專(zhuān)利名稱(chēng)：處理基片的方法、形成膜的方法以及制造電子源的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在氣密密封氣氛下進(jìn)行的處理基片的方法、同樣在氣密密封氣氛下進(jìn)行的制造電子源的方法和制造電子源的設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，作為電子發(fā)射器件，一般有兩種類(lèi)型，即熱電子發(fā)射器件和冷陰極電子發(fā)射器件。冷陰極電子發(fā)射器件包括場(chǎng)發(fā)射電子發(fā)射器件、金屬/絕緣體/金屬電子發(fā)射器件、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件等。
表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件利用了其中通過(guò)允許電流在基片上形成的小面積薄膜中并平行于膜表面流動(dòng)而產(chǎn)生電子發(fā)射的現(xiàn)象。例如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)JP7-235255、8-171849等中公布了它的基本結(jié)構(gòu)和制造方法。
表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件的特征在于包括在基片上互相相對(duì)的一對(duì)器件電極和連接到一對(duì)器件電極上并在其部分中含有電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)體(導(dǎo)電膜)。在一部分導(dǎo)電膜中形成裂縫。此外，在裂縫的端部形成含有碳和碳化合物的至少一種作為主要成分的淀積膜。
在基片上排列多個(gè)這種電子發(fā)射器件，并且每個(gè)電子發(fā)射器件通過(guò)布線(xiàn)連接，由此可制造具有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件的電子源。
此外，通過(guò)組合上述電子源和熒光體，可制造圖像顯示裝置的顯示板通常，這種電子源的顯示板是通過(guò)如下方式制造的。即，作為第一種制造方法，首先，制造其上形成多個(gè)器件和連接多個(gè)器件的布線(xiàn)的電子源基片，其中多個(gè)器件由導(dǎo)電膜和連接到導(dǎo)電膜的一對(duì)器件電極構(gòu)成。接著，在真空室中安裝制造的整個(gè)電子源基片。然后，將真空室內(nèi)部抽空之后，通過(guò)外部端子將電壓施加于上述每個(gè)器件，在每個(gè)器件的導(dǎo)電膜中形成裂縫。而且，含有有機(jī)材料的氣體輸送到真空室中，并在存在有機(jī)材料的氣氛下通過(guò)外部端子再次給上述每個(gè)器件施加電壓，由此使碳或碳化合物淀積在裂縫附近。
此外，作為第二種制造方法，首先，制造其上形成多個(gè)器件和連接多個(gè)器件的布線(xiàn)的電子源基片，其中多個(gè)器件由導(dǎo)電膜和連接到導(dǎo)電膜的一對(duì)器件電極構(gòu)成。接著，制造的電子源基片和其上淀積熒光體的基片連接在一起，同時(shí)在它們之間夾入支撐框架，以便制造成像裝置的顯示板。之后，通過(guò)顯示板的排氣管對(duì)顯示板的內(nèi)部抽真空，并通過(guò)顯示板的外部端子將電壓施加于上述每個(gè)器件，從而在每個(gè)器件的導(dǎo)電膜中形成裂縫。而且，含有有機(jī)材料的氣體通過(guò)排氣管輸送到顯示板中，并在其中存在有機(jī)材料的氣氛下通過(guò)外部端子再次將電壓施加于上述每個(gè)器件，由此使碳或碳化合物淀積在裂縫的附近。
在制造電子源的面板時(shí)已經(jīng)采用了上述制造方法。然而，隨著電子源基片做得較大，第一種制造方法特別需要大尺寸的真空室和適應(yīng)高真空的排氣裝置。此外，第二種制造方法對(duì)圖像形成裝置的面板中的空間的抽真空和向面板的空間中引入含有有機(jī)材料的氣體需要很長(zhǎng)的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述缺陷設(shè)計(jì)，本發(fā)明的目的是提供一種制造裝置，在制造電子源時(shí)可以使可操作性最小化和簡(jiǎn)單化。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供能提高制造速度和適合于大批量生產(chǎn)的制造電子源的方法。
此外，本發(fā)明的又一目的是提供一種制造電子源的設(shè)備和制造電子源的方法，該設(shè)備和方法能制造具有優(yōu)異電子發(fā)射特性的電子源。
另外，本發(fā)明的再一目的是提供一種處理基片的方法和形成膜的方法，該方法可以提高制造速度和適合于需要?dú)饷苊芊鈿夥盏幕幚砣缒ば纬傻拇笈可a(chǎn)。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于在基片上進(jìn)行預(yù)定處理的基片處理方法，該方法包括以下步驟在氣密氣氛中設(shè)置要處理的基片的表面；對(duì)氣密氣氛排氣；和在基片上進(jìn)行預(yù)定處理，其中將被抽空氣密氣氛從排氣操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行處理步驟。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種在基片上形成膜的膜形成方法，該方法包括以下步驟在氣密氣氛中設(shè)置其上要形成膜的基片的表面；對(duì)氣密氣氛排氣；和向被抽空氣密氣氛中引入膜形成氣體，其中，將被抽空氣密氣氛從排氣操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子源制造方法，該方法包括以下步驟在氣密氣氛中設(shè)置基片表面；對(duì)該氣密氣氛排氣；和進(jìn)行給設(shè)置在被抽空氣密氣氛中的基片表面上的部件施于電子發(fā)射功能的處理，其中將被抽空氣密氣氛從進(jìn)行排氣步驟的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行處理步驟。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子源制造設(shè)備，該設(shè)備包括其上將要放置基片的支撐部件，其中基片上已經(jīng)設(shè)置了具有形成在其中的電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)體；覆蓋導(dǎo)體的容器；和用于輸送氣密密封容器單元的輸送裝置，其中氣密密封容器單元是通過(guò)將基片放在支撐部件和容器之間以便保持容器中的預(yù)定氣氛形成的。
本發(fā)明提供一種用于在基片上進(jìn)行預(yù)定處理的基片處理方法，該方法包括以下步驟在氣密氣氛中放置待處理基片的表面；對(duì)所述氣密氣氛排氣；和在基片上進(jìn)行預(yù)定處理，其中在將被抽空氣密氣氛從用于排氣的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行所述處理步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述排氣步驟包括用于減小氣密氣氛的壓力的減壓步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述處理步驟包括用于將氣體引入已經(jīng)被減壓的氣密氣氛中的氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述排氣步驟包括用于替換氣密氣氛中的氣體的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述預(yù)定處理包括在所述基片上的形成膜。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述預(yù)定處理包括放置在所述基片上的導(dǎo)體的賦能。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述預(yù)定處理包括放置在所述基片上的導(dǎo)體的還原。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中其中所述預(yù)定處理包括加熱所述基片。
