專利名稱：用于離子注入劑量和均勻性控制的離子束測(cè)量系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及離子注入系統(tǒng)，具體涉及用于從離子束到工件的離子注入以及用于在離子注入系統(tǒng)中測(cè)量離子束的改進(jìn)系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件和其他產(chǎn)品的制造中，離子注入用來(lái)?yè)诫s半導(dǎo)體晶片、顯示面板、或具有雜質(zhì)的其他工件。離子注入機(jī)或離子注入系統(tǒng)利用離子束處理工件，以此產(chǎn)生n或p型摻雜區(qū)域或形成工件中的鈍化層。在用于摻雜半導(dǎo)體晶片時(shí)，離子注入系統(tǒng)將選擇的離子物種注入晶片以此產(chǎn)生所期望的非本征材料，其中由源材料(如銻、砷或磷)產(chǎn)生的注入離子導(dǎo)致n型非本征材料晶片，并且注入材料(如硼、鎵或銦)在半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生p型非本征材料部分。
圖1說(shuō)明了具有終端12、射束線組件14和末端站16的常規(guī)離子注入系統(tǒng)10。終端12包括離子源20，所述離子源20由高壓電源22供電，所述高壓電源22產(chǎn)生并引導(dǎo)離子束24至射束線組件14。射束線組件14由射束導(dǎo)引32和質(zhì)量分析器26組成，其中建立偶極磁場(chǎng)以此可僅僅使具有適當(dāng)?shù)碾姾膳c質(zhì)量比率的離子通過(guò)位于射束導(dǎo)引32的出口端的鑒別孔隙34到達(dá)末端站16中的工件30(如半導(dǎo)體晶片、顯示面板等)。離子源20生成從源20中提取并形成離子束24的帶電離子，所述離子束24在射束線組件14中沿著射束路徑被引導(dǎo)至末端站16。離子注入系統(tǒng)10可包括在離子源20和末端站16之間伸展的射束形成和成形結(jié)構(gòu)，其保持離子束24并限制狹長(zhǎng)的內(nèi)部腔或通道，穿過(guò)該通道的射束24被輸送至在末端站16中被支持的一個(gè)或多個(gè)工件30。離子束傳輸通道通常被抽空以此減少離子通過(guò)與空氣分子碰撞而從射束路徑被反射的概率。
低能注入機(jī)通常被設(shè)計(jì)成可提供幾百電子伏特(eV)直達(dá)80-100keV的離子束，而高能注入機(jī)可在質(zhì)量分析器26和末端站16之間使用線性加速(linac)設(shè)備(圖中未示出)，以便于加速質(zhì)量分析的射束24達(dá)到更高能量，通常為幾百keV，其中DC加速也是可能的。高能離子注入通常被用于工件30的更深的注入。相反地，高電流、低能量離子束24通常用于高劑量、淺深度的離子注入，在這種情形下，離子的更低能量通常導(dǎo)致難以維持離子束24的會(huì)聚。
在常規(guī)注入機(jī)中可發(fā)現(xiàn)末端站16的不同形式?！芭鳖愋湍┒苏究赏瑫r(shí)支持旋轉(zhuǎn)的支持結(jié)構(gòu)上的多個(gè)工件30，其中工件30旋轉(zhuǎn)穿過(guò)離子束路徑直至所有的工件30被完全注入。另一方面，“順次”類型末端站支持沿射束路徑用于注入的單個(gè)工件30，據(jù)此以順次的方式每次一個(gè)地注入多個(gè)工件30，其中在下一個(gè)工件30的注入開(kāi)始之前每個(gè)工件30被完全注入。
圖1的注入系統(tǒng)10包括順次末端站16，其中射束線組件14包括側(cè)向射束掃描儀36，所述側(cè)向射束掃描儀36接收具有相對(duì)較窄輪廓的離子束24(如“筆形”射束)并且在X方向上來(lái)回掃描射束24以此展開(kāi)射束24成為狹長(zhǎng)的“帶狀”輪廓，所述狹長(zhǎng)的“帶狀”輪廓具有至少與工件30一樣寬的有效的X方向?qū)挾?。帶狀射?4接著穿過(guò)平行化器38，所述平行化器38引導(dǎo)通常平行于Z方向的帶狀射束朝向工件30(如平行的射束24通常垂直于工件表面)。工件30在另一個(gè)垂直方向上被機(jī)械平移(如圖1中進(jìn)出頁(yè)面的“Y”方向)，其中在射束掃描儀36進(jìn)行X方向射束掃描期間機(jī)械致動(dòng)設(shè)備(圖中未示出)在Y方向上平移工件30，據(jù)此射束24被傳遞到工件30的整個(gè)暴露表面上。對(duì)于傾斜注入來(lái)說(shuō)，可因此調(diào)節(jié)射束24和工件30的相對(duì)取向。
在集成電路器件和其他產(chǎn)品的制造中，可以期望在整個(gè)工件30上均勻注入摻雜物種。因此，測(cè)量系統(tǒng)通常被插入工件30附近的射束路徑以此在注入之前和/或期間測(cè)量射束特征，所述射束特征提供了用來(lái)調(diào)節(jié)離子注入系統(tǒng)10的射束劑量和均勻性信息。當(dāng)射束24沿著射束路徑被傳輸?shù)焦ぜ?0時(shí)，射束24遭遇各種電場(chǎng)和/或磁場(chǎng)和器件，其可能改變射束尺寸和/或射束24的完整性，導(dǎo)致被注入的工件30中摻雜物的非均勻性。除了均勻性變化之外，空間電荷效應(yīng)(包括正帶電射束離子的互推斥)還往往使射束24發(fā)散(如可能導(dǎo)致射束“擴(kuò)張”)。在這一點(diǎn)上，在長(zhǎng)距離傳輸時(shí)，低能離子束24對(duì)射束擴(kuò)張尤其敏感。因此，尤其對(duì)于低能離子注入來(lái)說(shuō)，可以期望縮短圖1的系統(tǒng)10中射束掃描儀36的頂點(diǎn)和工件30之間的距離D1。
然而，僅僅移去圖1的平行化器38并定位工件30，當(dāng)射束24照射工件30時(shí)，距射束掃描儀頂點(diǎn)的更短的距離D2將導(dǎo)致射束24的入射角度的不可接受的變化。另一方面，還可省略掉射束掃描儀36，在這種情況下，必須設(shè)置機(jī)械掃描設(shè)備，以此在垂直于射束24的路徑的兩個(gè)方向上掃描工件30。然而，此種方式會(huì)降低生產(chǎn)量，尤其是針對(duì)非束流受限的均勻植入(諸如低劑量植入)，這是由于不能如電或磁掃描束24一樣快地掃描工件30。因此，需要改良的離子植入系統(tǒng)，其具有降低的束輸送距離以減輕對(duì)于低能量植入的束放大，以及用于獲得整個(gè)工件的可接受的植入劑量與均一性的測(cè)量設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
下面提供了本發(fā)明的簡(jiǎn)化概要以便于提供對(duì)本發(fā)明某些方面的基本理解。這個(gè)概要不是對(duì)本發(fā)明的廣義概述，并且不打算用來(lái)識(shí)別本發(fā)明的關(guān)鍵或重要元件也不打算用來(lái)描繪本發(fā)明的范圍。相反，這個(gè)概述的目的是以簡(jiǎn)化的形式提出本發(fā)明的某些概念作為后面提供的更詳細(xì)說(shuō)明的序言。
本發(fā)明提供了離子束和晶片掃描系統(tǒng)以及用于將離子從離子束注入到工件的處理表面的方法，其中離子在單一方向或射束掃描平面上被電地或磁地掃描，并且被注入的工件繞著相對(duì)于射束掃描平面呈非零角度的軸可以旋轉(zhuǎn)。工件旋轉(zhuǎn)和射束掃描可能是同步的以此以通常恒定的入射角將射束提供給工件處理表面。除去射束平行化器儀器縮短了射束傳輸距離，從而便于低能離子束從注入器到工件的成功傳輸同時(shí)減少了射束擴(kuò)張。然而，工件的旋轉(zhuǎn)意味著普通射束均勻性和/或劑量測(cè)量?jī)x器的使用將導(dǎo)致不精確的測(cè)量。
本發(fā)明還提供了劑量測(cè)定系統(tǒng)和尤其適合用于使用上述掃描設(shè)備形式的系統(tǒng)的方法。在這樣的掃描系統(tǒng)中，掃描的射束沿著處理室中的曲線軌跡撞擊旋轉(zhuǎn)的晶片，據(jù)此常規(guī)的劑量測(cè)定系統(tǒng)不能為注入系統(tǒng)校準(zhǔn)提供精確的射束測(cè)量。本發(fā)明的劑量測(cè)定系統(tǒng)提供了沿著曲線軌跡的射束測(cè)量。當(dāng)與本發(fā)明的掃描系統(tǒng)一起使用時(shí)，劑量測(cè)定系統(tǒng)可因此有利地在許多空間位置上進(jìn)行射束測(cè)量，在這些空間位置處掃描的射束照射在檢驗(yàn)注入劑量和/或均勻性的調(diào)節(jié)中使用的旋轉(zhuǎn)晶片。在不犧牲精確測(cè)量射束特征的能力的情況下，本發(fā)明可因此促使不具有平行化器的系統(tǒng)中射束傳輸距離的減少。另外，本發(fā)明可用于其中要求多個(gè)自由度以移動(dòng)法拉第杯以便于測(cè)量將離子束注入晶片的表面上的射束通量的任何系統(tǒng)。
下面的描述和附圖詳細(xì)地陳述了本發(fā)明的某些說(shuō)明性方面和實(shí)際應(yīng)用。這些僅僅表示其中可使用本發(fā)明的原理的若干不同方面中的一部分。


