專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(以下記作“PDP”)及其制造方法，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及謀求了顯示光斑的緩和的PDP及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的PDP，已知一種AC型三電極面放電形式的PDP。該P(yáng)DP在前面?zhèn)?顯示面?zhèn)?的基板的內(nèi)表面上，沿水平方向設(shè)有多個(gè)能進(jìn)行面放電的顯示電極，在背面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上，沿著與顯示電極交叉的方向設(shè)有多個(gè)發(fā)光單元選擇用的地址電極，將顯示電極和地址電極的交叉部作為單元。
前面?zhèn)鹊幕迳系娘@示電極用電介質(zhì)層覆蓋著，在它上面形成保護(hù)膜。背面?zhèn)然迳系牡刂冯姌O也用電介質(zhì)層覆蓋著，在地址電極和地址電極之間形成隔壁，在隔壁之間形成熒光體層。
使這樣制作的前面?zhèn)鹊拿姘褰M件和背面?zhèn)鹊拿姘褰M件相對(duì)，將周邊封裝起來(lái)后，將放電氣體封入內(nèi)部，于是制成了PDP(參照專利文獻(xiàn)1)。
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)平5-234519號(hào)公報(bào)在上述的PDP中，在看見(jiàn)了前面?zhèn)鹊幕宓那闆r下，顯示電極用電介質(zhì)層覆蓋著，在它上面形成了保護(hù)膜。一般說(shuō)來(lái)，用厚10微米以上的厚膜工藝形成電介質(zhì)層，用厚度為1微米左右的薄膜工藝形成保護(hù)膜。
著眼于該前面?zhèn)鹊幕宓墓鈱W(xué)特性，由于保護(hù)膜是薄膜，所以可知會(huì)發(fā)生光的干涉。其干涉特性隨著薄膜厚度的不同而不同，所以如果在面板表面內(nèi)存在保護(hù)膜的厚度不均勻，則在前面?zhèn)鹊幕逯挟a(chǎn)生透射率不均勻。
PDP通過(guò)放電而發(fā)生熒光，該光透過(guò)前面?zhèn)鹊幕?，作為圖像顯示。因此，如果由于干涉致使前面?zhèn)鹊幕逯写嬖谕干渎什痪鶆颍瑒t能看到面板的顯示光斑(將它稱為“干涉光斑”)。
為了解決該干涉光斑，可以考慮使保護(hù)膜的厚度均勻。可是，如果保護(hù)膜的厚度差為70nm，則干涉特性偏離半周期，所以可以認(rèn)為厚度差為70nm時(shí)會(huì)發(fā)生干涉光斑。今后，雖然伴隨PDP產(chǎn)量的提高，預(yù)計(jì)基板將大面積化、以及生產(chǎn)節(jié)拍縮短，但在保護(hù)膜的厚度差小于等于70nm的情況下維持PDP的生產(chǎn)將非常困難。
本發(fā)明就是考慮到這樣的情況而完成的，是一種與保護(hù)膜的厚度的均勻性無(wú)關(guān)，考慮電介質(zhì)層和保護(hù)膜的折射率的差，謀求干涉光斑的緩和的發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種等離子體顯示面板，它是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板，其特征在于上述電介質(zhì)層的折射率和保護(hù)膜的折射率的差為小于等于0.20。
如果采用本發(fā)明，則在前面?zhèn)鹊幕迳希娊橘|(zhì)層和保護(hù)膜的折射率的差小于等于0.20，所以能緩和由保擴(kuò)膜的厚度不均勻引起的顯示光斑，能制造白色均勻性高的等離子體顯示面板。


圖1是表示PDP的結(jié)構(gòu)的局部分解斜視圖。
圖2是表示前面?zhèn)鹊幕宓墓獾耐高^(guò)狀態(tài)的說(shuō)明圖。
圖3是表示透過(guò)基板的光的波長(zhǎng)和透射率的關(guān)系的曲線圖。
圖4是表示折射率差Δn和干涉光斑的關(guān)系的曲線圖。
