專利名稱：：直下式背光的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用在液晶顯示器中的直下式背光。
背景技術(shù)：
：公開了一種使用光學(xué)半導(dǎo)體元件(LED)的平面光源器件，其中為了散射光而以同心圓形式形成其橫截面上具有半圓形狀的大量凹槽(例如見參考文件1)。JP2000-184137A然而，在上述的平面光源器件中，仍沒有獲得平面上光發(fā)射的充分均勻性。本發(fā)明的一個目標是提供一種直下式背光，其在平面上具有更加均勻量的光發(fā)射。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明人做了熱心的研究來分析所述問題。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)可以通過下面的直下式背光和發(fā)光器件來獲得前述目標。利用該發(fā)現(xiàn)，完成了本發(fā)明。本發(fā)明主要涉及下面的項目(1)一種直下式背光，包括樹脂密封元件，其包含有至少一個樹脂層，該樹脂層具有形成在所述樹脂密封元件最外表面上的光反射部分；由所述樹脂密封元件密封的光學(xué)半導(dǎo)體元件；和以同心圓形式形成在所述樹脂層至少一個表面上的多個圓形光散射凹槽，其中在中心的圓的面積與在各個同心圓之間的面積大致相等。(2)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中至少一個所述的光散射凹槽的截面形狀為三角形。(3)根據(jù)項目2所述的直下式背光，其中所述三角形為直角三角形。(4)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中每個光散射凹槽的寬度為1到100μm。(5)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中每個光散射凹槽的深度為0.5到120μm。(6)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中所述樹脂密封元件具有從0.1到1mm的厚度。(7)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中所述密封元件具有設(shè)置在其側(cè)面上的反射面。(8)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中所述光反射部分如此形成，即其位于所述光學(xué)半導(dǎo)體元件正上方的位置中。(9)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中所述光反射部分包括細微的不均勻性。(10)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中金屬薄膜設(shè)置在所述光反射部分上。(11)根據(jù)項目1所述的直下式背光，其中所述至少一個樹脂層包括多個樹脂層，其中多個樹脂層的每個都具有不同的折射率。(12)根據(jù)項目11所述的直下式背光，其中所述多個樹脂層包括最外層和其上設(shè)置有所述光學(xué)半導(dǎo)體元件的最內(nèi)層，其中所述多個樹脂層以這種方式排列，即所述多個樹脂層每個的折射率從所述最內(nèi)層向所述最外層連續(xù)減小。(13)一種發(fā)光器件，包括根據(jù)項目1所述的直下式背光，以及電路板。圖1是本發(fā)明直下式背光的一個實施例的平面圖和截面圖。圖2是用在本發(fā)明中的光散射凹槽形狀的平面圖和截面圖。圖3是用在本發(fā)明中的光散射凹槽的截面圖。圖4顯示了用多通道光電探測器測量的本發(fā)明直下式背光的光發(fā)射結(jié)果。圖5顯示了用多通道光電探測器測量的對比實例中獲得的直下式背光的光發(fā)射結(jié)果。圖6顯示了用多通道光電探測器測量的對比實例中獲得的直下式背光的光發(fā)射結(jié)果。圖7是本發(fā)明直下式背光的其它實施例的截面圖。