圖1是說(shuō)明具有射束掃描儀和平行化器的常規(guī)離子注入系統(tǒng)的簡(jiǎn)化頂視平面圖；圖2A是說(shuō)明示范的離子注入系統(tǒng)以及因此依照本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的掃描系統(tǒng)的頂視平面圖，其中在不具有介入的平行化器的情況下將掃描的離子束提供給工件，其中工件繞著穿過(guò)工件的軸旋轉(zhuǎn)；圖2B是說(shuō)明圖2A的注入系統(tǒng)中的射束掃描儀和旋轉(zhuǎn)工件的部分頂視平面圖，其中射束掃描和工件旋轉(zhuǎn)限定了與被掃描的射束照射旋轉(zhuǎn)工件的工件位置上的點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的曲線軌跡；圖2C是說(shuō)明圖2A的注入系統(tǒng)中的射束掃描儀和旋轉(zhuǎn)工件的部分側(cè)視圖；圖2D和2E分別是說(shuō)明在其中掃描的離子束沿著曲線軌跡照射工件的第一邊緣的示范的第一位置上圖2A的注入系統(tǒng)中的射束掃描儀和旋轉(zhuǎn)工件的部分頂視平面圖和側(cè)視圖；圖2F和2G分別是說(shuō)明在其中掃描的離子束沿著曲線軌跡照射工件的中間部分的示范的第二位置上的射束掃描儀和旋轉(zhuǎn)工件的部分頂視平面圖和側(cè)視圖；圖2H和2I分別是說(shuō)明在其中掃描的離子束沿著曲線軌跡照射工件的另一個(gè)邊緣的示范的第三位置上的射束掃描儀和旋轉(zhuǎn)工件的部分頂視平面圖和側(cè)視圖；圖2J和2K分別是說(shuō)明依照本發(fā)明的示范的掃描系統(tǒng)的其他細(xì)節(jié)的側(cè)視圖和前視圖；圖3A是說(shuō)明用于在沿著依照本發(fā)明的圖2B的示范曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上測(cè)量掃描的離子束的圖2A的注入系統(tǒng)中示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)的頂視平面圖；圖3B是說(shuō)明圖2A和3A的注入系統(tǒng)中劑量測(cè)定系統(tǒng)的一個(gè)示范實(shí)際應(yīng)用的部分側(cè)視圖，其包含傳感器和用于沿著曲線軌跡在多個(gè)點(diǎn)上定位傳感器的安裝設(shè)備；圖3C是說(shuō)明圖2A和3A的注入系統(tǒng)中沿著圖2B的曲線軌跡定位在三個(gè)示范點(diǎn)上的劑量測(cè)定系統(tǒng)傳感器的部分頂視平面圖；圖3D-3F是說(shuō)明圖2A和3A的注入系統(tǒng)中具有沿著曲線軌跡定位于示范點(diǎn)的傳感器的圖3B的劑量測(cè)定系統(tǒng)的部分頂視平面圖；圖4A-4C是說(shuō)明沿著第二示范的曲線軌跡經(jīng)歷傾斜注入的圖2A和3A的系統(tǒng)中三個(gè)示范位置上的射束掃描儀和工件的部分頂視平面圖；圖4D-4F是說(shuō)明具有沿著圖4A-4C的第二曲線軌跡通過(guò)安裝設(shè)備被定位于不同示范點(diǎn)的傳感器的圖3B的劑量測(cè)定系統(tǒng)的部分頂視平面圖，所述傳感器用于在圖2A和3A的傾斜注入之前的射束測(cè)量；圖5A-5C分別是說(shuō)明依照本發(fā)明的圖2A和3A的注入系統(tǒng)中另一個(gè)示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)的端視圖、側(cè)視圖和頂視平面圖；圖6是說(shuō)明依照本發(fā)明的包括處理室內(nèi)掃描的離子束測(cè)量的示范校準(zhǔn)過(guò)程的流程圖；圖7A-7J是說(shuō)明依照本發(fā)明的另一個(gè)示范的掃描系統(tǒng)的頂視平面圖和側(cè)視圖，其中晶片旋轉(zhuǎn)軸和晶片掃描方向可相對(duì)于射束掃描平面而傾斜，以便于提供具有恒定的射束焦距的工件的傾斜注入；圖8A-8C是說(shuō)明依照本發(fā)明的圖2A和3A的注入系統(tǒng)中再一個(gè)示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)的側(cè)視圖和頂視平面圖；以及圖9A-9D是說(shuō)明依照本發(fā)明的又一個(gè)掃描系統(tǒng)的側(cè)視圖，其中晶片掃描方向基本上垂直于射束掃描平面并且晶片旋轉(zhuǎn)軸相對(duì)于射束掃描平面呈斜角。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中在整個(gè)附圖中相同的附圖標(biāo)記用來(lái)指相同的元件，并且其中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)不必按比例繪制。
首先參見(jiàn)圖2A-3F，在下文中說(shuō)明和描述本發(fā)明的各種示范的掃描系統(tǒng)300，其中離子束124在單個(gè)射束掃描平面上被掃描，半導(dǎo)體晶片或其他工件130被機(jī)械振蕩或繞著相對(duì)于射束掃描平面呈第一角度的軸302來(lái)回?cái)[動(dòng)，并且工件130在相對(duì)于射束掃描平面呈第二角度的工件掃描方向144上被機(jī)械平移，其中機(jī)械振蕩與離子束124的電或磁掃描是同步的。在所說(shuō)明的系統(tǒng)中，工件旋轉(zhuǎn)軸302穿過(guò)工件130本身，盡管其他的實(shí)際應(yīng)用是可能的，例如，其中工件130繞著未穿過(guò)工件130本身但是相對(duì)于射束掃描平面呈非零角的另一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)。
在沒(méi)有使用介入的平行化設(shè)備以及不具有常規(guī)注入機(jī)的其他缺點(diǎn)的情況下，本發(fā)明的掃描系統(tǒng)有利地促使射束以通常恒定的入射角照射工件130。與上面圖1的常規(guī)注入機(jī)相比較，移去射束平行化器設(shè)備縮短了射束掃描儀136和工件130之間的射束傳輸距離(如從D1至D2)，從而通過(guò)減少射束擴(kuò)張促使低能離子束自質(zhì)量分析器至工件的成功傳輸。圖2A-2K以及圖4A-4C說(shuō)明了本發(fā)明的掃描系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例300，其中工件旋轉(zhuǎn)軸302基本上正交或垂直于射束掃描平面，其中傾斜注入可以通過(guò)增加對(duì)工件旋轉(zhuǎn)的偏移來(lái)實(shí)現(xiàn)(圖4A-4C)。另一個(gè)實(shí)例在圖7A-7J中進(jìn)行說(shuō)明，其中工件旋轉(zhuǎn)軸302和工件掃描方向144均為相對(duì)于射束掃描平面呈斜角以用于具有基本恒定的射束焦距的傾斜注入。又一個(gè)實(shí)例在圖9A-9D中進(jìn)行說(shuō)明，其中工件旋轉(zhuǎn)軸302呈斜角而工件掃描方向144相對(duì)于射束掃描平面呈正交以用于傾斜注入，其中當(dāng)工件130沿著工件掃描方向被平移時(shí)射束焦距改變。正如下面進(jìn)一步描述的，所說(shuō)明的射束和工件掃描系統(tǒng)300產(chǎn)生注入處理室116內(nèi)的曲線空間軌跡154，其對(duì)應(yīng)于被掃描的射束124照射旋轉(zhuǎn)的工件130的位置。
在下面同樣依照本發(fā)明的若干方面對(duì)若干劑量測(cè)定或射束測(cè)量系統(tǒng)150進(jìn)行了說(shuō)明，其中離子束124在處理室116內(nèi)工件位置處沿著曲線軌跡154的多個(gè)點(diǎn)上被測(cè)量，從而促使利用所說(shuō)明的射束和工件掃描設(shè)備300及其方法論的注入系統(tǒng)110的精確測(cè)量和調(diào)節(jié)，或者在其他的實(shí)例中，射束測(cè)量被期望是沿著曲線軌跡154進(jìn)行的。圖3A-3F以及4D-4F說(shuō)明了本發(fā)明的劑量測(cè)定系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例150，其用于利用圖2A-2K的掃描系統(tǒng)300沿著與非傾斜注入相對(duì)應(yīng)的第一曲線軌跡154測(cè)量射束124(圖3A-3F)以及利用圖4A-4C的掃描系統(tǒng)300沿著與傾斜注入相對(duì)應(yīng)的第二曲線軌跡154a測(cè)量射束124(圖4D-4F)。圖3A-3F以及圖4D-4F的劑量測(cè)定系統(tǒng)150可選地與這里所說(shuō)明的其他修改過(guò)的掃描系統(tǒng)300一起使用。圖5A-5C說(shuō)明了同樣可與任何所說(shuō)明的掃描系統(tǒng)300一起使用的另一個(gè)示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150。圖8A-8C說(shuō)明了可有利地與圖2A-2K以及7A-7J的掃描系統(tǒng)300一起用于傾斜注入的第三示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150并且所有三個(gè)示范的掃描系統(tǒng)300用于非傾斜注入。
