專利名稱：：離子束植入電流、點寬與位置調(diào)校的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及離子植入裝置系統(tǒng)，尤為特別地涉及利用估計的植入電流調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)使離子束植入電流最大化以及利用點束中心沿離子束預(yù)定路徑放置離子束的方法、系統(tǒng)與程序產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
：典型的離子植入方法要求植入半導(dǎo)體芯片的離子劑量或數(shù)量均勻一致。劑量一般是離子束電流密度與離子束植入芯片的時間的函數(shù)。參見圖1，典型的傳統(tǒng)單一芯片離子植入裝置提供在水準方向上為靜電掃描點束4的離子束。掃描芯片6的傳統(tǒng)方法是垂直移動芯片6(如圖1所示的芯片6的三個位置)，而離子束4前后水準掃描芯片6。為了在該過程中達到均勻劑量，粒子束4必須完全掃過芯片6的邊緣，這導(dǎo)致在芯片每一側(cè)形成過掃寬度d。由于過掃尺寸d與離子束4在掃描方向上的寬度D成正比，所以離子束4在芯片平面的束寬顯著影響粒子束4的可用數(shù)量，也即粒子束的植入電流。特別地，過掃導(dǎo)致整個離子束僅部分可用的問題發(fā)生，因而影響離子植入裝置的生產(chǎn)能力。為了解決這個問題，使離子束植入電流最大化則較為有利，這由總離子束電流與離子束點寬確定?！爸踩腚娏鳌笔侵鸽x子束撞擊芯片的電流量，它不同于總離子束電流，總離子束電流僅指可用離子束在一掃程中的累積電流。植入電流是總離子束電流與離子束點寬的函數(shù)，當總離子束電流與離子束點寬增加時，植入電流增加。另一方面，離子束點寬是總離子束電流的函數(shù)，當總離子束電流增加時，離子束點寬增加。因此，必須同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化以使植入電流最大化。然在傳統(tǒng)單一芯片離子植入裝置中，總離子束電流調(diào)校與束點寬成形是分別完成的。特別地，總離子束電流通過能移進移出離子束路徑的調(diào)定的法拉第杯(Faradaycup)進行調(diào)校，離子束點寬由移動的法拉第杯成形器在芯片平面測量，如例如第4,922,106號美國專利所揭露之。離子束從調(diào)定的法拉第杯到芯片的傳遞沒有受到控制。就控制離子植入裝置而考慮離子束寬度的一種方法揭露于第6,614,027號Iwasawa美國專利。Iwasawa揭露一種當控制裝置考慮掃描帶電粒子束在掃描方向上的寬度以調(diào)節(jié)靜電透鏡時能夠阻止掃描帶電粒子束變得小于規(guī)定值的方法與裝置。Iwasawa考慮束寬與電流產(chǎn)生統(tǒng)一的估計值，然后控制透鏡調(diào)焦電壓Vf(n)使該值最大化。特別地，選擇使總離子束電流增加并使離子束寬度偏離理想束寬最小化的透鏡調(diào)焦電壓Vf(n)，以使該統(tǒng)一的估計值最大化。換言之，Iwasawa試圖在保持盡可能小的束寬偏離條件下達到規(guī)定大的掃描總離子束電流。因此，Iwasawa使總離子束電流與離子束點寬接近其較佳狀態(tài)，但卻不能試圖使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化。更明確地講，Iwasawa不可能使植入電流最大化，因為它不能同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化從而不能達到該目標。Iwasawa還受限于對這些參數(shù)的影響能力，因為它只控制一個透鏡。也就是說，必須同時控制離子植入裝置系統(tǒng)的多個離子束光學(xué)元件使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化以使植入電流最大化。結(jié)果，Iwasawa不能充分地解決過掃引起的離子束利用不足的問題。優(yōu)化離子植入裝置生產(chǎn)能力的另一難題就是使離子束設(shè)定時間最小化。在傳統(tǒng)離子植入裝置中，設(shè)定需要執(zhí)行若干測量與隨后的調(diào)校步驟，例如，如上所述的離子束植入電流調(diào)校，平行度調(diào)校以及一致性調(diào)校。這使難度增加，因為通常重復(fù)使用同組離子束植入不同的芯片。結(jié)果在連續(xù)生產(chǎn)過程中卻需要重復(fù)設(shè)定同一離子束。