具體實施例方式在本發(fā)明中，光學(xué)半導(dǎo)體元件被包含樹脂的密封元件(之后稱作“樹脂密封元件”)密封，該密封元件包括至少一個樹脂層、設(shè)置在該樹脂密封元件最外表面上的光反射部分，該最外表面與光學(xué)半導(dǎo)體元件設(shè)置的表面相對、以及規(guī)則地形成在所述樹脂層至少一個表面上的光散射凹槽。由此，從光學(xué)半導(dǎo)體元件發(fā)射的光通過所述光反射部分和/或光散射凹槽反射并散射進所述樹脂密封元件，進一步通過所述樹脂密封元件的下表面反射，并通過所述樹脂密封元件的上表面有效并均勻地發(fā)射。在本發(fā)明中，樹脂密封元件和樹脂層的“上表面”是指與設(shè)置所述光學(xué)半導(dǎo)體元件的一側(cè)相對側(cè)的表面，“下表面”是指設(shè)置光學(xué)半導(dǎo)體元件的表面。圖1中示出了本發(fā)明直下式背光的一個實施例。在圖1中，光學(xué)半導(dǎo)體元件2裝配在布線電路板1上，并被樹脂密封元件3密封。光反射部分4和光散射凹槽5形成在樹脂密封元件3的上表面上。用在本發(fā)明中的布線電路板1的例子包括玻璃環(huán)氧板、聚酰亞胺板和環(huán)氧樹脂板。從有利于光反射的觀點出發(fā)，優(yōu)選用氧化鈦等填充物填充的白色布線電路板。為了進一步有利于光的反射，優(yōu)選的是像熱硬化樹脂層或光固化樹脂層這樣的反射層，該反射層中分散有像氧化鈦，氧化鋯或氧化硅這樣的填充物、或者在所述布線電路板的表面上設(shè)置金屬蒸發(fā)層。用在本發(fā)明中的光學(xué)半導(dǎo)體元件2的例子包括其中電極設(shè)置在光發(fā)射表面上的面朝上(face-up)光學(xué)半導(dǎo)體元件和直接裝配在布線電路板上的倒裝芯片(flipchip)光學(xué)半導(dǎo)體元件。光學(xué)半導(dǎo)體元件2的形狀一般為方形。這樣可以使用光學(xué)半導(dǎo)體元件，例如商業(yè)上可得到的光學(xué)半導(dǎo)體元件。在布線電路板上裝配光學(xué)半導(dǎo)體元件的方法的例子包括面朝上裝配方法，其適于裝配其中電極布置在光發(fā)射表面上的光學(xué)半導(dǎo)體元件；和倒裝芯片裝配方法，其適于裝配其中電極布置與在光發(fā)射表面相對的表面上的光學(xué)半導(dǎo)體元件。在將光學(xué)半導(dǎo)體元件裝配在布線電路板上的過程中，可以僅裝配單色光學(xué)半導(dǎo)體元件，或者可以根據(jù)情況并排地裝配紅色、綠色和藍色光學(xué)半導(dǎo)體元件以便獲得白光。用于密封光學(xué)半導(dǎo)體元件2的樹脂密封元件3包括由像環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂或聚碳化二亞胺樹脂這樣的材料組成的單個或多個樹脂層。為了從直下式背光發(fā)射白光，可以在各個樹脂層中包含白色熒光劑。樹脂密封元件的形狀并不具體限定，但優(yōu)選為方形。當(dāng)所述形狀為方形時，方形的一個邊的長度優(yōu)選為30到100mm。樹脂密封元件的厚度優(yōu)選為0.1到1mm。為了防止被反射和被散射的光通過樹脂密封元件的側(cè)面發(fā)射到外部，優(yōu)選的是所述側(cè)面具有通過例如像金屬蒸發(fā)這樣的處理而獲得的反射表面。在樹脂密封元件包括多樹脂層的情形中，從提高光引出效率的觀點看，優(yōu)選的是所述多樹脂層的每層都具有不同的折射率。此外，假如所述多樹脂層包括最外層和其上設(shè)置有光學(xué)半導(dǎo)體元件的最內(nèi)層，更優(yōu)選的是所述多樹脂層如此設(shè)置，即所述多樹脂層每層的折射率從最內(nèi)層向最外層順序減小。用單樹脂層密封光學(xué)半導(dǎo)體元件2的方法的例子包括傳遞模塑、鑄造、和加熱并壓制預(yù)先機械加工成片狀的樹脂的層疊方法。在這些方法中，優(yōu)選層疊方法，因為可以以低成本很容易地模塑樹脂。用多樹脂層密封光學(xué)半導(dǎo)體元件2的方法的例子包括對每層傳遞模塑、對每層鑄造、對每個預(yù)先機械加工成片狀的樹脂層加熱并壓制的層疊方法、和在預(yù)先將多樹脂層共同機械加工成片狀后，對所述多樹脂層共加熱并壓制的層疊方法。在樹脂密封元件3包括兩個樹脂層的情形中，從提高光引出效率的觀點看，優(yōu)選在離光學(xué)半導(dǎo)體元件2最近的層的最內(nèi)層31中具有圓頂狀，使其圍繞并密封光學(xué)半導(dǎo)體元件2，如圖7中所示。