專利名稱：場致發(fā)射顯示器件和其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及電子發(fā)射器件，并且更特別地涉及場致發(fā)射器件和其操作方法。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)發(fā)展了平板顯示器件并廣泛應(yīng)用于電子應(yīng)用中。平板顯示器件的例子包括液晶顯示器(“LCD”)、等離子體顯示面板(“PDP”)和場致發(fā)射顯示(“FED”)器件。作為具有LCD和PDP的優(yōu)點的下一代顯示器件FED已經(jīng)引起了相當?shù)淖⒁?。公知利用微尖端的電子場致發(fā)射原理工作的FED能夠克服傳統(tǒng)LCD和PDP的一些局限并提供顯著的優(yōu)勢。例如，F(xiàn)ED與傳統(tǒng)LCD和PDP相比，具有更高的對比率、更寬的視角、更好的最大亮度、更低的功耗、更短的響應(yīng)時間和更寬廣的操作溫度。因此，F(xiàn)ED可以應(yīng)用于從家用電視機到工業(yè)設(shè)備和計算機的廣泛的各種應(yīng)用。
就自發(fā)光性能而言，F(xiàn)ED優(yōu)于顯示器件可以用作獨立光源。參照圖1簡單討論電子的場致發(fā)射原理。圖1是傳統(tǒng)場致發(fā)射顯示(“FED”)器件10的示意圖。見圖1，F(xiàn)ED器件10包括陰極12、形成在陰極12上的發(fā)射體13、陽極14、形成在陽極14表面(未標號)上的磷光體層16、和間隔18。發(fā)射體13發(fā)射電子，其被陰極12和陽極14之間朝向磷光體層16的電場加速。電場方向大致平行于陰極12或陽極14的法線(normal)方向。當發(fā)射電子與磷光體顆粒碰撞時磷光體層16發(fā)光。磷光體層16發(fā)出的光經(jīng)過陽極14傳輸至顯示器件(未示出)，例如LCD器件。在陰極12和陽極14之間設(shè)置間隔18以保持其間的預(yù)定間距。通過玻璃安裝密封劑將間隔18粘貼在陰極12和陽極14上。要求陰極12、陽極14和間隔18限定的內(nèi)部間隔保持于真空狀態(tài)，從而保證電子的持續(xù)加速發(fā)射。
傳統(tǒng)FED器件10會有以下缺陷。FED10的場致發(fā)射性能對于陰極12和陽極14之間的距離高度敏感。該距離必須以微米(μm)級別的容差精確控制，其阻礙了FED器件10的尺寸增大并使FED器件10難于均勻發(fā)光。而且，作為光路中的元件，陽極14會削弱或甚至阻擋磷光體層16發(fā)出的光。為了避免這些損失，陽極14經(jīng)常采用例如氧化銦錫(“ITO”)的透明材料。作為FED器件10的整體成本考慮，透明材料通常很昂貴。上面提到的缺陷，包括較小容差的距離控制和使用透明陽極的無效率成本，難以使FED器件10可用于市場化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對場致發(fā)射顯示器件和場致發(fā)射顯示器件的操作方法，其消除了現(xiàn)有技術(shù)中的限制和缺陷所導致的一個或多個問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種場致發(fā)射器件。該場致發(fā)射器件包括襯底，形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的第一導電層，形成在襯底上偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平的第二導電層，形成在第一導電層和第二導電層上用于發(fā)射電子的發(fā)射體，和形成在設(shè)置于第一導電層和第二導電層之間的襯底上的磷光體層，其中從第一導電層或第二導電層之一發(fā)射出電子、沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)過磷光體層到達另一第一導電層或第二導電層。
另外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件。該場致發(fā)射器件包括襯底，形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的第一電極，形成在襯底上偏置處于大于第一電壓電平的第二電壓電平的第二電極，相應(yīng)于第一電極用于沿著與襯底的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子的第一發(fā)射體，和相應(yīng)于第二電極用于接收從第一發(fā)射體發(fā)射出的電子的第二發(fā)射體。
此外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件。該場致發(fā)射器件包括形成在表面水平上的第一電極，形成在大致相同的表面水平上與第一電極隔開設(shè)置的第二電極，和形成在第一電極和第二電極上用于沿著與表面水平的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子的發(fā)射體。