根據(jù)本發(fā)明的上述處理方法，其中所述氣密氣氛是由所述基片和放置在基片上的容器形成的。
本發(fā)明還提供一種用于在基片上形成膜的膜形成方法，包括以下步驟在氣密氣氛中放置其上要形成膜的基片的表面；對(duì)所述氣密氣氛排氣；和向被抽空氣密氣氛中引入膜形成氣體，其中，在將被抽空氣密氣氛從用于排氣的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行所述氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述膜形成方法，其中在所述不同操作臺(tái)中進(jìn)行所述氣體引入步驟和用于對(duì)放置在基片上的導(dǎo)體賦能的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述膜形成方法，其中在所述不同操作臺(tái)中進(jìn)行所述氣體引入步驟和用于還原放置在基片上的導(dǎo)體的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述膜形成方法，其中在不同的操作臺(tái)中進(jìn)行所述氣體引入步驟和用于加熱所述基片的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述膜形成方法，其中排氣步驟包括用于減小所述氣密氣氛的壓力的減壓步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述膜形成方法，其中所述氣密氣氛是由所述基片和放置在基片上的容器形成的。
本發(fā)明還提供一種電子源制造方法，包括如下步驟在氣密氣氛中放置基片表面；對(duì)該氣密氣氛排氣；和進(jìn)行給放置在被抽空氣密氣氛中的基片表面上的部件賦予電子發(fā)射功能的處理，其中將被抽空氣密氣氛從進(jìn)行所述排氣步驟的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行所述處理步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述排氣步驟包括用于減小所述氣密氣氛的壓力的減壓步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括用于將還原所述部件的氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括用于將氫氣引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括用于將含有功函數(shù)比形成所述部件的材料的功函數(shù)低的材料的氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括用于將碳?xì)怏w或碳化合物氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括所述部件的賦能。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述處理步驟包括加熱所述部件。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述排氣步驟包括替換所述氣密氣氛中的氣體的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造方法，其中所述氣密氣氛是由所述基片和放置在基片上的容器形成的。
本發(fā)明還提供一種電子源制造設(shè)備，包括其上要放置基片的支撐部件，該基片上已經(jīng)放置了具有形成在其中的電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)體；覆蓋所述導(dǎo)體的容器；和運(yùn)送裝置，用于運(yùn)送通過(guò)在所述支承部件和所述容器之間放置所述基片形成的氣密密封容器單元，以便在所述容器中保持所希望的氣氛。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，還包括用于給所述導(dǎo)體施加用于形成電子發(fā)射區(qū)的電壓的電壓施加裝置。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，其中電壓施加裝置設(shè)置在支撐部件上。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，其中所述容器具有氣體入口和排氣口以及用于密封氣體入口和排氣口的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，還包括多個(gè)操作臺(tái)，所述氣密密封容器單元穿過(guò)該多個(gè)操作臺(tái)運(yùn)送，并且在所述多個(gè)操作臺(tái)中進(jìn)行用于制造電子源的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，還包括用于給所述導(dǎo)體施加用于形成電子發(fā)射區(qū)的電壓的電壓施加裝置，其中所述電壓施加裝置被放置在所述多個(gè)操作臺(tái)的至少一個(gè)中。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，其中所述容器具有氣體入口和排氣口以及用于密封氣體入口和排氣口的裝置，其中所述多個(gè)操作臺(tái)的至少一個(gè)具有相對(duì)于所述容器的氣體入口和氣體排氣口可拆卸的氣體引入裝置或排放裝置。
根據(jù)本發(fā)明的上述電子源制造設(shè)備，其中所述支承部件具有用于將所述基片固定到支撐部件上的夾持機(jī)構(gòu)。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的制造電子源的設(shè)備的形式的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖2是表示部分截取的圖1和3中的電子源基片的周邊部分的透視圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的制造電子源的設(shè)備的另一形式的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖4是表示由本發(fā)明制造的圖像形成裝置的形式的示意圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氣密密封容器單元的透視圖；圖6是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的氣密密封容器單元的透視圖；
圖7是表示制造電子源的設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖；圖8是表示圖7的制造裝置的操作臺(tái)的例子的示意圖；圖9-1到9-7表示圖7的制造裝置的每個(gè)機(jī)構(gòu)的操作情況；圖10-1到10-8表示圖7的制造裝置的每個(gè)機(jī)構(gòu)的操作情況；圖11-1和11-2表示圖7的制造裝置的每個(gè)機(jī)構(gòu)的操作情況；圖12-1到12-5表示圖7的制造裝置的每個(gè)機(jī)構(gòu)的操作情況；圖13是表示要處理的基片的例子的示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于在基片上進(jìn)行預(yù)定處理的基片處理方法，包括在氣密氣氛中放置要處理的基片的表面的步驟；用于對(duì)氣密氣氛排氣的排氣步驟；和在基片上進(jìn)行預(yù)定處理的處理步驟，其中在將被抽空的氣密氣氛從排氣的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行處理步驟。