示范的離子注入系統(tǒng)110和示范的掃描系統(tǒng)300因此在圖2A-2K中被說(shuō)明，并被配置成以使工件130在方向142(圖2C)上繞著穿過(guò)工件130的處理表面的垂直工件旋轉(zhuǎn)軸302(如平行于圖2B-2I中的Y方向)旋轉(zhuǎn)并且質(zhì)量分析的離子束124沿著水平方向(如在水平掃描平面上)被電或磁掃描。工件旋轉(zhuǎn)和射束掃描是同步的以此提供第一掃描(如水平X方向的“快速掃描”)，其中工件130還沿著基本垂直的工件掃描方向144被平移(如垂直Y方向的“慢速掃描”)以此取得注入的摻雜物對(duì)工件130的完全覆蓋。通常，本發(fā)明預(yù)期掃描系統(tǒng)300與工件掃描系統(tǒng)304相結(jié)合，掃描系統(tǒng)300具有基本上在單個(gè)射束掃描平面上(如在所說(shuō)明的實(shí)例中的水平面)掃描離子束124的電或磁的射束掃描儀136，工件掃描系統(tǒng)304繞著相對(duì)于射束掃描平面呈任何非零第一角度的第一軸302旋轉(zhuǎn)工件130并且還在相對(duì)于射束掃描平面呈非零第二角度的工件掃描方向144上平移工件130，其中第一和第二角度可以是相同的或者可以是不同的。
圖2A說(shuō)明了離子注入系統(tǒng)110，其中在注入期間利用本發(fā)明的掃描系統(tǒng)300將工件130安裝到末端站處理室116中，并且圖3A說(shuō)明了注入之前的校準(zhǔn)期間的系統(tǒng)110，其中示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150定位于處理室116的工件位置。圖2B-2K說(shuō)明了注入期間同步的在單個(gè)(水平)射束掃描平面上的離子束124的掃描和工件130繞著(垂直)軸302的旋轉(zhuǎn)，其中射束124照射工件130的空間點(diǎn)定義了曲線軌跡154(如非直線)。圖3B-3F說(shuō)明了用來(lái)沿著與非傾斜注入相關(guān)聯(lián)的第一曲線軌跡154測(cè)量射束124的一個(gè)示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150(如其中射束124在通常正交或垂直于工件表面的方向上照射工件130)。
如上所述，本發(fā)明的各個(gè)方面可以聯(lián)合任何類型的離子注入設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括但不限于圖2A的示范系統(tǒng)110。示范的離子注入系統(tǒng)110包含終端112、射束線組件114以及形成處理室的末端站116，其中質(zhì)量分析和掃描的離子束124被引導(dǎo)至工件位置。終端112中的離子源120通過(guò)電源122來(lái)供電以此向射束線組件114提供被提取的離子束124，其中離子源120包括一個(gè)或多個(gè)提取電極(圖中未示出)用來(lái)從源室中提取離子并因此將提取的離子束124引向射束線組件114。射束線組件114包含射束導(dǎo)引132以及質(zhì)量分析器126，所述射束導(dǎo)引132具有在源120附近的入口和帶有出口孔134的出口，所述質(zhì)量分析器126接收提取的離子束124并產(chǎn)生偶極磁場(chǎng)以此僅使具有適當(dāng)?shù)哪芰抠|(zhì)量比或在其范圍內(nèi)的離子(如質(zhì)量分析的離子束124具有所期望的質(zhì)量范圍的離子)穿過(guò)鑒別孔隙134到達(dá)末端站116的工件位置上的工件130?？梢詫⒏鞣N射束形成和成形結(jié)構(gòu)(圖中未示出)設(shè)置于射束線組件中以此保持離子束124并限制狹長(zhǎng)的內(nèi)部腔或通道，穿過(guò)該通道的射束124沿著射束路徑被輸送至在末端站116中被支持的一個(gè)或多個(gè)工件130。
正如在圖2A-2K中所說(shuō)明的，所說(shuō)明的末端站116是提供被抽空的處理室116的“順次”類型末端站，在處理室116中單個(gè)工件130(如半導(dǎo)體晶片、顯示面板、或其他工件)沿著射束路徑被支持用于離子注入，盡管可選地可在本發(fā)明的范圍內(nèi)使用批或其他類型的末端站。依照本發(fā)明的一個(gè)方面，系統(tǒng)110包含掃描系統(tǒng)300，所述掃描系統(tǒng)300包含射束掃描儀136以及工件掃描系統(tǒng)304，所述射束掃描儀136基本上在單個(gè)射束掃描平面上(如這個(gè)實(shí)例中的水平平面)掃描離子束以此向末端站處理室116中的工件位置提供掃描的離子束。
射束掃描儀136接收沿著射束路徑來(lái)自具有相對(duì)較窄輪廓的質(zhì)量分析器126的經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析的離子束124(如在所說(shuō)明的系統(tǒng)110中的“筆形”射束)，并且通過(guò)電極136a和136b(圖2B)以及電源(圖中未示出)沿著射束路徑產(chǎn)生時(shí)間變化的電場(chǎng)以此在X方向上(如在水平射束掃描平面上)來(lái)回掃描離子束124從而使射束124展開(kāi)成為狹長(zhǎng)的“帶狀”輪廓(如被掃描的射束124)，其具有至少與工件30一樣寬的有效的X方向的寬度。非平行的帶狀射束124被引向工件130的位置，其中工件130通過(guò)工件掃描系統(tǒng)304的電動(dòng)機(jī)140同時(shí)繞著垂直軸302(圖2C)在方向142上旋轉(zhuǎn)。
正如在圖2B、2C和2J-2K所說(shuō)明的，工件130在末端站116中被支持以使工件130可以通過(guò)工件旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)140繞著軸302旋轉(zhuǎn)，據(jù)此在注入期間工件130繞著電動(dòng)機(jī)140的軸302在方向142上來(lái)回轉(zhuǎn)過(guò)較小的旋轉(zhuǎn)角度。任何適當(dāng)?shù)膾呙柘到y(tǒng)304可用來(lái)在本發(fā)明的范圍內(nèi)支持工件130，其中示范的系統(tǒng)304允許工件130在方向142上的旋轉(zhuǎn)并且還提供在相對(duì)于掃描的離子束124的射束掃描平面呈某一角度的工件掃描方向144上的平移，其中方向144(如“慢速掃描”方向)基本上垂直于圖2A-2K配置中的射束掃描平面。其他實(shí)際應(yīng)用是可能的，其中慢速掃描方向不必垂直于快速掃描方向(如下面的圖7A-7J)，和/或其中工件旋轉(zhuǎn)軸302可以相對(duì)于慢速掃描方向呈某一角度，例如，以此完成傾斜注入(如下面的圖7A-7J和9A-9D)。
此外，如圖2B所示，工件旋轉(zhuǎn)與射束掃描儀136是同步的以使被掃描的射束124以通常恒定的入射角沿著曲線軌跡154照射工件130。盡管示范的曲線軌跡154(在這里被說(shuō)明和描述為154a)通常是弓形的，但是本發(fā)明預(yù)計(jì)了沿著不是直線的任何形狀的任何曲線軌跡可操作測(cè)量離子束的劑量測(cè)定系統(tǒng)，所述的曲線軌跡包括但不限于平面軌跡和不限于單個(gè)平面的軌跡以及可具有拐點(diǎn)和/或不連續(xù)點(diǎn)的軌跡，其中所有這樣的系統(tǒng)被認(rèn)為是屬于本發(fā)明和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的。
圖2D-2I說(shuō)明了注入期間系統(tǒng)300中同步的離子束124的掃描和工件130的旋轉(zhuǎn)，其中射束124照射工件130的空間點(diǎn)定義了曲線(如非直線)軌跡154，包括但不限于三個(gè)所說(shuō)明的入射點(diǎn)。圖2D和2E說(shuō)明了射束掃描儀136和在示范的第一掃描/旋轉(zhuǎn)位置上旋轉(zhuǎn)的工件130，其中掃描的離子束124a被設(shè)置成呈第一示范掃描角度θa并且沿著曲線軌跡154照射工件130的第一邊緣。圖3F和3G說(shuō)明了示范的第二位置，其中掃描的離子束124b以零掃描角度(圖中未示出)沿著軌跡154照射工件中心，并且圖2H和2I說(shuō)明了示范的第三掃描/旋轉(zhuǎn)位置，其中射束124c被設(shè)置在第三示范掃描角度θc以便于沿著曲線軌跡154照射工件130的第二相反邊緣。
雖然圖2D-2I說(shuō)明了用于工件130的非傾斜注入的三個(gè)示范的掃描/旋轉(zhuǎn)位置，掃描/旋轉(zhuǎn)將通常是射束124在單個(gè)水平射束掃描平面上和工件130在方向142上的連續(xù)同步運(yùn)動(dòng)。另一方面或組合地，射束124可以較小增量被掃描，并伴隨工件130以較小增量的相應(yīng)旋轉(zhuǎn)，其中相應(yīng)的曲線軌跡154可具有不連續(xù)點(diǎn)，并且其中所有這樣的變化或其中的組合預(yù)計(jì)在本發(fā)明和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。要注意的是，圖2D-2I的協(xié)同的射束掃描/工件旋轉(zhuǎn)在整個(gè)工件130上提供了被掃描的射束124的通常恒定的入射角，其中在圖2D-2I的實(shí)際應(yīng)用中入射角通常為90度(如射束124照射垂直于其表面的工件130)。下面的圖4A-4C說(shuō)明了系統(tǒng)10中掃描/旋轉(zhuǎn)的變化，其中工件130在方向142上的旋轉(zhuǎn)角偏移某一恒定量以便于取得具有恒定入射角的傾斜注入(如射束124以非垂直角度沿著稍微不同的曲線軌跡154a照射工件130)。