圖5是表示各種玻璃材料的折射率的說(shuō)明圖。
圖6是表示MgO膜的形成壓力和折射率的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示MgO膜的形成溫度和折射率的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
圖8是表示設(shè)置了干涉防止層的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖9是表示MgO膜的厚度中心值和顯示光斑的關(guān)系的曲線圖。
圖中，11前面?zhèn)鹊幕? 12透明電極 13總線電極 17、24電介質(zhì)層 18保護(hù)膜 19干涉防止層 21背面?zhèn)鹊幕?8R、28G、28B熒光體層 29隔壁 30放電空間 A地址電極 X、Y顯示電極具體實(shí)施方式
在本發(fā)明中，所謂折射率，意味著真空中的光速c和介質(zhì)中的光速(相位速度)v的比c/v。因此，所謂電介質(zhì)層的折射率，意味著真空中的光速和電介質(zhì)層中的光速的比，所謂保護(hù)膜的折射率，意味著真空中的光速和保護(hù)膜中的光速的比。
本發(fā)明不規(guī)定折射率的大小，而是規(guī)定折射率的差。電介質(zhì)層和保護(hù)膜的折射率的差，在電介質(zhì)層的折射率為n，保護(hù)膜的折射率為n1的情況下，折射率差Δn＝|n-n1|。因此，電介質(zhì)層的折射率和保護(hù)膜的折射率都可以大。
在本發(fā)明中，作為前面?zhèn)鹊幕寮氨趁鎮(zhèn)鹊幕澹úＡ?、石英、陶瓷等的基板、以及在這些基板上形成了電極、絕緣膜、電介質(zhì)層、保護(hù)膜等所希望的構(gòu)成物的基板。
在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上形成電極即可。能用該領(lǐng)域中眾所周知的各種材料和方法形成該電極。作為電極中使用的材料，例如能舉出ITO、SnO2等透明的導(dǎo)電性材料、以及Ag、Au、Al、Cu、Cr等金屬導(dǎo)電性材料。作為電極的形成方法，能采用該領(lǐng)域中眾所周知的各種方法。例如，既可以用印刷等厚膜形成技術(shù)來(lái)形成，也可以用由物理淀積法或化學(xué)淀積法構(gòu)成的薄膜形成技術(shù)來(lái)形成。作為厚膜形成技術(shù)，能舉出篩網(wǎng)印刷法等。作為薄膜形成技術(shù)中的物理淀積法，能舉出蒸鍍法和濺射法等。作為化學(xué)淀積法，能舉出熱CVD法、光CVD法、或等離子體CVD法等。
用篩網(wǎng)印刷法將由低熔點(diǎn)玻璃料和粘合劑樹(shù)脂構(gòu)成的低熔點(diǎn)玻璃漿料涂敷在前面?zhèn)鹊幕寤虮趁鎮(zhèn)鹊幕迳?，通過(guò)燒焙能形成電介質(zhì)層。作為這里用的低熔點(diǎn)玻璃，能使用從氧化硅、硼硅玻璃、氧化鋁、氧化釔、氧化鉛構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的混合物為主要成分的玻璃材料。
在本發(fā)明中，能用MgO并且采用平均厚度為1微米左右的薄膜形成工藝，形成保護(hù)膜。
優(yōu)選使用電介質(zhì)層的折射率和在它上面形成的保護(hù)膜的折射率的差小于等于0.20的材料，形成該電介質(zhì)層。
在保護(hù)膜采用MgO、而且用平均厚度為1微米左右的薄膜形成工藝，形成保護(hù)膜的情況下，電介質(zhì)層的折射率，相對(duì)于波長(zhǎng)為500nm的光來(lái)說(shuō)，優(yōu)選為1.45～1.74。
采用電子束蒸鍍法或等離子體CVD法這樣的該領(lǐng)域中眾所周知的薄膜形成工藝，能形成保護(hù)膜。作為實(shí)施該保護(hù)膜的薄膜形成工藝時(shí)的形成條件，也能通過(guò)控制溫度或壓力，調(diào)整該保護(hù)膜的折射率。