在上述基片處理方法中，優(yōu)選排氣步驟包括用于減小氣密氣氛的壓力的減壓步驟，處理步驟包括將其壓力已經(jīng)被減小的氣體引入到氣密氣氛中的氣體引入步驟，或者排氣步驟包括替換氣密氣氛中的氣體的步驟。
在上述基片處理方法中，優(yōu)選預(yù)定處理包括下列處理之一在基片上的膜形成、放置在基片上的導(dǎo)體的賦能、設(shè)置在基片上的導(dǎo)體的還原和基片的加熱。
在上述基片處理方法中，優(yōu)選氣密氣氛是通過(guò)基片和放置在基片上的容器形成的。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種在基片上形成膜的膜形成方法，包括在氣密氣氛中放置其上要形成膜的基片的表面的步驟；對(duì)該氣密氣氛排氣的排氣步驟；和將膜形成氣體引入到被抽空氣密氣氛中的氣體引入步驟，其中該氣體引入步驟是在將被抽空氣密氣氛從排氣操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后進(jìn)行的。
在上述膜形成方法的不同操作臺(tái)中，優(yōu)選進(jìn)行氣體引入步驟和賦能設(shè)置在基片上的導(dǎo)體的步驟，進(jìn)行氣體引入步驟和用于還原設(shè)置在基片上的導(dǎo)體的步驟，或進(jìn)行氣體引入步驟和加熱基片的步驟。
在上述膜形成方法中，優(yōu)選排氣步驟包括減小氣密氣氛的壓力的減壓步驟。
在上述膜形成方法中，優(yōu)選氣密氣氛是由基片和放置在基片上的容器形成的。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子源制造方法，包括在氣密氣氛中放置基片表面的步驟；用于對(duì)氣密氣氛排氣的排氣步驟；和進(jìn)行給放置在被抽空氣密氣氛中的基片表面上的部件施與電子發(fā)射功能的處理的處理步驟，其中處理步驟是在將被抽空氣密氣氛從進(jìn)行排氣步驟的操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后進(jìn)行的。
在上述電子源制造方法中，優(yōu)選排氣步驟包括用于減小氣密氣氛的壓力的減壓步驟，處理步驟包括將用于還原部件的氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟，處理步驟包括將氫氣引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟，處理步驟包括將含有功函數(shù)比形成部件的材料低的材料的氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟，或者，處理步驟包括用于將碳?xì)怏w或碳化合物氣體引入到減壓氣密氣氛中的氣體引入步驟。
在上述電子源制造方法中，優(yōu)選處理步驟包括部件賦能和加熱部件之一。
在上述電子源制造方法中，優(yōu)選排氣步驟包括替換氣密氣氛中的氣體。
在上述電子源制造方法中，優(yōu)選氣密氣氛是由基片和放置在基片上的容器形成的。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子源制造設(shè)備，包括其上將要放置基片的支撐部件，其中基片上已經(jīng)放置了具有形成在其中的電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)體；覆蓋導(dǎo)體的容器；和用于輸送氣密密封容器單元的輸送裝置，其中氣密密封容器單元是通過(guò)將基片放在支撐部件和容器之間以便保持容器中的預(yù)定氣氛形成的。
在上述電子源制造設(shè)備中，優(yōu)選該設(shè)備還包括用于給導(dǎo)體施加電壓以形成電子發(fā)射區(qū)的電壓施加裝置；該電壓施加裝置被放置在支撐部件上；容器具有用于氣體的入口和排氣口、及用于密封入口和排氣口的裝置；該設(shè)備還包括多個(gè)操作臺(tái)，通過(guò)多個(gè)操作臺(tái)輸送氣密密封容器單元，和在其中進(jìn)行制造電子源的步驟；該設(shè)備還包括用于給導(dǎo)體施加電壓以形成電子發(fā)射區(qū)的電壓施加裝置，其中電壓施加裝置設(shè)置在多個(gè)操作臺(tái)的至少一個(gè)之中；容器具有用于氣體的入口和排氣口、和用于密封入口和排氣口的裝置，和多個(gè)操作臺(tái)中的至少一個(gè)具有相對(duì)于容器的氣體入口和氣體排氣口可拆卸的氣體引入裝置或排放裝置；或者支撐部件具有用于將基片固定到支撐部件上的夾持機(jī)構(gòu)。
接下來(lái)，將作為例子引證制造電子源的方法和制造電子源的設(shè)備介紹本發(fā)明的處理基片的方法和形成膜的方法的最佳實(shí)施方式。
圖1、2和3描繪了根據(jù)該實(shí)施方式的制造電子源的設(shè)備。圖1和3是表示整個(gè)設(shè)備的剖視圖，圖2是表示圖1的電子源基片的周邊部分的透視圖。在圖1、2和3中，參考標(biāo)記6表示要成為電子發(fā)射器件的導(dǎo)體，7表示X方向布線(xiàn)，8表示Y方向布線(xiàn)，10表示電子源基片，11表示支撐部件，12表示真空容器，15表示氣體入口，16表示排氣口，18表示密封件，19表示擴(kuò)散板，20表示加熱器，21表示氫或有機(jī)材料氣體，22表示載體氣體，23表示除潮過(guò)濾器，24表示氣體流速控制裝置，25a-25f表示閥門(mén)，26表示真空泵，27表示真空計(jì)，28表示管道，30表示引出布線(xiàn)，31(31a，31b)表示用于連接電子源基片的引出布線(xiàn)30和驅(qū)動(dòng)器32的布線(xiàn)，32(32a，32b)表示由電源和電流控制系統(tǒng)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器，33表示擴(kuò)散板19的開(kāi)口，41表示導(dǎo)熱部件，46表示為升降桿，47表示用于升降支撐部件11的升降驅(qū)動(dòng)單元，48表示用于控制支撐部件11的升降的升降控制器。氣體引入裝置是由氫或有機(jī)材料氣體21、載體氣體22、除潮過(guò)濾器23、氣體流速控制裝置24、閥門(mén)25a-25e和管道28構(gòu)成。氣體排放裝置由閥門(mén)25f、真空泵26和真空計(jì)27構(gòu)成。
支撐部件11是用于保持以固定電子源基片10并具有通過(guò)真空夾持機(jī)構(gòu)、靜電夾持機(jī)構(gòu)、固定夾具等機(jī)械固定電子源基片10的機(jī)構(gòu)。加熱器20被提供于在支撐部件11內(nèi)，如果需要，該加熱器可以通過(guò)導(dǎo)熱部件41加熱電子源基片10。
導(dǎo)熱部件41可被夾在支撐部件11和電子源基片10之間，或者可以安裝嵌入到支撐部件11中，以便不會(huì)妨礙用于保持以固定電子源基片10的機(jī)構(gòu)操作。
導(dǎo)熱部件41能吸收電子源基片10的彎曲和波動(dòng)，確保將在施加于電子源基片10的電氣處理工藝中產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)街尾考蚨握婵杖萜鞑⑨尫艧崃?，防止電子源基?0破裂或損壞，并提高產(chǎn)量。
此外，通過(guò)快速和可靠地釋放在電氣處理工藝中產(chǎn)生的熱量，導(dǎo)熱部件41可降低由于在真空容器12中的溫度分布產(chǎn)生的引入氣體的聚集分布和降低由基片的熱量分布影響的器件的不均勻性。結(jié)果，可以制造均勻性?xún)?yōu)異的電子源。