現(xiàn)在參見(jiàn)圖2J和2K，任何適當(dāng)?shù)墓ぜ呙柘到y(tǒng)304可以依照本發(fā)明來(lái)使用，如這里所描述的，其提供了工件130的旋轉(zhuǎn)和平移。圖2J和2K說(shuō)明了示范的掃描系統(tǒng)300的另外細(xì)節(jié)和其中的工件掃描系統(tǒng)304。工件130被安裝在工件支持結(jié)構(gòu)310上，所述工件支持結(jié)構(gòu)310耦合至工件旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)140的轉(zhuǎn)動(dòng)軸。電動(dòng)機(jī)140在處理室116內(nèi)通過(guò)從工件旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)140伸展穿過(guò)傾斜機(jī)構(gòu)314和滑軌系統(tǒng)316至處理室116之外的底部318的轉(zhuǎn)動(dòng)軸312而被支持，其中轉(zhuǎn)動(dòng)軸312可繞著基本對(duì)準(zhǔn)工件前表面的軸313旋轉(zhuǎn)。傾斜機(jī)構(gòu)314被安裝到處理室壁116并且軌道系統(tǒng)316滑動(dòng)安裝底部318到傾斜機(jī)構(gòu)314以使可以沿著工件掃描方向144平移底部318、轉(zhuǎn)動(dòng)軸312、電動(dòng)機(jī)140和工件支持結(jié)構(gòu)310。
正如下面在圖7A-7J中進(jìn)一步說(shuō)明的，傾斜機(jī)構(gòu)314可以旋轉(zhuǎn)地安裝到處理室116以使軌道系統(tǒng)316、底部318、轉(zhuǎn)動(dòng)軸312、電動(dòng)機(jī)140和工件支持結(jié)構(gòu)310可以繞著穿過(guò)工件130的軸旋轉(zhuǎn)，據(jù)此工件掃描方向144可以相對(duì)于水平射束掃描平面呈任何非零角度。另外，正如下面在圖9A-9D中進(jìn)一步描述的，轉(zhuǎn)動(dòng)軸312可以旋轉(zhuǎn)地安裝到底部318，以使轉(zhuǎn)動(dòng)軸312、電動(dòng)機(jī)140和工件支持結(jié)構(gòu)310可以繞著旋轉(zhuǎn)軸312的軸線313在方向320上旋轉(zhuǎn)(圖2K)，以使工件旋轉(zhuǎn)軸302和工件掃描方向144可以是不平行的。
再次參見(jiàn)圖3A-3F，本發(fā)明的另一個(gè)方面與用于沿著曲線軌跡測(cè)量射束特征的劑量測(cè)定系統(tǒng)和方法有關(guān)。圖3A說(shuō)明了工件130注入之前校準(zhǔn)設(shè)置中的離子注入系統(tǒng)110。在這種情形下，示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150被置于末端站處理室116的工件位置上，以此沿著由入射到工件表面的射束所定義的曲線軌跡154測(cè)量掃描的離子束124。在一個(gè)應(yīng)用中，正如下面就圖6進(jìn)一步說(shuō)明和描述的，劑量測(cè)定系統(tǒng)150用來(lái)表征用于調(diào)節(jié)或校準(zhǔn)注入系統(tǒng)110的射束劑量和均勻性。此后，系統(tǒng)150可以被移出工件位置用于此處的一個(gè)或多個(gè)工件130的注入。圖3A的示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150在注入過(guò)程之前選擇性地被定位于末端站處理室116的工件位置，并且被用來(lái)測(cè)量用于校準(zhǔn)或調(diào)節(jié)射束劑量和/或均勻性的射束特征。
一旦系統(tǒng)被校準(zhǔn)，劑量測(cè)定系統(tǒng)150被移去或者被遷移至遠(yuǎn)離工件位置的另一個(gè)位置，并且一個(gè)或多個(gè)工件130被定位于處理室116用于注入。本發(fā)明的劑量測(cè)定系統(tǒng)方面的其他實(shí)際應(yīng)用是可能的，其中劑量測(cè)定或測(cè)量設(shè)備沿著曲線軌跡操作測(cè)量掃描的離子束，而不管工件130是否正在旋轉(zhuǎn)，并且不管用來(lái)完成工件130的均勻注入的射束掃描和/或工件平移或旋轉(zhuǎn)的特定組合，其中所有這種變化的應(yīng)用實(shí)際被認(rèn)為是屬于本發(fā)明和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的。
正如圖3A所說(shuō)明的，均勻性控制系統(tǒng)160接收來(lái)自劑量測(cè)定系統(tǒng)150的傳感器信號(hào)并向離子源120和/或射束掃描儀136提供控制信號(hào)用于離子束124的均勻性的調(diào)節(jié)。設(shè)置了劑量控制系統(tǒng)162，其還接收來(lái)自劑量測(cè)定系統(tǒng)150的傳感器信號(hào)并且比如在工件130沿著垂直工件掃描方向144(上述圖2C、2E、2G和2I-2K)被平移時(shí)通過(guò)控制工件130的慢速掃描速度來(lái)操作控制注入劑量。正如下面進(jìn)一步討論的，還設(shè)置了傳感器定位系統(tǒng)164，其控制劑量測(cè)定系統(tǒng)150中的各種電動(dòng)機(jī)用于沿著曲線軌跡154定位傳感器152。
正如圖3B所說(shuō)明的，示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150包含傳感器152和用于將傳感器152定位在沿著軌跡154的各個(gè)點(diǎn)上的安裝設(shè)備156。傳感器152可以是接收來(lái)自射束124的離子并提供表示在此接收的離子量的輸出信號(hào)的任何傳感器。在示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150中，傳感器152是具有入口孔的法拉第杯或劑量測(cè)定杯(如有時(shí)被稱為劑量杯)，來(lái)自射束124、穿過(guò)該入口孔的離子被接收，其中安裝設(shè)備156支持傳感器152并且沿著曲線軌跡154在多個(gè)點(diǎn)上選擇性地定位傳感器15用于測(cè)量射束124。
要注意的是，傳感器152的這種選擇性定位在注入期間有利地促使工件130所見(jiàn)的射束124特征的精確感測(cè)或測(cè)量。在這一點(diǎn)上，本發(fā)明已經(jīng)意識(shí)到，沿著直線或軌跡定位一個(gè)或多個(gè)傳感器將在射束照射曲線軌跡上的工件之處導(dǎo)致不精確的射束測(cè)量，據(jù)此基于這種直線測(cè)量的對(duì)射束劑量或均勻性的調(diào)節(jié)(如對(duì)離子源120、射束掃描儀136和/或?qū)δ┒苏?16中慢速掃描速度的改變)可能不足以取得對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體制造或其他注入過(guò)程的摻雜物劑量和均勻性需求的精確控制。
圖3B-3F說(shuō)明了包括單個(gè)法拉第杯傳感器152的劑量測(cè)定系統(tǒng)150的一個(gè)實(shí)際應(yīng)用，其具有用于沿著曲線軌跡154選擇性定位傳感器的安裝設(shè)備156。在這種情況下，安裝設(shè)備156包括被圖3A的傳感器定位控制系統(tǒng)164控制和供電的各種電動(dòng)機(jī)，其可以被定位在末端站處理室116內(nèi)或者可以在它的外部，其中信號(hào)、電源和其他設(shè)施(例如為此的控制電纜和支持結(jié)構(gòu)，圖中未示出)為安裝設(shè)備156的各種電動(dòng)機(jī)連同傳感器布線作了準(zhǔn)備，利用任何適當(dāng)?shù)拿芊獯┻^(guò)裝置可使所述傳感器布線穿過(guò)被抽空的處理室116的壁用于連接到外部控制系統(tǒng)164并為系統(tǒng)160和162提供傳感器輸出信號(hào)。在這一點(diǎn)上，安裝設(shè)備的電動(dòng)機(jī)和支持構(gòu)件可提供內(nèi)部通道(如可能是空心轉(zhuǎn)動(dòng)軸結(jié)構(gòu))以此在沒(méi)有危及其間的密封的情況下允許信號(hào)、電源和控制電線以及其他設(shè)施從處理室的內(nèi)部通到外部。
圖3B的安裝設(shè)備156包含第一和第二水平伸展的狹長(zhǎng)支持構(gòu)件170和172，以及分別地包含第一、第二和第三旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)180、182和184。第一電動(dòng)機(jī)180包括通過(guò)真空密封180b穿過(guò)末端站116的上部處理室壁的轉(zhuǎn)動(dòng)軸180a，以此在處理室116內(nèi)旋轉(zhuǎn)地支持第一支持構(gòu)件170。第一支持構(gòu)件170具有耦合至轉(zhuǎn)動(dòng)軸180a的第一末端和因此可以相對(duì)于處理室116繞著第一電動(dòng)機(jī)180旋轉(zhuǎn)的第二相對(duì)末端。第一構(gòu)件170的第二末端通過(guò)第二旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)182被樞軸安裝到第二支持構(gòu)件172的第一末端以使第二支持構(gòu)件172可相對(duì)于第一支持構(gòu)件170繞著第二電動(dòng)機(jī)182的軸旋轉(zhuǎn)。傳感器152被安裝到第二支持構(gòu)件172，其中支持構(gòu)件170、172可以通過(guò)電動(dòng)機(jī)180和182相對(duì)于彼此并相對(duì)于處理室116旋轉(zhuǎn)以便于沿著曲線軌跡154將傳感器152定位于多個(gè)點(diǎn)上。
