護膜的放電氣體吸附量的增加而上升。特別地，當(dāng)基層表面形狀的凹凸起伏或臺階具有與保護膜的厚度同樣水平的弧度時，會在保護膜的結(jié)晶之間產(chǎn)生空隙，當(dāng)然也引起了表面積的增大。
當(dāng)上述的凹凸起伏存在于基板表面上時，由于在相對的基板上設(shè)有隔離壁的顯示面板結(jié)構(gòu)中、與該隔離壁的接觸部分出現(xiàn)有凹凸起伏，因此會造成負(fù)荷集中而使隔離壁發(fā)生缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮了上述的情況而提出的。本發(fā)明通過對覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層實施平坦化處理來使電介質(zhì)層平坦化，并據(jù)此使在電介質(zhì)層上形成的保護膜變得平坦，從而達到顯示電極間的放電電壓均勻的目的。
本發(fā)明是一種等離子顯示面板的制造方法，該等離子顯示面板是以電介質(zhì)層覆蓋設(shè)置在基板上的電極而構(gòu)成的AC型等離子顯示面板，其特征在于利用氣相成膜法在形成有電極的基板上形成覆蓋該電極的電介質(zhì)層、并在該電介質(zhì)層上形成保護膜；并設(shè)有對電介質(zhì)層實施平坦化處理的工序。
根據(jù)本發(fā)明，通過使電介質(zhì)層平坦化來使保護膜變得平坦，據(jù)此可以抑制保護膜的放電氣體吸附量，使顯示電極間的放電電壓均勻。另外，可以防止隔離壁的缺陷。
在本發(fā)明中，作為正面?zhèn)鹊拿姘宀考约胺疵鎮(zhèn)鹊拿姘宀考ㄔ谟刹Ａ?、石英、陶瓷等?gòu)成的正面?zhèn)鹊幕逡约胺疵鎮(zhèn)鹊幕迳戏謩e形成有電極、絕緣膜、電介質(zhì)層、保護膜等所需的構(gòu)成物的基板。
在正面?zhèn)鹊幕迳纤纬傻碾姌O可以使用該領(lǐng)域公知的各種材料和方法來形成。作為電極所使用的材料，可以舉出諸如ITO、SnO2等透明的導(dǎo)電性材料，或Ag、Au、Al、Cu、Cr等金屬導(dǎo)電材料。作為電極的形成方法，可使用本領(lǐng)域公知的各種方法。例如，可以利用印刷等厚膜形成技術(shù)(厚膜形成工藝)形成，也可以利用由物理沉積法或化學(xué)沉積法構(gòu)成的薄膜形成技術(shù)(薄膜形成工藝)形成。作為厚膜形成技術(shù)，可以舉出絲網(wǎng)印刷法等。在薄膜形成技術(shù)中，作為物理沉積法，可以舉出蒸鍍法或濺射法等。作為化學(xué)沉積法，可以舉出熱CVD法或光CVD法，或等離子CVD法等。
電介質(zhì)層用氣相成膜法形成，使其覆蓋電極。該電介質(zhì)層可以使用該領(lǐng)域公知的各種材料形成。例如，可以使用以氣相成膜法形成的SiO2膜。作為氣相成膜法，可以使用如上述的熱CVD法或光CVD法、或者等離子CVD法那樣的各種化學(xué)沉積方法。
保護膜形成在電介質(zhì)層上即可。該保護膜可以利用諸如電子束蒸鍍法或等離子CVD法等該領(lǐng)域公知的薄膜形成工藝形成。該保護膜優(yōu)選使用MgO，且利用平均膜厚為1μm左右的薄膜形成工藝形成。
在本發(fā)明中，對電介質(zhì)層實施平坦化處理。該平坦化處理工序例如可以是如下的工序，即在形成電介質(zhì)層之前，通過在形成了電極的基板上使用低熔點玻璃膏的厚膜法形成平坦化層的工序。
在基板上所形成的電極是通過厚膜工藝形成的電極的情況下，上述平坦化處理的工序利用對由厚膜形成工藝所形成的電極加壓來使其平坦化的工序即可。