此外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件。該場致發(fā)射器件包括襯底，形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的多個第一電極，形成在襯底上偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平的多個第二電極，形成在襯底上的多個磷光體層、多個磷光體層各自設(shè)置在多個第一電極之一和多個第二電極之一之間，和形成在多個第一電極中的每一個和多個第二電極中的每一個上用于發(fā)射電子經(jīng)過多個磷光體層的發(fā)射體。
此外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件。該場致發(fā)射器件包括襯底，形成在襯底上包括第一陰極用于發(fā)射紅光的第一單元，第一陽極和設(shè)置在第一陰極和第一陽極之間的第一磷光體層，形成在襯底上包括第二陰極用于發(fā)射綠光的第二單元，第二陽極和設(shè)置在第二陰極和第二陽極之間的第二磷光體層，形成在襯底上包括第三陰極用于發(fā)射藍光的第三單元，第三陽極和設(shè)置在第三陰極和第三陽極之間的第三磷光體層，和形成在每個第一、第二和第三陰極和每個第一、第二和第三陽極上用于發(fā)射電子經(jīng)過第一、第二和第三磷光體層的發(fā)射體。
另外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件的操作方法。該方法包括提供襯底，在襯底上提供第一導電層，在襯底上提供第二導電層，在第一導電層和第二導電層上提供發(fā)射體，在第一導電層和第二導電層之間的襯底上提供磷光體層，偏置第一導電層處于第一電壓電平，偏置第二導電層處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平，和從第一導電層或第二導電層之一、沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)磷光體層向第一導電層或第二導電層另一發(fā)射電子。
此外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件的操作方法。該方法包括提供襯底，在襯底上提供第一電極，偏置第一電極處于第一電壓電平，在襯底上提供第二電極，偏置第二電極處于大于第一電壓電平的第二電壓電平的第二電極，相應(yīng)于第一電極提供第一發(fā)射體，相應(yīng)于第二電極提供第二發(fā)射體，和從第一發(fā)射體沿著與襯底的法線方向大致正交的方向向第二發(fā)射體發(fā)射電子。
此外還根據(jù)本發(fā)明，提供了一種場致發(fā)射器件的操作方法。該方法包括在表面水平上提供第一電極，在大致相同的表面水平上與第一電極隔開提供第二電極，在第一電極和第二電極上提供發(fā)射體，和沿著與表面水平的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子。


結(jié)合附圖閱讀將能更好的理解本發(fā)明優(yōu)選實施例的前述簡述和下面的具體描述。為了示例本發(fā)明的目的，在附圖中示出這里優(yōu)選的實施例。然后，應(yīng)當理解本發(fā)明不限于示出的確切設(shè)置和手段。在附圖中圖1是傳統(tǒng)場致發(fā)射顯示(“FED”)器件的示意圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的FED器件的示意圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖5B是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖5C是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖5D是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的再另外一個實施例的FED器件的示意圖；圖8是示例根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的FED器件操作方法的流程圖。
具體實施例方式
圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的FED器件20的示意圖。見圖2A，F(xiàn)ED器件20包括襯底22、第一導電層23、第二導電層25、磷光體層24、和發(fā)射體26和27。襯底22包括但不限于選自玻璃、聚合物、特氟綸、或陶瓷之一的材料，該材料適于提供電學隔離?？蛇x地，襯底22包括其上形成例如SiO2氧化硅膜或例如Si3N4氮化硅膜的硅基底。形成在襯底22上的第一導電層23偏置處于第一電壓電平。形成在襯底22上的第二導電層25偏置處于大于第一電壓電平的第二電壓電平。第一導電層23和第二導電層25可以通過E-槍(電槍)沉積工藝或濺射工藝形成。第一導電層23和第二導電層25分別用作FED器件20的陰極和陽極。第一電壓電平和第二電壓電平的量值決定于第一導電層23和第二導電層25之間的距離、發(fā)射體26和27的材料、和磷光體24的工作電壓。在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中，建立在第一導電層23和第二導電層25之間的電場約為5V/μm。適用于第一導電層23和第二導電層25的材料包括但不限于厚度約10納米(nm)的Fe、Co和Ni。