作為導(dǎo)熱部件41，可采用粘性液體材料如硅脂、硅油和凝膠材料。如果作為粘性液體材料的導(dǎo)熱部件41對(duì)支撐部件11有不良影響，為了具有固定在預(yù)定位置和區(qū)域即至少在形成電子源基片10的導(dǎo)體6的區(qū)域以下的粘性液體材料，固定機(jī)構(gòu)可以與該區(qū)域?qū)?zhǔn)地被安裝在支撐部件11中。例如，導(dǎo)熱部件41可以通過(guò)提供O環(huán)來(lái)保持粘性液體材料或通過(guò)將粘性液體材料放入耐熱袋中并氣密密封它而構(gòu)成。
在通過(guò)提供O環(huán)或類(lèi)似物將粘性液體材料保持在支撐部件11上的情況中，如果由于形成在其間的空氣層而使粘性液體材料與電子源基片10沒(méi)有正確接觸，可以提供用于排放空氣的通孔，或者可以采用在安裝電子源基片10之后將粘性液體材料注入到基片和支撐部件之間的方法。圖3是其中支撐部件11提供有O環(huán)(未示出)和粘性液體材料入口42以便粘性液體材料保持在預(yù)定區(qū)域中的設(shè)備的示意剖視圖。如圖所示，從粘性液體材料儲(chǔ)存部分43經(jīng)過(guò)粘性液體材料引入管道44將粘性液體材料引入到支撐部件11上。
如果粘性液體材料被擠在支撐部件11和電子源基片10之間并給其提供使其循環(huán)同時(shí)進(jìn)行溫度控制的機(jī)構(gòu)，則粘性液體材料代替加熱器20而用作電子源基片10的加熱裝置或冷卻裝置。此外，可以給其提供可相對(duì)于耙溫度進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的例如由循環(huán)溫度調(diào)節(jié)器、液體介質(zhì)及類(lèi)似物構(gòu)成的機(jī)構(gòu)。
導(dǎo)熱部件41可以是彈性部件。作為彈性部件的材料，可采用合成樹(shù)脂材料如聚四氟乙烯(Teflon)樹(shù)脂，橡膠材料如硅橡膠，陶瓷材料如氧化鋁，金屬材料如銅或鋁等?？梢砸云男问交蚍指钇问绞褂眠@些材料?；蛘撸梢栽谥尾考?1上提供突起狀物體，如圓汽缸、包括棱形體的汽缸、在X方向或Y方向與電子源基片10的布線(xiàn)對(duì)準(zhǔn)延伸的襯里本體、和錐形體；球形體，如球體和Rugby球形體(橢圓形球體)、具有形成在其表面上的突起形狀的球形體，或類(lèi)似物。
真空容器12是由玻璃、不銹鋼、鈦、銅、鋁或蜂窩鋁(aluminumhoneycomb)構(gòu)成的容器。如果可能的話(huà)，優(yōu)選由排放較少氣體的材料構(gòu)成。真空容器12覆蓋其中形成導(dǎo)體6的區(qū)域，不包括電子源基片10的引出布線(xiàn)部分，并具有能承受至少?gòu)?0-6Pa到大氣壓的壓力的結(jié)構(gòu)。
密封件18用于保持電子源基片10和真空容器12的氣密密封特性。O環(huán)、橡膠片等用作密封件18。
作為有機(jī)材料(或氫)氣體21，采用用于激活下面介紹的電子發(fā)射器件的有機(jī)材料或由氮、氦、氬等稀釋的有機(jī)材料的混合氣體。此外，在進(jìn)行下面討論的成形賦能操作時(shí)，可以將用于促進(jìn)在構(gòu)成導(dǎo)體6的導(dǎo)電膜中形成裂縫的氣體，例如具有還原特性的氫氣等引入到真空容器12中。在通過(guò)這種方式在分離工藝中引入氣體時(shí)，如果采用引入管道和閥門(mén)部件25e將真空容器12連接到管道28，則可以采用這種氣體。
用于激活上述電子發(fā)射器件的有機(jī)材料包括脂族烴如烷烴、烯烴、或炔，芳烴、醇、醛、酮、胺、腈、酚，和有機(jī)酸如羧酸或磺酸。更具體地說(shuō)，可采用由CnH2n+2表示的飽和烴，如甲烷、乙烷、丙烷；由CnH2n等組份式表示的不飽和烴，如乙烯、丙稀、苯、甲苯、甲醇、乙醇、乙醛、丙酮、丁酮、甲胺、乙胺、酚、芐腈、乙腈等。
如果有機(jī)材料在常溫下是氣體，則采用有機(jī)氣體21。如果有機(jī)材料在常溫下是液體或固體，則有機(jī)氣體可以在要使用的容器中蒸發(fā)或升華，或者可以通過(guò)采用進(jìn)一步將該蒸發(fā)或升華的氣體與稀釋氣體等混合的方法而采用該有機(jī)氣體。作為載體氣體，可采用惰性氣體，例如氮?dú)?、氬氣、氦氣?br> 有機(jī)材料氣體21和載體氣體22以固定比例混合并引入到真空容器12內(nèi)。這些氣體的流速和混合比通過(guò)氣體流速控制裝置24控制。氣體流速控制裝置24是由質(zhì)量流控制器、電磁閥等構(gòu)成。如果需要的話(huà)，利用設(shè)置在管道28附近的加熱器(未示出)將混合氣體加熱到適當(dāng)溫度，然后，從入口15將混合氣體引入到真空容器12中。用于加熱混合氣體的溫度優(yōu)選等于電子源基片10的溫度。
此外，更優(yōu)選除潮過(guò)濾器23放置在管道28的中部以除去引入氣體中的潮氣。作為除潮過(guò)濾器23，可采用吸潮劑，如硅膠、分子篩和氫氧化鎂。
被引入到真空容器12內(nèi)的混合氣體以固定排氣速度被真空泵26通過(guò)排氣口16排氣，由此真空容器12內(nèi)的混合氣體的壓力保持恒定。本發(fā)明中使用的真空泵26是用于高真空的泵，例如干泵、隔膜泵、離心泵(scroll pump)和低溫泵。優(yōu)選采用無(wú)油泵。
在本實(shí)施方案中，雖然取決于用于激活的有機(jī)材料的類(lèi)型，鑒于激活工藝的時(shí)間減少和均勻性的提高，優(yōu)選混合氣體的壓力等于或高于形成混合氣體的氣體分子的平均自由路徑λ充分小于真空容器12內(nèi)部的尺寸的壓力。這是所謂的滯流區(qū)，其具有在幾百Pa(幾乇)到大氣壓的范圍內(nèi)的壓力。
此外，優(yōu)選在真空容器12的氣體入口15和電子源基板10之間提供擴(kuò)散板19，因?yàn)榭梢钥刂苹旌蠚怏w流動(dòng)并且有機(jī)材料被均勻地輸送到基片的整個(gè)表面，由此提高電子發(fā)射器件的均勻性。
電子源基片的引出布線(xiàn)30放置在真空容器12的外部，并且利用TAB布線(xiàn)連接到布線(xiàn)31，并傾向于進(jìn)一步連接到驅(qū)動(dòng)器32。
由于該設(shè)備足以用于真空容器12以便只覆蓋電子源基片10的導(dǎo)體6，因此可以最小化該設(shè)備。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)通用于本實(shí)施方案和下面要討論的實(shí)施方案。此外，由于電子源基片10的引出布線(xiàn)30被放在真空容器12的外面，因此電子源基片10和用于進(jìn)行電處理的電源裝置(驅(qū)動(dòng)器32)可以很容易地電連接。
利用驅(qū)動(dòng)器32，在使含有有機(jī)材料的混合氣體以上述方式流入真空容器12的狀態(tài)下將脈沖電壓通過(guò)布線(xiàn)31施加于基片10上的每個(gè)電致發(fā)射器件，由此可以激活每個(gè)電子發(fā)射器件。
在下面的實(shí)施例中將介紹采用上述制造裝置制造電子源的方法的具體例子。
通過(guò)組合上述電子源和圖像形成部件，可形成如圖4所示的圖像形成裝置。圖4是圖像形成裝置的示意圖。在圖4中，參考標(biāo)記69表示電子發(fā)射器件，61表示其上固定電子源基片10的背板，62表示支撐部件，66表示由玻璃基片63、金屬背底64和熒光體65構(gòu)成的面板，67表示高壓端子，68表示圖像形成裝置。
在圖像形成裝置68中，掃描信號(hào)和調(diào)制信號(hào)借助信號(hào)傳輸裝置(未示出)分別通過(guò)在容器外部的端子Dx1-Dxm和Dy1-Dyn施加于每個(gè)電子發(fā)射器件，由此，使電子發(fā)射器件發(fā)射電子。此外，5kV的高壓通過(guò)高壓端子67施加于金屬背底64或透明電極(未示出)，電子束被加速并與膜形狀的熒光體65碰撞，使熒光體激發(fā)并發(fā)射光，由此顯示圖像。
此外，電子源基片10可用作并形成其自身的背板。另外，掃描信號(hào)布線(xiàn)可以是如圖4中所示的一面掃描布線(xiàn)，例如，只要器件的數(shù)量不會(huì)大太，以便不影響靠近Dx1的容器的外部的端子的電子發(fā)射器件和與之隔一段距離的電子發(fā)射器件之間施加的電壓降即可。然而，如果器件的數(shù)量太大并影響電壓降，就要采取措施，例如增加布線(xiàn)的寬度、增加布線(xiàn)的厚度或從兩側(cè)施加電壓中的一種。