在很多設(shè)定過程中，每一離子束最好具有不變的幾何圖形以提供一致的半導(dǎo)體器件性能。綜上所述，業(yè)界需要使離子束植入電流最大化而使離子束設(shè)定時間最小化的技術(shù)，從而改進離子植入裝置生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)的離子束調(diào)校方法、系統(tǒng)以及程序產(chǎn)品。本發(fā)明例如將離子束掃過離子植入室內(nèi)的成形器而得到離子束輪廓，并根據(jù)該離子束輪廓調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)使估計植入電流最大化以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化。另外，調(diào)校還可沿離子束預(yù)定路徑放置離子束，這在每一離子束的很多設(shè)定過程中減少了離子束設(shè)定時間并提供可重復(fù)束角性能，因而改善了離子植入裝置系統(tǒng)的生產(chǎn)效率與性能。特就減少離子束設(shè)定時間而言，本發(fā)明降低了對平行度與一致性調(diào)校的要求，因為在很多設(shè)定過程中如果每一離子束的點寬與點束中心位置保持相同，則貯備的校正器磁鐵位置與一致性掃描波形斜坡排列不變。本發(fā)明第一特征是指調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，該方法包括如下步驟獲得離子束輪廓；根據(jù)成形器回饋，調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)使估計的植入電流最大化以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化。本發(fā)明第二特征是指用來在離子植入裝置系統(tǒng)中調(diào)校離子束的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括用來獲得離子束輪廓的裝置，以及用來根據(jù)成形器回饋調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)使估計的植入電流最大化以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化從而使植入電流最大化的裝置。本發(fā)明第三特征是指一種電腦程序產(chǎn)品，它包括記錄有電腦可讀程序碼的電腦可用媒介，該程序碼用來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)的離子束。該電腦程序產(chǎn)品包含用來獲得離子束輪廓的程序碼，以及用來根據(jù)成形器回饋調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)使估計的植入電流最大化以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化從而使植入電流最大化的程序碼。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。將參照以下圖式，詳盡描述本發(fā)明實施例，其中相同的標號代表相同的元件。其中圖1顯示傳統(tǒng)離子植入裝置系統(tǒng)中離子束相對于芯片運動的運動。圖2A顯示本發(fā)明包括植入電流與點束位置調(diào)校系統(tǒng)的離子植入裝置系統(tǒng)的第一實施例。圖2B-2C顯示本發(fā)明包括植入電流與點束位置調(diào)校系統(tǒng)的離子植入裝置系統(tǒng)的其他實施例。圖3顯示圖2A-2C調(diào)校系統(tǒng)的方框圖。圖4顯示圖2A-2C調(diào)校系統(tǒng)的操作流程圖。圖5顯示本發(fā)明離子束掃描。圖6顯示圖2A-2C調(diào)校系統(tǒng)所用離子束輪廓。圖7顯示離子植入裝置系統(tǒng)離子束路徑的示意圖。