通過例如化學氣相沉積(“CVD”)、等離子體增強化學氣相沉積(“PECVD”)、熱化學氣相沉積、或其他適用的化學-物理沉積方法、例如反應(yīng)性濺射、離子束濺射和雙離子束濺射，在第一導電層23和第二導電層25上分別形成發(fā)射體26和27。發(fā)射體26和27包括但不限于選自碳納米材料、金屬氧化物或金屬之一的材料。在一個實施例中，發(fā)射體26和27包括碳納米管、碳納米片、碳納米壁、金剛石膜、類金剛石碳膜、GaN、GaB、Si、諸如W和Mo的金屬膜、ZnO納米棒或桿陣列(spindle array)。發(fā)射體26和27的重量約為1-3μm(微米)。
發(fā)射體26和27用于發(fā)射電子。具體地，發(fā)射電子在電場(實心箭頭示出)中被加速，從第一導電層23經(jīng)過磷光體層24到達第二導電層25。在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中，第一導電層23和第二金屬層25的電壓電平分別約為0伏和300-1000伏。當發(fā)射電子與磷光體顆粒碰撞時，磷光體層24發(fā)光(寬箭頭示出)，包括諸如紅(R)、綠(R)和藍(B)光發(fā)射的顏色發(fā)光。磷光體層24可由旋轉(zhuǎn)涂敷工藝、浸漬涂敷工藝或濺射沉積形成，并具微米量級的厚度。
圖2B是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的FED器件20-1的示意圖。見圖2B，除發(fā)射體26-1和27-1之外，F(xiàn)ED器件20-1具有與圖2A中示出的FED器件20類似的結(jié)構(gòu)。每一個發(fā)射體26-1包括定向為一個方向的尖端部分260，以促進發(fā)射電子的發(fā)射。具體地，尖端部分260指向與電場大致相同的方向，以促進電子的發(fā)射。另一方面，每一個發(fā)射體27-1包括指向一個方向的尖端部分270，以促進發(fā)射電子的發(fā)射。具體地，尖端部分270指向與電場大致相反的方向，以促進發(fā)射電子的接收。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件30的示意圖。見圖3，除磷光體層34之外，F(xiàn)ED器件30具有與圖2A中示出的FED器件20類似的結(jié)構(gòu)。與設(shè)置在第一導電層23和第二導電層25之間的磷光體層24不同，磷光體層34覆蓋FED器件30的第一導電層23和第二導電層25。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件40的示意圖。見圖4A，除反射層42和介電層43之外，F(xiàn)ED器件40具有與圖2A中示出的FED器件20類似的結(jié)構(gòu)。具有微米量級厚度的發(fā)射層42通過例如物理氣相沉積(“PVD”)工藝形成在襯底20上。反射層42的適用材料包括但不限于Al或Ag之一。具有微米量級厚度的介電層43通過例如熱工藝形成在反射層42上。介電層43的適用材料包括但不限于諸如SiO2的氧化硅或諸如Si3N4的氮化硅。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件40-1的示意圖。見圖4B，除介電層43-1之外，F(xiàn)ED器件40-1具有與圖4A中示出的FED器件40類似的結(jié)構(gòu)。與形成在反射層42上的連續(xù)膜介電層43不同，介電層43-1在磷光體層24存在的區(qū)域不是連續(xù)的。結(jié)果是，磷光體層24設(shè)置在反射層42上。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件50的示意圖。見圖5A，除第三導電層56之外，F(xiàn)ED器件50具有與圖2A中示出的FED器件20類似的結(jié)構(gòu)。具有微米量級厚度的第三導電層56通過例如PVD工藝形成在襯底20上。第三導電層56的適用材料包括但不限于Al或Ag之一。磷光體層24形成在第三導電層56上，該第三導電層用于釋放磷光體層24中聚集的電子。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件50-1的示意圖。見圖5B，除反射層52和介電層53之外，F(xiàn)ED器件50-1具有與圖5A中示出的FED器件50類似的結(jié)構(gòu)。反射層52，其材料和尺寸參數(shù)與圖4A中示出的反射層42類似，用于增強FED50-1的發(fā)光。介電層53，其材料和尺寸參數(shù)與圖4A中示出的介電層43類似，用于在FED器件50-1的反射層52和導電層23、25之間提供電隔離。
圖5C是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件50-2的示意圖。見圖5C，F(xiàn)ED器件50-2包括金屬襯底51、介電層54、第一導電層55、第一發(fā)射體層58、第二導電層57和第二發(fā)射體層59。金屬襯底51用作反射磷光體層24發(fā)出的光的反射層。介電層54提供金屬襯底51和第一導電層55與第二導電層57之間必要的電隔離。第一導電層55包括面向磷光體層24的傾斜側(cè)壁55-1。同樣，第二導電層57包括面向磷光體層24的傾斜側(cè)壁57-1。傾斜側(cè)壁55-1或57-1與介電層54的頂表面(未標出)之間的角度θ約為60°。傾斜側(cè)壁55-1和57-1有助于減小第一發(fā)射體層58或第二發(fā)射體層59不連續(xù)的可能性，反之在僅具有垂直側(cè)壁的導電層中會發(fā)生不連續(xù)。