特別是，在本實(shí)施方案中，采用制造系統(tǒng)，其中用于在前述每個(gè)器件的導(dǎo)體(導(dǎo)電膜)中形成裂縫的成形處理與用于使碳或碳化合物淀積在裂縫附近的激活處理是分開(kāi)的，安裝在前述支撐部件上的電子源基片在處理之間可以以一定間隔逐個(gè)饋送。這樣，根據(jù)這個(gè)實(shí)施方案的制造系統(tǒng)增加了花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間的工藝中的裝置數(shù)量，并且作為整個(gè)生產(chǎn)線(xiàn)可以用短時(shí)間制造電子源，由此解決了如現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備中由于依次進(jìn)行每個(gè)工藝引起的花費(fèi)極長(zhǎng)時(shí)間制造基片的問(wèn)題。
因此，本例的設(shè)備的特征在于以下幾點(diǎn)該設(shè)備具有用于支撐其上形成導(dǎo)體的基片的支撐部件和具有氣體入口和氣體排氣口并覆蓋所述基片的一部分表面的區(qū)域的容器；所述基片、所述支撐部件和所述容器作為整體形成為氣密密封容器單元，并處于所述基片固定于所述支撐部件和所述容器之間的狀態(tài)；在所述容器中提供節(jié)流閥機(jī)構(gòu)，可以在所述基片保持在所述支撐部件和所述容器之間的狀態(tài)下進(jìn)行真空排氣以保持真空狀態(tài)。
實(shí)施方案下面將詳細(xì)介紹本發(fā)明的具體實(shí)施方案。但是，這些實(shí)施方案不應(yīng)理解為限制在不脫離允許實(shí)現(xiàn)其目的的本發(fā)明范圍的情況下可以進(jìn)行元件替換和設(shè)計(jì)改變。
實(shí)施方案1作為本發(fā)明的基片處理方法或膜形成方法的例子，本例提供用于制造電子源的方法和設(shè)備，通過(guò)該方法和設(shè)備可以制造具有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件的電子源。
圖5是表示涉及本實(shí)施方案制造設(shè)備的氣密密封容器單元的示意圖。關(guān)于該制造設(shè)備的一般構(gòu)成，與前述構(gòu)成相同，因此省略其說(shuō)明。在圖5中，標(biāo)記301表示支撐其上形成導(dǎo)體的基片304的支撐部件，標(biāo)記302表示將用于成形和激活的氣體引入容器305的入口，標(biāo)記303表示用于對(duì)容器305的內(nèi)部排氣的氣體排氣口，標(biāo)記304表示其上形成導(dǎo)體的基片，標(biāo)記305表示用于覆蓋一部分基片表面的容器，標(biāo)記306表示設(shè)置在氣體排氣口303的頂部并用于保持容器305內(nèi)的真空的節(jié)流閥機(jī)構(gòu)。
在如上述構(gòu)成的氣密密封容器單元中，氣體排放裝置與氣體排氣口303(和節(jié)流閥機(jī)構(gòu)306)連接，加熱板與支撐部件的下部連接，以便對(duì)容器305內(nèi)部抽真空；然后，氣體引入裝置與入口302連接，并代替上述加熱板，連接冷卻板，此外，將用于給導(dǎo)體施加電壓的裝置連接到由支撐部件301支撐的基片304的導(dǎo)體部分以進(jìn)行賦能，由此可以制備電子源基片304的電子源并激活電子發(fā)射性能優(yōu)異的電子發(fā)射器件。
此外，通過(guò)減小氣密密封容器單元的尺寸和重量并使其移動(dòng)同時(shí)保持容器305內(nèi)為真空，可以建立易于維持操作平衡的線(xiàn)型生產(chǎn)線(xiàn)，而非單個(gè)獨(dú)立設(shè)備，使得在制造相同量的產(chǎn)品時(shí)可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線(xiàn)空間的減小和制造設(shè)備成本的極降低。
實(shí)施方案2圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方案的示意圖。圖中描述了在根據(jù)本實(shí)施方案的制造設(shè)備中的氣密密封容器單元。除了探針單元307和其周邊之外，本實(shí)施方案與實(shí)施方案1相同。
在圖中，標(biāo)記301表示支撐其上形成導(dǎo)體的基片304的支撐部件，標(biāo)記302表示將用于成形和激活的氣體引入容器305的入口，標(biāo)記303表示用于對(duì)容器305的內(nèi)部排氣的氣體排氣口，標(biāo)記304表示其上形成導(dǎo)體的基片，標(biāo)記305表示用于覆蓋一部分基片表面的容器，標(biāo)記306表示設(shè)置在氣體排氣口303的頂部并用于保持容器307內(nèi)的真空的節(jié)流閥機(jī)構(gòu)，標(biāo)記307表示用作給其上形成導(dǎo)體的基片304的導(dǎo)電部分施加電壓的裝置的探針單元。
通過(guò)將探針單元307安裝到容器305的周邊，在包括用于給基片304的導(dǎo)電部分施加電壓的探針單元305的容器305可以與支撐部件301整體移動(dòng)之前，只需要相對(duì)其上形成了導(dǎo)體的基片304在容器305中進(jìn)行一次定位并實(shí)現(xiàn)真空連接，由此提高了形成生產(chǎn)線(xiàn)的自由度，并且可以實(shí)現(xiàn)制造設(shè)備的成本的進(jìn)一步降低。
實(shí)施例3本例涉及真空處理方法和膜形成方法，下面將參照電子源制造設(shè)備詳細(xì)介紹。
圖7表示線(xiàn)型電子源制造設(shè)備，其中以線(xiàn)型方式放置用于在基片上進(jìn)行各種處理的多個(gè)操作臺(tái)，在多個(gè)操作臺(tái)之間輸送基片。在圖7所示的制造設(shè)備中，以線(xiàn)型方式放置減壓操作臺(tái)ST1、成形操作臺(tái)ST2、氣體替換操作臺(tái)ST3和激活操作臺(tái)ST4，在處理臺(tái)之間連續(xù)輸送要處理的基片。上述每個(gè)操作臺(tái)備有處理機(jī)構(gòu)。
圖8表示操作臺(tái)的例子。標(biāo)記101表示用于抽真空的真空泵，標(biāo)記102表示提供在真空泵101一側(cè)的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)，標(biāo)記103表示可垂直移動(dòng)的短連接管道，標(biāo)記104表示將可垂直移動(dòng)的短連接管道103連接到真空泵101的氣密擴(kuò)張管道，標(biāo)記105表示連接到氣體源(未示出)的氣體引入管道，標(biāo)記106表示在氣體源一側(cè)的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)，標(biāo)記107表示可垂直移動(dòng)的短連接管道，標(biāo)記108表示將可垂直移動(dòng)短連接管道107連接到氣體源的氣密擴(kuò)張管道，且標(biāo)記109表示用于使短連接管道103和107上升和下降的升降單元，該升降單元備有短連接管道維持部件110、升降引導(dǎo)桿111、和升降驅(qū)動(dòng)汽缸112。標(biāo)記113表示用于調(diào)節(jié)將待處理基片保持在操作臺(tái)上的預(yù)定位置的托架的定位單元，標(biāo)記114表示用于將保持待處理基片的托架輸送到不同操作臺(tái)的運(yùn)送滾筒，標(biāo)記115表示用于運(yùn)送滾筒114的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，并且標(biāo)記116表示設(shè)備基座。