a靶與劑量控制法拉第杯之間的距離d過掃寬度D離子束在掃描方向上的寬度Iimp植入電流m、n常數(shù)W離子束點寬4離子束6芯片100離子植入裝置系統(tǒng)102離子束發(fā)生器104離子束106靶108植入室114保持器116保持器驅(qū)動組件118靶垂直掃描系統(tǒng)位置控制器120系統(tǒng)控制器140氣流142離子源144源磁鐵146源偏壓控制器148抑制電極150萃引電極152執(zhí)行機構(gòu)馬達154分析器磁鐵156加速器聚焦電極158加速器抑制電極160品質(zhì)狹縫162預(yù)掃描抑制電極164水準掃描板166后掃描抑制電極168氮氣泄放孔170校正器磁鐵172限制孔173劑量控制法拉第杯174成形器180取樣法拉第杯陣列210調(diào)校系統(tǒng)212存儲器214處理器216輸入/輸出裝置218匯流排220資料庫222程序產(chǎn)品224掃描控制器226束成形器228調(diào)諧器230位置控制器232其他系統(tǒng)部件300磁性掃描器302可移動法拉第杯306預(yù)分析磁鐵308電荷選擇磁鐵具體實施方式離子植入裝置系統(tǒng)總論參照所附圖式，圖2A描述本發(fā)明離子植入裝置系統(tǒng)100的第一實施例。植入裝置系統(tǒng)100包括離子束發(fā)生器102，用來在植入室108中產(chǎn)生離子束104，并將其傳送到靶106。離子束發(fā)生器102可以是任何現(xiàn)知的或?qū)硌兄频碾x子束發(fā)生器，例如Varian半導(dǎo)體儀器協(xié)會(VarianSemiconductorEquipmentAssociates)提供的離子束發(fā)生器。典型地，靶106包括一個或多個安裝到保持器114的半導(dǎo)體芯片。使靶106(即芯片106)旋轉(zhuǎn)的保持器驅(qū)動組件116與控制靶106垂直位置的靶垂直掃描系統(tǒng)位置控制器118可以控制靶106的特征。驅(qū)動元件116與位置控制器118均回應(yīng)于系統(tǒng)控制器120。除以上所述部件外，離子束發(fā)生器102可包括氣流140；包含源磁鐵144與源偏壓控制器146的離子源142；抑制電極148、萃引電極150以及電極148、150所用的一個或多個執(zhí)行機構(gòu)馬達152；分析器磁鐵154；加速器聚焦電極156；加速器抑制電極158；品質(zhì)狹縫160；預(yù)掃描抑制電極162；水準掃描板164；后掃描抑制電極166；氮氣泄放孔168；校正器磁鐵170以及限制孔172。離子植入裝置系統(tǒng)100還可包括劑量控制法拉第杯173，成形器174以及取樣法拉第杯陣列180。成形器174包括一個或多個用來確定離子束輪廓(即離子束電流密度作為離子束位置的函數(shù))運動的法拉第杯。盡管為了清晰起見而沒有在圖中顯示，但以上所述每一部件被系統(tǒng)控制器120監(jiān)控并回應(yīng)于該系統(tǒng)控制器。圖2B顯示離子植入裝置系統(tǒng)第二實施例，該離子植入裝置系統(tǒng)特別包括移動的法拉第杯302以及預(yù)分析磁鐵306，而圖2C顯示離子植入裝置系統(tǒng)第三實施例，該離子植入裝置系統(tǒng)特別包括磁性掃描器300以及電荷選擇磁鐵308。圖2B-2C中的其他離子植入裝置系統(tǒng)雖以不同方式表示，但類似于圖2A的離子植入裝置系統(tǒng)，但至少相關(guān)于本發(fā)明申請案。除非特別需要，以下描述將只參照圖2A。然應(yīng)當明白，本發(fā)明原則適用于任何離子植入裝置系統(tǒng)。調(diào)板系統(tǒng)參見所附圖式，圖3所示為系統(tǒng)控制器120的方框圖，此系統(tǒng)控制器120包括調(diào)校系統(tǒng)210，其用來調(diào)校本發(fā)明離子植入裝置系統(tǒng)離子束。此調(diào)校系統(tǒng)210可以作為離子植入裝置系統(tǒng)100(圖2A)的系統(tǒng)控制器120(圖2A)整體中的一部分，也可以獨立系統(tǒng)的方式提供。若為單獨系統(tǒng)，調(diào)校系統(tǒng)210包括存儲器212，處理器(PU)214，輸入/輸出裝置(I/O)216以及匯流排218。也可提供資料庫220以存儲與處理任務(wù)相關(guān)的資料。存儲器212包括程序產(chǎn)品222，此程序產(chǎn)品222由PU214執(zhí)行，且其包含將在以下詳細描述的多種功能。存儲器212(與資料庫220)可包含任何已知類型的資料存儲系統(tǒng)與/或傳遞媒介，包括磁媒介、光學(xué)媒介、隨機存取存儲器(RAM)、唯讀存儲器(ROM)、資料體等。此外，存儲器212(與資料庫220)可駐留于包括一種或多種類型的資料存儲器的單一物理位置，也可分布于若干物理系統(tǒng)。同樣地，PU214包括單一處理器，或若干分布于一個或多個位置的處理器。