專利名稱：成像裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種成像裝置，這種裝置通過將從電子源發(fā)出的電子束照射到熒光膜上來顯示圖像，所述熒光膜是使熒光膜的熒光體發(fā)光的圖像顯示部件。
背景技術：
傳統(tǒng)上，在將從電子源發(fā)出的電子束照射到熒光膜(是使熒光膜的熒光體發(fā)光以便顯示圖像的圖像顯示部件)上的裝置中，必需使其內包括電子源和圖像顯示部件的真空室內部保持高度真空。其原因是，當氣體在真空室內產生從而提高室內的壓力時，壓力的上升對電子源具有有害的影響，使得電子源的電子發(fā)射量減少，因此不可能顯示明亮的圖像，盡管影響程度隨著氣體的種類而改變。而且，在這種情形下，有可能在內部發(fā)生放電，從而損壞裝置。
通常，圖像顯示裝置的真空室是通過將玻璃元件和粘附接合部分與玻璃料等合并而形成的。接合完成之后的壓力維持是由安裝在真空室內的吸氣材料來實施的。
平板成像裝置通常在其上配有電子源的基底與其上配有圖像顯示部件的另一基底之間具有狹窄的間隔。而且，由于配置了用于保持真空室等的支撐部件，因此阻礙了氣流，并且平板成像裝置處于電導惡劣的狀態(tài)中。
為了解決這個問題，提出了這樣一種構造將吸氣材料布置在圖像顯示區(qū)中，以便吸收生成氣體中的活性氣體(參見例如，日本待公開專利申請H04-12436)。
而且，為了消耗不能被吸氣材料消耗的惰性氣體，還提出了這樣一種構造將離子泵在外部附著到薄板顯示裝置的真空室主體上(參見例如，日本待公開專利申請H05-121012)。
而且，提出了這樣一種構造用于電離惰性氣體的電子源配置在平板上的圖像顯示區(qū)之外被稱作犧牲區(qū)的地方，并用作建立在平板上的離子泵(參見例如，USP6,107,745)。
另外，在通常的CRT中，陰極被布置在電子束電離的離子不照射的位置上。
然而，利用日本待公開專利申請H04-12436中公開的常規(guī)技術，由吸氣材料消耗的氣體是活性氣體，而惰性氣體例如Ar和He則很難被消耗。而且，由于諸如Ar是惰性氣體中重量較重的，因此就有這樣的問題存在當Ar在電離之后被強電場加速時，電子源就遭到嚴重破壞。
而且，利用日本待公開專利申請H05-121012中公開的常規(guī)技術，有可能外部的離子泵不能克服惰性氣體在具有惡劣電導率的平板圖像顯示裝置中的局部壓力上升的問題。另外，由于電子束被離子泵中所用的磁場所偏轉，因此一些對策例如磁性屏蔽是必需的。這樣，常規(guī)技術還具有成本高的問題。
而且，在USP6,107,745公開的常規(guī)技術中，由于電子束配置在圖像顯示區(qū)之外，因此平板圖像顯示裝置受電導率的影響，并且有可能平板圖像顯示裝置不能克服局部壓力上升的問題。另外，由于離子泵的布置僅僅在圖像區(qū)之外，并且由于電離惰性氣體的電子束本身具有可能惡化的構造，因此有可能不能獲得足夠的消耗速度和足夠的總消耗量。
而且，難以將通常的CRT技術應用到平板圖像顯示裝置上。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是，提供一種圖像顯示裝置，這種裝置能夠減少由平板上存在的惰性氣體所導致的電子源損失，并且能夠消耗惰性氣體。
再者，本發(fā)明的另一個目的是，提供一種老化惡變較小以及亮度的空間分布較小的成像裝置。


圖1是本發(fā)明的一個成像裝置實施例的結構透視圖，示出了部分破裂開的狀態(tài)；圖2A和2B表示出沿圖1的x0-x1線所作的剖面圖；圖2A是其部分視圖；圖2B是圖2A所示部分A的放大視圖；圖3A和3B表示出沿圖1的y0-y1線所作的剖面圖；圖3A是其部分視圖；圖3B是圖3A所示部分B的放大視圖；圖4的視圖表示出從圖1所示電子源基底1發(fā)出的電子4的電子軌跡6；圖5的視圖表示出電離截面積x濺射量與能量的依存關系，可用作圖1和4所示電子源基底1的惡化系數；圖6是圖1所示成像裝置中所用的多電子束源的電子源基底1的平面圖；圖7A和7B是圖1所示成像裝置的第二實例的剖面圖；圖7A是其部分視圖；圖7B是圖7A所示部分C的放大視圖；圖8A和8B是圖1所示成像裝置的第三實例的剖面圖；圖8A是其部分視圖；圖8B是圖8A所示部分D的放大視圖；圖9是圖1所示成像裝置的第四實例的一部分剖面圖；圖10A和10B是圖1所示成像裝置的第五實例的剖面圖；圖10A是其部分視圖；圖10B是圖10A所示部分E的放大視圖；圖11A、11B和11C是圖1所示成像裝置的另一實例的剖面圖；圖11A是其部分視圖；圖11B是圖11A所示部分F的放大視圖；圖11C是圖11A所示部分G的放大視圖；圖12A和12B是圖1所示成像裝置的第七實例的剖面圖；圖12A是其部分視圖；圖12B是圖12A所示部分H的放大視圖；圖13的視圖表示出圖1所示成像裝置的第八實例中的面板2和背板8的構造；
圖14A和14B是圖1所示成像裝置的第九實例的剖面圖；圖14A是其部分視圖；圖14B是圖14A所示部分I的放大視圖；圖15的視圖表示出圖1所示成像裝置的第九實例中的面板2和背板8的構造；圖16的視圖表示出圖1所示成像裝置的第十實例中的面板2的構造；圖17A和17B的視圖表示出圖1所示成像裝置的第11實例中的面板2的構造；圖17A是其表面的視圖；圖17B是圖17A所示部分J的放大視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種成像裝置，其中配有用于發(fā)射電子的電子發(fā)射器件的第一基底與配有用從電子發(fā)射器件發(fā)出的電子照射的圖像顯示部件的第二基底，彼此對置設置，從電子發(fā)射器件發(fā)出的電子將圖像顯示在圖像顯示部件上，所述裝置包括具有偏轉裝置的電子源，所述偏轉裝置使從電子發(fā)射器件發(fā)出的電子在第二基底上的照射位置偏轉；以及用于捕獲惰性氣體的惰性氣體捕獲裝置，所述捕獲裝置配置在所述照射位置的下面或附近。
由于本發(fā)明是如上所述構建的，因此本發(fā)明能夠減少由平板上存在的惰性氣體導致的電子源損失，而且還能夠消耗惰性氣體。另外，本發(fā)明能夠減小老化惡變和亮度的空間分布。
以下，參照附圖來描述本發(fā)明的實施例。