在本發(fā)明中，在電介質(zhì)層和保護(hù)膜之間，也可以設(shè)置與電介質(zhì)層之間的折射率的差、以及與保護(hù)膜之間的折射率的差分別小于等于0.05的干涉防止層。
另外，本發(fā)明是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型的等離子體顯示面板，是上述保護(hù)膜的厚度大于等于1200nm的等離子體顯示面板。
另外，本發(fā)明是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型的等離子體顯示面板的制造方法，是一種采用薄膜形成工藝形成上述保護(hù)膜，為了使與電介質(zhì)層的折射率的差小于等于0.05，實(shí)施該薄膜形成工藝時(shí)，控制形成保護(hù)膜時(shí)的壓力，制造等離子體顯示面板的方法。
另外，本發(fā)明是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型的等離子體顯示面板的制造方法，是一種采用薄膜形成工藝形成上述保護(hù)膜，為了與電介質(zhì)層的折射率的差小于等于0.05，實(shí)施該薄膜形成工藝時(shí)，控制形成保護(hù)膜時(shí)的溫度，制造等離子體顯示面板的方法。
下面，根據(jù)附圖所示的實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。另外，本發(fā)明不限定于此，能進(jìn)行各種變形。
圖1(a)及圖1(b)是表示本發(fā)明的PDP的結(jié)構(gòu)的局部分解斜視圖。該P(yáng)DP是彩色顯示用的AC型三電極面放電形式的PDP。
本PDP由包括前面?zhèn)鹊幕?1的前面?zhèn)鹊拿姘褰M件(參照?qǐng)D1(a))、以及包括背面?zhèn)鹊幕?1的背面?zhèn)鹊拿姘褰M件(參照?qǐng)D1(b))構(gòu)成。作為前面?zhèn)鹊幕?1和背面?zhèn)鹊幕?1，能使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。
在前面?zhèn)鹊幕?1的內(nèi)側(cè)面上，沿水平方向等間隔地形成顯示電極X和顯示電極Y。顯示電極X和顯示電極Y之間成為顯示線L。各顯示電極X、Y由ITO、SnO2等寬度寬的透明電極12、以及例如由Ag、Au、Al、Cu、Cr及它們的層疊體(例如Cr/Cu/Cr層疊結(jié)構(gòu))等構(gòu)成的金屬制的寬度窄的總線電極13構(gòu)成?？梢詫?duì)于Ag、Au采用篩網(wǎng)印刷之類的厚膜形成技術(shù)，對(duì)于其它采用蒸鍍法、濺射法等薄膜形成技術(shù)和刻蝕技術(shù)，以所希望的條數(shù)、厚度、寬度及間隔，形成顯示電極X、Y。
在顯示電極X、Y上，覆蓋著顯示電極X、Y形成交流(AC)驅(qū)動(dòng)用的電介質(zhì)層17。用篩網(wǎng)印刷法將低熔點(diǎn)玻璃漿料涂敷在前面?zhèn)鹊幕?1上，通過(guò)燒焙來(lái)形成電介質(zhì)層17。
在電介質(zhì)層17上，形成保護(hù)電介質(zhì)層17不致由于顯示時(shí)的放電產(chǎn)生的離子的碰撞造成損傷用的保護(hù)膜18。該保護(hù)膜用MgO形成。
在背面?zhèn)鹊幕?1的內(nèi)側(cè)面上，在平面圖上看沿著與顯示電極X、Y交叉的方向形成多個(gè)地址電極A，覆蓋著該地址電極A形成電介質(zhì)層24。地址電極A是在與Y電極的交叉部中產(chǎn)生選擇發(fā)光單元用的地址放電的電極，由Cr/Cu/Cr三層結(jié)構(gòu)形成。此外，也能用例如Ag、Au、Al、Cu、Cr等形成該地址電極A。地址電極A也與顯示電極X、Y相同，對(duì)于Ag、Au采用篩網(wǎng)印刷這樣的厚膜形成技術(shù)，對(duì)于其它用蒸鍍法、濺射法等薄膜形成技術(shù)和刻蝕技術(shù)，能以所希望的條數(shù)、厚度、寬度及間隔，形成地址電極A。用與電介質(zhì)層17相同的材料、相同的方法，能形成電介質(zhì)層24。
