專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板的結構。
背景技術：
面放電式交流型等離子顯示面板(以下稱為PDP)的結構是，在將封入了放電氣體的放電空間夾在中間的相互對置的2枚玻璃基板中的一側的玻璃基板上，在列方向上并列設置向行方向延伸的行電極對，在另一側的玻璃基板上，在行方向上并列設置向列方向延伸的列電極，在放電空間的行電極對與列電極分別交叉的部分上，矩陣形狀地形成有單位發(fā)光區(qū)域(放電單元)，并且在放電空間內的各個單位發(fā)光區(qū)域中，形成有按紅、綠、藍分色的熒光體層。
而且，在該PDP中，在為了覆蓋行電極和列電極而形成的電介質層上的面對單位發(fā)光區(qū)域內的位置上，形成有具有電介體層的保護功能和向單位發(fā)光區(qū)域內進行2次電子放電功能的氧化錳(MgO)膜。
近年來，在這種結構的PDP中，在2枚玻璃基板之間形成大致柵格形狀的隔壁，由該隔壁將放電空間劃分為每個單位發(fā)光區(qū)域的結構成為主流。
這種結構的以往的PDP例如被記載在特開2000-285808號公報中。
在具有這樣的隔壁的PDP中，通過在隔壁的側面也形成熒光體層來增加熒光體層的表面面積，這樣，雖然具有可提高亮度的優(yōu)點，但其不利的一面是，在通過形成隔壁而使得在列方向相鄰的單位發(fā)光區(qū)域之間被封閉的情況下，由于在列方向上的單位發(fā)光區(qū)域之間的放電粒子的移動減少，所以，會產生例如為了選擇使其發(fā)光的單位發(fā)光區(qū)域的地址放電的放電概率惡化的問題。
因此，本發(fā)明的課題之一就是解決在上述以往的具有把單位發(fā)光區(qū)域劃分成柵格狀的隔壁的PDP中所存在的問題。

發(fā)明內容
為了解決上述的問題，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板，具有隔著放電空間相對置的前面基板和背面基板、形成在該前面基板和背面基板中的任意一個基板上的多個行電極對和列電極、覆蓋行電極對的電介質層、覆蓋該電介質層的保護層、形成在前面基板與背面基板之間，對應每個在行電極對與列電極的交叉部分上所構成的單位發(fā)光區(qū)域，劃分放電空間的隔壁，其特征在于，所述隔壁形成為具有包圍單位發(fā)光區(qū)域的橫壁部和縱壁部的大致柵格形狀，所述保護層具有包含氧化錳結晶體的結晶氧化錳層，該氧化錳結晶體通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內具有峰值的陰極發(fā)光。
而且，本發(fā)明把具有以下結構的PDP作為最佳實施方式，該PDP的結構是，在前面玻璃基板與背面玻璃基板之間，設有向行方向延伸的行電極對；和向列方向延伸的、在與行電極對的交叉部分的放電空間形成放電單元的列電極，由具有縱壁和橫壁且形成為柵格形狀的隔壁將放電空間劃分成每個放電單元，由保護層將覆蓋行電極對的電介質層的表面覆蓋，該保護層具有包含氧化錳結晶體的結晶氧化錳層，該氧化錳結晶體通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內(尤其是230～250nm內，235nm附近)具有峰值的陰極發(fā)光。
本實施方式的PDP由于構成電介質層的保護層的結晶氧化錳層包含通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內具有峰值的陰極發(fā)光的氧化錳結晶體，所以，即使在通過具有柵格形狀的隔壁而將相鄰的放電單元封閉的情況下，也可以防止放電單元內所產生的放電的放電概率的惡化，可達到由于設置了隔壁而提高了PDP的亮度以及灰度級數(shù)的效果和提高放電概率的效果。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的實施例的主視圖。
圖2是圖1中的V-V線的剖面圖。
圖3是圖1中的W-W線的剖面圖。
圖4是表示在該實施例中，在薄膜錳層上形成有結晶錳層的狀態(tài)的剖面圖。
圖5是表示在該實施例中，在結晶錳層上形成有薄膜錳層的狀態(tài)的剖面圖。
圖6是表示具有立方體的單結晶結構的氧化錳單結晶體的SEM照片像的圖。
圖7是表示具有立方體的多重結晶結構的氧化錳單結晶體的SEM照片像的圖。
圖8是表示該實施例中的氧化錳單結晶體的粒徑與CL發(fā)光的波長的關系的曲線圖。
