專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)和制造該顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
PDP是通過等離子體放電激發(fā)熒光物質(zhì)從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示的顯示器件。即，從通過氣體放電得到的等離子體發(fā)射的真空紫外(VUV)線激發(fā)熒光層，然后該熒光層發(fā)射可見的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光由此形成圖像。PDP具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括可以制造成具有60英寸或更大的大屏幕尺寸、10cm或更薄的外形、由于PDP的自發(fā)射特性而得到的寬視角和良好色彩重現(xiàn)(如陰極射線管中的情況)，以及由于制造過程比與液晶顯示器有關(guān)的制造過程更簡(jiǎn)單而得到的高生產(chǎn)率和低制造成本。因此，PDP正逐漸在家庭和工業(yè)中得到廣泛使用。
在常規(guī)的交流等離子顯示面板(AC PDP)中，后基底和前基底彼此相對(duì)配置，其間具有預(yù)定間隙。在與前基底相對(duì)的后基底的表面上形成多個(gè)尋址電極。尋址電極以條形圖案沿第一方向形成。第一介電層形成在后基底上并覆蓋尋址電極，多個(gè)障肋形成在第一介電層上。障肋在相應(yīng)于尋址電極之間的區(qū)域以條形圖案沿第一方向形成，或者以矩陣圖案沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向形成。紅、綠和藍(lán)熒光層分別形成在障肋的相鄰對(duì)之間。
在前基底相對(duì)的與后基底的表面上形成多個(gè)顯示電極，每個(gè)都由透明電極對(duì)和相應(yīng)的總線電極對(duì)組成。第二介電層和MgO保護(hù)層(以這一順序)形成在前基底上并覆蓋顯示電極。
在尋址電極之一和顯示電極對(duì)之間以及通過這些元件的相交所限定的每個(gè)區(qū)域形成放電單元。數(shù)億個(gè)放電單元通過這種布置以矩陣結(jié)構(gòu)形成。
記憶特征被用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)AC PDP的數(shù)百萬(wàn)的放電單元。更詳細(xì)的，為了實(shí)現(xiàn)在構(gòu)成每對(duì)顯示電極的X電極(維持電極)和Y電極(掃描電極)之間的放電，要求電勢(shì)差至少為一稱作點(diǎn)火電壓Vf的預(yù)定電壓。這時(shí)，如果將尋址電壓Va施加在Y電極之一和尋址電極之一之間，則放電被啟動(dòng)使得在相應(yīng)的放電單元中產(chǎn)生等離子體。等離子體中的電子和離子向相反極性的電極遷移，由此形成電流。
通過在尋址電極之上形成第一介電層和在顯示電極之上形成第二介電層，大多數(shù)遷移的空間電荷積聚在極性相反的第一介電層和第二介電層上。結(jié)果為Y電極和尋址電極之間的凈空間電勢(shì)變得小于初始施加的尋址電壓Va從而削弱了放電，由此終止了尋址放電。這時(shí)，數(shù)量相對(duì)少的電子向X電極積聚，而數(shù)量相對(duì)多的離子向Y電極積聚。積聚在覆蓋X電極和Y電極的第二介電層上的電荷稱作壁電荷Qw，而通過壁電荷Qw在X電極和Y電極之間形成的空間電勢(shì)稱作壁電壓Vw。
隨后，如果預(yù)定的放電維持電壓Vs施加在X電極和Y電極之間，并且如果放電維持電壓Vs和壁電壓Vw之和(Vs+Vw)變得大于點(diǎn)火電壓Vf，則放電在相應(yīng)的放電單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)。由此產(chǎn)生的VUV線激發(fā)相應(yīng)的熒光層，使得可見光通過透明前基底發(fā)射。
然而，當(dāng)Y電極和尋址電極之間不存在尋址放電時(shí)(即當(dāng)沒有施加尋址電壓Va時(shí))，沒有壁電荷存在于X電極和Y電極之間，最終，在它們之間沒有壁電壓。因此，僅施加在X電極和Y電極之間的放電維持電壓Vs形成在放電單元中，由于該電壓本身是小于點(diǎn)火電壓Vf的，因此在X電極和Y電極的氣體空間中沒有放電發(fā)生在如上所述的PDP運(yùn)行過程中，在電源輸入和獲得可見光的顯示之間包含許多步驟。此外，在這些步驟的每一個(gè)中，能量轉(zhuǎn)換的效率低。事實(shí)上，與PDP相比，常規(guī)CRT的總效率(亮度與功耗比)更好。常規(guī)PDP的低能量效率成為這種顯示構(gòu)造的嚴(yán)重缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種等離子體顯示面板和制造該顯示面板的方法，其中可以在低電壓下尋址放電，由此減小了功耗。