在相鄰的地址電極A和地址電極A之間的電介質(zhì)層24上，形成多個(gè)隔壁29。能采用噴砂法、印刷法、光刻法等，形成隔壁29。例如，采用噴砂法，將由低熔點(diǎn)玻璃料、粘合劑樹(shù)脂、溶劑等構(gòu)成的玻璃漿料涂敷在電介質(zhì)層24上，干燥后，在該玻璃漿料層上設(shè)置了具有隔壁圖形的開(kāi)口的切削掩模的狀態(tài)下，噴射切削粒子，對(duì)在掩模的開(kāi)口中露出的玻璃漿料層進(jìn)行切削，再通過(guò)燒焙來(lái)形成。或者，采用光刻法，代替用切削粒子進(jìn)行切削，而將感光性的樹(shù)脂用于粘合劑樹(shù)脂，使用掩模進(jìn)行曝光及顯影后，通過(guò)燒焙來(lái)形成。
在隔壁29的側(cè)面及隔壁之間的電介質(zhì)層24上，形成紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)熒光體層28R、28G、28B。用篩網(wǎng)印刷、或使用分配器的方法等，將含有熒光粉末、粘合劑樹(shù)脂和溶劑的熒光體漿料涂敷在隔壁29之間的凹槽狀的放電空間內(nèi)，使每一種顏色反復(fù)地重復(fù)這一過(guò)程，通過(guò)燒焙，形成熒光體層28R、28G、28B。使用含有熒光粉末、感光性材料和粘合劑樹(shù)脂的片狀的熒光體層材料(所謂的生片)，采用光刻技術(shù)，能形成該熒光體層28R、28G、28B。在此情況下，將所希望的顏色的片粘貼在基板上的顯示區(qū)域的全部表面上，進(jìn)行曝光、顯影，對(duì)每一種顏色反復(fù)地重復(fù)這一過(guò)程，能在對(duì)應(yīng)的隔壁之間形成各種顏色的熒光體層。
通過(guò)使顯示電極X、Y和地址電極A交叉地將上述的前面?zhèn)鹊拿姘褰M件和背面?zhèn)鹊拿姘褰M件相對(duì)地配置，將周?chē)庋b起來(lái)，將放電氣體填充在用隔壁29包圍著的放電空間30中，能制作PDP。在該P(yáng)DP中，顯示電極X、Y和地址電極A的交叉部的放電空間30成為作為顯示的最小單位的一個(gè)單元區(qū)(單位發(fā)光區(qū))。由R、G、B三個(gè)單元構(gòu)成一個(gè)像素。
如圖1(a)所示，在PDP中，前面?zhèn)鹊幕?1上的顯示電極X、Y被電介質(zhì)層17覆蓋，在它上面形成保護(hù)膜18。用厚度大于等于10微米的厚膜工藝形成該電介質(zhì)層17。用厚度為1微米左右的薄膜工藝形成保護(hù)膜18。
圖2是表示前面?zhèn)鹊幕宓墓馔干錉顟B(tài)的說(shuō)明圖。
在前面?zhèn)鹊幕?1中，假設(shè)大氣的折射率n0、電介質(zhì)層的折射率n、保護(hù)膜的折射率n1、電介質(zhì)層和保護(hù)膜的折射率差Δn＝|n-n1|、前面?zhèn)鹊幕宓墓馔干渎蔜，下式成立。
T＝[(8n0n12n)/{(n02+n12)(n12+n2)+4n0n12n+(n02-n12)(n12-n2)cosδ}]×α+β式中，α、β是修正系數(shù)。
如下表示上述的δ。
δ＝(4πn1·d·cosφ1)/λ式中，d保護(hù)膜的厚度，λ透射光的波長(zhǎng)。
著眼于前面?zhèn)鹊幕?1的光學(xué)特性，如圖2所示，由于保護(hù)膜17是薄膜，所以發(fā)生光的干涉。其干涉特性隨著保護(hù)膜的厚度的不同而不同，所以在面板表面內(nèi)如果存在保護(hù)膜18的厚度不均勻，則干涉特性就不均勻，在前面?zhèn)鹊幕?1中產(chǎn)生透射率不均勻。
PDP通過(guò)放電致使熒光體發(fā)光，該光H透過(guò)前面?zhèn)鹊幕?1，作為圖像顯示。因此，如果由于干涉特性的不均勻性，在前面?zhèn)鹊幕?1中發(fā)生透射率不均勻，就能看到面板的顯示不均勻。如上所述該顯示不均勻被稱為“干涉光斑”。
圖3是表示透過(guò)前面?zhèn)鹊幕宓墓獾牟ㄩL(zhǎng)和透射率的關(guān)系的曲線圖。