圖1是本發(fā)明的一個成像裝置實施例的結構透視圖，示出了部分破裂開的狀態(tài)。
如圖1所示，在本實施例中，真空室47是以這樣的形式構建的其中在作為第一基底的背板8和作為第二基底的面板2之間，放有支撐架46。背板8配有作為電子源的電子源基底1；從電子源基底1發(fā)射電子的電子發(fā)射器件7；以及具有氣密結構的電連接端子，所述端子用于將電源從真空室47的外部施加到電子發(fā)射器件7上。電連接端子用附圖標記Dx1-Dxm和Dy1-Dyn表示。而且，背板8配有與電連接端子Dx1-Dxm電連接的列線31，以及與電連接端子Dy1-Dym電連接的行線42。另外，背板8配有與列線31電連接的器件電極(在高壓側上)33和與行線42電連接的器件電極(在低壓側上)32。電壓通過列線31施加給器件電極33，電壓通過行線42施加給器件電極32。器件電極33和32的構建是為了將電場從真空室47的外部施加給電子發(fā)射器件7。
而且，面板2包括玻璃基底43和金屬襯墊45。金屬襯墊45設置在玻璃基底43上，并用作電極和發(fā)射光反射薄膜。從電子發(fā)射器件7發(fā)出的電子束透過金屬襯墊45。另外，面板2包括熒光膜44，該熒光膜作為發(fā)射光線的圖像顯示部件，熒光膜通過被透射過施加有高壓的金屬襯墊的電子束照射來顯示圖像。另外，面板2配有高壓端子Hv，此端子是具有氣密結構、用于將電源從真空室47的外部施加到金屬襯墊45上的電連接端子。
接下來，描述作為本發(fā)明特征部分的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
通常，當由電子源驅動器發(fā)出的電子軌跡垂直于對置的電極時，諸如存在于空氣中的Ar之類的氣體就與待電離的發(fā)射電子碰撞。電離的惰性氣體離子具有單價或多價正電荷，并且在與電子相反的方向上被電場所加速，以便促進電子與配有電子源的基底碰撞，所述電子源恰恰位于高能量的惰性氣體生成部分之下。也就是說，當從電子源發(fā)出的電子在電子源或鄰接電子源之上經過時，電離、加速的惰性氣體就與恰恰位于惰性氣體離子生成部分之下的電子源碰撞，從而使電子源損壞。
而且，由于和電子源碰撞的惰性氣體離子的質量大于電子的質量，因此電子源通過與惰性氣體離子碰撞而惡化，待發(fā)射的電子量也減少了。
圖2A和2B表示出沿圖1的x0-x1線所作的剖面圖；圖2A是其部分視圖；圖2B是圖2A所示部分A的放大視圖。另外，圖3A和3B表示出沿圖1的y0-y1線所作的剖面圖；圖3A是其部分視圖；圖3B是圖3A所示部分B的放大視圖。
如圖2A、2B、3A和3B所示，惰性氣體5存在于面板2與背板8之間。而且，通過由施加給器件電極(在低壓側上)32和器件電極(在高壓側上)33(這二者之間放置有電子發(fā)射器件7)、列線31、行線42和面板2的電壓產生的電位分布，從電子發(fā)射器件7發(fā)出的電子4的電子軌跡6在x方向和y方向上彎曲地前進，并且在z方向上傳播。也就是說，器件電極(在低壓側上)32和器件電極(在高壓側上)33構成作為偏轉裝置的實例的電場施加裝置，而電場施加在面板2與背板8之間。在這種情形下，假設，列線31與器件電極(在高壓側上)33在同一電位上。借此，傾注到電子發(fā)射器件7上的惰性氣體離子3的密度得以減小。順便提及，列線31構造得在面板2那一側的高度比器件電極(在低壓側上)32和器件電極(在高壓側上)33高。
而且，在本實施例中，雖然通過在面板2與背板8之間施加電場，而使電子4的電子軌跡彎曲，但是理想的是使用磁場。
以這樣的方式，在本發(fā)明的成像裝置中，用于阻止電子軌跡6在器件及相鄰器件上經過的偏轉機構，能夠減小惰性氣體離子3的碰撞對電子源的損害。
在此處，描述所發(fā)射的普通電子4的能量。
圖4的視圖表示出從圖1所示電子源基底1發(fā)出的電子4的電子軌跡6。
如圖4所示，當電子4向面板2行進時，通過使從電子源基底1發(fā)出的電子4的電子軌跡6從電子發(fā)射區(qū)的正上方漂移，能夠減少濺射到電子發(fā)射區(qū)附近的惰性氣體離子3的數目。借此，能夠抑制電子源基底1的惡化。
在這種情形下，用從外加陽極電壓獲得的電壓V(h)和惰性氣體5發(fā)生電離處的高度h，來確定電子4在惰性氣體5電離那一刻的能量。由于惰性氣體離子3在電離之后的初始能量被認為幾乎為零，因此當電離值數目用n表示時，被加速到電子源附近的惰性氣體離子3的能量Eion就如下表示Eion＝neV(h)圖5的視圖表示出電離截面積x濺射量與能量的依存關系，可用作圖1和4所示電子源基底1的惡化系數；如圖5所示，例如，當惰性氣體5是Ar并且電子源附近的構造部件是碳時，n＝1是占優(yōu)勢的。在這樣的情形中，Ar被電子4電離的那一刻的能量，即碳被Ar離子濺射那一刻的能量，為1ekV，此時待濺射的碳的量變?yōu)樽畲?。因此，考慮到電子軌跡6，需要這樣的機構在電子4被加速到1ekV的那一刻，機構恰恰在軌跡6下面的位置盡可能地遠。
而且，通過在向電子源基底1行進的惰性氣體離子3的密度變得高的區(qū)域中，提供惰性氣體離子3的捕獲機構，平板上的惰性氣體5得以減少，電壓源基底1的惡化得以抑制。惰性氣體離子3與幾個keV的高能量捕獲區(qū)碰撞，并進入捕獲區(qū)內部，直到惰性氣體離子3丟失它們的能量為止。當后續(xù)的惰性氣體離子3繼續(xù)碰撞時，惰性氣體離子3就有可能重新發(fā)射到空氣中。
為了避免這種現象，在將惰性氣體離子3驅動到捕獲區(qū)內之后，有效的是，通過濺射等方法在其表面上形成一層膜。濺射量與惰性氣體離子3的入射角相關。入射角越小，濺射量就越大。據此，通過在離子捕獲區(qū)形成凹陷，當惰性氣體離子3與側面上的陡峭部分碰撞時，就能夠獲得較大的濺射效率。由于捕獲區(qū)元件是被惰性氣體離子3(已經與將要沉積在底面上的側面碰撞)濺射的，因此捕獲區(qū)元件具有掩埋被驅動到凹陷底面的惰性氣體離子3的作用。
而且，當捕獲區(qū)表面是用Ti制成的時候，通過濺射Ti，會出現Ti的潔凈表面，并且活性氣體能夠被該潔凈表面所吸收。另外，由于凹陷是設置在捕獲區(qū)表面上，因此其表面得以增大，并且泵的壽命變長了。而且，由于使用所有的用于顯示圖像的電子發(fā)射器件7，因此沒有任何磁體也能夠獲得局部足夠的消耗速度。