上述平坦化處理的工序包含在形成電介質(zhì)層之前去除電極的邊緣部分的工序。在此情況下，去除電極邊緣部分的工序在形成電極之后、利用濺射刻蝕法除掉電極的邊緣部分即可。另外，在通過濕法刻蝕形成電極時，可以設(shè)定更長的刻蝕時間，利用過刻蝕削除電極的邊緣部分。
另外，本發(fā)明還提供了一種在正面?zhèn)鹊幕迮c反面?zhèn)鹊幕逯g形成放電空間、并在正面?zhèn)鹊幕鍍?nèi)表面上具有覆蓋電極的電介質(zhì)層及覆蓋該電介質(zhì)層的保護膜的AC型的等離子顯示面板，其特征在于電介質(zhì)層的至少一部分的層是通過氣相成膜法而形成的層；該電介質(zhì)層與基層的電極的起伏無關(guān)地沿著基板的平面方向是大致平坦的。
在上述構(gòu)成中，可以利用SiO2膜構(gòu)成電介質(zhì)層。


圖1是表示使用本發(fā)明的制造方法的PDP的結(jié)構(gòu)的局部分解透視圖。
圖2是說明電介質(zhì)層的平坦化的一個例子的圖。
圖3是說明電介質(zhì)層的平坦化方法的一個例子的圖。
圖4所示是金屬電極的平坦化的一個例子。
圖5所示是金屬電極的平坦化方法的一個例子。
圖6所示是電極邊緣的平坦化的一個例子。
圖7所示是電極邊緣的平坦化方法的一個例子。
圖8所示是電極邊緣的平坦化方法的其他例子。
圖9所示是層疊電極邊緣的平坦化的一個例子。
圖10所示是層疊電極邊緣的平坦化方法的一個例子。
圖11所示是2層電極的邊緣的平坦化方法的一個例子。
圖12所示是不進行電介質(zhì)層的平坦化處理的比較例。
圖13所示是不進行厚膜電極的平坦化處理的比較例。
具體實施例方式
下面基于附圖所示的實施方式詳細(xì)說明本發(fā)明。本發(fā)明并不限于此，也可以有各種變形。
圖1(a)和圖1(b)所示是利用本發(fā)明的制造方法的PDP的結(jié)構(gòu)的局部分解透視圖。該PDP是用于彩色顯示的AC型3電極表面放電型的PDP。
本PDP 1由包含正面?zhèn)鹊幕?1的正面?zhèn)让姘宀考?0和包含反面?zhèn)鹊幕?1的反面?zhèn)让姘宀考?0構(gòu)成。正面?zhèn)鹊幕?1和反面?zhèn)鹊幕?1可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。在正面?zhèn)鹊拿姘宀考?0與反面?zhèn)鹊拿姘宀考?0之間的四周部分上，利用密封材料形成密封區(qū)域35；該密封區(qū)域35的內(nèi)側(cè)成為顯示區(qū)域ES。
在正面?zhèn)鹊幕?1的內(nèi)側(cè)表面上，在橫向上形成一對顯示電極X、Y，該顯示電極X、Y以在電極對之間不產(chǎn)生放電的間隔所隔開。顯示電極X與顯示電極Y之間成為顯示線L。各個顯示電極X、Y由ITO、SnO2等寬度寬的透明電極41和諸如由Ag、Au、Al、Cu、Cr及它們的層積體(例如Cr/Cu/Cr的層積膜)等構(gòu)成的寬度窄的金屬電極42所構(gòu)成。金屬電極一般地被稱為總線電極?？梢酝ㄟ^對于Ag、Au使用諸如絲網(wǎng)印刷的厚膜形成技術(shù)、對于其余材料使用蒸發(fā)法、濺射法等薄膜形成技術(shù)和刻蝕技術(shù)，以所需的條數(shù)、厚度、寬度以及間隔來形成顯示電極X、Y。
在顯示電極X、Y上，形成交流(AC)驅(qū)動用的電介質(zhì)層17以覆蓋顯示電極X、Y。電介質(zhì)層17是通過氣相成膜法形成SiO2膜而形成的。
在電介質(zhì)層17上形成保護膜18，用于保護電介質(zhì)層17免受顯示時的放電所產(chǎn)生的離子撞擊所造成的損傷。該保護膜利用MgO形成。