圖9是表示在該實施例中的氧化錳單結晶體的粒徑與235nm的CL發(fā)光的強度的關系的曲線圖。
圖10是表示從利用蒸鍍法而形成的氧化錳層發(fā)出的CL發(fā)光的波長的狀態(tài)的曲線圖。
圖11是表示從氧化錳單結晶體發(fā)出的235nm的CL發(fā)光的峰值強度與放電延遲的關系的曲線圖。
圖12是表示對只利用采用蒸鍍法形成的氧化錳層構成保護層的情況與構成結晶錳層和采用蒸鍍法形成的薄膜錳層的雙層結構的情況，進行放電延遲特性的比較的圖。
圖13是表示在該實施例中形成有單層的結晶錳層的狀態(tài)的剖面圖。
具體實施例方式圖1至圖3表示本發(fā)明的PDP的實施方式的一個實施例，圖1是表示本發(fā)明的實施方式的實施例的主視圖，圖2是圖1中的V-V線的剖面圖，圖3是圖1中的W-W線的剖面圖。
該圖1至圖3所示的PDP在作為顯示面的前面玻璃基板1的背面上排列配置有向前面玻璃基板1的行方向(圖1的左右方向)延伸的多個行電極對(X、Y)。
行電極X包括由形成為T字狀的ITO等透明導電膜構成的透明電極Xa、和由向前面玻璃基板1的行方向延伸，且與透明電極Xa的狹小基端部連接的金屬膜構成的總線電極Xb。
行電極Y也是同樣，包括由形成為T字狀的ITO等透明導電膜構成的透明電極Ya、和由向前面玻璃基板1的行方向延伸，連接在透明電極Ya的狹小基端部上的金屬膜構成的總線電極Yb。
這些行電極X、Y被配置成在前面玻璃基板1的列方向(圖1的上下方向)上相互交叉，被沿著總線電極Xb和Yb并列配置的各個透明電極Xa和Ya向相互成為一對的對方的行電極一側延伸，透明電極Xa和Ya的寬幅部的頂邊隔著所需寬度的放電間隙g分別相互對置。
在前面玻璃基板1的背面上，在列方向相鄰的行電極對(X、Y)的相互背對背的總線電極Xb和Yb之間形成有沿著該總線電極Xb、Yb，向行方向延伸的黑色或暗色的光吸收層(遮光層)2。
并且，在前面玻璃基板1的背面上形成有覆蓋行電極對(X、Y)的電介質層3，在該電介質層3的背面上，在面對相鄰的行電極對(X、Y)的背對背相鄰的總線電極Xb和Yb的位置，以及在面對相鄰的電極總線電極Xb、Yb之間的區(qū)域部分的位置上，與總線電極Xb、Yb平行地形成從電介質層3的背面?zhèn)韧怀龅耐蛊痣娊橘|層3A。
在該電介質層3和凸起電介質層3A的背面?zhèn)壬希纬刹捎谜翦兎ɑ驗R射法而形成的薄膜氧化錳層(以下稱為薄膜氧化錳層)4，并使該薄膜氧化錳層覆蓋電介質層3和凸起電介質層3A的全體背面。
而且，在該薄膜氧化錳層4的背面?zhèn)壬?，形成具有包含如后述的立方體結晶結構的氧化錳結晶體的氧化錳層(以下稱為結晶氧化錳層)5。
該結晶氧化錳層5形成在薄膜氧化錳層4的背面的全體或一部分上，例如形成在面對后述的放電單元的部分上(在圖示的例中，表示結晶氧化錳層5形成在薄膜氧化錳層4的全體背面上的示例)。
另一方面，在平行于前面玻璃基板1配置的背面玻璃基板6的顯示側的面上，相互離開規(guī)定的間隔平行地配置列電極D，并使該列電極D在面對各個行電極對(X、Y)的相互成為一對的透明電極Xa和Ya的位置上，向與行電極對(X、Y)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板6的顯示側的面上，進一步形成覆蓋列電極D的白色列電極保護層(電介質層)7，在該列電極保護層7上形成隔壁8。
該隔壁8形成為由在面對各個行電極對(X、Y)的總線電極Xb、和Yb的位置上在列方向上并列設置的向行方向延伸的多個橫壁8A、和在相鄰的列電極D之間的中間位置上在行方向并列設置的向列方向延伸的多個縱壁8B組成的大致柵格形狀。
而且，在該隔壁8的橫壁8A上形成有向行方向延伸的間隙SL。
由具有該柵格形狀的隔壁8，把前面玻璃基板1和背面玻璃基板6之間的放電空間S，對應每個形成在各個行電極對(X、Y)中的面對相互成為一對的透明電極Xa和Ya的部分上的放電單元C，劃分成各個方形區(qū)域。
在面對放電空間S的隔壁8的橫壁8A和縱壁8B的側面和列電極保護層7的表面上形成覆蓋全部這些5個面的熒光體層9，在每個放電單元C中，在行方向上按照紅、綠、藍三原色的順序排列配置該熒光體層9的顏色。
凸起電介質層3A通過使被該凸起電介質層3A覆蓋的結晶氧化錳層5(或，在結晶氧化錳層5只形成在面對薄膜氧化錳層4的背面的放電單元C的部分上的情況下，是薄膜氧化錳層4)抵接在隔壁8的橫壁8A的顯示側的面上(參照圖2)，分別將放電空間與形成在橫壁8A上的間隙SL之間的空間封閉，然而不與縱壁8B的顯示側的面抵接(參照圖3)，在其間形成間隙r，在行方向上相鄰的放電單元C通過該間隙r相互連通。