由于圖2A、2B、3A和3B所示的構造是重復設置在圖1所示的電子源基底1上的，因此必需將電子發(fā)射器件7的電子軌跡6定位在遠離器件7正上方的位置處，并且避免電子軌跡6經過相鄰器件正上方的位置。而且，作為惰性氣體捕獲裝置的列線31和/或行線42，剛好配置在發(fā)射電子4的能量接近于1keV的位置之下。另外，為了在列線31和/或行線42有效地實施惰性氣體離子3的捕獲，在列線31和/或行線42的表面上形成凹陷。通過這些措施，能夠抑制惰性氣體離子3的重新發(fā)射，并減小真空室47內的惰性氣體5的部分壓力。
在此處，在列線31和/或行線42的表面上形成多個凹陷。而且，列線31和/或行線42的表面可以用Ti制成，并因此有可能消耗活性氣體和惰性氣體5。
而且，列線31和/或行線42可以用原子量≥100的材料制成，并因此在碰撞的那一刻僅實施離子的電荷交換，從而以電中性的中性粒子形式有效地實施反射。被彈性或非彈性散射的惰性氣體進行均勻運動，并且惰性氣體與面板2的較寬區(qū)域碰撞，同時保持碰撞區(qū)附近的能量最大。此時，庫侖散射更小，惰性氣體侵襲到更深的位置。而且，由于凹陷是在面板2上形成的且其表面是用Ti制成的，因此能夠獲得與背板8的上述捕獲效果相同的效果。因此，以前掩埋的惰性氣體原子重新發(fā)射的可能性變小了，泵的壽命變得更長，而消耗速度得到提高。
而且，列線31和/或行線42上的凹陷的側面和底面是用Ti制成的，其它部分的表面可以用Ta制成。借此，離子能夠有效地捕獲在側面和底面上，并且離子在其它部分上進行反射，從而能夠捕獲在面板2上。
而且，在背板8與面板2之間配有格柵。借此，通過在格柵上配備離子捕獲機構，或者通過將捕獲機構設置在格柵孔部的下面，能夠抑制電子發(fā)射區(qū)附近離子的碰撞。
而且，圖2A和2B的電子源、電子軌跡偏轉機構和惰性氣體捕獲機構可以配置在圖像顯示區(qū)的外部上，施加在圖像顯示區(qū)上的高壓可以不同于施加在圖像顯示區(qū)外部的高壓。借此，能夠施加適合捕獲離子的電壓，并且能夠提高捕獲效率。
接下來，參照圖1，表示出一個具體實例，并描述應用本發(fā)明的圖像顯示板的構造及其顯示方法。
在首先裝配真空室47的過程中，為了使每個部件的接合保持足夠的強度和足夠的氣密性，必需完成密封粘結。例如，通過將熔結玻璃涂布到接合部分以及通過在空氣中或氮氣環(huán)境中將接合部分在400℃-500℃的溫度下烘烤10分鐘或更長時間，而達到密封粘結。將真空室47的內部消耗到真空的方法將在后面描述。
接下來，描述將要用于成像裝置的電子源基底1。
用于本發(fā)明成像裝置的電子源基底1，是通過將多個冷陰極器件設置在基底上而構建的。
作為一種冷陰極器件的設置方法，例如，引用連接冷陰極器件中一對器件電極的每個行線42和列線31的簡單矩陣接線。在一些背板8上，存在這樣的情形將其上形成有N×M個冷陰極的基底進行固定(N和M各自地是2或更大的整數，并按照定向顯示像素的數目適當設定。例如，在定向為高清晰電視顯示器的顯示裝置中，期望將數目設置成N＝3000，M＝1000，或更大)。
通過將N根行線42和M根列線31進行簡單的矩陣接線，來構建N×M冷陰極器件。作為一種行線42、列線31和夾層絕緣層的制造方法，絲網印刷法和曝光及顯影光敏厚膜糊的方法等，通常都是公知的。
在本實施例中，為了在列線31中形成凹陷，如圖2A和2B所示，在矩形電極形成之后，電極進一步層疊在兩端，從而可以在列線31的中心形成凹陷?？稍谛芯€42上形成類似構造(如圖3A和3B所示)。順便提及，其它技術也可用作制造方法，而并不局限于本實施例。
接下來，描述這種制造方法。
在其上已經制造有器件電極(在低壓側上)32和器件電極(在高壓側上)33的電子源基底1上，利用絲網印刷法將厚膜光敏糊涂布在整個表面上，涂膜的厚度為10μm。接下來，排列預定圖案的光掩模，然后將光掩模放在電子源基底1上，以便在300mJ/cm2條件下進行紫外線曝光。其后，對厚膜光敏糊進行水顯影，并在480℃下將電子源基底1烘烤10分鐘，從而獲得具有矩形截面的列線31。而且，通過印刷、掩模排列、紫外線曝光、顯影和烘烤，來實施層疊，以便使列線31具有在中心具有凹陷的凹形截面(如圖2A和2B所示)。所形成的列線31具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。列線31的寬度和高度并不局限于本實施例的這些數值，但是應該按照電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當設定這些寬度和高度。另外，凹陷深度的優(yōu)選范圍是，從幾個μm到幾十個μm。對于絕緣層，利用絲網印刷法將厚膜光敏絕緣糊涂布在整個表面上，厚度為20μm，并且用光掩膜進行曝光。隨后，對其進行水顯影和烘烤。曝光和烘烤的條件與列線31相同，并將這樣的過程重復幾次。
最后，利用絲網印刷法，在整個表面上用光敏銀糊制成行線42，涂膜的厚度為10μm，排列預定圖案的光掩模，以便放到光敏銀糊上。然后，在300mJ/cm2條件下進行紫外線曝光。其后，進行水顯影，并在480℃下進行烘烤，從而獲得行線42的圖案。而且，通過印刷、掩模排列、紫外線曝光、顯影和烘烤，來實施層疊，以便使行線42具有在中心具有凹陷的凹形截面(如圖3A和3B所示)。
接下來，描述多電子束源的結構，其中在作為冷電極器件的基底上形成表面電導電子發(fā)射器件7的簡單矩陣布線。
圖6是圖1所示成像裝置中所用的多電子束源的電子源基底1的平面圖。
在電子源基底1上，利用簡單矩陣形狀的行線42和列線31，來連接多個器件。在電極之間形成夾層，并在行線42和列線31彼此交叉的位置保持電絕緣。
順便提及，在這種結構的多電子源中，在基底上預先形成行線42、列線31、電極之間的夾層、器件電極(在低壓側上)32、器件電極(在高壓側上)33和表面電導電子發(fā)射器件7的電導薄膜。其后，通過經行線42和列線31向每個器件提供電力，來實施通電形成操作和通電激活操作，并因此制造多電子源。