圖3C說(shuō)明了通過(guò)安裝設(shè)備156被定位于沿著曲線軌跡154的三個(gè)示范點(diǎn)上的傳感器152，所述傳感器152用于在此處測(cè)量離子束124a、124b和124c。圖4B的示范的安裝設(shè)備156還包含將傳感器152樞軸安裝到第二構(gòu)件172的第二末端的第三電動(dòng)機(jī)184，從而允許傳感器152在方向185上旋轉(zhuǎn)以使通過(guò)第三電動(dòng)機(jī)184使傳感器152的入口孔指向掃描的離子束124的頂點(diǎn)。盡管圖3C僅說(shuō)明了傳感器152的沿著軌跡154的三個(gè)示范點(diǎn)或位置，設(shè)備156可用來(lái)連續(xù)地將傳感器152定位在沿著所說(shuō)明的軌跡154或其他曲線軌跡的任何適當(dāng)數(shù)量的這種點(diǎn)上用于測(cè)量掃描的離子束124的特性。圖3D-3F說(shuō)明了在通過(guò)電動(dòng)機(jī)180和182將傳感器152定位于沿著軌跡154的圖3C的三個(gè)示范點(diǎn)以及通過(guò)第三電動(dòng)機(jī)184利用面對(duì)射束124頂點(diǎn)的入口孔定位傳感器152的過(guò)程中安裝設(shè)備156的操作。
再次參見(jiàn)圖4A-4F，示范的掃描系統(tǒng)300和劑量測(cè)定系統(tǒng)150還可用于其中期望以除90度以外的角度將摻雜物注入工件的情形(如傾斜注入)，就像經(jīng)常在半導(dǎo)體器件制造中所見(jiàn)的情形。圖4A-4C說(shuō)明了在沿著第二示范的曲線軌跡154a經(jīng)歷傾斜注入的三個(gè)示范掃描/旋轉(zhuǎn)位置上的掃描系統(tǒng)300的射束掃描儀136和工件130，其中工件130的旋轉(zhuǎn)角在方向142上偏移某一恒定角度λ以便于再次利用工件旋轉(zhuǎn)軸302和基本垂直的工件掃描方向(如垂直于射束掃描平面)取得傾斜注入。這樣，射束124沿著稍微不同于用于上述非傾斜注入的軌跡154的軌跡154a以非垂直角度照射工件130。
圖4D-4F說(shuō)明了通過(guò)安裝設(shè)備156利用劑量測(cè)定系統(tǒng)150將傳感器152定位于沿著第二曲線軌跡154的三個(gè)示范點(diǎn)。要注意的是，示范的安裝設(shè)備156和相應(yīng)的定位控制系統(tǒng)164(圖3A)可用來(lái)沿著任何曲線軌跡將傳感器152定位于處理室116的工件位置上，據(jù)此本發(fā)明的劑量測(cè)定系統(tǒng)150可在任何注入系統(tǒng)中用來(lái)沿著任何曲線軌跡測(cè)量射束特征。其他的實(shí)際應(yīng)用是可能的，例如，其中劑量測(cè)定系統(tǒng)安裝設(shè)備提供了沿著不限于單個(gè)平面的曲線軌跡在處理室116內(nèi)三維的傳感器平移。在其他變體中，離子束124可以在多個(gè)方向上被電或磁掃描，其中劑量測(cè)定系統(tǒng)安裝設(shè)備可以被設(shè)計(jì)成可選擇地將傳感器152定位于沿著比這里說(shuō)明和描述的更復(fù)雜的曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。另一個(gè)可能的實(shí)際應(yīng)用可涉及傾斜的或者繞著平行于所說(shuō)明的X方向的軸旋轉(zhuǎn)的工件130用于傾斜注入(如下面的圖7A-9D)，其中工件掃描方向144不是嚴(yán)格地垂直的，其中劑量測(cè)定系統(tǒng)安裝設(shè)備可以被設(shè)計(jì)成可沿著與射束124照射工件130的點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的曲線軌跡定位傳感器152。另外，劑量測(cè)定系統(tǒng)150可包括具有相關(guān)的安裝設(shè)備156的不止一個(gè)傳感器152用于沿著曲線軌跡154測(cè)量被掃描的射束124，其中所有這種變化的實(shí)際應(yīng)用被認(rèn)為是屬于本發(fā)明和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的。
一個(gè)這種備選的劑量測(cè)定系統(tǒng)實(shí)際應(yīng)用在圖5A-5C中被說(shuō)明，其中劑量測(cè)定系統(tǒng)150a位于處理室116內(nèi)用于射束測(cè)量。在系統(tǒng)150a中，傳感器152連同與上述系統(tǒng)150的安裝設(shè)備不同的安裝設(shè)備156a一起被設(shè)置。正如在圖5A中所說(shuō)明的，安裝設(shè)備156a包含通過(guò)具有伸展到處理室內(nèi)部穿過(guò)密封186b的轉(zhuǎn)動(dòng)軸186a的第一電動(dòng)機(jī)186被樞軸安裝到處理室116上壁的狹長(zhǎng)軌道176。軌道176具有第一和第二相對(duì)末端并且可以相對(duì)于處理室繞著第一電動(dòng)機(jī)186的軸旋轉(zhuǎn)。
傳感器152通過(guò)作為線性致動(dòng)器或線性電動(dòng)機(jī)的第二電動(dòng)機(jī)188被滑動(dòng)安裝到軌道176，以使傳感器152可以沿著方向178在軌道176的任何地方被定位，據(jù)此通過(guò)第一電動(dòng)機(jī)186的軌道176的旋轉(zhuǎn)和通過(guò)第二電動(dòng)機(jī)188的傳感器152沿著軌道176的平移允許傳感器152被定位于處理室116內(nèi)工件位置上沿著上面圖2B所說(shuō)明的曲線軌跡154的多個(gè)點(diǎn)上(用于非傾斜注入校準(zhǔn))或沿著上面圖4A-4F的示范的第二曲線軌跡154a的點(diǎn)上(用于傾斜注入校準(zhǔn))或其他任何平面曲線軌跡，其中另外的垂直定位設(shè)備(圖中未示出)可以被設(shè)置成可提供非平面曲線軌跡。同樣地，示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150a包含第三電動(dòng)機(jī)190，所述第三電動(dòng)機(jī)190繞著第二軸旋轉(zhuǎn)地安裝傳感器152到軌道176，從而允許傳感器152相對(duì)于軌道176在方向192上旋轉(zhuǎn)以此使傳感器152的入口孔指向掃描的離子束124的頂點(diǎn)。
同樣參見(jiàn)圖6，本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了用于在處理室內(nèi)測(cè)量被掃描的射束的方法，其中圖6說(shuō)明了包括沿著依照本發(fā)明的曲線軌跡測(cè)量掃描的離子束的示范校準(zhǔn)過(guò)程200。雖然校準(zhǔn)過(guò)程200中的射束測(cè)量技術(shù)在下面作為一系列行為或事件進(jìn)行了說(shuō)明和描述，但是將會(huì)意識(shí)到，本發(fā)明不受限于這種行為或事件的說(shuō)明順序。例如，依照本發(fā)明，某些行為可以不同的順序發(fā)生和/或與這里說(shuō)明和/或描述的行為或事件不同的其他行為或事件同時(shí)發(fā)生。另外，并非所有說(shuō)明的步驟可能要求實(shí)現(xiàn)依照本發(fā)明的方法論。此外，按照本發(fā)明的方法可以聯(lián)合這里說(shuō)明和描述的注入和劑量測(cè)定系統(tǒng)以及聯(lián)合未說(shuō)明的其他結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
注入系統(tǒng)校準(zhǔn)200始于202處，其中掃描的離子束在204處沿著與照射工件的射束相對(duì)應(yīng)的曲線軌跡(如上面的軌跡154、154a)被測(cè)量。同樣參見(jiàn)圖3A-3F，在一個(gè)實(shí)際應(yīng)用中，204處的射束測(cè)量包含在處理室內(nèi)(末端站116)將掃描的離子束(圖3A中的射束124)引向工件位置，并且如圖3C-3F所說(shuō)明的，在工件位置處沿著曲線軌跡(如軌跡154)的多個(gè)點(diǎn)測(cè)量掃描的離子束124。為了進(jìn)行測(cè)量，設(shè)置了傳感器(傳感器152)并且使其選擇性地被定位于沿著曲線軌跡154的多個(gè)點(diǎn)上以此利用安裝設(shè)備156測(cè)量掃描的離子束124(圖3D-3F)。另外，傳感器152的選擇性定位可包含定位傳感器152以使利用圖3B的第三電動(dòng)機(jī)184使其中的入口孔面對(duì)掃描的離子束124的頂點(diǎn)。