等離子體顯示面板包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基底和第二基底，其間具有預(yù)定間隙；配置在第一基底和第二基底之間的間隙中以限定多個(gè)放電單元的多個(gè)障肋；分別形成在放電單元中的多個(gè)熒光層；沿第一方向形成在第一基底上的多個(gè)顯示電極；和沿第二方向形成在第一基底和第二基底之間的多個(gè)尋址電極，該第二方向與第一方向相交，與到第二基底相比，尋址電極更接近于第一基底。
尋址電極可以分別形成在障肋的上部區(qū)域中，并且可以分別嵌入在障肋中。
尋址電極相應(yīng)于顯示電極沿障肋延伸。
此外，尋址電極可以形成在第一基底上，并優(yōu)選與顯示電極電絕緣的同時(shí)比顯示電極更遠(yuǎn)離第一基底。此外，尋址電極可以比顯示電極更向第二基底突出。
顯示電極包括在第一基底上延伸并對(duì)于每個(gè)放電單元以相對(duì)的對(duì)而形成的總線電極，和從總線電極向每個(gè)放電單元的內(nèi)部區(qū)域延伸的突出電極，對(duì)于每個(gè)放電單元成對(duì)的突出電極彼此相對(duì)，每個(gè)相對(duì)的一對(duì)突出電極關(guān)于相應(yīng)的一個(gè)放電單元的中心基本上具有點(diǎn)對(duì)稱。
每個(gè)突出電極包括寬區(qū)域和窄區(qū)域，其中寬區(qū)域接觸相應(yīng)的一個(gè)總線電極并延伸到放電單元之一中，窄區(qū)域從寬區(qū)域進(jìn)一步延伸到放電單元中。寬區(qū)域和窄區(qū)域可以以階梯狀結(jié)構(gòu)連接。
每個(gè)突出電極包括與總線電極延伸方向相對(duì)的寬區(qū)域和窄區(qū)域，寬區(qū)域和窄區(qū)域也與尋址電極的延伸方向相對(duì)。優(yōu)選地，寬區(qū)域沿尋址電極的延伸方向的長(zhǎng)度小于窄區(qū)域沿相同方向的長(zhǎng)度。
每個(gè)突出電極包括經(jīng)由傾斜表面互連的寬區(qū)域和窄區(qū)域。傾斜表面關(guān)于總線電極和尋址電極的延伸方向傾斜。每個(gè)傾斜表面可以包括圓形段，其中每對(duì)突出電極的圓形段彼此相對(duì)。
相對(duì)的一對(duì)突出電極通過X電極和Y電極實(shí)現(xiàn)，每對(duì)X電極和Y電極關(guān)于相應(yīng)的一個(gè)放電單元的中心基本上具有點(diǎn)對(duì)稱。X電極和Y電極關(guān)于尋址電極的延伸方向和關(guān)于總線電極的延伸方向具有不對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部透視圖。
圖2是沿圖1的II-II線得到的截面圖。
圖3是沿圖1的III-III線得到的截面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的變形示例的等離子體顯示面板的局部截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部平面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部平面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部平面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部平面圖。
圖9A-9D是等離子體顯示面板經(jīng)歷根據(jù)本發(fā)明示例性方法的連續(xù)制造步驟時(shí)的局部截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的局部透視圖。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP包括彼此相對(duì)密封的第一基底1和第二基底3，在它們之間具有預(yù)定間隙。多個(gè)障肋5形成在第一基底1和第二基底3之間。障肋5限定多個(gè)放電單元7R、7G、7B，熒光層9R、9G、9B通過在障肋5的內(nèi)壁之間和在其上沉積紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光材料形成。
多個(gè)顯示電極11，13形成在第一基底1上并沿第一方向(即沿x方向)延伸，多個(gè)尋址電極15形成在第二基底3上并沿第二方向(即沿y方向)延伸，該第二方向垂直于第一方向。