而且，在面板2的下表面上形成熒光膜44(如圖1所示)。另外，在熒光膜44的背板8側面的表面上形成金屬襯墊45。通過在面板2上形成熒光膜44之后對熒光膜44的表面進行刮平處理、然后在熒光膜44的平滑表面上進行Al的真空蒸發(fā)，而形成金屬襯墊45。
接下來，描述使真空室47的內部成為真空的方法。
對于為了使真空室47的內部成為真空而消耗氣體而言，在裝配真空室47之后將消耗管和真空泵連接到真空室47上，以便消耗真空室47的內部。其后，使消耗管密封，并在密封之前或之后立即在預定位置形成吸氣膜，以便在真空室47的內部保持真空程度。吸氣膜是通過用加熱器或高頻加熱來加熱以諸如Ba作為主成分的吸氣材料以便使吸氣材料蒸發(fā)而形成的膜。通過吸氣膜的吸收操作，真空室47內部的真空程度得以保持。
當通過電連接端子Dx1或Dy1將電壓施加給每個電子發(fā)射器件7時，電子4就從每個電子發(fā)射器件7發(fā)射出來。同時，將幾百V至幾kV的高壓施加給金屬襯墊45，并利用此高壓加速所發(fā)射的電子4，以便與面板2的內表面碰撞。借此，激發(fā)熒光膜44的熒光體發(fā)光，并顯示圖像。通常，表面電導電子發(fā)射器件7的外加電壓在約12V-18V的范圍內，金屬襯墊45與電子發(fā)射器件7之間的電壓在約0.1kV-10kV的范圍內。
下面，以舉例的方式來詳細描述上述實施例中所示的成像裝置的實例。順便提及，本發(fā)明并不局限于這些實例。在下面描述的實例中，作為多電子束源，采用這樣一種構造利用N根行線42和M根列線31，以矩陣的形式(參見圖1)來連接N×M(N＝3,072，M＝1,024)個在電極之間的電導細粒膜中包括電子發(fā)射部件的上述類型的表面電導器件。
<實例>
(例1)
本實例是根據圖1所示的實施例來制造的，并且在圖2A和2B表示出沿x0-x1線所作剖面的放大視圖。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。根據本實例制造的布線31被設置成具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的預期范圍從幾個μm到幾十μm。制造之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv。借此，如圖2A和2B所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞，并滲入列線31的內部。已經與列線31的凹陷側面碰撞的惰性氣體離子3，被使得具有較高的敲打和驅出列線31的表面材料的濺射效果，并將待濺射的材料沉積在底面上。借此能夠避免惰性氣體離子3從底面重新發(fā)射。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例2)圖7A和7B是圖1所示成像裝置的第二實例的剖面圖；圖7A是其部分視圖；圖7B是圖7A所示部分C的放大視圖。
本實例形成兩個電子發(fā)射器件7的一個像素，其中將列線31放在這兩個器件7之間(如圖7A和7B所示)。由于這個原因，將列線31放在它們之間的兩個器件電極(在高壓側上)33，都與列線31電連接，將比施加給與行線31(如圖1所示)電連接的器件電極(在低壓側上)32的電壓高的電壓施加給兩個器件電極33。僅有以上這一點與第一實例不同。結果，如圖7A和7B所示，兩條電子軌跡6穿過并在列線31之上經過。一個像素是用這兩個電子軌跡6形成的。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例制造的列線31被設置成具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的預期范圍從幾個μm到幾十μm。制造之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32(參見圖1)、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(參見圖1)。借此，如圖7A和7B所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件之上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7以及將列線放在它們之間的相鄰器件幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞，并滲入列線31的內部。已經與列線31的凹陷側面碰撞的惰性氣體離子3，被使得具有較高的敲打和驅出列線31的表面材料的濺射效果，并將待濺射的材料沉積在底面上。借此能夠避免惰性氣體離子3從底面重新發(fā)射。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。而且，除了具有第一實例的效果之外，由于一個像素是用兩個器件組成的，因此可獲得更長壽命的圖像顯示裝置。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例3)圖8A和8B是圖1所示成像裝置的第三實例的剖面圖；圖8A是其部分視圖；圖8B是圖8A所示部分D的放大視圖。
如圖8A和8B所示，本實例與第一實例的不同之處僅在于，列線31的表面是用Ti71制成的。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例制造的列線31被設置成具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的預期范圍從幾個μm到幾十μm。另外，穿上合適的掩模，并在列線31上用Ti 71形成約1μm厚的膜。形成制造之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32(參見圖1)、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(參見圖1)。借此，如圖8A和8B所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件之上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞，并滲入列線31的內部。已經與列線31的凹槽側面碰撞的惰性氣體離子3，被使得具有較高的敲打和驅出列線31的表面材料的濺射效果，并將待濺射的材料沉積在底面上。借此能夠避免惰性氣體離子3從底面重新發(fā)射。