通過(guò)至少要處理的區(qū)域保持在氣密氣氛中，運(yùn)送待處理基片117。鑒于此，如圖8所示，罩子118放置在待處理基片117上。此外，為了實(shí)現(xiàn)減壓或在由待處理基片117和罩子118形成的氣密氣氛中產(chǎn)生預(yù)定氣體氣氛，罩子118備有連接到操作臺(tái)的真空泵101的連接管道119、提供在連接管道119中的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)120、連接到操作臺(tái)的氣體源的連接管道121和提供在連接管道121中的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)122。此外，具有放置在其上的罩子118的待處理基片117被放置在含有靜電夾具和加熱裝置以及在某種情況下的冷卻裝置的托架123上，并且在這種狀態(tài)運(yùn)送。對(duì)于托架123，用于保持基片與托架靠近接觸的裝置不限于靜電夾具；例如，還可以是用于機(jī)械地將基片拉到托架一邊的裝置。
下面，將參照電子源制造工藝具體介紹上述電子源制造設(shè)備的機(jī)構(gòu)的操作。
作為待處理基片，制備如圖13所示的基片130，其中通過(guò)互相絕緣的多個(gè)行方向布線(xiàn)132和多個(gè)列方向布線(xiàn)133以矩陣形式放置多個(gè)導(dǎo)電膜131。
基片130被放置在托架123上，并且罩子(容器)118被放置在基片130上，以便覆蓋圖13中所示的多個(gè)導(dǎo)電膜131。此時(shí)，雖然圖13中未示出，引出布線(xiàn)與多個(gè)行方向布線(xiàn)132逐一相連，放置罩子(容器118)，不包括基片130的部分區(qū)域，以便部分引出布線(xiàn)可以設(shè)置在罩子118的外部(即在大氣中)。
首先，托架123被運(yùn)送到圖7中所示的減壓操作臺(tái)ST1。關(guān)于參照?qǐng)D8介紹的機(jī)構(gòu)，減壓操作臺(tái)ST1備有所有機(jī)構(gòu)，除了與氣體源連接的氣體引入管道105、在氣體源一側(cè)的打開(kāi)/管壁閥106、可垂直移動(dòng)的短連接管道107和將垂直可移動(dòng)的短連接管道107連接到氣體源的氣密擴(kuò)張管道108之外。
托架123被輸送到圖7所示的減壓操作臺(tái)ST1，并在罩子118一側(cè)上的連接管道119和121以及減壓操作臺(tái)一側(cè)上的短連接管道103和107上進(jìn)行定位，定位和固定是通過(guò)定位單元113實(shí)現(xiàn)的(圖9-1)。打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)102、106、120和122總是處于關(guān)閉狀態(tài)。
減壓操作臺(tái)ST1的短連接管道升降單元操作。通過(guò)驅(qū)動(dòng)由氣缸等構(gòu)成的升降驅(qū)動(dòng)汽缸112，由保持部件保持的短連接管道103和107沿著升降引導(dǎo)桿111下降，并分別連接到罩子118一側(cè)上的連接管道119和121(圖9-2)。氣密密封部件設(shè)置在短連接管道103和107連接到連接管道119和121的部分中。
與減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)102打開(kāi)同步，真空泵101操作以開(kāi)始抽真空(圖9-3)，由此在減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的短連接管道103和擴(kuò)張管道104的內(nèi)部以及在罩子118一側(cè)上的連接管道119的內(nèi)部被抽真空(圖9-4)。
進(jìn)行將基片130靜電夾持到托架123上之后，放置在罩子118一側(cè)上的連接管道119被打開(kāi)，由此在由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中開(kāi)始排氣。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛被抽空到10-4Pa時(shí)，提供在罩子118一側(cè)上的連接管道119中的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)120關(guān)閉(圖9-5)。在這個(gè)階段，減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的真空泵101繼續(xù)操作。
接著，在減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)102關(guān)閉，與此同步，真空泵101停止操作(圖9-6)。
在減壓操作臺(tái)ST1的短連接管道升降單元109操作之前，提供在連接到減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的真空泵101的管道中的氣氛釋放泄漏閥(未示出)被打開(kāi)，減壓操作臺(tái)ST1一側(cè)上的短連接管道103和擴(kuò)張管道104的內(nèi)部以及罩子118一側(cè)上的連接管道119的內(nèi)部恢復(fù)到氣氛壓力。通過(guò)驅(qū)動(dòng)升降驅(qū)動(dòng)汽缸112，由保持部件110保持的短連接管道103和107沿著升降引導(dǎo)桿111上升，并脫離罩子118一側(cè)上的連接管道119和121。之后，取消由定位單元113進(jìn)行的托架123的定位/固定(圖9-7)。
接下來(lái)，托架123被輸送到成形操作臺(tái)ST2。成形操作臺(tái)ST2備有與上述減壓操作臺(tái)ST1相同的機(jī)構(gòu)。此外，還提供連接到氣體源的氣體引入管道105、在氣體源一側(cè)上的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)106、可垂直移動(dòng)的短連接管道107、和將可垂直移動(dòng)的短連接管道107連接到氣體源的氣密擴(kuò)張管道108，參照?qǐng)D8所述，氣體源采用用于成形操作的氣體。此外，還提供給暴露于罩子118外側(cè)的基片130上的引出布線(xiàn)輸送電力的探針單元。通過(guò)被靜電夾持到托架123上的基片130進(jìn)行運(yùn)送。
在利用運(yùn)送滾筒114及其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)115將托架123運(yùn)送到成形操作臺(tái)ST2之后，通過(guò)定位單元113進(jìn)行定位和固定，與[ST1-1]中一樣(圖10-1)。
接著，與在[ST1-2]中一樣，由成形操作臺(tái)ST2上的保持部件110保持的短連接管道103和107分別連接到罩子118一側(cè)上的連接管道119和121(圖10-2)。
與在[ST1-3]中一樣，開(kāi)始排氣(圖10-3)。
提供在罩子118一側(cè)上的連接管道119和121中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)120和122被打開(kāi)(圖10-4)。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛被抽空到10-4Pa時(shí)，提供在成形操作臺(tái)ST2一側(cè)上的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106被打開(kāi)，并且開(kāi)始向氣密氣氛中引入由2％氫(還原氣體)和98％氮?dú)鈽?gòu)成并用作成形氣體的混合氣體(圖10-5)。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中的壓力已經(jīng)達(dá)到1000Pa時(shí)，成形操作臺(tái)ST2的探針單元135下降并與引出布線(xiàn)接觸，通過(guò)引出布線(xiàn)將預(yù)定峰值、脈沖寬度、和脈沖間隔的脈沖電壓施加于基片130上的多個(gè)導(dǎo)電膜(圖10-6)。此時(shí)，基片130由包含在托架中的加熱裝置加熱。對(duì)基片130加熱的目的是促進(jìn)基片130上的多個(gè)導(dǎo)電膜的還原或內(nèi)聚，或者使整個(gè)基片130的溫度均勻。這樣，成形操作主要在于給多個(gè)導(dǎo)電膜施加電壓以在多個(gè)導(dǎo)電膜中形成間隙(裂縫)。