I/O216可包括任何已知類型的輸入/輸出裝置，例如網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、數(shù)據(jù)機、鍵盤、鼠標、掃描器、聲音識別系統(tǒng)、陰極射線管(CRT)、打印機、磁碟機等。其他部件例如高速緩沖存儲器，通訊系統(tǒng)，系統(tǒng)軟件等也可包括在系統(tǒng)210中。如圖3所示，程序產(chǎn)品222可包括掃描控制器224，束成形器226，調(diào)諧器228，位置控制器230以及其他系統(tǒng)部件232。其他系統(tǒng)部件232包括任何調(diào)校系統(tǒng)210操作所需功能，此處未特別清楚地描述，例如通訊協(xié)定等?，F(xiàn)參見圖4，連同圖2A與圖3，描述本發(fā)明一實施例操作方法的流程圖。步驟S1-S2代表獲得離子束輪廓的步驟。在一實施例中，第一步驟S1在掃描控制器224的控制下使離子束104掃過植入室108中的成形器174。在一實施例中，掃描發(fā)生比較緩慢，例如大約在100Hz左右。如圖5所示，掃描控制器224將成形器174基本定位于植入室108中心處。校準在掃描控制器224控制下的束掃描器，以確定橫掃成形器174的離子束104的位置。也可以使用取樣法拉第杯陣列180中的一只或多只取樣杯代替成形器174。該束掃描器可以是離子植入裝置系統(tǒng)100中任意能夠掃描離子束104的元件。在一實施例中，束掃描器可以是離子植入裝置系統(tǒng)100水準掃描板164與校正器磁鐵170其中之一(以較低頻率)。在這些包括磁性掃描器300的離子植入裝置系統(tǒng)(圖2C)中，可以使用掃描器300。在另一實施例中，這些包括可移動法拉第杯302的離子植入裝置系統(tǒng)(圖2B)中，則可使用可移動法拉第杯302。換言之，成形器可以移動穿過離子束104，而不是移動離子束104。在步驟S2中，根據(jù)成形器74的回饋結(jié)果，由束成形器226確定離子束輪廓。如圖6所示，離子束輪廓包括與植入室108位置相對的離子束電流密度(安培/毫米)。這里應(yīng)當可以理解的是，此處以長度單位而不是面積單位來測量密度，因為測量是在離子束104點的寬度間隔上進行的。圖6所示的輪廓還表示寬度W上的離子束點寬。盡管以上業(yè)已描述一獲得離子束輪廓的實施例，然應(yīng)當明白也可以使用其他技術(shù)，例如，成形器不必放置在植入室內(nèi)。繼續(xù)參照圖6，輪廓曲線下的面積表示“總離子束電流”，就是在離子束104的一個掃描周期即如圖7所示從完全掃描位置A到第二完全掃描位置B中可用的總電流。“植入電流(Iimp)”就是用來植入靶106(圖2A)的可用總離子束電流量，即沖擊靶106的量。根據(jù)如下方程，基于離子束輪廓，束成形器226還用來確定估計植入電流Iest=Ibeam×tarwidthtarwidth+(m+n)W/2+a]]>其中Iest為估計植入電流(安培)，Ibeam為總離子束電流(安培)，tarwidth為暴露于離子束的靶(芯片)寬，m與n為常數(shù)，a為靶(芯片)與劑量控制法拉第杯173之間的距離，以及W為點束寬。另外，基于離子束輪廓，束成形器226用來確定點束中心。特別地，點束中心由離子束輪廓下方面積的水準幾何中心確定。返回圖4，第二步驟S3中，調(diào)諧器228基于成形器174的回饋而調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)100，以使估計植入電流Iest最大化。換言之，將估計植入電流Iest當作植入電流的閉環(huán)控制回路回饋來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)100。估計植入電流Iest的最大化，會導(dǎo)致總離子束電流Ibeam與離子束點寬W同時最優(yōu)化，以及使植入電流Iimp最大化。在一實施例中，回饋包括在步驟S2確定的估計植入電流與點束中心。調(diào)校則包括使估計植入電流Iest最大化。然應(yīng)當明白，也可能使用成形器174的其他回饋例如總離子束電流Ibeam與離子束點寬W，來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)100。離子植入裝置系統(tǒng)100的調(diào)校實際上包括實際調(diào)整任何系統(tǒng)元件，其至少包括以下其中之一氣流140；包括源磁鐵144與源偏離電壓(通過控制器146)的離子源142；抑制電極148；萃引電極150以及電極148與150所用一個或多個執(zhí)行馬達152；分析器磁鐵154；加速器聚焦電極156；加速器抑制電極158；品質(zhì)狹縫160；預(yù)掃描抑制電極162；水準掃描板164；后掃描抑制電極166；氮氣泄放孔168；校正器磁鐵170；以及限制孔172。