如該圖所示，如果保護(hù)膜的厚度差為70nm，則干涉特性偏移半周期，所以薄膜厚度差為70nm時(shí)發(fā)生干涉光斑。為了消除該干涉光斑，使保護(hù)膜18的厚度均勻即可?？墒?，伴隨PDP的生產(chǎn)率的提高，預(yù)計(jì)導(dǎo)致基板的大面積化和生產(chǎn)周期縮短，使保護(hù)膜的厚度差小于等于70nm而維持PDP的生產(chǎn)是非常困難的。
本發(fā)明基于這樣的觀點(diǎn)，通過(guò)緩和由保護(hù)膜的厚度不均勻引起的顯示不均勻，提供一種白色均勻性(面板的均勻性)高的等離子體顯示面板。
圖4是表示保護(hù)膜和電介質(zhì)層的折射率差Δn和干涉光斑的關(guān)系的曲線圖。該曲線圖是模擬保護(hù)膜和電介質(zhì)層的折射率差Δn和干涉光斑的相關(guān)關(guān)系的圖。
通過(guò)用JND尺度計(jì)算的不均勻程度，表現(xiàn)干涉光斑?？芍绻小，則干涉光斑也小。這可以認(rèn)為由于折射率差變小，干涉的振幅也變小，不容易看到有效的不均勻所致。
在本實(shí)施方式的PDP中，將MgO用于保護(hù)膜18。MgO是一種在二次電子發(fā)射系數(shù)和耐濺射性的方面上優(yōu)異的材料，所以雖然在進(jìn)行代替材料的研究，但是現(xiàn)狀尚未達(dá)到MgO以外的實(shí)用化。另外，在電介質(zhì)層17中使用低熔點(diǎn)玻璃。因此，將用MgO作為保護(hù)膜、用低熔點(diǎn)玻璃作為電介質(zhì)層作為前提，為了防止干涉光斑，盡可能使MgO膜和電介質(zhì)層的折射率差Δn小。具體地說(shuō)，小于等于0.2。因此，實(shí)施以下的四個(gè)對(duì)策。
(1)控制電介質(zhì)層的折射率，使其接近MgO膜的折射率。
(2)控制MgO膜的折射率，使其接近電介質(zhì)層的折射率。
(3)在MgO膜和電介質(zhì)層之間設(shè)置干涉防止層，使MgO膜和干涉防止層之間的折射率差小于等于0.05，使干涉防止層和電介質(zhì)層之間的折射率差小于等于0.05。
(4)使MgO膜的厚度達(dá)到不產(chǎn)生干涉光斑的程度。
首先，說(shuō)明控制電介質(zhì)層的折射率，使其接近MgO膜的折射率的具體方法。
圖5是表示各種玻璃材料的折射率的說(shuō)明圖。
如上所述，用篩網(wǎng)印刷法將低熔點(diǎn)玻璃漿料涂敷在前面?zhèn)鹊幕?1上，通過(guò)燒焙形成電介質(zhì)層17。該電介質(zhì)層17的折射率由低熔點(diǎn)玻璃的混合組成決定。因此，為了使與MgO膜的折射率差小，通過(guò)選擇電介質(zhì)層的組成，能抑制干涉光斑。
在形成了MgO膜的情況下，如果采用電子束蒸鍍法或等離子體CVD法等現(xiàn)在的成膜技術(shù)來(lái)形成，則對(duì)于波長(zhǎng)為500nm的光來(lái)說(shuō)，其折射率約為1.6左右。因此，具體地說(shuō)，選擇電介質(zhì)層的組成，以便電介質(zhì)層的折射率為1.6±0.2左右。在此情況下，MgO呈塊狀時(shí)，相對(duì)于波長(zhǎng)為500nm的光，其折射率約為1.74，所以電介質(zhì)層的折射率不需要比它大。因此，選擇電介質(zhì)層的組成時(shí)，相對(duì)于波長(zhǎng)為500nm的光，電介質(zhì)層的折射率大于等于1.45，而且小于等于1.74即可。
從這樣的觀點(diǎn)看，電介質(zhì)層中用的低熔點(diǎn)玻璃材料，采用SiO2、硼硅玻璃、Al2O3·SiO2、Al2O3(剛玉)、Y2O3、PbO(一氧化鉛)等。因此，能使電介質(zhì)層和MgO的折射率差小于等于0.2，能抑制干涉光斑。
另外，在使用SiO2，用等離子體CVD法形成電介質(zhì)層的情況下，按照CVD工藝條件(溫度、壓力等)控制電介質(zhì)層的折射率，使電介質(zhì)層的折射率接近MgO膜的折射率，能使兩者的折射率差小。
下面，說(shuō)明控制MgO膜的折射率，使其接近電介質(zhì)層的折射率的具體方法。