預(yù)定時(shí)間周期之后，提供在成形操作臺(tái)ST2上的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106關(guān)閉，停止向氣密氣氛中引入成形氣體，同時(shí)，停止由探針單元135施加電壓(圖10-7)。此外，探針單元135上升并脫離于引出布線(xiàn)。繼續(xù)由成形操作臺(tái)ST2上的真空泵101進(jìn)行抽空。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛已經(jīng)被抽空到10-4Pa時(shí)，提供在罩子118一側(cè)上的連接管道121中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)122被關(guān)閉(圖10-8)。繼續(xù)由成形操作臺(tái)ST2上的真空泵101進(jìn)行抽空。
此后，與在[ST1-5]到[ST1-7]中一樣，成形操作臺(tái)ST2一側(cè)上的短連接管道103和107脫離罩子118一側(cè)上的連接管道119和121，之后，取消由定位單元113進(jìn)行的托架123的定位/固定(圖9-5到9-7)。
接著，托架123被輸送到氣體替換操作臺(tái)ST3。氣體替換操作臺(tái)ST3備有與成形操作臺(tái)ST2相同的機(jī)構(gòu)，并且激活操作氣體用于氣體源。激活操作氣體的例子包括含有其功函數(shù)比構(gòu)成導(dǎo)電膜的材料的功函數(shù)低的材料的氣體、碳?xì)夂吞蓟衔?。通過(guò)被靜電夾持到托架123上的基片130進(jìn)行輸送。
這里的氣體替換操作是將激活操作中使用的氣體(激活操作氣體)預(yù)先引入到由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中的處理。氣體替換操作可以與在激活操作臺(tái)ST4的激活操作同時(shí)進(jìn)行。這樣，這個(gè)操作臺(tái)對(duì)于這個(gè)電子源制造設(shè)備不是必不可少的。
首先，托架123被輸送到氣體替換操作臺(tái)ST3，并進(jìn)行與上述[ST2-1]到[ST2-4]相同的處理(圖10-1到圖10-4)。
因此，當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛已經(jīng)被抽空到10-5Pa時(shí)，提供在氣體替換操作臺(tái)ST3一側(cè)上的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106被打開(kāi)，開(kāi)始向氣密氣氛中引入用作激活操作氣體的芐基氰(圖11-1)。
上述激活操作氣體被引入到由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中以達(dá)到1×10-3Pa的分壓，然后，提供在氣體替換操作臺(tái)ST3上的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)被106關(guān)閉。接著，提供在罩子118一側(cè)上的連接管道119和121中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)120和122關(guān)閉(圖11-2)。繼續(xù)由氣體替換操作臺(tái)ST3一側(cè)的真空泵101進(jìn)行排氣。
此后，與在[ST1-5]到[ST1-7]中一樣，罩子118一側(cè)的連接管道119和121脫離氣體替換操作臺(tái)ST3一側(cè)的短連接管道103和107。之后，取消由定位單元113進(jìn)行的托架123的定位/固定(圖9-5到9-7)。
接著，托架123被運(yùn)送到激活操作臺(tái)ST4。激活操作臺(tái)ST4備有與成形操作臺(tái)ST2相同的機(jī)構(gòu)，并且激活操作氣體用于氣體源。通過(guò)被靜電夾持于托架123上的基片130進(jìn)行運(yùn)送。
對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的目前狀態(tài)，激活操作花費(fèi)的時(shí)間比上述每個(gè)操作臺(tái)中的處理時(shí)間長(zhǎng)。因此，從提高生產(chǎn)率方面看，希望提供多個(gè)激活操作臺(tái)ST4，如圖13中所示。
首先，托架123被運(yùn)送到激活操作臺(tái)ST4，并進(jìn)行與上述[ST2-1]到[ST2-3]相同的處理(圖10-1到10-3)。
提供在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106和提供在罩子118一側(cè)的連接管道121中的打開(kāi)/關(guān)閉閥門(mén)122打開(kāi)，開(kāi)始向由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中引入激活操作氣體(圖12-1)。與在氣體替換操作臺(tái)中一樣，芐基氰用作激活操作氣體。
提供在罩子118一側(cè)的連接管道119中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)120被打開(kāi)，由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中的激活操作氣體的分壓保持在1×10-3Pa(圖12-2)。
激活操作臺(tái)ST4的探針單元135下降以與引出布線(xiàn)接觸，并且預(yù)定峰值、脈沖寬度和脈沖間隔的脈沖電壓通過(guò)引出布線(xiàn)被施加于基片130上的多個(gè)導(dǎo)電膜(圖12-3)。此時(shí)，與上述成形操作一樣，由包含在托架中的加熱裝置加熱基片130。這里，進(jìn)行激活操作的目的是為了在基片130上的多個(gè)導(dǎo)電膜上形成碳或碳化合物膜。
預(yù)定時(shí)間周期之后，關(guān)閉提供在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106，并停止向氣密氣氛中引入激活操作氣體，同時(shí)，停止由探針單元135施加電壓。此外，探針單元135上升并脫離引出布線(xiàn)(圖12-4)。繼續(xù)由激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的真空泵101進(jìn)行抽空。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛已經(jīng)被抽空到10-6Pa時(shí)，提供在罩子118一側(cè)的連接管道121中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)122被關(guān)閉(圖12-5)。繼續(xù)由激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的真空泵101排氣。
此后，與在[ST1-5]到[ST1-7]中一樣，在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的短連接管道103和107脫離罩子118一側(cè)的連接管道119和121，之后，取消由定位單元113進(jìn)行的托架123的定位/固定(圖9-5到圖9-7)。
當(dāng)沒(méi)有氣體替換操作臺(tái)ST3時(shí)，激活操作臺(tái)ST4中的每個(gè)機(jī)構(gòu)的操作如下。