在這些包括預(yù)分析磁鐵306(圖2B)與/或電荷選擇磁鐵308(圖2C)的離子植入裝置系統(tǒng)100中，還可包括調(diào)整預(yù)分析磁鐵306(圖2B)與/或電荷選擇磁鐵308(圖2C)。調(diào)校的目的旨在使估計植入電流Iest最大化，這導(dǎo)致總離子束電流Ibeam與離子束點寬W同時最優(yōu)化，以使植入電流Iimp最大化。在可選擇的第四步驟S4中，調(diào)校系統(tǒng)210的位置控制器228，其是根據(jù)成形器174的回饋來調(diào)控離子束，使其能在離子束最佳路徑上。位置調(diào)校包括利用點束中心的回饋來確定離子束相對于理想離子束路徑的位置。于是位置調(diào)校還包括調(diào)整離子植入裝置系統(tǒng)100的元件，而得到點束中心的理想回饋，從而基于此點束中心回饋而將離子束放置在其預(yù)定路徑上。結(jié)果，在每一離子束的很多設(shè)定過程中保持離子束點寬與點束中心不變。在這方面，在每一離子束的很多設(shè)定過程中，調(diào)校會減少了離子束設(shè)定時間并提供可重復(fù)的束角性能(repeatablebeamangleperformance)，因而改善了離子植入裝置系統(tǒng)100的生產(chǎn)效率與性能。就以上所述使估計植入電流最大化的調(diào)校方法中，調(diào)校以將離子束放置在理想離子束路徑上而言，為了將離子束放置在理想離子束路徑上，可調(diào)整以下至少一種元件限制孔172，(旋轉(zhuǎn))品質(zhì)狹縫160，執(zhí)行機構(gòu)152，源磁鐵144與分析器磁鐵154。另外，在這些包括預(yù)分析磁鐵306(圖2B)與/或電荷選擇磁鐵308(圖2C)的離子植入裝置系統(tǒng)中，也可調(diào)整預(yù)分析磁鐵306(圖2B)與/或電荷選擇磁鐵308(圖2C)以將離子束放置在理想離子束路徑上。一旦已知這些離子束特性與離子植入裝置系統(tǒng)100元件參數(shù)設(shè)定的詳細條件，則可恢復(fù)這些設(shè)定以重復(fù)此條件。上述發(fā)明完成離子束調(diào)校，以使植入電流最大化，這改善了單一芯片植入裝置的生產(chǎn)效率。本發(fā)明還完成離子束調(diào)校使離子束位于其最佳路徑，這在每一離子束的很多設(shè)定過程中，保持離子束點寬與點束中心不變，從而減少離子束設(shè)定時間，并提供可重復(fù)的束角性能，因而改善了離子植入裝置系統(tǒng)的生產(chǎn)效率與性能。結(jié)論在上述討論中，應(yīng)當明白，所論述的方法步驟由處理器例如系統(tǒng)210的PU214執(zhí)行，程序產(chǎn)品222的執(zhí)行指令存貯在存儲器中。不言自明，這里所述各種裝置、模組、機構(gòu)以及系統(tǒng)可以由硬件、軟件或硬件與軟件的結(jié)合來實現(xiàn)，并可以非所示方式劃分。它們可以由任意合適類型的電腦或其他裝置執(zhí)行完成此述方法。硬件與軟件的典型組合可能是裝有電腦程序的通用電腦系統(tǒng)，在該通用電腦系統(tǒng)中裝入并執(zhí)行該程序，控制該電腦系統(tǒng)以執(zhí)行此述方法。選擇性地，可以使用含有專門用來執(zhí)行本發(fā)明一個或多個功能任務(wù)的硬件的特殊用途電腦。本發(fā)明還可嵌入電腦程序產(chǎn)品，該程序產(chǎn)品包含執(zhí)行此述方法與功能的所有特征，一旦載入電腦系統(tǒng)，就能完成這些方法與功能。電腦程序，軟件程序，程序，程序產(chǎn)品，或軟件，在本上下文中代表以任意語言、代碼或符號，來對一組旨在使具有資訊處理能力的系統(tǒng)直接地執(zhí)行，或以轉(zhuǎn)換成另一語言與/或以不同工具的復(fù)制方式，來執(zhí)行特定指令的功能。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。權(quán)利要求1.一種調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于該方法包括下列步驟獲得離子束輪廓；以及基于該離子束輪廓，來調(diào)校該離子植入裝置系統(tǒng)，使估計的植入電流最大化，并同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于還包括步驟基于該離子束輪廓估計植入電流；以及基于該離子束輪廓確定該離子束點寬與點束中心。