在放電空間5內，封入包含氙氣的放電氣體。
上述的結晶氧化錳層5是通過采用噴涂法或靜電涂敷法等的方法將上述的氧化錳結晶體附著在覆蓋電介質層3及凸起電介質層3A的薄膜氧化錳層4的背面?zhèn)鹊谋砻嫔隙纬傻摹?br> 另外，在本實施例中，對在電介質層3和凸起電介質層3A的背面上形成薄膜氧化錳層4，在該薄膜氧化錳層4的背面上形成結晶氧化錳層5的示例進行了說明，但也可以先在電介質層3和凸起電介質層3A的背面上形成了結晶氧化錳層5，然后再在該結晶氧化錳層5的背面上形成薄膜氧化錳層4。
圖4表示在電介質層3的背面上形成薄膜氧化錳層4，通過采用噴涂法或靜電涂敷法等的方法將氧化錳結晶體附著在該薄膜氧化錳層4的背面上而形成結晶氧化錳層5的狀態(tài)。
另外，圖5表示在通過采用噴涂法或靜電涂敷法等的方法將氧化錳結晶體附著在電介質層3的背面上而形成了結晶氧化錳層5之后，形成薄膜氧化錳層4的狀態(tài)。
上述PDP的單結晶氧化錳層5是通過使用下述的材料和方法而形成的。
即，成為結晶氧化錳層5的形成材料的、通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內(特別是在230～250nm內、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光的氧化錳結晶體，例如包含通過把加熱錳所產生的錳蒸汽進行氣相氧化而獲得的錳的單結晶體(把該錳的單結晶體稱為氣相法氧化錳單結晶體)，在該氣相法氧化錳單結晶體中包含例如圖6的SEM照片圖像所示那樣的具有立方體的單結晶結構的氧化錳單結晶體、和圖7的SEM照片圖像所述那樣的具有立方體的結晶體相互嵌合的結構(即，立方體的多重結晶結構)的氧化錳單結晶體。
該氣相法氧化錳單結晶體如后述的那樣，可達到減少放電延遲等改善放電特性的效果。
而且，該氣相法氧化錳單結晶體如果與通過其他方法所獲得的氧化錳相比較，則具有可獲得高純度的微顆粒，并且顆粒的凝集少等的特征。
在本實施例中，使用了通過BET法的測定，其平均粒徑為大于等于500埃(優(yōu)選大于等于2000埃)的氣相法氧化錳單結晶體。
另外，關于氣相法氧化錳單結晶體的合成，在《材料》昭和62年11月號、第36卷第410號的第1157～1161頁的《采用氣相法的錳粉末的合成及其性質》等中進行了說明。
如上所述，該結晶氧化錳層5是通過采用噴涂法或靜電涂敷法等的方法來附著氣相法氧化錳單結晶體而形成。
在上述PDP中，為形成圖像的復位放電和地址放電以及維持放電在放電單元C內進行。
而且，在放電單元C內發(fā)生了復位放電時，由于在該放電單元C內形成有結晶氧化錳層5，所以可長時維持復位放電的起始效果，由此，即使在列方向上相鄰的放電單元C之間如上述的那樣被隔壁8的橫壁8A和凸起電介質層3A封閉的情況下，也可以提高在該復位放電之后進行的地址放電的放電概率。
如圖8和圖9所示，上述PDP通過由氣相法氧化錳單結晶體來形成結晶氧化錳層5，在通過放電所產生的電子射線的照射下，被激勵，從被包含在結晶氧化錳層5中的粒徑大的氣相法氧化錳單結晶體發(fā)出在300～400nm具有峰值的CL發(fā)光，并且發(fā)出在波長區(qū)域為200～300nm內(特別是在230～250nm、235附近)具有峰值的CL發(fā)光。
如圖10所示，從采用通常的蒸鍍法而形成的氧化錳層4(本實施例中的薄膜氧化錳層4)不發(fā)出該235nm具有峰值的CL發(fā)光，而是發(fā)出在300～400nm內具有峰值的CL發(fā)光。
另外，如圖8和圖9所示，氣相法氧化錳單結晶體的粒徑越大，其所發(fā)出的在波長區(qū)域為200～300nm內(特別是在230～250nm、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光的峰值強度就越大。
由于存在在波長區(qū)域為200～300nm具有峰值的CL發(fā)光，所以可推測出能夠進一步改善放電特性(減少放電延遲、提高放電概率)。