同時，活性氣體被濺射的Ti71所吸收，并且有可能消耗活性氣體和惰性氣體5。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。而且，除了具有第一實例的效果之外，由于還消耗活性氣體，因此能夠獲得更長壽命的圖像顯示裝置。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例4)圖9是圖1所示成像裝置的第四實例的部分剖面圖。
本實例的形成是為了使列線31的表面平坦，并用作為具有≥100原子量的材料的Ta81制成，這種材料具有較大的離子反射系數(如圖9所示)。而且，凹槽在電子4的照射位置附近形成，并用作面板2上的惰性氣體捕獲區(qū)。本實例與第一實例的不同之處僅在于以上幾點。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例制造的列線31被設置成具有25μm的高度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。本實例的列線31的材料是Cu。而且，為其穿上合適的掩模，Ta 81膜通過濺射在列線31上形成1μm的厚度。另一方面，在制造面板2之后，將Al在作為金屬襯墊45的熒光膜44上進行蒸發(fā)。其后，利用帶狀掩模，將Al進一步蒸發(fā)，以形成如9所示的剖面形狀。凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。在制造顯示板之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32(參見圖1)、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(參見圖1)。借此，如圖9所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件之上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞。然而，由于列線31的表面是用具有接近于Cu(Cu是布線材料)三倍的原子量的Ta 81制成的，因此作為中性氣體反射到對置面板2側面上的離子比變大了。另外，反射方向指向列線31正上方區(qū)域之外的部分，這是因為反射是擴散反射。已經在面板2之上流動的惰性氣體5滲入面板2的表面。雖然存在另一惰性氣體5在所滲透的表面上流動的情形，但是惰性氣體5在列線31上擴散反射。因此，所滲入的惰性氣體5的密度比與列線31碰撞的惰性氣體離子3的密度小，且重新反射的可能性變小了。而且，已經在金屬襯墊45之上流動的惰性氣體5滲入凹陷的底面。金屬襯墊45的表面材料被與側面碰撞的惰性氣體5所濺射，而且所濺射的材料沉積到底面上。借此能夠避免惰性氣體5從底面重新發(fā)射。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了具有第一實例的效果之外，由于惰性氣體5被掩埋在較寬的區(qū)域中，因此離子捕獲效應的壽命變長了，并且能夠獲得更長壽命的圖像顯示裝置。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例5)圖10A和10B是圖1所示成像裝置的第五實例的剖面圖；圖10A是其部分視圖；圖10B是圖10A所示部分E的放大視圖。
如圖10A和10B所示，本實例與第四實例的不同之處僅在于，在面板2上形成的凹陷表面是用Ti 91制成的。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。根據本實例制造的列線31被設置成具有25μm的高度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。另外，穿上合適的掩模，并且Ta 81膜通過濺射在列線31上形成1μm的厚度。另一方面，在制造面板2之后，將Al在作為金屬襯墊45的熒光膜44上進行蒸發(fā)。其后，利用帶狀掩模，將Al進一步蒸發(fā)，以形成如圖10A和10B所示的剖面形狀。凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。其后，進一步利用帶狀掩模，蒸發(fā)Ti 91(如圖10A和10B所示)。在制造顯示板之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32(參見圖1)、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(參見圖1)。借此，如圖10A和10B所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件之上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞。然而，由于列線31的表面是用具有接近于Cu(Cu是布線材料)三倍的原子量的Ta 81制成的，因此作為中性氣體反射到對置面板2側面上的離子比變大了。另外，反射方向指向列線31正上方區(qū)域之外的部分，這是因為反射是擴散反射。已經在面板2之上流動的惰性氣體5滲入面板2的表面。雖然存在另一惰性氣體5在所滲透的表面上流動的情形，但是惰性氣體5在列線31上擴散反射。因此，所滲入的惰性氣體5的密度比與列線31碰撞的惰性氣體離子3的密度小，且重新反射的可能性變小了。而且，已經在金屬襯墊45之上流動的惰性氣體5滲入凹陷的底面。利用與側面碰撞的惰性氣體5，其表面的Ti 91被濺射沉積到底面上。借此能夠避免惰性氣體5從底面重新發(fā)射。同時，活性氣體被所濺射的Ti 91吸收，并且除了消耗惰性氣體5之外，還能夠消耗活性氣體。