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該調(diào)校步驟還包括基于該點束中心回饋調(diào)整該離子植入裝置系統(tǒng)元件，將離子束放置在其預(yù)定路徑上，該離子植入裝置系統(tǒng)元件包括限制孔、品質(zhì)狹縫、執(zhí)行機構(gòu)、源磁鐵、預(yù)分析磁鐵、電荷選擇磁鐵，以及分析器磁鐵中的至少一種元件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中根據(jù)Iest=Ibeam×tarwidthtarwidth+(m+n)W/2+a]]>確定該估計植入電流，其中Iest為該估計植入電流，Ibeam為該總離子束電流，tarwidth為暴露于該離子束的靶寬，m與n為常數(shù)，a為該靶與劑量控制法拉第杯之間的距離，以及W為該離子束點寬。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該調(diào)校步驟包括調(diào)整以下至少一種離子植入裝置系統(tǒng)元件氣流；包含源磁鐵與源偏壓控制器的離子源；抑制電極、萃引電極以及電極所用的一個或多個執(zhí)行機構(gòu)馬達；分析器磁鐵；加速器聚焦電極；加速器抑制電極；品質(zhì)狹縫；預(yù)掃描抑制電極；水準掃描板；后掃描抑制電極；氮氣泄放孔；校正器磁鐵；以及限制孔。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該獲得的步驟包括以橫過植入室內(nèi)的成形器掃描該離子束。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該掃描步驟包括使用束掃描器掃描該離子束，該束掃描器選自離子植入裝置系統(tǒng)的水準掃描板、校正器磁鐵以及磁性掃描器其中之一。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于還包括校準該束掃描器，以橫過該成形器掃描該離子束的步驟。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該掃描步驟包括將該成形器基本放置在該植入室的中心。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束的方法，其特征在于其中該成形器包括一法拉第杯。11.一種系統(tǒng)，用來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)離子束，其特征在于該系統(tǒng)包括用來獲得離子束輪廓的裝置，以及基于該離子束輪廓，來調(diào)校該離子植入裝置系統(tǒng)使估計植入電流最大化，以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化的裝置。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于其中該成形裝置還具有下列功能確定離子束輪廓；基于該離子束輪廓，估計該植入電流；以及基于該離子束輪廓，確定該離子束點寬與點束中心。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于其中該調(diào)校裝置還包括基于該點束中心，來回饋調(diào)整該離子植入裝置系統(tǒng)元件以將該離子束放置在其預(yù)定路徑上的裝置，該離子植入裝置系統(tǒng)元件包括限制孔、品質(zhì)狹縫、執(zhí)行機構(gòu)、源磁鐵、預(yù)分析磁鐵、電荷選擇磁鐵，以及分析器磁鐵中的至少一種元件。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于其中根據(jù)Iest=Ibeam×tarwidthtarwidth+(m+n)W/2+a]]>確定該估計植入電流，其中Iest為該估計植入電流，Ibeam為該總離子束電流，tarwidth為暴露于該離子束的靶寬，m與n為常數(shù)，a為該靶與劑量控制法拉第杯之間的距離，以及W為該離子束點寬。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于其中該獲得裝置包括用來控制以橫過植入室內(nèi)的成形裝置掃描離子束的裝置。