即，基于該結晶氧化錳層5的放電特性的改善(減少放電延遲、提高放電概率)，是根據(jù)進行在波長區(qū)域為200～300nm內(特別是在230～250nm內、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光的氣相法氧化錳單結晶體具有與其峰值波長對應的能量級，根據(jù)其能量級可長時間地(數(shù)msec以上)吸收電子，通過在電場的作用下取出該電子，可獲得開始放電時所需要的初期電子的原因來推測的。
而且，基于該氣相法氧化錳單結晶體的放電特性的改善效果(減少放電延遲、提高放電概率)，在波長區(qū)域為200～300nm內(特別是在230～250nm內、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光越強則其效果就越明顯的原因是，在CL發(fā)光強度與氣相法氧化錳單結晶體的粒徑之間也存在著相關關系。
即，可認為是在要形成大粒徑的氣相法氧化錳單結晶體時，由于需要在產生錳蒸汽時提高加熱溫度，所以錳與氧氣發(fā)生反應的火焰的長度變長，該火焰與周圍的溫度差變大，因此，越是粒徑大的氣相法氧化錳單結晶體，與上述的CL發(fā)光的峰值波長(例如，230～250nm內，235nm附近)對應的能量級就形成得越多。
另外，關于立方體的多重結晶結構的氣相法氧化錳單結晶體，由于包含多個結晶面缺欠，所以可以推測，該面缺欠能量級的存在有助于放電概率的改善。
另外，形成結晶氧化錳層5的氣相法氧化錳單結晶體的粒徑(DBET)可采用氮素吸附法測定出BET表面面積比(s)，利用該值通過下面的算式計算出。
DBET＝A/s×ρA形狀計數(shù)(A＝6)ρ錳的真密度圖11是表示CL發(fā)光強度于放電延遲的相關關系的曲線圖。
從該圖11中可看出，從結晶氧化錳層5激勵的235nm的CL發(fā)光可縮短PDP的放電延遲，并且，該235nm的CL發(fā)光強度越強，則放電延遲就越短(提高了放電概率)。
圖12是表示對如上述那樣PDP具有薄膜氧化錳層4和結晶氧化錳層5的雙層結構的情況(曲線a)，與以往的PDP那樣的只形成了采用蒸鍍法形成的氧化錳層的情況(曲線b)的情況進行放電延遲特性的比較的圖。
由該圖12可知，PDP由于具有薄膜氧化錳層4和結晶氧化錳層5的雙層結構，與以往的只具有采用蒸鍍法形成的薄膜氧化錳層的PDP相比，其放電延遲特性得到了顯著的改善。
如上所述，上述的PDP通過在采用蒸鍍法等形成的以往的薄膜氧化錳層4的基礎上，疊層形成包含通過電子射線的激勵進行在波長區(qū)域為200～300nm內具有峰值的CL發(fā)光的氧化錳結晶體的結晶氧化錳層5，即使在通過具有柵格形狀的隔壁8而將在列方向上相鄰的放電單元C之間封閉的PDP中，也可以防止地址放電的放電概率的惡化，并且同時達到因設置隔壁8而提高的PDP的亮度和增加的灰度級數(shù)的效果以及提高了放電概率的效果。
對于形成該結晶氧化錳層5的氧化錳結晶體，使用利用BET法測定的其平均粒徑為500埃以上的結晶體，理想的是使用粒徑為2000～4000埃的結晶體。
如上所述，結晶氧化錳層5不一定必須形成為覆蓋薄膜氧化錳層4的全體面，也可以形成為局部的圖形化，例如形成對應與電極X、Y的透明電極Xa、Ya對置的部分的圖形，或相反地形成對應與透明電極Xa、Ya對置的部分以外的部分的圖形。
在局部地形成該結晶氧化錳層5的情況下，結晶氧化錳層5的與薄膜氧化錳層4的面積比被設定為，例如0.1～85％。
另外，在以上的說明中，是把本發(fā)明應用在，反射型交流PDP中的示例進行了說明，該反射型交流PDP在前面玻璃基板1上形成行電極對，并用電介質層覆蓋，在背面玻璃基板側形成了熒光體層和列電極，但本發(fā)明還可以應用于在前面玻璃基板側形成行電極對和列電極，并用電介質層覆蓋，在背面玻璃基板側形成了熒光體層的反射型交流PDP；在前面玻璃基板側形成熒光體層，在背面玻璃基板側形成行電極對和列電極，并用電介質層覆蓋的透射型交流PDP；在放電空間的行電極對于列電極的交叉部分上形成放電單元的三電極型交流PDP；以及在放電空間的行電極與列電極的交叉部分上形成放電單元的二電極型交流PDP等各種形式的PDP中。
另外，在上述的說明中，對通過采用噴涂法或靜電涂敷法等的方法進行附著來形成結晶氧化錳層5的示例進行了說明，但也可以通過把含有氧化錳結晶體的漿料采用絲網(wǎng)印刷法或膠版印刷法、分配法、噴墨法以及滾涂法等的方法進行涂敷來形成結晶氧化錳層5，另外，也可以把含有氧化錳結晶體的漿料涂敷在支撐膠片上，使其干燥而形成膠片狀，把其疊層在薄膜氧化錳層上。