在圖3A的示范系統(tǒng)110中，傳感器輸出信號(hào)被提供給均勻性控制系統(tǒng)160和劑量控制系統(tǒng)162。在206處確定關(guān)于是否測(cè)量表示沿著射束/工件入射的可接受的射束均勻性。如果不是的話(在206處為“否”)，在208處，射束均勻性控制系統(tǒng)160可調(diào)節(jié)離子源120和射束掃描儀136的其中之一或兩者以此使入射射束均勻性接近目標(biāo)或期望值或范圍，并且在204處重復(fù)測(cè)量。這種測(cè)量/調(diào)節(jié)過(guò)程可以重復(fù)任何次數(shù)直至在206處發(fā)現(xiàn)均勻性是可接受的為止。在該點(diǎn)處(在206處為“是”)，按照最近的射束測(cè)量在210處調(diào)節(jié)注入時(shí)間。在圖3A的系統(tǒng)110中，劑量控制系統(tǒng)162通過(guò)在方向144上(圖2C)改變工件130的慢速掃描速度調(diào)節(jié)注入時(shí)間，其中減小慢速掃描速度增加了工件注入劑量并且增大速度減少了劑量。利用已經(jīng)進(jìn)行的劑量和均勻性調(diào)節(jié)，校準(zhǔn)200在212處結(jié)束，并且劑量測(cè)定系統(tǒng)150從末端站處理室116的工件位置上被移去。此后，工件130被裝入處理室116，并且注入如上所述地進(jìn)行，其中另外的實(shí)時(shí)傳感器(圖中未示出)可以位于處理室116內(nèi)以此測(cè)量射束(如在掃描的射束軌跡的過(guò)掃描區(qū)域)，從而確定注入期間較小的調(diào)節(jié)是否適當(dāng)。
現(xiàn)在參見(jiàn)圖2K和7A-7J，掃描系統(tǒng)300的另一個(gè)示范的實(shí)際應(yīng)用在注入機(jī)110內(nèi)被說(shuō)明以此提供傾斜注入，其中傾斜機(jī)構(gòu)314(圖2K)被旋轉(zhuǎn)地安裝到處理室116以使軌道系統(tǒng)316、底部318、轉(zhuǎn)動(dòng)軸312、電動(dòng)機(jī)140和工件支持結(jié)構(gòu)310可以繞著穿過(guò)工件130的軸旋轉(zhuǎn)，據(jù)此工件掃描方向144可以相對(duì)于水平射束掃描平面呈任何非零角度。這個(gè)實(shí)例促使離子以相對(duì)于工件130的處理表面通常恒定的(如非垂直的)角度注入工件130以及沿著方向144保持射束掃描儀136至工件130的基本恒定的焦距的工件掃描。在這一點(diǎn)上，傾斜機(jī)構(gòu)314的旋轉(zhuǎn)可控地將工件旋轉(zhuǎn)軸302設(shè)置為相對(duì)于水平射束掃描平面呈某一斜角，同時(shí)維持工件掃描方向144平行于工件旋轉(zhuǎn)軸302(如圖7J)。
正如圖7A所說(shuō)明的，工件旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)使工件130以與通過(guò)射束掃描儀136的離子束124的側(cè)向掃描同步的方式繞著軸302旋轉(zhuǎn)，從而定義曲線軌跡154，所述曲線軌跡154定義了射束124照射工件130的處理室116內(nèi)的空間位置。圖7A和7B說(shuō)明了沿著工件掃描方向的工件130的兩個(gè)位置(如兩個(gè)慢速掃描位置)，其中借助于工件旋轉(zhuǎn)軸302和工件掃描方向144之間的平行關(guān)系使工件130至射束掃描儀136的焦距基本保持為恒定。圖7D-7I提供了說(shuō)明在三個(gè)示范掃描/旋轉(zhuǎn)位置上用于工件130的傾斜注入的射束掃描儀136和工件掃描系統(tǒng)的同步操作的頂視圖和側(cè)視圖。
圖8A-8C說(shuō)明了依照本發(fā)明的圖2A和3A的注入系統(tǒng)中的另一個(gè)示范的劑量測(cè)定系統(tǒng)150，所述劑量測(cè)定系統(tǒng)150可有利地與圖2A-2K和7A-7J用于傾斜或非傾斜注入的掃描系統(tǒng)300一起使用。圖8A-8C的劑量測(cè)定系統(tǒng)150包含傳感器152，其中簡(jiǎn)化的安裝設(shè)備156沿著曲線軌跡154定位傳感器152。安裝設(shè)備156包含具有第一和第二相對(duì)末端的狹長(zhǎng)支持構(gòu)件170，其中第一末端繞著第一電動(dòng)機(jī)180的軸被樞軸安裝到處理室116，據(jù)此支持構(gòu)件170可以相對(duì)于水平射束掃描平面以非零角度旋轉(zhuǎn)。傳感器152通過(guò)第二電動(dòng)機(jī)184被旋轉(zhuǎn)安裝到支持構(gòu)件170。在圖8A-8C的結(jié)構(gòu)中，支持構(gòu)件170因此可以繞著第一電動(dòng)機(jī)180的軸旋轉(zhuǎn)以此沿著曲線軌跡154的各個(gè)點(diǎn)定位傳感器152，同時(shí)傳感器152可以通過(guò)第二電動(dòng)機(jī)184旋轉(zhuǎn)以便于指向射束掃描儀頂點(diǎn)。盡管本發(fā)明未嚴(yán)格要求，第一電動(dòng)機(jī)180的軸被置于接近射束掃描儀136的頂點(diǎn)和處理室116中工件位置之間的中途。如同上面的劑量測(cè)定系統(tǒng)150一樣，電動(dòng)機(jī)180、184和支持構(gòu)件170可以是空心轉(zhuǎn)動(dòng)軸，以此容納信號(hào)的路由選擇和/或處理室116的內(nèi)部和外部之間的電源布線。
掃描系統(tǒng)300的另一個(gè)可能的實(shí)際應(yīng)用在圖9A-9D中進(jìn)行說(shuō)明，其中晶片掃描方向144基本上垂直于離子束124的掃描平面并且晶片旋轉(zhuǎn)軸302相對(duì)于射束掃描平面呈某一斜角。同樣參見(jiàn)圖2K，在這個(gè)實(shí)例中，轉(zhuǎn)動(dòng)軸312被旋轉(zhuǎn)安裝到底部318用于在方向320上繞著軸313旋轉(zhuǎn)(圖2K)。這允許轉(zhuǎn)動(dòng)軸312、電動(dòng)機(jī)140、工件支持310、工件130和工件旋轉(zhuǎn)軸302相對(duì)于射束掃描平面的旋轉(zhuǎn)以此以基本恒定、非垂直的入射角提供工件130的注入，其中底部318保持基本垂直(圖9D)，據(jù)此工件掃描方向144相對(duì)于水平射束掃描平面保持垂直。圖9A-9C說(shuō)明了這個(gè)實(shí)例在三個(gè)示范的工件掃描(慢速掃描)位置上的操作，其中當(dāng)工件130沿著通常垂直方向144被平移時(shí)由于工件旋轉(zhuǎn)軸302以傾斜角□傾斜而使工件130和射束掃描儀136之間的焦距改變。
雖然本發(fā)明已經(jīng)就一個(gè)或多個(gè)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明和描述，但是在沒(méi)有偏離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下可以對(duì)說(shuō)明的實(shí)例進(jìn)行替換和/或修改。尤其是關(guān)于由上述部件或結(jié)構(gòu)(塊、單元、發(fā)動(dòng)機(jī)、組件、裝置、電路、系統(tǒng)等)實(shí)施的各種功能，除非另外表示，用來(lái)描述這樣的部件的術(shù)語(yǔ)(包括“單元”)打算對(duì)應(yīng)于實(shí)施所描述部件的特定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(如在功能上是等效的)，即使不是在結(jié)構(gòu)上等同于所公開(kāi)的實(shí)施這里描述的本發(fā)明實(shí)際應(yīng)用中功能的結(jié)構(gòu)。另外，雖然本發(fā)明的特定特征已經(jīng)僅就若干實(shí)際應(yīng)用的其中之一進(jìn)行了公開(kāi)，但是這樣的特征可以和如可能期望并對(duì)任何給定的或特定的應(yīng)用有利的其他實(shí)際應(yīng)用的一個(gè)或多個(gè)其他特征進(jìn)行組合。此外，在某種程度上，術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”、“帶有”或其中的變體被用于詳細(xì)的說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)中，這樣的術(shù)語(yǔ)打算以類似于術(shù)語(yǔ)“包含”的方式被包括在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種離子注入系統(tǒng)，包含離子源，可操作用來(lái)生成離子束；射束掃描儀，被定位于所述離子源的下游，所述射束掃描儀接收所述離子束并將掃描的離子束引向處理室內(nèi)的工件；以及劑量測(cè)定系統(tǒng)，可操作用來(lái)在所述工件位置處沿著曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上測(cè)量所述被掃描的射束。
2.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述劑量測(cè)定系統(tǒng)包含傳感器，其包含入口孔，所述傳感器適于在所述入口孔處接收離子并且適于提供表示所接收離子的量的信號(hào)；以及安裝設(shè)備，適于支持所述傳感器并且適于選擇性地將所述傳感器定位于所述工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