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了具有第四實例的效果之外，由于也消耗活性氣體，因此成像裝置的壽命更長了。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例6)圖11A、11B和11C是圖1所示成像裝置的剖面圖；圖11A是其部分視圖；圖11B是圖11A所示部分F的放大視圖；圖11C是圖11A所示部分G的放大視圖；如圖11A、11B和11C所示，本實例與第五實例的不同之處僅在于，凹陷是在列線31上形成的，凹陷的側面和底面是用Ti 71制成的，其它區(qū)域是用Ta 81制成的。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例制造的列線31被設置成具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。另外，如圖11A、11B和11C所示，各自地穿上合適的掩模，并且Ti 71膜和Ta 81膜通過濺射分別在列線31的凹陷底面和頂面上形成1μm的厚度。另一方面，在制造面板2之后，利用合適的掩模，將Al在作為金屬襯墊45的熒光膜44上進行蒸發(fā)。其后，利用帶狀掩模，將Al進一步蒸發(fā)，以形成如11A、11B和11C所示的剖面形狀。凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。其后，利用帶狀掩模，蒸發(fā)Ti 91，從而具有如圖11A、11B和11C所示的截面形狀。在制造顯示板之后，將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32(參見圖1)、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(參見圖1)。借此，如圖11A、11B和11C所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件之上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞。然而，由于列線31的表面是用具有接近于Cu(Cu是布線材料)三倍的原子量的Ta 81制成的，因此當電離惰性氣體離子3與列線31的表面碰撞時，作為中性氣體反射到對置面板2側面上的離子比變大了。另外，由于反射方向變成擴散反射，因此被反射的離子流入列線31正上方區(qū)域之外的區(qū)域。已經在面板2之上流動的惰性氣體5滲入面板2的表面。雖然存在另一惰性氣體5在所滲透的表面上流動的情形，但是惰性氣體5在列線31上擴散反射。因此，所滲入的惰性氣體5的密度比與列線31碰撞的惰性氣體離子3的密度小，且重新反射的可能性變小了。而且，已經在金屬襯墊45之上流動的惰性氣體5滲入凹陷的底面。利用與側面碰撞的惰性氣體5，其表面的Ti 91被濺射沉積到底面上。借此能夠避免惰性氣體5從底面重新發(fā)射。同時，活性氣體被所濺射的Ti 91吸收，并且除了消耗惰性氣體5之外，還能夠消耗活性氣體。另一方面，當惰性氣體5與列線31的凹陷底面碰撞時，惰性氣體5就通過與第一實例類似的操作被嵌入底面中。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了具有第五實例的效果之外，由于也有效地消耗惰性氣體5并且惰性氣體5被嵌入較寬的區(qū)域內，因此惰性氣體5的消耗效應壽命變長了，隨后能夠獲得更長壽命的圖像顯示裝置。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
(例7)圖12A和12B是圖1所示成像裝置的第七實例的剖面圖；圖12A是其部分視圖；圖12B是圖12A所示部分H的放大視圖。
如圖12A和12B所示，本實例與第一實例的不同之處僅在于，具有凹陷的格柵配置在面板2與背板8之間。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例制造的布線31被設置成具有25μm的高度和15μm的凹陷深度。根據電子束的初始速度矢量、施加給面板2的電壓、面板2與背板8之間的距離等，來適當限定列線31的寬度和高度，而并不局限于本實例的這些數值。而且，凹陷的優(yōu)選范圍從幾個μm到幾十μm。格柵111安裝在面板2與背板8之間。格柵111的孔與列線31的寬度一致。作為格柵111，可使用通過以下方式制成的格柵在厚度為100μm的Ti板上以20μm的間距形成若干槽，每個槽具有10μm的寬度和10μm的深度，所述格柵具有與帶狀列線31一樣寬的孔。
將0V、15.5V和10kV的電壓分別通過行線42(如圖1所示)施加給器件電極(在低壓側上)32、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給高壓端子Hv(如圖1所示)。借此，如圖12A和12B所示，電子軌跡6停留在列線31的任意高度h處，而不經過相鄰器件上的位置。
借此，電子發(fā)射器件7幾乎不受電離惰性氣體離子3的損害。而且，許多電離惰性氣體離子3與列線31碰撞，并滲入列線31的內部。已經與列線31的凹槽側面碰撞的惰性氣體離子3，被使得具有較高的敲打和驅出列線31的表面材料的濺射效果，并將待濺射的材料沉積在底面上。借此能夠避免惰性氣體離子3從底面重新發(fā)射。
而且，在列線31上反射從而在與列線31碰撞之后將變成惰性氣體5的惰性氣體離子3，與格柵111碰撞，并被嵌入其表面內。所嵌入的離子用與列線31的凹陷的相同操作阻止重新發(fā)射。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了第一實例之外通過提供格柵111，惰性氣體的嵌入區(qū)加寬了，從而提高消耗效應，并且消耗的壽命變得更長。
順便提及，雖然本實例中僅描述了列線31，但是同樣的思考方法也可應用于行線42。
而且，并不局限于本實例，通過按照第一至第四實例(Ti膜或Ta膜)提供凹槽結構，也可提高消耗效率。
(例8)圖13的視圖表示出圖1所示成像裝置的第八實例中的面板2和背板8的構造.