在樹脂密封元件3包括多樹脂層的情形中，優(yōu)選在最內(nèi)層31上順序?qū)盈B具有圓頂狀的層，例如層32，如圖7中所示。同樣優(yōu)選的是樹脂密封元件具有尺寸大于光學(xué)半導(dǎo)體元件的圓形孔，其形成在對應(yīng)于光學(xué)半導(dǎo)體元件位置的部分。在本發(fā)明中，“光反射部分”是指具有能阻擋從光學(xué)半導(dǎo)體元件直接發(fā)射的光到外部、反射所述光并將所述光散射進樹脂密封元件內(nèi)的功能的部分。從能有效顯示這種功能的觀點看，優(yōu)選光反射部分如此形成，即其設(shè)置在光學(xué)半導(dǎo)體元件正上方的位置中。為了提供顯示所述功能的光反射部分4，在光反射部分4中形成有大量的細微不均勻。不均勻的形狀沒有具體限定，只要能顯示所述功能就行。然而，形狀的例子包括半球形、錐形和沒有規(guī)則性的隨機形狀。所述不均勻的尺寸沒有具體限定。然而，例如在半圓形的情形中，曲率半徑優(yōu)選為1到50μm，高度優(yōu)選為1到50μm，更優(yōu)選為15到30μm。所述光反射部分的形狀和尺寸并沒有具體限定，只要能顯示出所述功能并可以實現(xiàn)本發(fā)明就行。然而，形狀優(yōu)選為圓形，尺寸優(yōu)選為能使所述光反射部分比在所述光散射凹槽中離所述中心最近的凹槽更進一步地設(shè)置在內(nèi)側(cè)上的尺寸。在樹脂密封時可使用具有與光反射部分的不均勻相對的圖案的不均勻的模型而在其表面上形成所述不均勻。例如，在傳遞模塑的情形中，可通過在對應(yīng)于所述樹脂密封元件上表面的部分中形成有不均勻的傳遞模塑而形成所述不均勻。在鑄造的情形中，通過使用表面上形成有不均勻的壓片而鑄造形成樹脂層，并通過壓制樹脂層的表面形成所述不均勻。在層疊方法的情形中，通過具有在層疊時形成在其表面上的不均勻的壓片來壓制樹脂而形成所述不均勻。在模具的制造過程中，例如，通過激光加工而將聚酰亞胺片機械加工成預(yù)定的不均勻形狀，并且通過非電解鎳電鍍形成鎳薄膜，以使聚酰亞胺片的表面光滑。隨后，將所述鎳薄膜轉(zhuǎn)移到傳遞模具和壓片上，由此制造了用于在光反射部分中機械加工不均勻的模具。從有利于阻擋和反射從光學(xué)半導(dǎo)體元件直接發(fā)射到外部的光的觀點看，優(yōu)選在光反射部分的上表面形成金屬薄膜。金屬薄膜的金屬的例子包括銀和鋁。可通過例如遮擋并濺射除光反射部分以外的部分而在光反射部分的上表面上形成金屬薄膜。注意到，在通過傳遞模塑進行樹脂密封的情形中，因為所述不均勻與模塑同時形成，所以在形成所述不均勻后進行金屬薄膜的形成。另一方面，在通過鑄造或?qū)盈B方法進行樹脂密封的情形中，在通過壓片形成所述不均勻之前或之后進行金屬薄膜的形成。金屬薄膜的厚度優(yōu)選為0.05到0.5μm。在本發(fā)明中，“光散射凹槽”是指具有下述功能的部分，即能反射光學(xué)半導(dǎo)體元件發(fā)射的光，并將所述光散射進樹脂密封元件或樹脂密封元件的上表面。在本發(fā)明中，多個光散射凹槽5以圓形的形狀以同心圓形式形成在構(gòu)成所述樹脂密封元件的至少一個樹脂層的至少一個表面上，并以這樣的方式設(shè)置，即在中心的圓的面積和在各個同心圓之間的面積大致相等。這里，描述“面積大致相等”意思是指彼此稍微的面積差別被認為“相等”，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點就行。例如具有±5％范圍內(nèi)的差的面積被認為“大致相等的面積”。所述差優(yōu)選在±3％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在±1％的范圍內(nèi)。此外，當(dāng)從觀察到光發(fā)射的表面上看本發(fā)明的直下式背光時，所述圓形光散射凹槽5優(yōu)選如此形成，即其圍繞所述光反射部分4。從容易形成的觀點看，優(yōu)選所述光散射凹槽形成在所述至少一個樹脂層的上表面上。同心圓的中心優(yōu)選在對應(yīng)于布線電路板上的光學(xué)半導(dǎo)體元件位置的位置中，更優(yōu)選在對應(yīng)于光學(xué)半導(dǎo)體元件重心的位置中。