另外，在上述的說明中，對通過在薄膜氧化錳層4上疊層結晶氧化錳層5而形成的雙層結構的PDP進行了說明，但也可以是如圖13所示那樣的，在電介質層3上只形成單層的單結晶氧化錳層5的單層結構。
另外，在上述的PDP中，也可以在電介質層上不形成凸起部，而通過把隔壁的橫壁的一部分或全體降低為低于縱壁，來確保在列方向相鄰的放電單元之間的排氣通路，或者通過使縱壁的一部分或全體低于橫壁，來確保在行方向相鄰的放電單元之間的排氣通路。
權利要求
1.一種等離子顯示面板，具有隔著放電空間相互對置的前面基板和背面基板、形成在該前面基板和背面基板中的任意一個基板上的多個行電極對和列電極、覆蓋行電極對的電介質層、覆蓋該電介質層的保護層、形成在前面基板與背面基板之間，對應每個在行電極對與列電極的交叉部分上所構成的單位發(fā)光區(qū)域，劃分放電空間的隔壁，其特征在于，所述隔壁形成為具有包圍單位發(fā)光區(qū)域的橫壁部和縱壁部的大致柵格形狀，所述保護層具有包含氧化錳結晶體的結晶氧化錳層，該氧化錳結晶體通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內具有峰值的陰極發(fā)光。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，構成所述行電極對的各個行電極具有向行方向延伸的電極主體部、和多個電極突出部，所述多個電極突出部從該電極主體部向成為一對的另一方的行電極側突出，隔著放電間隙相互對置，并且分別與單位發(fā)光區(qū)域對置。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述電極突出部具有與隔著放電間隙成為一對的另一方的電極突出部對置的寬幅部、和連接該寬幅部和電極主體部的窄幅部。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述隔壁的橫壁部具有高度比縱壁部低的部分。
5.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述隔壁的縱壁部具有高度比橫壁部低的部分。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體是采用氣相氧化法生成的氧化錳單結晶體。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體進行在230～250nm內具有峰值的陰極發(fā)光。
8.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體具有大于等于500埃的粒徑。
9.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體具有大于等于2000埃的粒徑。
10.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體是具有立方體的單結晶結構的氧化錳單結晶體。
11.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化錳結晶體是具有立方體的多重結晶結構的氧化錳單結晶體。
12.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述保護層具有由結晶氧化錳層和通過蒸鍍或濺射而形成的薄膜氧化錳層構成的疊層結構。
13.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述保護層具有由結晶氧化錳層構成的單層結構。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示面板，其具有隔著放電空間相對置的前面基板和背面基板、形成在該前面基板上的行電極對、覆蓋該行電極對的電介質層、覆蓋該電介質層的保護層、和將放電空間劃分成每個放電單元的隔壁，隔壁具有大致柵格形狀，保護層具有包含氧化錳結晶體的結晶氧化錳層，該氧化錳結晶體通過電子射線的激勵，進行在波長區(qū)域為200～300nm內具有峰值的陰極發(fā)光。
文檔編號H01J11/40GK1773659SQ20051011563
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月8日 優(yōu)先權日2004年11月8日
發(fā)明者大藤敬士, 土屋國幹 申請人:日本先鋒公司