如圖13所示，本實例與第一實例的不同之處僅在于，電子發(fā)射部件、電子束偏轉機構和離子捕獲機構也配置在圖像顯示區(qū)131的外部。
在面板2上，陽電極132是在圖像顯示區(qū)外形成的。面板2的構建是為了通過在陽電極132與圖像顯示區(qū)131內的陽電極之間形成高電阻膜133，而將電壓各自地施加給位于圖像顯示區(qū)之外的陽電極132和位于圖像顯示區(qū)131內的陽電極中的每一個。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了第一實例的構造之外，通過還在圖像顯示區(qū)131外部上配置電子發(fā)射部件、電子束偏轉機構和離子捕獲機構，可將惰性氣體5不僅捕獲在圖像顯示區(qū)131的內部，而且還捕獲在圖像顯示區(qū)131的外部上，并且惰性氣體5的消耗效率得以提高，從而延長了消耗壽命。
(例9)圖14A和14B是圖1所示成像裝置的第九實例的剖面圖；圖14A是其部分視圖；圖14B是圖14A所示部分I的放大視圖。而圖15的視圖表示出圖1所示成像裝置的第九實例中的面板2和背板8的構造。
如圖14A、14B和15所示，本實例與第八實例的不同之處在于，適合離子捕獲的結構和應用電壓設置在圖像顯示區(qū)131的外部上。
以下描述本實例的電子束偏轉機構和離子捕獲機構。
根據本實例，在圖像顯示區(qū)131的內部和外部上形成電子發(fā)射部件、電子束偏轉機構和離子捕獲機構。所制造的列線31被設置成具有25μm的高度，并且凹陷的深度和寬度被各自地設定為15μm。列線31的寬度在圖像顯示區(qū)131的內部為幾十μm，但在圖像顯示區(qū)131的外部上為300μm。在制造之后，將0V、15.5V和1kV的電壓分別通過行線42施加給器件電極(在低壓側上)32、通過列線31施加給器件電極(在高壓側上)33、以及施加給圖像顯示區(qū)之外的陽電極132。與第一實例相比，配置在圖像顯示區(qū)131外部上的電子發(fā)射部件、電子束偏轉機構和離子捕獲機構的高壓更低些，而圖像顯示區(qū)131外部上的列線131的寬度更寬些。高電阻膜133配置在能夠應用不同電壓的圖像顯示區(qū)131之外的陽電極132與圖像顯示區(qū)131內的陽電極之間。而且，為了能夠有效電離惰性氣體5，待施加給圖像顯示區(qū)之外的陽電極132的高壓降低了。借此，電子4流淌的路程更長，并使用具有較大電離截面積的能量區(qū)。而且，在圖像顯示區(qū)131的外部上，為了嵌入許多惰性氣體離子3，與圖像顯示區(qū)131的內部相比，列線131的寬度被設置得更寬些。另外，許多電離惰性氣體3與列線31碰撞，并滲入列線31的內部。已經與列線31的凹陷側面碰撞的惰性氣體離子3濺射列線31的表面材料，從而將所濺射的材料沉積到底面上，并借此還能夠避免惰性氣體離子3從底面重新發(fā)射。
利用這樣的電子束偏轉機構和離子捕獲機構，電子發(fā)射器件7的惡化得以抑制，并能夠獲得較長壽命的圖像顯示裝置。除了第一實例的構造之外，通過還在圖像顯示區(qū)131外部上配置電子發(fā)射部件、電子束偏轉機構和離子捕獲機構，能夠設定適合捕獲惰性氣體離子3的結構和應用電壓，并且惰性氣體5的消耗效率得以提高，從而延長了消耗壽命。
(例10)圖16的視圖表示出圖1所示成像裝置的第十實例中的面板2的構造。
如圖16所示，本實例與第八實例的不同之處在于，具有高離子反射比、原子量≥100的材料配置在圖像顯示區(qū)131外部上的面板2的表面上通過在圖像顯示區(qū)之外的陽電極132的表面上配置Ta膜81，已經不能被背板8上的惰性氣體捕獲機構所捕獲并且在背板8上反射的中性氣體，再次反射到面板2上的形成惰性氣體捕獲機構的背板8那一側。
利用這樣的構造，圖像顯示區(qū)131外部上的惰性氣體5的捕獲量得以增大，而圖像顯示區(qū)131內部的電子發(fā)射器件7的損壞進一步減小。
(例11)圖17A和17B的視圖表示出圖1所示成像裝置的第11實例中的面板2的構造；圖17A是其表面的視圖；圖17B是圖17A所示部分J的放大視圖。
如圖17A和17B所示，本實例與第八實例的不同之處在于，凹陷是在面板2的表面上形成的，而面板2是在圖像顯示區(qū)之外的陽電極132上形成的。
通過在圖像顯示區(qū)之外的陽電極132的面板2的表面上形成多個凹陷，已經不能被背板8上的惰性氣體捕獲機構所捕獲并且已經進行反射的中性氣體，再次反射到面板2上的配置有惰性氣體捕獲機構的背板8那一側。
借此，圖像顯示區(qū)131外部上的惰性氣體5的捕獲量得以增大，而圖像顯示區(qū)131內部的電子發(fā)射器件7的損壞進一步減小。