在反面?zhèn)鹊幕?1的內(nèi)側(cè)表面上，從平面上看，在與顯示電極X、Y交叉的方向上形成多個地址電極A，并形成覆蓋該地址電極A的電介質(zhì)層24。地址電極A被形成為Cr/Cu/Cr的3層結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生用于在與顯示電極對中的一個Y電極的交叉部分上選擇發(fā)光單元的地址放電。此外，該地址電極A也可以由例如Ag、Au、Al、Cu、Cr等形成。地址電極A也與顯示電極X、Y相同，可以通過對于Ag、Au使用諸如絲網(wǎng)印刷的厚膜形成技術(shù)、對于其他材料使用蒸發(fā)法、濺射法等的薄膜形成技術(shù)與刻蝕技術(shù)，以所需的條數(shù)、厚度、寬度以及間隔來形成。電介質(zhì)層24通過在反面?zhèn)鹊幕?1上用絲網(wǎng)印刷法涂覆低熔點玻璃膏并焙燒而形成。
在相鄰的地址電極A與地址電極A之間的電介質(zhì)層24上形成多個隔離壁29。隔離壁29可以利用噴砂法(sand blast法)、印刷法、光刻刻蝕法等形成。例如，在噴砂法中，是把由低熔點玻璃粉、粘合劑樹脂、溶劑等組成的玻璃膏涂覆在電介質(zhì)層24上并干燥后，在設(shè)置了具有隔離壁圖形開口的切削掩膜的狀態(tài)下，向該玻璃膏層上噴射切削粒子，來切削從掩膜的開口暴露出的玻璃膏層，然后進行焙燒而形成。而在光刻刻蝕法中，在粘合劑樹脂中使用感光性的樹脂、并使用掩膜進行曝光并顯影來代替切削粒子的切削，然后進行煅燒而形成。
在隔離壁29的側(cè)面以及隔離壁間的電介質(zhì)層24上形成紅(R)、綠(G)、藍(B)的熒光體層28R、28G、28B。熒光體層28R、28G、28B是通過如下方法形成的通過絲網(wǎng)印刷或者使用分配器(dispenser)的方法在隔離壁29中間的凹槽狀的放電空間內(nèi)涂覆含有熒光體粉末和粘合劑樹脂以及溶劑的熒光體膏，并對各顏色重復(fù)上述的過程后，進行焙燒。該熒光體層28R、28G、28B也可以使用含有熒光體粉末和感光性材料以及粘合劑樹脂的薄片狀的熒光體層材料(即半成品片，green sheet)，利用光刻技術(shù)來形成。此時，在基板的整個顯示區(qū)域上粘貼所需顏色的薄片，并進行曝光、顯影，通過對每種顏色重復(fù)上述過程，可以在對應(yīng)的隔離壁間形成各種顏色的熒光體層。
通過如下步驟制成PDP將上述的正面?zhèn)让姘宀考头疵鎮(zhèn)让姘宀考鄬ε渲檬癸@示電極X、Y與地址電極A交叉；將四周用密封材料密封；在由隔離壁29所包圍的放電空間30內(nèi)填充放電氣體。在該PDP中，顯示電極X、Y與地址電極A的交叉部分的放電空間30成為1個單元區(qū)域(單位發(fā)光區(qū)域)，該單元區(qū)域是顯示的最小單位。由R、G、B的3個單元構(gòu)成1個像素。
在電介質(zhì)層17的下方實施作為本發(fā)明的特征的平坦化處理，利用以下的實施方式對平坦化處理進行說明。
圖2所示是電介質(zhì)層的平坦化的一個例子。
在正面?zhèn)鹊幕?1上，形成作為顯示電極X、Y的透明電極41和金屬電極42。透明電極41是由ITO構(gòu)成的電極；金屬電極42是由Cr/Cu/Cr的三層層積膜構(gòu)成的金屬電極。該金屬電極42可以通過諸如絲網(wǎng)印刷的厚膜法使用Ag、Au等形成。
如果象這樣在正面?zhèn)鹊幕?1上形成透明電極41和金屬電極42，那么即使直接用氣相成膜法形成電介質(zhì)層17，電介質(zhì)層17的表面也不會平坦。為此，在本實施方式中，通過在電介質(zhì)層17的下方形成平坦化層19，來使電介質(zhì)層17平坦化。
即，在透明電極41和金屬電極42上形成平坦化層19，在該平坦化層19上用氣相成膜法形成由SiO2膜組成的電介質(zhì)層17，并在該電介質(zhì)層17上形成保護膜18。