在本發(fā)明中，如圖2中所示，“中心的圓的面積”是指具有下述半徑的圓的面積(A)，該半徑是從圓的中心6到在光散射凹槽中離所述中心最近的凹槽的寬度的中心的距離?！霸诟鱾€同心圓之間的面積”是指面積(B)，其計算為彼此相鄰的各個同心圓的面積差?！案鱾€同心圓的面積”是指具有下述距離作為半徑的圓的面積，即該距離是從所述圓的中心到光散射凹槽的寬度的中心。從有效獲得光波導(dǎo)的觀點看，所述面積優(yōu)選為1.6到85mm2，更優(yōu)選2.5到11mm2。作為光散射凹槽的截面形狀，優(yōu)選像三角形或正方形這樣的多邊形，半圓形，半橢圓形，更優(yōu)選三角形。所述截面形狀不必在所有的光散射凹槽中都相同，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點就行。在截面形狀為三角形的情形中，如圖3中所示，在垂直于凹槽的圓周方向的橫截面上，光散射凹槽5包括位于接近所述圓的中心6的位置中的表面5a，和位于遠離中心6的位置中的表面5b。由其中設(shè)置有光散射凹槽的樹脂層的表面3a和表面5a定義的角度θ優(yōu)選為20到50度，更優(yōu)選30到45度。在截面形狀為三角形的情形中，所述三角形優(yōu)選為直角三角形，更優(yōu)選為這樣的直角三角形，即表面5a對應(yīng)于直角三角形的斜邊。一個樹脂層的一個表面上形成的光散射凹槽的數(shù)量優(yōu)選為50到700，更優(yōu)選為200到500。從提高光引出效率和保證平面中光發(fā)射強度的均勻性的觀點看，光散射凹槽的寬度優(yōu)選為1到100μm，更優(yōu)選為20到70μm，進一步優(yōu)選為20到50μm。光散射凹槽的深度優(yōu)選為0.5到120μm，更優(yōu)選為10到30μm?？捎门c形成光反射部分的方法相同的方法來形成光散射凹槽。也可通過與形成用于形成光反射部分的模具的方法相同的方法來制造用于形成光散射凹槽的模具。實例現(xiàn)在參照實例和對比實例更加詳細地描述本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解并不解釋為本發(fā)明限于此。制造實例1將光學(xué)半導(dǎo)體元件裝配在布線電路板上其上形成有預(yù)定布線圖案的白色板(由RishoKogyoCo.，Ltd制造；CS-3965，長30mm×寬30mm×厚600μm)制備成布線電路板，通過布線焊接(bonding)在所述白色板上裝配光學(xué)半導(dǎo)體元件(由ShowaDenkoK.K.制造；SOA-230U)，以制備在其上裝備有光學(xué)半導(dǎo)體元件的布線電路板。制造實例2制造壓片A通過激光加工在聚酰亞胺片上形成具有下面示出的形狀的光反射部分和光散射凹槽，并且通過鎳電鍍形成鎳薄膜，以使其機械加工的表面光滑。通過轉(zhuǎn)移所獲得的鎳薄膜來制備壓片A。光反射部分的形狀在具有1mm半徑且對應(yīng)于作為中心的光學(xué)半導(dǎo)體元件重心位置的圓中，半球形的不均勻具有20μm的半徑、25μm的高度和60μm的齒距光散射凹槽的形狀在所述中心中的圓的面積7.1mm2(半徑大約為1.5mm)同心圓的個數(shù)200在各個同心圓之間的面積7.1mm2(外側(cè)圓的半徑大約為21.2mm)凹槽的形狀30μm的寬度、17μm的深度、截面形狀為直角三角形(30度的θ，直角三角形的斜邊對應(yīng)于表面5a)制造實例3制造壓片B通過激光加工在聚酰亞胺片上形成具有下面示出的形狀的光反射部分，通過鎳電鍍形成鎳薄膜，以使其機械加工的表面光滑。通過轉(zhuǎn)移所獲得的鎳薄膜制造壓片B。光反射部分的形狀在具有1mm半徑且對應(yīng)于作為中心的光學(xué)半導(dǎo)體元件重心位置的圓中，半球形的不均勻具有20μm的半徑、25μm的高度和60μm的齒距制造實例4制造壓片C通過激光加工在聚酰亞胺片上形成具有下面示出的形狀的凸起(projection)，通過鎳電鍍形成鎳薄膜，以使其機械加工的表面光滑。通過轉(zhuǎn)移所獲得的鎳薄膜制造壓片C。