圖5D是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件50-3的示意圖。見圖5D，除了金屬襯底51上的介電層54-1不連續(xù)延伸之外，F(xiàn)ED器件50-3具有與圖5C中示出的FED器件50-2類似的結(jié)構(gòu)。磷光體層24設(shè)置在金屬襯底51上，該金屬襯底51用作磷光體層的基底。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件60的示意圖。見圖6，F(xiàn)ED器件60包括襯底62、多個第一電極63、多個第二電極65、和多個磷光體層64。形成在襯底62上的多個第一電極63的每一個，具有與前述的第一導電層23類似的結(jié)構(gòu)，用作陰極。形成在襯底62上的多個第二電極65的每一個，具有與前述的第二導電層25類似的結(jié)構(gòu)，用作陽極。形成在襯底62上的多個磷光體層64的每一個，設(shè)置在多個第一電極63之一和多個第二電極65之一之間。FED器件60除顯示器件之外還用作光源。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例的FED器件70的示意圖。見圖7，用作光源或像素的FED器件70包括襯底72，第一電極73-1、73-2和73-3，第二電極75-1、75-2和75-3，和磷光體層74-R、74-G和74-B。發(fā)射紅光的磷光體層74-R設(shè)置在第一電極73-1和第二電極75-1之間，它們一起形成FED器件70的第一子像素。另外，發(fā)射綠光的磷光體層74-G設(shè)置在第一電極73-2和第二電極75-2之間，它們一起形成FED器件70的第二子像素。另外，發(fā)射藍光的磷光體層74-B設(shè)置在第一電極73-3和第二電極75-3之間，它們一起形成FED器件70的第三子像素。
圖8是示例根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的FED器件操作方法的流程圖。見圖8，步驟81，提供襯底。接著，步驟82，提供形成在襯底上的第一導電層和形成在襯底上的第二導電層。第一導電層與第二導電層相隔開。步驟83，在第一導電層和第二導電層上提供發(fā)射體。接著，步驟84，提供形成在襯底上并設(shè)置于第一導電層和第二導電層之間的磷光體層。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解在組裝后，將磷光體層、第一導電層、第二導電層和發(fā)射體保持在例如約10-6Torr的真空中，以保證連續(xù)、精確的電子發(fā)射。步驟85，第一導電層偏置處于第一電壓電平，第二導電層偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平。步驟86，從第一導電層或第二導電層中之一發(fā)射出電子，沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)過磷光體層到達第一導電層或第二導電層中另一。
在所述本發(fā)明的典型實施例中，按照特定的順序步驟給出了本發(fā)明的方法和/或工藝的說明。然而，該方法或工藝一定程度上并不依賴于這里給出的特定順序步驟，該方法或工藝不應(yīng)當限于所述的特定順序步驟。本領(lǐng)域任一技術(shù)人員將意識到可能有其它順序步驟。因此，說明書中給出的特定順序步驟不應(yīng)當為對權(quán)利要求的限制。而且，針對本發(fā)明的方法和/或工藝的權(quán)利要求不應(yīng)當限制為按照寫出的順序步驟執(zhí)行，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員易于意識到可以改變次序并仍保持在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到可以改變所述的優(yōu)選實施例而不脫離其概括創(chuàng)造性觀點。因此可以理解本發(fā)明不限于公開的優(yōu)選實施例，但意圖覆蓋由附加權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的變形。
權(quán)利要求
1.一種場致發(fā)射器件，其特征是包括襯底；形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的第一導電層；形成在襯底上偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平的第二導電層；形成在第一導電層和第二導電層上用于發(fā)射電子的發(fā)射體；和形成在設(shè)置于第一導電層和第二導電層之間的襯底上的磷光體層，其中從第一導電層或第二導電層中之一發(fā)射出電子、沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)過磷光體層到達第一導電層或第二導電層中另一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是還包括形成在襯底上的反射層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征是還包括形成在反射層上的介電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征是第一導電層和第二導電層設(shè)置在介電層上，磷光體層設(shè)置在反射層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征是第一導電層、第二導電層和磷光體層設(shè)置在介電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是發(fā)射體包括尖端，形成在至少第一導電層或第二導電層之一上的發(fā)射體的尖端指向一個方向，以促進電子發(fā)射。