由于利用平坦化層19將透明電極41和金屬電極42的凹凸起伏平坦化、并在其上形成電介質(zhì)層17，所以電介質(zhì)層17變得平坦。另外，由于在該平坦化的電介質(zhì)層17上形成保護膜18，因此保護膜18也被平坦地形成。
圖3所示是電介質(zhì)層的平坦化方法的一個例子。
首先，在正面?zhèn)鹊幕?1上，利用薄膜法(薄膜工藝法)或厚膜法(厚膜工藝法)，形成透明電極41以及金屬電極42(參照圖3(a))。
其次，通過整平(levelling)形成表面變得平坦的平坦化層19。該平坦化層19是利用絲網(wǎng)印刷等方法在透明電極41以及金屬電極42上涂覆由低熔點玻璃、粘合劑樹脂、溶劑等組成的膏(參照圖3(b))而形成的。
然后，通過干燥工序(150～250℃)使溶劑蒸發(fā)(參照圖3(c))、利用焙燒工序(500～600℃)將粘合劑樹脂燒掉、并使低熔點玻璃熔化和固化，據(jù)此形成平坦化層19(參照圖3(d))。
此時，層的表面通過在干燥工序以及焙燒工序中的整平作用能夠平坦化。為了充分地平坦化，優(yōu)選使平坦化層19的厚度為透明電極41和金屬電極42的厚度的3倍或3倍以上。還可以通過層壓法貼附加工成半成品片的低熔點玻璃來代替涂覆低熔點玻璃膏。
其次，用薄膜法在平坦化層19上形成電介質(zhì)層17(參照圖3(e))。本實施例中，電介質(zhì)層17是用氣相成膜法形成的膜厚為1μm左右的SiO2膜。
最后，用薄膜法在電介質(zhì)層17上形成保護膜18(參照圖3(f))。這里，保護膜18是利用蒸鍍法形成的厚度約為5000的MgO膜。
通過使電介質(zhì)層17平坦化，使保護膜18變得平坦，從而可以防止增加保護膜18所吸附的氣體。另外，還可以防止隔離壁的缺陷。
圖4所示是金屬電極的平坦化的一個例子。
當(dāng)在正面?zhèn)鹊幕?1上形成了透明電極41之后、用厚膜法形成了Ag、Au等金屬電極42時，金屬電極42不是被平坦地形成的。為此，在本實施方式中，通過對金屬電極42加壓使其平坦化、并在其上形成電介質(zhì)層17，來使電介質(zhì)層17平坦化。
圖5所示是金屬電極平坦化方法的一個例子。
首先，利用薄膜法在正面?zhèn)鹊幕?1上形成透明電極41，并在該透明電極41上利用厚膜法形成金屬電極42(參照圖5(a))。
在利用厚膜法形成金屬電極的情況下，金屬顆粒的直徑為數(shù)微米量級，表面的凹凸起伏很嚴(yán)重。因此，利用研磨用薄片等對厚膜的金屬電極42的表面進行研磨?；蛘呃脻L筒51對厚膜的金屬電極42加壓(參照圖5(b))?；蛘呃脡壕?presser)52的壓迫(參照圖5(c))使厚膜金屬電極42變形來使表面平坦化。
然后，利用氣相成膜法形成電介質(zhì)層17(參照圖5(d))，并在其上形成保護膜。
此時，通過使形成金屬電極所用的材料為數(shù)納米量級的微小顆粒，也可以改善金屬表面的平坦性。
圖6所示是電極邊緣的平坦化的一個例子。
在本實施方式中，通過在由薄膜法形成的金屬電極的邊緣形成斜坡，來達到電介質(zhì)層的平坦化。
圖7所示是電極邊緣的平坦化方法的一個例子。
首先，在整個正面?zhèn)鹊幕?1上形成金屬電極膜，利用光刻法使光刻膠圖案化，并利用濕法刻蝕法形成金屬電極42(參照圖7(a))。
其次，利用濺射刻蝕法切削金屬電極42的邊緣(參照圖7(b))。本實施方式所示為利用Ar離子進行離子濺射刻蝕的例子。
或者，利用研磨布等對金屬電極42進行機械研磨。
圖8所示是電極邊緣的平坦化方法的其他例子。