光散射凹槽的形狀在所述中心中的圓的面積7.1mm2(半徑大約為1.5mm)同心圓的個數(shù)200在各個同心圓之間的面積7.1mm2(外側(cè)圓的半徑大約為21.2mm)凸起的形狀30μm的寬度、17μm的深度、截面形狀為直角三角形(30度的θ，直角三角形的斜邊對應(yīng)于表面5a)制造實例5制造環(huán)氧樹脂層將用于密封光學(xué)半導(dǎo)體元件的環(huán)氧樹脂片(tablet)(由NittoDenko公司制造；NT-300S)以30wt％溶解在甲基乙基酮中，并將所獲得的溶液涂覆到由脫模劑(硅氧烷氟化物)處理過的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的分離器(separator)(具有50μm的厚度)(由TorayIndustries，Inc.制造)上。所述溶液在120℃時干燥一分鐘，并進一步在100℃時干燥一分鐘，從而制造初步固化的片狀環(huán)氧樹脂層(長30mm×寬30mm，厚度20μm)。制造實例6制造聚碳化二亞胺樹脂層將29.89克(171.6毫摩爾)的甲代亞苯基二異氰酸酯(同分異構(gòu)體混合物由MitsuiTakedaChemicals，Inc.制造；T-80)、94.48克(377.52毫摩爾)的4，4’-二苯甲烷二異氰酸酯、64.92克(308.88毫摩爾)的萘二異氰酸酯、和184.59克的甲苯灌入四頸燒瓶中并混合，該燒瓶具有500mL的容量，并附有攪拌器、滴液漏斗、回流冷凝器和溫度計。進一步添加8.71克(51.48毫摩爾)的1-萘基異氰酸酯和0.82克(4.29毫摩爾)的3-甲基-1-苯基-2-phosphorene-2-氧化物，攪拌的同時加熱到100℃，并保持該溫度兩個小時。通過IR測量來確定反應(yīng)過程。更具體地說，觀察異氰酸酯的N＝C＝O伸縮振動(2280cm-1)吸收的減小和碳化二亞胺的N＝C＝N伸縮振動(2140cm-1)吸收的增加。通過IR測量來確定反應(yīng)的終點，并將反應(yīng)溶液冷卻到室溫，由此獲得了聚碳化二亞胺溶液。隨后，將所述聚碳化二亞胺溶液涂覆到由脫模劑(硅氧烷氟化物)處理過的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的分離器(具有50μm的厚度)(由TorayIndustries，Inc.制造)上。在130℃時加熱所述聚碳化二亞胺溶液一分鐘，然后在150℃時加熱一分鐘，并移除所述分離器，從而制造初步固化的片狀聚碳化二亞胺層(長30mm×寬30mm，厚度50μm)。實例1通過真空層壓機(由Nichigo-MortonCo.，Ltd.制造)使用壓片A在140℃和0.1Mpa時加熱所述片狀環(huán)氧樹脂層，并將其擠壓在裝配有光學(xué)半導(dǎo)體元件的布線電路板上六十秒。之后，將所述環(huán)氧樹脂在160℃時固化十六個小時，從而密封光學(xué)半導(dǎo)體元件。隨后，除光反射部分(具有1mm半徑的圓)之外的部分被遮擋并濺射，由此在光反射部分的上表面上形成具有1μm厚度的銀薄膜，從而制造具有800μm厚度的直下式背光。實例2將三個具有50μm厚度的片狀聚碳化二亞胺層層疊，來制造長30mm×寬30mm×厚度150μm的聚碳化二亞胺層。隨后，通過真空層壓機(由Nichigo-MortonCo.，Ltd.制造)使用壓片A在150℃和0.1Mpa時加熱該聚碳化二亞胺層，并將其擠壓在裝配有光學(xué)半導(dǎo)體元件的布線電路板上六十秒，在所述壓片中，在對應(yīng)于光學(xué)半導(dǎo)體元件位置的部分中形成有具有0.6mm曲率半徑和0.12mm高度的圓頂狀凹部。之后，將所述聚碳化二亞胺在150℃時固化一個小時，從而密封光學(xué)半導(dǎo)體元件。隨后，通過真空層壓機(由Nichigo-MortonCo.，Ltd.制造)使用壓片A在140℃和0.1Mpa時加熱所述片狀環(huán)氧樹脂層，并將其擠壓在所述聚碳化二亞胺層上六十秒。之后，將所述環(huán)氧樹脂在160℃時固化十六個小時，從而制造具有950μm厚度的直下式背光。實例3在對應(yīng)于具有50μm厚度的片狀聚碳化二亞胺層的光學(xué)半導(dǎo)體元件的位置中使用打孔機形成尺寸大于光學(xué)半導(dǎo)體元件的圓孔。所述聚碳化二亞胺層如此放置在裝配有光學(xué)半導(dǎo)體元件的布線電路板上，即光學(xué)半導(dǎo)體元件在聚碳化二亞胺層的所述孔內(nèi)側(cè)。