利用運(yùn)送滾筒114及其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)115將托架123從上述成形操作臺(tái)ST2運(yùn)送到激活操作臺(tái)ST4，然后進(jìn)行與[ST2-1]到[ST2-4]的處理(圖10-1到圖10-4)。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛已經(jīng)被抽空到10-5Pa時(shí)，打開(kāi)提供在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106，并開(kāi)始將用作操作氣體的芐基氰引入到氣密氣氛中(圖10-5)。
由基片130和罩子118形成的氣密氣氛中的芐基氰的分壓已經(jīng)達(dá)到1×10-3Pa時(shí)，激活操作臺(tái)ST4的探針單元135下降，并與引出布線(xiàn)接觸，以便將預(yù)定峰值、脈沖寬度和脈沖間隔的脈沖電壓通過(guò)引出布線(xiàn)施加于基片130上的多個(gè)導(dǎo)電膜(圖10-6)。
預(yù)定時(shí)間周期之后，關(guān)閉提供在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的氣體引入管道105中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)106，并停止向氣密氣氛中引入激活操作氣體，同時(shí)，停止由探針單元135施加電壓。此外，探針單元135上升并脫離引出布線(xiàn)(圖10-7)。繼續(xù)由激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的真空泵101進(jìn)行排氣。
當(dāng)由基片130和罩子118形成的氣密氣氛已經(jīng)被抽空到10-6Pa時(shí)，關(guān)閉提供在罩子118一側(cè)的連接管道121中的開(kāi)關(guān)閥門(mén)122(圖10-8)。繼續(xù)由激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的真空泵101排氣。
此后，與在[ST1-5]到[ST1-7]中一樣，在激活操作臺(tái)ST4一側(cè)的短連接管道103和107脫離罩子118一側(cè)的連接管道119和121，之后，取消由定位單元113進(jìn)行的托架123的定位/固定(圖9-5到圖9-7)。
已經(jīng)經(jīng)過(guò)上述電子源制造設(shè)備的操作臺(tái)之后，從該設(shè)備卸下托架123，通過(guò)去掉的罩子118，消除了靜電夾持。此后，在基片130上進(jìn)行關(guān)于其上設(shè)置熒光體和金屬背底的基片的定位，并在將其安裝到其內(nèi)部具有約10-6Pa的真空度的顯示面板中之前，進(jìn)行密封鍵合。此外，在該顯示面板上安裝驅(qū)動(dòng)電路等，由此制造顯示器件。
根據(jù)上述實(shí)施例，需要特別長(zhǎng)時(shí)間的步驟被分成多個(gè)步驟，并且提供在其中執(zhí)行這些步驟的多個(gè)操作臺(tái)；通過(guò)保持預(yù)定氣密氣氛而移動(dòng)基片，可以有效地處理大量基片。
特別是，當(dāng)需要在預(yù)定氣氛中處理基片時(shí)，需要長(zhǎng)時(shí)間的步驟，如排氣和氣體引入，用于形成氣氛。在這種情況下，證實(shí)了本實(shí)施方案更有效。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供有利于實(shí)現(xiàn)制造成本降低及允許減小尺寸和簡(jiǎn)化操作的電子源制造設(shè)備。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供有利于提高制造速度和適合于大批量生產(chǎn)的電子源制造設(shè)備。
另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供能制造電子發(fā)射特性?xún)?yōu)異的電子源的電子源制造設(shè)備。
另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供圖像質(zhì)量?jī)?yōu)異的圖像形成設(shè)備。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供有助于提高生產(chǎn)速度和在基片處理操作如需要?dú)饷軞夥盏哪ば纬芍羞m合大批量生產(chǎn)的基片處理方法和膜形成方法。
權(quán)利要求
1.一種電子源制造設(shè)備，包括其上要放置基片的支撐部件，該基片上已經(jīng)放置了具有形成在其中的電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)體；覆蓋所述導(dǎo)體的容器；和運(yùn)送裝置，用于運(yùn)送通過(guò)在所述支承部件和所述容器之間放置所述基片形成的氣密密封容器單元，以便在所述容器中保持所希望的氣氛。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源制造設(shè)備，還包括用于給所述導(dǎo)體施加用于形成電子發(fā)射區(qū)的電壓的電壓施加裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電子源制造設(shè)備，其中電壓施加裝置設(shè)置在支撐部件上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源制造設(shè)備，其中所述容器具有氣體入口和排氣口以及用于密封氣體入口和排氣口的裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源制造設(shè)備，還包括多個(gè)操作臺(tái)，所述氣密密封容器單元穿過(guò)該多個(gè)操作臺(tái)運(yùn)送，并且在所述多個(gè)操作臺(tái)中進(jìn)行用于制造電子源的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電子源制造設(shè)備，還包括用于給所述導(dǎo)體施加用于形成電子發(fā)射區(qū)的電壓的電壓施加裝置，其中所述電壓施加裝置被放置在所述多個(gè)操作臺(tái)的至少一個(gè)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的電子源制造設(shè)備，其中所述容器具有氣體入口和排氣口以及用于密封氣體入口和排氣口的裝置，其中所述多個(gè)操作臺(tái)的至少一個(gè)具有相對(duì)于所述容器的氣體入口和氣體排氣口可拆卸的氣體引入裝置或排放裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的電子源制造設(shè)備，其中所述支承部件具有用于將所述基片固定到支撐部件上的夾持機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是為了實(shí)現(xiàn)在基片處理操作中如需要?dú)饷軞夥盏哪ば纬商幚碇械纳a(chǎn)速度的提高和適于大批量生產(chǎn)。提供一種在基片上進(jìn)行預(yù)定處理的基片處理方法，包括以下步驟在氣密氣氛中放置待處理基片的表面；對(duì)氣密氣氛排氣；和在基片上進(jìn)行預(yù)定處理，其中在將被抽空氣密氣氛從該操作臺(tái)移動(dòng)到不同操作臺(tái)之后，進(jìn)行處理步驟。
文檔編號(hào)H01J9/02GK1700390SQ20051006893
公開(kāi)日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2002年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月28日
發(fā)明者太田二郎 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社