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于其中該成形裝置放置在該植入室的中心。17.一種電腦程序產(chǎn)品，其特征在于包括嵌入用來調(diào)校該離子植入裝置系統(tǒng)離子束的電腦可讀程序碼的電腦可用媒介，該程序產(chǎn)品包括用來獲得該離子束輪廓的；以及基于該離子束輪廓，來調(diào)校該離子植入裝置系統(tǒng)，以使估計的植入電流最大化，并同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化的程序碼。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中回饋包括離子束輪廓，以及還包括基于該離子束輪廓，來估計該植入電流的程序碼；以及基于該離子束輪廓，來確定該離子束點寬與點束中心的程序碼。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于還包括基于該點束中心，來回饋調(diào)整該離子植入裝置系統(tǒng)元件，以將該離子束放置在其預(yù)定路徑上的程序碼，該離子植入裝置系統(tǒng)元件包括限制孔、品質(zhì)狹縫、執(zhí)行機構(gòu)、源磁鐵、預(yù)分析磁鐵、電荷選擇磁鐵，以及分析器磁鐵中的至少一種元件。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中根據(jù)Iest=Ibeam×tarwidthtarwidth+(m+n)W/2+a]]>確定該估計植入電流，其中Iest為該估計植入電流，Ibeam為該總離子束電流，tarwidth為暴露于該離子束的靶寬，m與n為常數(shù)，a為該靶與劑量控制法拉第杯之間的距離，以及W為該離子束點寬。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中該調(diào)校程序碼調(diào)整以下至少一種離子植入裝置系統(tǒng)元件氣流；包含源磁鐵與源偏壓控制器的離子源；抑制電極、萃引電極以及電極所用的一個或多個執(zhí)行機構(gòu)馬達；分析器磁鐵；加速器聚焦電極；加速器抑制電極；品質(zhì)狹縫；預(yù)掃描抑制電極；水準掃描板；后掃描抑制電極；氮氣泄放孔；校正器磁鐵；以及限制孔。22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中該獲得程序碼包括控制橫過植入室內(nèi)的成形器掃描該離子束的程序碼。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中該掃描控制程序代碼控制該束掃描器，來掃描該離子束，該束掃描器選自離子植入裝置系統(tǒng)的水準掃描板、校正器磁鐵以及磁性掃描器其中之一。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于還包括程序碼，其用來校準該束掃描器，以使該束掃描器讓該離子束穿過該成形器。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于其中該掃描控制程序代碼將該成形器放置在該植入室的中心。全文摘要本發(fā)明揭露一種用來調(diào)校離子植入裝置系統(tǒng)的離子束調(diào)校方法、系統(tǒng)以及程序產(chǎn)品。本發(fā)明通過例如橫過植入室內(nèi)的成形器掃描該離子束獲得該離子束輪廓；并基于該離子束輪廓調(diào)校該離子植入裝置系統(tǒng)使估計的植入電流最大化以同時使總離子束電流與離子束點寬最優(yōu)化，從而使植入電流最大化。另外，調(diào)校也可基于該點束中心回饋將該離子束放置在其最佳路徑上，這在每一離子束的很多設(shè)定過程中減少了離子束設(shè)定時間并提供可重復(fù)的束角性能，因而改善了離子植入裝置系統(tǒng)的生產(chǎn)效率與性能。文檔編號H01J37/317GK101076875SQ200580033847公開日2007年11月21日申請日期2005年10月7日優(yōu)先權(quán)日2004年10月7日發(fā)明者張升吾,安東尼勒·可雀帝,約瑟·P·迪宰桔雷斯契,葛列格里·R·吉本雷洛,羅扎里歐·馬雷卡,葛桔·A·洛里斯,約瑟·C·歐爾森,馬黎耶·J·威爾旭申請人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司