首先，在整個正面?zhèn)鹊幕?1上形成金屬電極膜。接著，利用光刻法使光刻膠53圖案化。在執(zhí)行濕法刻蝕時，通常是適當(dāng)?shù)卦O(shè)定刻蝕的時間、以如圖8(a)所示的恰好刻蝕的狀態(tài)結(jié)束刻蝕的，但在本實施方式中，如圖8(b)所示，有意地延長設(shè)定的刻蝕時間，進行過刻蝕。據(jù)此，在金屬電極42的邊緣形成斜坡。
圖9所示是層疊電極的邊緣平坦化的一個例子。
在本實施方式中，在由薄膜法層積多個層的金屬電極的情況下，是上層電極比下層電極的寬度更窄的形狀(棱錐狀)。
在本實施方式中，金屬電極42是以Cr層42a作為第1層、Cu層42b作為第2層、Cr層42c作為第3層。通過形成上述的具有斜坡的層疊電極，達到電介質(zhì)層的平坦化和其上的保護膜的平坦化。
圖10所示是層疊電極的邊緣的平坦化方法的一個例子。
首先，在整個正面?zhèn)鹊幕?1上形成3層金屬電極膜。第1層是Cr層42a、第2層是Cu層42b、第3層是Cr層42c。
其次，用光刻法使光刻膠53圖案化(參照圖10(a))。之后，利用Cr用的刻蝕液，對第3層Cr層42e進行濕法刻蝕(參照圖10(b))。Cr層42c相對于光刻膠53的寬度變得略微狹窄一點。
接著，使用Cu用的刻蝕液對第2層的Cu層42b進行濕法刻蝕(參照圖10(c))。Cu層42b相對于Cr層42c的寬度變得略微狹窄一點。
此后，使用Cr用的刻蝕液，進行第1層Cr層42a的濕法刻蝕(參照圖10(d))。此時，上層的Cr層42c也同時被刻蝕。
然后，再次使用Cu用的刻蝕液，對第2層Cu層42b進行濕法刻蝕(參照圖10(e))。該刻蝕是短時間的處理。
最后，剝離光刻膠53(參照圖10(f))。據(jù)此，形成棱錐狀的3層的金屬電極42，達到電介質(zhì)層的平坦化和其上的保護膜的平坦化。
圖11所示是2層電極的邊緣的平坦化方法的一個例子。
金屬電極本來可以是Cu的單層，但由于Cu的單層與基板的結(jié)合性的問題、以及在上方使用厚膜的電介質(zhì)層時發(fā)生腐蝕的問題，所以為了防止上述問題使用了上述的Cr/Cu/Cr的3層結(jié)構(gòu)。但是，如果在金屬電極的上方形成SiO2膜的話，就不必形成用于防止發(fā)生腐蝕問題的第3層的Cr層。
本實施方式是在形成這樣的2層金屬電極時的邊緣平坦化方法。
首先，在整個正面?zhèn)然?1上形成2層的金屬電極膜。第1層是Cr層42a，第2層是Cu層42b。
接著，利用光刻法將光刻膠53圖案化(參照圖11(a))。之后，使用Cu用的刻蝕液進行第2層Cu層42b的濕法刻蝕(參照圖11(b))。
其后，使用Cr用的刻蝕液，進行第1層Cr層42a的濕法刻蝕(參照圖11(c))。
然后，再次使用Cu用的刻蝕液，進行第2層Cu層42b的濕法刻蝕(參照圖11(d))。該刻蝕是短時間的處理。
最后，剝離光刻膠53(參照圖11(e))。如此，形成棱錐狀的2層的金屬電極42，從而可以達到電介質(zhì)層的平坦化和其上的保護膜的平坦化。
圖12以及圖13所示是比較例。
圖12所示是不進行電介質(zhì)層17的平坦化處理而形成保護膜18的例子。當(dāng)不進行電介質(zhì)層17的平坦化處理而在電介質(zhì)層17形成保護膜18時，由于保護膜18成為按照電介質(zhì)層17的凹凸起伏的形狀，因此保護膜18的表面積變大，且PDP的內(nèi)部所密封的放電氣體變得容易被保護膜18吸附。因此，導(dǎo)致放電電壓因保護膜的放電氣體吸附量的增加而上升。另外，由于在反面?zhèn)鹊幕迳闲纬傻母綦x壁的接觸部分變得起伏不平，因此造成突起部分負(fù)荷集中，成為造成隔離壁缺陷等的原因。