權利要求
1.一種成像裝置，包括配有用于發(fā)射電子的電子發(fā)射器件的第一基底，和配有用從所述電子發(fā)射器件發(fā)出的電子照射的圖像顯示部件的第二基底，所述第一基底和所述第二基底彼此對置設置，所述成像裝置利用從所述電子發(fā)射器件發(fā)出的電子將圖像顯示在所述圖像顯示部件上，所述成像裝置包括具有偏轉裝置的電子源，所述偏轉裝置從所述電子發(fā)射器件上方一個位置使所發(fā)射的電子在所述第二基底上的照射位置偏轉；以及用于捕獲惰性氣體的惰性氣體捕獲裝置，所述捕獲裝置配置在所述照射位置的下面或附近。
2.根據權利要求1所述的成像裝置，其特征在于，所述偏轉裝置是用于在所述第一基底與所述第二基底之間施加電場的電場施加裝置。
3.根據權利要求1所述的成像裝置，其特征在于，所述偏轉裝置是用于在所述第一基底與所述第二基底之間施加磁場的磁場施加裝置。
4.根據權利要求2所述的成像裝置，其特征在于，所述電場施加裝置是一對器件電極，所述電子發(fā)射器件放置在這對器件電極之間。
5.根據權利要求4所述的成像裝置，其特征在于，所述惰性氣體捕獲裝置是用于給所述器件電極施加電壓的布線。
6.根據權利要求4所述的成像裝置，其特征在于，所述惰性氣體捕獲裝置處于所述第一基底上，比所述器件電極更靠近所述第二基底。
7.根據權利要求5所述的成像裝置，其特征在于，所述布線包括凹陷。
8.根據權利要求5所述的成像裝置，其特征在于，所述布線具有用Ti制成的表面。
9.根據權利要求4所述的成像裝置，其特征在于，所述惰性氣體捕獲裝置包括為了給所述器件電極施加電壓和反射惰性氣體而配備的布線，以及配備在所述第二基底上的照射位置附近的惰性氣體捕獲區(qū)。
10.根據權利要求9所述的成像裝置，其特征在于，所述布線本身或其表面是用原子量≥100的材料制成的。
11.根據權利要求9所述的成像裝置，其特征在于，所述惰性氣體捕獲區(qū)在所述第二基底的表面上包括多個凹陷。
12.根據權利要求11所述的成像裝置，其特征在于，所述第二基底的至少一部分惰性氣體捕獲區(qū)是用Ti制成的。
13.根據權利要求7所述的成像裝置，其特征在于，所述布線的凹陷的側面和底面是用Ti制成的，所述布線的其它表面是用Ta制成的。
14.根據權利要求1所述的成像裝置，其特征在于，還包括在所述第一基底與所述第二基底之間的格柵。
15.根據權利要求14所述的成像裝置，其特征在于，所述格柵包括尺寸與布線的寬度一致的孔，所述孔用于給所述的這對器件電極施加電壓，所述電子發(fā)射器件放置在所述這對器件電極之間。
16.根據權利要求14所述的成像裝置，其特征在于，所述格柵至少在其一個表面上包括凹凸部分。
17.根據權利要求14所述的成像裝置，其特征在于，所述格柵的至少一個表面是用Ti制成的。
18.根據權利要求1所述的成像裝置，其特征在于，所述裝置由一個顯示圖像的圖像顯示區(qū)和除所述圖像顯示區(qū)之外的另一個區(qū)域構成，所述偏轉裝置和所述惰性氣體捕獲裝置配置在所述圖像顯示區(qū)和除所述圖像顯示區(qū)之外的所述區(qū)域中的每一個上。
19.根據權利要求18所述的成像裝置，其特征在于，施加在所述第一基底與所述第二基底之間的電壓，在所述圖像顯示區(qū)和除所述圖像顯示區(qū)之外的所述區(qū)域中彼此不同。
20.根據權利要求18所述的成像裝置，其特征在于，在所述第二基底的除所述圖像顯示區(qū)之外的所述區(qū)域中，用于捕獲惰性氣體的惰性氣體捕獲區(qū)的至少一部分表面是用原子量≥100的材料制成的。
21.根據權利要求20所述的成像裝置，其特征在于，所述第二基底在所述圖像顯示區(qū)之外的所述區(qū)域中，至少在所述惰性氣體捕獲裝置的一部分表面上包括凹陷。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種成像裝置，其中配有電子發(fā)射器件的第一基底，和用從電子發(fā)射器件發(fā)出的電子照射的圖像顯示部件，彼此對置設置，所述成像裝置配有使從電子發(fā)射器件發(fā)出的電子偏轉的偏轉裝置，和捕獲由電子電離的惰性氣體的捕獲部件。借此，避免了惰性氣體對電子發(fā)射器件的損害，并有助于延長圖像顯示裝置的壽命。
文檔編號H01J31/12GK1767139SQ20051011418
公開日2006年5月3日 申請日期2005年10月26日 優(yōu)先權日2004年10月26日
發(fā)明者廣木珠代, 東尚史, 谷口大知 申請人:佳能株式會社