圖6是表示形成MgO膜時(shí)的壓力和折射率的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
用電子束蒸鍍法進(jìn)行了膜的形成。從該曲線圖可知，成膜壓力越大折射率越低。因此，電介質(zhì)層的折射率為1.74～1.45大小時(shí)，控制MgO的成膜壓力，以便與電介質(zhì)層的折射率差小，具體地說(shuō)小于等于0.05，能抑制干涉光斑。
圖7是表示形成MgO膜時(shí)的基板預(yù)熱溫度和折射率的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
用電子束蒸鍍法進(jìn)行了膜的形成。從該曲線圖可知，基板預(yù)熱溫度越高，折射率越高。因此，電介質(zhì)層的折射率為1.74～1.45大小時(shí)，控制MgO成膜時(shí)的基板預(yù)熱溫度，以便與電介質(zhì)層的折射率差小，具體地說(shuō)小于等于0.05，能抑制干涉光斑。
下面，說(shuō)明在MgO膜和電介質(zhì)層之間設(shè)置干涉防止層的具體例。
圖8是表示在保護(hù)膜和電介質(zhì)層之間設(shè)置了干涉防止層的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
在前面?zhèn)鹊幕?1的電介質(zhì)層17和保護(hù)膜18之間，設(shè)置與電介質(zhì)層17之間的折射率差、以及與保護(hù)膜18之間的折射率差分別小于等于0.05的干涉防止層19。這樣，干涉防止層19的折射率選擇處于電介質(zhì)層17和MgO膜18的中間的值。使干涉防止層19的厚度小于等于200nm。作為干涉防止層19的材料，能使用圖5所示的各種玻璃材料。
由于有干涉防止層19，所以界面的折射率差小，其結(jié)果能抑制干涉光斑。由于能維持現(xiàn)有的電介質(zhì)層和保護(hù)膜的材料及工藝條件，所以雖然制造手續(xù)有所增加，但作為優(yōu)點(diǎn)能舉出開(kāi)發(fā)和制造的負(fù)荷小等。
另外，作為干涉防止層能使用作為保護(hù)膜材料的MgO。即，為了使電介質(zhì)層和MgO膜的折射率差小于等于0.05，形成了MgO膜后，連續(xù)地形成不同條件的MgO膜。因此不會(huì)增加制造手續(xù)，另外關(guān)于在上層形成的MgO膜，能形成考慮了面板的放電特性和壽命特性的膜。作為具體的制造方法，在MgO的成膜中，僅對(duì)初期的形成200nm左右的厚度的膜的過(guò)程改變工藝條件(上述的成膜壓力、溫度)，就能實(shí)現(xiàn)。
下面，說(shuō)明使MgO膜的厚度達(dá)到不致產(chǎn)生干涉光斑程度的具體例。
圖9是表示模擬了MgO膜的厚度中心值和顯示不均勻的相關(guān)關(guān)系的結(jié)果的曲線圖。
從該曲線圖可知，MgO膜的厚度越厚，顯示不均勻越小。作為其理由，可以認(rèn)為MgO膜的厚度變厚，透射率的干涉周期變短所致。
PDP通過(guò)發(fā)生R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))色光進(jìn)行顯示，但各色光譜具有某一波長(zhǎng)區(qū)。因此，即使透射率由于干涉而變化，但如果干涉周期在各色發(fā)光光譜的波長(zhǎng)區(qū)內(nèi)，則不會(huì)引起大幅度的顏色變化。從圖9中的曲線圖可知，如果使MgO膜的厚度為大于等于1200nm，則能大幅度地抑制干涉光斑。