3.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述曲線軌跡被定位在所述工件位置處的掃描離子束的平面上。
4.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備適于選擇性地定位所述傳感器以使所述傳感器的所述入口孔指向沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上掃描的離子束的頂點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，其具有第一和第二相對(duì)末端，所述第一支持構(gòu)件的所述第一末端被樞軸安裝到所述處理室以使所述第一支持構(gòu)件可相對(duì)于所述處理室繞著相對(duì)于所述掃描的離子束的平面呈非零角度的第一軸旋轉(zhuǎn)；以及第二狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，其具有第一和第二相對(duì)末端，所述第二支持構(gòu)件的所述第一末端被樞軸安裝到所述第一支持構(gòu)件以使所述第二支持構(gòu)件可相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著基本平行于所述第一軸的第二軸旋轉(zhuǎn)，其中所述傳感器被安裝到所述第二支持構(gòu)件，并且其中所述第一和第二支持構(gòu)件可以相對(duì)于彼此并且相對(duì)于所述處理室獨(dú)立地旋轉(zhuǎn)以便于將所述傳感器定位于所述處理室內(nèi)所述工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
6.如權(quán)利要求5所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的第一末端安裝到所述處理室，所述第一電動(dòng)機(jī)適于使所述第一支持構(gòu)件相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的第二末端安裝到所述第二支持構(gòu)件的第一末端，所述第二電動(dòng)機(jī)適于使所述第二支持構(gòu)件相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
7.如權(quán)利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第三電動(dòng)機(jī)，所述第三電動(dòng)機(jī)繞著基本平行于所述第一軸的第三軸旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述第二支持構(gòu)件的第二末端。
8.如權(quán)利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述電動(dòng)機(jī)是空心轉(zhuǎn)動(dòng)軸并且所述支持構(gòu)件的內(nèi)部區(qū)域處于大氣壓力下，以此在不損害所述處理室的真空完整性的情況下方便信號(hào)、電源和設(shè)施的線路從所述傳感器通到所述處理室的外面。
9.如權(quán)利要求5所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述傳感器被樞軸安裝到所述第二支持構(gòu)件以使所述傳感器可相對(duì)于所述第二支持構(gòu)件繞著基本平行于所述第一軸的第三軸旋轉(zhuǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含電動(dòng)機(jī)，所述電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述第二支持構(gòu)件的第二末端，所述電動(dòng)機(jī)適于使所述傳感器相對(duì)于所述第二支持構(gòu)件繞著所述第三軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，以使所述傳感器的所述入口孔指向所述掃描的離子束的頂點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含狹長(zhǎng)軌道，所述狹長(zhǎng)軌道具有第一和第二相對(duì)末端，所述軌道被樞軸安裝到所述處理室以使所述軌道可相對(duì)于所述處理室繞著相對(duì)于所述掃描的離子束的平面呈非零角度的第一軸旋轉(zhuǎn)，并且其中所述傳感器被滑動(dòng)安裝到所述軌道以使所述傳感器可以被定位于所述軌道的所述第一和第二末端之間，并且所述軌道可以相對(duì)于所述處理室旋轉(zhuǎn)以便于將所述傳感器定位于沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
12.如權(quán)利要求11所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其可旋轉(zhuǎn)地將所述軌道安裝到所述處理室，所述第一電動(dòng)機(jī)適于使所述軌道相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其選擇性地將所述傳感器定位于所述軌道的第一和第二末端之間。
13.如權(quán)利要求12所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第三電動(dòng)機(jī)，所述第三電動(dòng)機(jī)繞著基本平行于所述第一軸的第二軸旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述軌道。
14.如權(quán)利要求11所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述傳感器被樞軸安裝到所述軌道以使所述傳感器可相對(duì)于所述軌道繞著基本平行于所述第一軸的第二軸旋轉(zhuǎn)。
15.如權(quán)利要求14所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含電動(dòng)機(jī)，所述電動(dòng)機(jī)可旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述軌道，所述電動(dòng)機(jī)適于使所述傳感器相對(duì)于所述軌道繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，以使所述傳感器的所述入口孔指向所述掃描的離子束的頂點(diǎn)。
16.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，所述狹長(zhǎng)支持構(gòu)件具有第一和第二相對(duì)末端，所述支持構(gòu)件的第一末端繞著相對(duì)于所述掃描的離子束的平面呈非零角度的第一軸被樞軸安裝到所述處理室，其中所述傳感器被安裝到所述支持構(gòu)件并且與所述第一軸隔開(kāi)，其中所述支持構(gòu)件可相對(duì)于所述處理室旋轉(zhuǎn)以便于將所述傳感器定位于所述處理室內(nèi)所述工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
17.如權(quán)利要求16所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述支持構(gòu)件的第一末端安裝到所述處理室，所述第一電動(dòng)機(jī)適于使所述支持構(gòu)件相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的第二末端安裝到所述第二支持構(gòu)件的第一末端，所述第二電動(dòng)機(jī)適于使所述第二支持構(gòu)件相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
18.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述曲線軌跡被定位在所述工件位置處的所述掃描離子束的平面上。
19.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中所述曲線軌跡包含所述掃描的離子束照射所述工件所在的空間位置。
20.一種用于測(cè)量處理室內(nèi)掃描的射束的劑量測(cè)定系統(tǒng)，所述劑量測(cè)定系統(tǒng)包含傳感器，所述傳感器包含入口孔，所述傳感器適于在所述入口孔處接收離子并且適于提供表示所接收離子的量的信號(hào)；以及安裝設(shè)備，適于支持所述傳感器并且適于選擇性地將所述傳感器定位于所述處理室的工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
21.如權(quán)利要求20所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備適于選擇性地定位所述傳感器以使所述傳感器的所述入口孔指向所述掃描的離子束的頂點(diǎn)。