形成在第一基底1和第二基底3之間的障肋5彼此平行配置使得放電單元7R、7G、7B分別形成在相鄰障肋5之間。障肋5的這種條形圖案僅用作示例，本發(fā)明在該方面不限于此。例如，可以使用封閉的矩陣結(jié)構(gòu)，其中障肋沿彼此相交的x方向和y方向延伸。
在本實(shí)施例中，顯示電極11，13分別為X，Y電極，其中X電極11之一和Y電極13之一設(shè)置成相對(duì)的一對(duì)。每個(gè)X電極11包括沿x方向延伸的總線電極11b和多個(gè)透明電極11a，透明電極11a沿y方向從總線電極11b向?qū)?yīng)的一個(gè)相對(duì)的Y電極13延伸。類似地，每個(gè)Y電極13包括沿x方向延伸的總線電極13b和多個(gè)透明電極13a，透明電極13a沿y方向從總線電極13b向?qū)?yīng)的一個(gè)相對(duì)的X電極11延伸。
透明電極11a，13a的作用為在放電單元7R、7G、7B中實(shí)現(xiàn)等離子體放電。為了確保好的亮度，透明電極11a，13a優(yōu)選由透明材料如ITO(銦錫氧化物)構(gòu)成?？偩€電極11b，13b補(bǔ)償透明電極11a，13a的高電阻由此保持高電導(dǎo)水平?？偩€電極11b，13b優(yōu)選由金屬材料如銀(Ag)構(gòu)成。
X，Y電極11，13配置成如上所述的相對(duì)的一對(duì)。X，Y電極11，13被第一介電層17和MgO保護(hù)層19覆蓋。
圖2是沿圖1的II-II線得到的截面圖。圖3是沿圖1的III-III線得到的截面圖。
參考附圖，尋址電極15沿y方向延伸，形成在第一基底1和第二基底3之間，其中y方向垂直于顯示電極11，13的總線電極11b，13b。尋址電極15更準(zhǔn)確地描述為分別嵌入在障肋5中，其中障肋5形成在第二基底3上。因此，不同于常規(guī)PDP中尋址電極直接形成在第二基底3上，本實(shí)施例的尋址電極15以相同的位置嵌入在障肋5中，使得尋址電極15遠(yuǎn)離第二基底3的內(nèi)表面一段距離D。由于這種結(jié)構(gòu)，形成在障肋5中的尋址電極15更接近于Y電極13(即相距距離L)定位，Y電極與尋址電極15配合實(shí)現(xiàn)尋址放電。
尋址電極15和Y電極13之間的距離L的減小允許尋址放電在低電壓下發(fā)生，由此減小了PDP的功耗。通過直接在障肋15的上表面上形成尋址電極15，即在障肋15離第二基底3的最遠(yuǎn)的表面處，距離L可以進(jìn)一步減小。因此，甚至更低電壓也可以用于實(shí)現(xiàn)尋址放電。
為了進(jìn)一步使尋址電極15能夠產(chǎn)生等離子體放電所需的壁電荷，由此減小放電電壓從而使得放電電流被抑制并且PDP的功耗得到最小化，第二介電層21可以分別形成在尋址電極15上。因此，僅尋址電極15或者尋址電極15與第二介電層21一起可以嵌入在每個(gè)障肋5中。
因此尋址電極15可以在放電單元7R、7G、7B的整行內(nèi)實(shí)現(xiàn)尋址放電，尋址電極15沿障肋5的整個(gè)長(zhǎng)度延伸，由此與所有顯示電極11，13相對(duì)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的變形示例的PDP的局部截面圖。
本變形示例的PDP的尋址電極25形成在第一基底1上。即，透明電極11a，13a和總線電極11b，13b以這一順序形成在第一基底1上，第一介電層27形成并覆蓋這些元件。尋址電極25以通過第一介電層27與總線電極11b，13b和透明電極11a，13a絕緣的狀態(tài)形成在第一基底1上。尋址電極25配置在分別相應(yīng)于障肋5的位置，并且可以突出于第一介電層27的相應(yīng)于放電單元7R、7G、7B的區(qū)域的表面。利用這種結(jié)構(gòu)，間隙在尋址電極25和Y電極13之間形成，它們配合在尋址間隔期間實(shí)現(xiàn)放電。這些間隙允許更平穩(wěn)的尋址放電。此外，當(dāng)與尋址電極形成在第二基底上的常規(guī)PDP相比時(shí)，本變形示例的Y電極13和尋址電極25之間的距離得到最小化，由此允許尋址放電在低電壓下發(fā)生，最終導(dǎo)致PDP功耗的減小。應(yīng)當(dāng)注意，該變形示例也可以應(yīng)用于下述的其他實(shí)施例。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP的局部平面圖。
由于尋址電極15如上所述形成，因此顯示電極11，13具有如圖5所示的結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)的，總線電極11b，13b如上所述沿x方向延伸形成，透明電極11a，13a分別從總線電極11b，13b沿y方向延伸形成。對(duì)于每個(gè)放電單元7R、7G、7B，每個(gè)透明電極11a，13a之一中的一對(duì)以在一對(duì)透明電極11a，13a之間存在點(diǎn)對(duì)稱的方式彼此相對(duì)。