這樣，通過(guò)使電介質(zhì)層的折射率和保護(hù)膜的折射率的差小于等于0.2，能緩和由保護(hù)膜的厚度不均勻引起的顯示不均勻，能提供白色均勻性高的等離子體顯示面板。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上具有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板，其特征在于上述電介質(zhì)層的折射率和保護(hù)膜的折射率的差為小于等于0.20。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于用MgO且采用平均厚度為1微米左右的薄膜形成工藝來(lái)形成上述保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于用上述電介質(zhì)層的折射率和在它上面形成的保護(hù)膜的折射率的差為小于等于0.20的材料來(lái)形成該電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于對(duì)于波長(zhǎng)為500nm的光，上述電介質(zhì)層的折射率的值為1.45～1.74。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述電介質(zhì)層用以從氧化硅、硼硅玻璃、氧化鋁、氧化釔、氧化鉛構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的混合物為主要成分的玻璃材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于利用薄膜形成工藝形成上述保護(hù)膜，作為實(shí)施該薄膜形成工藝時(shí)的形成條件，通過(guò)控制溫度或壓力來(lái)調(diào)整折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于在上述電介質(zhì)層和保護(hù)膜之間，設(shè)置與電介質(zhì)層之間的折射率的差以及與保護(hù)膜之間的折射率的差分別為小于等于0.05的干涉防止層。
8.一種等離子體顯示面板，它是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上具有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板，其特征在于上述保護(hù)膜的厚度為大于等于1200nm。
9.一種等離子體顯示面板的制造方法，該面板是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上具有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板，其特征在于用薄膜形成工藝形成上述保護(hù)膜，實(shí)施該薄膜形成工藝時(shí)，控制形成保護(hù)膜時(shí)的壓力，以便與電介質(zhì)層之間的折射率差為小于等于0.05。
10.一種等離子體顯示面板的制造方法，該面板是在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上具有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板，其特征在于用薄膜形成工藝形成上述保護(hù)膜，實(shí)施該薄膜形成工藝時(shí)，控制形成保護(hù)膜時(shí)的溫度，以便與電介質(zhì)層之間的折射率差為小于等于0.05。
全文摘要
提供一種等離子體顯示面板及其制造方法，通過(guò)考慮電介質(zhì)層和保護(hù)膜的折射率的差，謀求干涉光斑的緩和。在前面?zhèn)鹊幕搴捅趁鎮(zhèn)鹊幕逯g形成放電空間，在前面?zhèn)鹊幕宓膬?nèi)表面上具有電極、覆蓋該電極的電介質(zhì)層、以及覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)膜的AC型等離子體顯示面板中，電介質(zhì)層的折射率和保護(hù)膜的折射率的差為小于等于0.20。
文檔編號(hào)H01J11/12GK1763892SQ20051010868
公開(kāi)日2006年4月26日 申請(qǐng)日期2005年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月19日
發(fā)明者川崎龍彥 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司