22.如權(quán)利要求20所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，其具有第一和第二相對(duì)末端，所述第一支持構(gòu)件的所述第一末端被樞軸安裝到所述處理室以使所述第一支持構(gòu)件可相對(duì)于所述處理室繞著第一軸旋轉(zhuǎn)；以及第二狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，其具有第一和第二相對(duì)末端，所述第二支持構(gòu)件的所述第一末端被樞軸安裝到所述第一支持構(gòu)件的第二末端，以使所述第二支持構(gòu)件可相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著第二軸旋轉(zhuǎn)，其中所述傳感器被安裝到所述第二支持構(gòu)件，并且其中所述第一和第二支持構(gòu)件可以相對(duì)于彼此并且相對(duì)于所述處理室旋轉(zhuǎn)，以便于將所述傳感器定位于沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
23.如權(quán)利要求22所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的所述第一末端安裝到所述處理室，所述第一電動(dòng)機(jī)適于使所述第一支持構(gòu)件相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的所述第二末端安裝到所述第二支持構(gòu)件的所述第一末端，所述第二電動(dòng)機(jī)適于使所述第二支持構(gòu)件相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
24.如權(quán)利要求23所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第三電動(dòng)機(jī)，所述第三電動(dòng)機(jī)繞著第三軸旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述第二支持構(gòu)件的第二末端。
25.如權(quán)利要求22所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述傳感器被樞軸安裝到所述第二支持構(gòu)件以使所述傳感器可相對(duì)于所述第二支持構(gòu)件繞著第三軸旋轉(zhuǎn)。
26.如權(quán)利要求25所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含電動(dòng)機(jī)，所述電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述第二支持構(gòu)件的第二末端，所述電動(dòng)機(jī)適于使所述傳感器相對(duì)于所述第二支持構(gòu)件繞著所述第三軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
27.如權(quán)利要求20所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含狹長(zhǎng)軌道，所述狹長(zhǎng)軌道具有第一和第二相對(duì)末端，所述軌道被樞軸安裝到所述處理室以使所述軌道可相對(duì)于所述處理室繞著第一軸旋轉(zhuǎn)，并且其中所述傳感器被滑動(dòng)安裝到所述軌道以使所述傳感器可以被定位于所述軌道的第一和第二末端之間，并且所述軌道可以相對(duì)于所述處理室旋轉(zhuǎn)以便于將所述傳感器定位于所述處理室內(nèi)工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
28.如權(quán)利要求27所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其使所述軌道相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其選擇性地將所述傳感器定位于所述軌道的第一和第二末端之間。
29.如權(quán)利要求28所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第三電動(dòng)機(jī)，所述第三電動(dòng)機(jī)繞著垂直于所述掃描的離子束平面的第二軸旋轉(zhuǎn)地將所述傳感器安裝到所述軌道。
30.如權(quán)利要求27所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述傳感器被樞軸安裝到所述軌道以使所述傳感器可相對(duì)于所述軌道繞著第二軸旋轉(zhuǎn)。
31.如權(quán)利要求30所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含電動(dòng)機(jī)，所述電動(dòng)機(jī)使所述傳感器相對(duì)于所述軌道繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
32.如權(quán)利要求20所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含狹長(zhǎng)支持構(gòu)件，所述狹長(zhǎng)支持構(gòu)件具有第一和第二相對(duì)末端，所述支持構(gòu)件的第一末端繞著相對(duì)于所述掃描的離子束的平面呈非零角度的第一軸被樞軸安裝到所述處理室，其中所述傳感器被安裝到所述支持構(gòu)件并且與所述第一軸隔開(kāi)，其中所述支持構(gòu)件可相對(duì)于所述處理室旋轉(zhuǎn)以便于將所述傳感器定位于所述處理室內(nèi)所述工件位置處沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上。
33.如權(quán)利要求32所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述安裝設(shè)備包含第一電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述支持構(gòu)件的第一末端安裝到所述處理室，所述第一電動(dòng)機(jī)適于使所述支持構(gòu)件相對(duì)于所述處理室繞著所述第一軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二電動(dòng)機(jī)，其旋轉(zhuǎn)地將所述第一支持構(gòu)件的第二末端安裝到所述第二支持構(gòu)件的第一末端，所述第二電動(dòng)機(jī)適于使所述第二支持構(gòu)件相對(duì)于所述第一支持構(gòu)件繞著所述第二軸可控地樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
34.如權(quán)利要求20所述的劑量測(cè)定系統(tǒng)，其中所述曲線軌跡包含所述掃描的離子束照射所述工件所在的空間位置。
35.一種測(cè)量處理室內(nèi)掃描的射束的方法，所述方法包含將掃描的離子束引向處理室內(nèi)的工件位置；以及在所述工件位置處沿著曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)處測(cè)量所述掃描的離子束。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中測(cè)量所述掃描的離子束包含設(shè)置傳感器，所述傳感器適于在所述入口孔處接收離子并且適于提供表示所接收離子的量的信號(hào)；以及選擇性地將所述傳感器定位于沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上以此測(cè)量所述掃描的離子束。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中選擇性地將所述傳感器定位于沿著所述曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上包含定位所述傳感器以使所述傳感器的入口孔面對(duì)所述掃描的離子束的頂點(diǎn)。
全文摘要
提供了用于在處理室內(nèi)工件位置處沿著曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上測(cè)量掃描的離子束的劑量測(cè)定系統(tǒng)和方法。所說(shuō)明的劑量測(cè)定系統(tǒng)包含傳感器和安裝設(shè)備，所述安裝設(shè)備支持傳感器并且選擇性地將傳感器定位于沿著曲線軌跡的多個(gè)點(diǎn)上，其中安裝設(shè)備可選擇性地定位傳感器以此指向掃描的離子束的頂點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01J37/317GK101040365SQ200580034797
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2005年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月13日
發(fā)明者K·佩特里, J·費(fèi)拉拉, K·貝克 申請(qǐng)人:艾克塞利斯技術(shù)公司