透明電極11a，13a包括寬區(qū)域11aa，13aa和窄區(qū)域11ab，13ab，其中寬區(qū)域11aa，13aa與總線電極11b，13b接觸并向放電單元7R、7G、7B的內(nèi)部區(qū)域延伸，窄區(qū)域11ab，13ab從寬區(qū)域11aa，13aa進(jìn)一步延伸到放電單元7R、7G、7B中。
透明電極11a，13a的寬區(qū)域11aa，13aa和窄區(qū)域11ab，13ab導(dǎo)致透明電極11a，13a的階梯狀結(jié)構(gòu)。寬區(qū)域11aa，13aa和窄區(qū)域11ab，13ab通過擴(kuò)大透明電極11a，13a的表面放電區(qū)域來增加放電效率。
寬區(qū)域11aa，13aa和窄區(qū)域11ab，13ab分別沿總線電極11b，13b的延伸方向(即沿x方向)具有相對(duì)的結(jié)構(gòu)，寬區(qū)域11aa和寬區(qū)域13aa沿尋址電極15的延伸方向(即沿y方向)具有相對(duì)的結(jié)構(gòu)。即，透明電極11a，13a沿x，y方向都具有相對(duì)的結(jié)構(gòu)。
利用透明電極11a，13a沿x方向彼此相對(duì)、沿y方向延伸形成，不包含在尋址放電中的X電極11的透明電極11a優(yōu)選設(shè)置成在透明電極11a和障肋5之間(g1)，和在透明電極11a和尋址電極15之間(g2)存在足夠的間隙g1和g2。這防止尋址電極15的誤放電發(fā)生，其中尋址電極15形成在障肋5中。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的局部平面圖。
參考圖6，本實(shí)施例的PDP的透明電極31a，33a包括沿y方向具有長(zhǎng)度l1的寬區(qū)域31aa，33aa，該長(zhǎng)度l1顯著地小于窄區(qū)域31ab，33ab沿相同方向的長(zhǎng)度l2。因此，每個(gè)相對(duì)的一對(duì)寬區(qū)域31aa，33aa之間的間隔c，和每個(gè)相對(duì)的一對(duì)窄區(qū)域31ab，33ab之間的間隔d形成為長(zhǎng)放電間隙。放電單元7R、7G、7B相應(yīng)于這些放電間隙c、d的寬熒光材料區(qū)域被激發(fā)，由此提高放電效率。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的PDP的局部平面圖。
本實(shí)施例的PDP的透明電極41a，43a包括具有傾斜結(jié)構(gòu)的寬區(qū)域41aa，43aa和窄區(qū)域41ab，43ab。即，對(duì)于每對(duì)透明電極41a，43a，互連寬區(qū)域41aa，43aa和窄區(qū)域41ab，43ab的表面關(guān)于x和y方向都傾斜。具有這種傾斜結(jié)構(gòu)的寬區(qū)域41aa，43aa和窄區(qū)域41ab，43ab導(dǎo)致如上所述的透明電極41，43的大放電區(qū)域的形成，由此提高放電效率。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的PDP的局部平面圖。
參考附圖，本實(shí)施例PDP的透明電極51a，53a中互連寬區(qū)域51aa，53aa和窄區(qū)域51ab，53ab的表面包括相對(duì)的圓形段51ac，53ac。圓形段51ac，53ac在連接寬區(qū)域51aa，53aa和窄區(qū)域51ab，53ab的表面之間形成長(zhǎng)的放電間隙e。
如圖5-8所示，第一到第四示例性實(shí)施例中的X和Y電極對(duì)關(guān)于放電單元7R、7G、7B的中心具有點(diǎn)對(duì)稱。每個(gè)X電極和Y電極關(guān)于尋址電極15延伸的y方向不對(duì)稱地形成，以及關(guān)于總線電極延伸的x方向不對(duì)稱地形成，由此增加相對(duì)的區(qū)域以導(dǎo)致在大的區(qū)域上誘發(fā)等離子體放電。通過這種結(jié)構(gòu)，放電效率得以增加。
圖9A-9D是PDP經(jīng)歷根據(jù)本發(fā)明示例性方法的連續(xù)制造步驟時(shí)的局部截面圖。形成具有如上所述優(yōu)點(diǎn)的透明電極11a，13a的方法將參考附圖詳細(xì)描述。
在透明電極11a，13a的說明中僅詳細(xì)地描述了PDP的基本方面，應(yīng)當(dāng)理解，沒有描述的元件可以利用常規(guī)技術(shù)來制造。因此，僅對(duì)障肋5和相關(guān)元件的形成在下面特別詳細(xì)地描述。
在PDP的制造方法中，顯示電極11，13形成在第一基底1上，障肋5和尋址電極15形成在第二基底3上。第一基底1和第二基底3然后彼此相對(duì)地密封。