圖13所示是不進行厚膜電極的平坦化處理而形成電介質(zhì)層17的例子。此時與上述相同，容易產(chǎn)生電介質(zhì)層17的起伏；當(dāng)在該電介質(zhì)層17上形成保護膜18時，保護膜18的表面積變大，使在PDP內(nèi)部所密封的放電氣體變得容易被保護膜18吸附。另外，由于在反面?zhèn)然迳闲纬傻母綦x壁的接觸部分變得起伏不平，因此造成突起部分負(fù)荷集中，成為造成隔離壁缺陷等的原因。
權(quán)利要求
1.一種以電介質(zhì)層覆蓋設(shè)置在基板上的電極的AC型等離子顯示面板的制造方法，其特征在于利用氣相成膜法在形成有電極的基板上形成覆蓋該電極的電介質(zhì)層；并在該電介質(zhì)層上形成保護膜；設(shè)有對上述電介質(zhì)層實施平坦化處理的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，所述電介質(zhì)層由SiO2膜構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，對上述電介質(zhì)層實施平坦化處理的工序包括在電介質(zhì)層形成之前、通過在形成了電極的基板上使用低熔點玻璃膏的厚膜法來形成平坦化層。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，在基板上所形成的電極由用厚膜法形成的電極構(gòu)成；對上述電介質(zhì)層實施平坦化處理的工序包括對上述通過厚膜法形成的電極加壓來使其平坦化。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，對上述電介質(zhì)層實施平坦化處理的工序包括在形成電介質(zhì)層之前去除電極的邊緣部分。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，去除電極邊緣部分的工序包括在形成電極之后、利用濺射刻蝕法切削電極的邊緣。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，去除電極邊緣部分的工序包括在通過濕法刻蝕形成電極時延長刻蝕時間的設(shè)定，利用過刻蝕切削電極的邊緣。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，所述保護膜是通過使用MgO、且平均膜厚為1μm左右的薄膜形成工藝而形成的。
9.一種具有覆蓋設(shè)置在基板上的電極的電介質(zhì)層和覆蓋該電介質(zhì)層的保護膜的AC型等離子顯示面板，其特征在于上述電介質(zhì)層的至少一部分的層是利用氣相成膜法形成的層；該電介質(zhì)層是沿著基板的平面方向大致平坦的，且與其基層的電極的凹凸起伏無關(guān)。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中，上述電介質(zhì)層由SiO2膜組成。
全文摘要
本發(fā)明通過對AC型等離子顯示面板中的由氣相成膜法形成的電介質(zhì)層進行平坦化、和對在上述電介質(zhì)層上形成的保護膜進行平坦化，來達到電極間的放電電壓均勻化。本發(fā)明是在形成有電極的基板上，利用氣相成膜法形成電介質(zhì)層以覆蓋該電極，并在該電介質(zhì)層上形成保護膜。而且在形成電介質(zhì)層時，實施對電介質(zhì)層的平坦化處理。
文檔編號H01J11/38GK1805097SQ200610005120
公開日2006年7月19日 申請日期2006年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月13日
發(fā)明者南都利之, 原田秀樹 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司