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是還包括形成在襯底和磷光體層之間的第三導電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征是還包括形成在介電層和磷光體層之間的第三導電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是發(fā)射體包括碳納米管、碳納米片、碳納米壁、金剛石膜、類金剛石碳膜、GaN、GaB、Si、W膜、Mo膜、ZnO或桿陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是襯底包括玻璃、聚合物、特氟綸、陶瓷、提供有氧化硅膜的硅層或提供有氮化硅膜的硅層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征是襯底包括金屬襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征是至少第一導電層或第二導電層之一包括朝向磷光體層的傾斜側(cè)壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征是磷光體層設(shè)置在金屬襯底上。
14.一種場致發(fā)射器件，其特征是包括襯底；形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的第一電極；形成在襯底上偏置處于大于第一電壓電平的第二電壓電平的第二電極；相應(yīng)于第一電極、用于沿著與襯底的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子的第一發(fā)射體；和相應(yīng)于第二電極、用于接收從第一發(fā)射體發(fā)射出的電子的第二發(fā)射體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其特征是還包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間、電子可以經(jīng)過其發(fā)射的的磷光體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其特征是還包括覆蓋第一電極和第二電極的磷光體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其特征是還包括形成在襯底上的反射層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其特征是還包括形成在反射層上的介電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其特征是還包括形成在襯底和磷光體層之間的第三導電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其特征是還包括形成在襯底上的磷光體層和形成在介電層和磷光體層之間的第三導電層。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其特征是還包括形成在介電層上的磷光體層。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其特征是還包括形成在反射層上的磷光體層。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其特征是第一發(fā)射體包括指向磷光體層的尖端。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的的器件，其特征是第二發(fā)射體包括指向磷光體層的尖端。
25.一種場致發(fā)射器件，其特征是包括形成在表面水平上的第一電極；形成在大致相同的表面水平上與第一電極隔開設(shè)置的第二電極；和形成在第一電極和第二電極上、用于沿著與表面水平的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子的發(fā)射體。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的器件，其特征是還包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間、電子可以經(jīng)過其發(fā)射的的磷光體層。