參考圖9A，障肋5通過在第二基底3上依序沉積障肋材料5m、尋址電極材料15m和介電材料21m由此產(chǎn)生多層結(jié)構(gòu)而形成。在該多層結(jié)構(gòu)形成步驟中，介電材料21m的沉積可以根據(jù)需要選擇性地進(jìn)行(即，介電材料21m的沉積可以從該步驟中省略)。
其次，包括障肋材料5m、尋址電極材料15m和介電材料21m的多層結(jié)構(gòu)在不相應(yīng)于障肋5將形成的區(qū)域，即相應(yīng)于放電單元7R、7G、7B將形成的區(qū)域被去除，如圖9B所示。在該去除步驟中，當(dāng)介電材料21m在多層結(jié)構(gòu)形成步驟中沒有沉積時(shí)，去除該材料的子步驟是不需要的。去除可以通過噴砂、刻蝕、激光刻蝕和其他方法進(jìn)行。由于這些去除方法是常規(guī)的，因此其詳細(xì)描述在此省略。
隨后，參考圖9C，障肋材料層5n沉積在第二基底3上并覆蓋保留在其上的所有元件。優(yōu)選地，障肋材料層5n形成來還覆蓋障肋材料5m、尋址電極材料15m和介電材料21m的側(cè)表面。
接著上述步驟，障肋材料層5n的不相應(yīng)于障肋5將形成的區(qū)域，即相應(yīng)于放電單元7R、7G、7B將形成的區(qū)域被去除，如圖9D所示。這導(dǎo)致尋址電極15和第一介電層21以這一順序嵌入在障肋5中。
以該方式形成的尋址電極15不會(huì)經(jīng)歷與X電極的誤放電，并接近于Y電極13定位以使低電壓尋址放電能夠?qū)崿F(xiàn)。
上述方法也可以應(yīng)用于制造本發(fā)明的第二、第三和第四實(shí)施例的PDP。
在上述本發(fā)明的PDP中，尋址電極接近于其上配置有顯示電極的基底定位，以減小負(fù)責(zé)尋址放電的電極之間的距離，并且由此允許低電壓驅(qū)動(dòng)。即，尋址電極形成在第二基底的障肋中，Y電極形成在第一基底上并與尋址電極相對(duì)。或者，尋址電極和Y電極都形成在第一基底上。在任何一種情況中，尋址電極和Y電極之間的放電距離都減小了，使得可以低電壓尋址放電，由此減小了PDP的功耗。
盡管上文已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)清楚地理解，這里的基本發(fā)明概念所教導(dǎo)的許多變化和/或變形對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的，并仍然落在如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基底和第二基底，在它們之間具有預(yù)定間隙；配置在第一基底和第二基底之間的間隙中以限定多個(gè)放電單元的多個(gè)障肋；分別形成在放電單元中的多個(gè)熒光層；沿第一方向形成在第一基底上的多個(gè)顯示電極；和沿第二方向形成在第一基底和第二基底之間的多個(gè)尋址電極，該第二方向與第一方向相交，與到第二基底相比，尋址電極更接近于第一基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中尋址電極分別形成在障肋的上部區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中尋址電極分別嵌入在障肋中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中尋址電極相應(yīng)于顯示電極沿障肋延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中尋址電極形成在第一基底上，并且在與顯示電極電絕緣的同時(shí)比顯示電極更遠(yuǎn)離第一基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的等離子體顯示面板，其中尋址電極比顯示電極更向第二基底突出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中顯示電極包括在第一基底上延伸并對(duì)于每個(gè)放電單元成相對(duì)的對(duì)而形成的總線電極，和從總線電極向每個(gè)放電單元的內(nèi)部區(qū)域延伸的透明電極，對(duì)于每個(gè)放電單元成對(duì)的透明電極彼此相對(duì)，每個(gè)相對(duì)的一對(duì)透明電極關(guān)于相應(yīng)的一個(gè)放電單元的中心基本上具有點(diǎn)對(duì)稱。
8.一種等離子體顯示面板，包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基底和第二基底，在它們之間具有預(yù)定間隙；配置在第一基底和第二基底之間的間隙中以限定多個(gè)放電單元的多個(gè)障肋；分別形成在放電單元中的多個(gè)熒光層；沿第一方向形成在第一基底上的多個(gè)顯示電極；其中尋址電極與第二基底相隔預(yù)定距離形成；顯示電極包括在第一基底上延伸并對(duì)于每個(gè)放電單元以相對(duì)的對(duì)而形成的總線電極，和從總線電極向每個(gè)放電單元的內(nèi)部區(qū)域延伸的突出電極，對(duì)于每個(gè)放電單元成對(duì)的突出電極彼此相對(duì)，每個(gè)相對(duì)的一對(duì)突出電極關(guān)于相應(yīng)的一個(gè)放電單元的中心基本上具有點(diǎn)對(duì)稱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中每個(gè)突出電極包括寬區(qū)域和窄區(qū)域，其中寬區(qū)域接觸相應(yīng)的一個(gè)總線電極并延伸到放電單元之一中，窄區(qū)域從寬區(qū)域進(jìn)一步延伸到該放電單元中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中每個(gè)突出電極包括以階梯狀結(jié)構(gòu)連接的寬區(qū)域和窄區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中每個(gè)突出電極包括與總線電極延伸方向相對(duì)的寬區(qū)域和窄區(qū)域，寬區(qū)域和窄區(qū)域也相對(duì)于尋址電極的延伸方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中每個(gè)突出電極包括寬區(qū)域和窄區(qū)域，寬區(qū)域沿尋址電極的延伸方向的長(zhǎng)度小于窄區(qū)域沿相同方向的長(zhǎng)度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中每個(gè)突出電極包括經(jīng)由傾斜表面互連的寬區(qū)域和窄區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中傾斜表面關(guān)于總線電極和尋址電極的延伸方向傾斜。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中傾斜表面包括圓形段，其中每對(duì)突出電極的圓形段彼此相對(duì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中相對(duì)的一對(duì)突出電極通過X和Y電極實(shí)現(xiàn)，每對(duì)X和Y電極關(guān)于相應(yīng)的一個(gè)放電單元的中心基本上具有點(diǎn)對(duì)稱。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的等離子體顯示面板，其中X和Y電極關(guān)于尋址電極的延伸方向和關(guān)于總線電極的延伸方向具有不對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中尋址電極分別形成在障肋的上部區(qū)域中。
19.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中尋址電極分別嵌入在障肋中。
20.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中尋址電極相應(yīng)于顯示電極沿障肋延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中尋址電極形成在第一基底上，并且在與顯示電極電絕緣的同時(shí)比顯示電極更遠(yuǎn)離第一基底。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的等離子體顯示面板，其中尋址電極比顯示電極更向第二基底突出。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板包括彼此相對(duì)設(shè)置并在其間具有預(yù)定間隙的第一基底和第二基底，配置在第一基底和第二基底之間的間隙中以限定多個(gè)放電單元的多個(gè)障肋，分別形成在放電單元中的多個(gè)熒光層，沿第一方向形成在第一基底上的多個(gè)顯示電極，和沿第二方向形成在第一基底和第二基底之間的多個(gè)尋址電極，該第二方向與第一方向相交。與到第二基底相比，尋址電極更接近于第一基底。
文檔編號(hào)H01J11/38GK1691262SQ20051007881
公開日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月20日
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