27.一種場致發(fā)射器件，其特征是包括襯底；形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的多個第一電極；形成在襯底上偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平的多個第二電極；形成在襯底上的多個磷光體層，多個磷光體層各自設(shè)置在多個第一電極之一和多個第二電極之一之間；和形成在多個第一電極中的每一個和多個第二電極中的每一個上、用于發(fā)射電子經(jīng)過多個磷光體層的發(fā)射體。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的器件，其特征是還包括形成在襯底上的反射層。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的器件，其特征是還包括形成在反射層砂鍋內(nèi)的介電層。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的器件，其特征是還包括設(shè)置在多個磷光體層中的每一個和襯底之間的金屬層。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的器件，其特征是還包括設(shè)置在多個磷光體層中的每一個和介電層之間的金屬層。
32.一種場致發(fā)射器件，其特征是包括襯底；形成在襯底上、包括第一陰極、用于發(fā)射紅光的第一單元，第一陽極和設(shè)置在第一陰極和第一陽極之間的第一磷光體層；形成在襯底上、包括第二陰極、用于發(fā)射綠光的第二單元，第二陽極和設(shè)置在第二陰極和第二陽極之間的第二磷光體層；形成在襯底上、包括第三陰極、用于發(fā)射藍光的第三單元，第三陽極和設(shè)置在第三陰極和第三陽極之間的第三磷光體層；和形成在每個第一、第二和第三陰極和每個第一、第二和第三陽極上用于發(fā)射電子經(jīng)過第一、第二和第三磷光體層的發(fā)射體。
33.根據(jù)權(quán)利要求22所述的器件，其特征是第一單元、第二單元和第三單元形成為一個陣列。
34.一種場致發(fā)射器件的操作方法，其特征是包括提供襯底；在襯底上提供第一導電層；在襯底上提供第二導電層；在第一導電層和第二導電層上提供發(fā)射體；在第一導電層和第二導電層之間的襯底上提供磷光體層；偏置第一導電層處于第一電壓電平；偏置第二導電層處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平；和從第一導電層或第二導電層中之一發(fā)射電子、沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)磷光體層到達第一導電層或第二導電層中另一。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其特征是還包括由磷光體層提供反射光。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其特征是還包括使發(fā)射體的尖端指向一個方向，以促進電子的發(fā)射。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其特征是還包括釋放磷光體層中聚集的電子。
38.一種場致發(fā)射器件的操作方法，其特征是包括提供襯底；在襯底上提供第一電極；偏置第一電極處于第一電壓電平；在襯底上提供第二電極；偏置第二電極處于大于第一電壓電平的第二電壓電平的第二電極；相應(yīng)于第一電極、提供第一發(fā)射體；相應(yīng)于第二電極、提供第二發(fā)射體；和從第一發(fā)射體沿著與襯底的法線方向大致正交的方向向第二發(fā)射體發(fā)射電子。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征是還包括在第一電極和第二電極之間提供磷光體層。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征是還包括提供覆蓋第一電極和第二電極的磷光體層。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征是還包括使第一電極指向磷光體層。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征是還包括使第二電極指向磷光體層。
43.一種場致發(fā)射器件的操作方法，其特征是包括在表面水平上提供第一電極；在大致相同的表面水平上、與第一電極隔開提供第二電極；在第一電極和第二電極上提供發(fā)射體；和沿著與表面水平的法線方向大致正交的方向發(fā)射電子。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征是還包括在第一電極和第二電極之間提供磷光體層。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征是還包括由磷光體層提供反射光。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征是還包括釋放磷光體層中聚集的電子。
全文摘要
一種場致發(fā)射器件，包括襯底，形成在襯底上偏置處于第一電壓電平的第一導電層，形成在襯底上偏置處于不同于第一電壓電平的第二電壓電平的第二導電層，形成在第一導電層和第二導電層上用于發(fā)射電子的發(fā)射體，和形成在設(shè)置于第一導電層和第二導電層之間的襯底上的磷光體層，其中從第一導電層或第二導電層之一發(fā)射出電子、沿著與襯底的法線方向大致正交的方向經(jīng)過磷光體層到達另一第一導電層或第二導電層。
文檔編號H01J29/02GK1959917SQ20051013528
公開日2007年5月9日 申請日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月26日
發(fā)明者李中裕, 陳世溥, 林依萍, 黃朝琴, 蕭清松 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院