通過真空層壓機(由Nichigo-MortonCo.，Ltd.制造)使用壓片C在150℃和0.1Mpa時加熱并擠壓所述聚碳化二亞胺層六十秒。之后，將所述聚碳化二亞胺在150℃時固化一個小時。隨后，通過真空層壓機(由Nichigo-MortonCo.，Ltd.制造)使用壓片B在140℃和0.1Mpa時加熱所述片狀環(huán)氧樹脂層，并將其擠壓在所述聚碳化二亞胺層上六十秒。之后，將所述環(huán)氧樹脂在160℃時固化十六個小時，從而密封所述光學(xué)半導(dǎo)體元件和制造具有850μm厚度的直下式背光。在該實施例的情形中，因為沿形成在聚碳化二亞胺層上的凸起而形成所述環(huán)氧樹脂層，所以在環(huán)氧樹脂層的下表面中相對地形成了光散射凹槽。對比實例1以與第一個實施例相同的方式制造直下式背光，不同的是使用壓片B作為壓片。對比實例2通過激光加工在聚酰亞胺片上形成具有下面示出的形狀的光反射部分和光散射凹槽，并通過鎳電鍍形成鎳薄膜，以使其機械加工的表面光滑。通過轉(zhuǎn)移所獲得的鎳薄膜來制備壓片D。光反射部分的形狀在具有3mm半徑且對應(yīng)于作為中心的光學(xué)半導(dǎo)體元件重心位置的圓中，半球形的不均勻具有20μm的半徑、25μm的高度和60μm的齒距光散射凹槽的形狀在所述中心中的圓的半徑6.7mm同心圓的個數(shù)10在各個同心圓之間的間隔1.45mm(對于所有的間隔)(即第十個圓的半徑為19.75mm)凹槽的形狀30μm的寬度、17μm的深度、截面形狀為直角三角形(30度的θ，直角三角形的斜邊對應(yīng)于表面5a)以與第一個實施例相同的方式制造直下式背光，不同的是使用上面描述中制備的壓片D作為壓片。平面中光發(fā)射均勻性的評價用多通道光電探測器(由OtsukaElectronicsCo.，Ltd.制造；MCPD3000)測量實例1到3和對比實例1和2中制備的直下式背光的光發(fā)射均勻性。圖4中顯示了實例1中制造的直下式背光的結(jié)果，圖5中顯示了對比實例1中制造的直下式背光的結(jié)果，圖6中顯示了對比實例2中制造的直下式背光的結(jié)果。結(jié)果，可以看出，在實例1制造的直下式背光中，在平面中寬度方向上獲得了均勻量的光發(fā)射。另外，在實例2和3中獲得了同樣的結(jié)果。另一方面，可以看出，在對比實例1制造的直下式背光中，因為光發(fā)射集中在光學(xué)半導(dǎo)體元件附近，所以沒有獲得均勻的光發(fā)射。此外，可以看出，在對比實例2中，因為在距中心(光源部分)大約8mm半徑的區(qū)域中的光發(fā)射強烈，所以沒有獲得均勻的光發(fā)射?？紤]到上述情況，可以看出通過本發(fā)明可提供一種直下式背光，其中光發(fā)射的量在平面上是均勻的。此外，可在液晶顯示器的背光中使用本發(fā)明的直下式背光。盡管已經(jīng)參照其具體的實施例詳細描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來說應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出各種變化和修改。本申請基于2004年4月21日提交的日本專利申請No.2004-126077，其內(nèi)容在這里結(jié)合作為參考。權(quán)利要求1.一種直下式背光，包括樹脂密封元件，其包括至少一個樹脂層，該樹脂層具有形成在所述樹脂密封元件最外表面上的光反射部分；由所述樹脂密封元件密封的光學(xué)半導(dǎo)體元件；和以同心圓形式形成在所述樹脂層的至少一個表面上的多個圓形光散射凹槽，其中，在中心的圓的面積與各個同心圓之間的面積基本上相等。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中至少一個所述的光散射凹槽的截面形狀為三角形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直下式背光，其中所述三角形為直角三角形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中每個光散射凹槽的寬度為1到100μm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中每個光散射凹槽的深度為0.5到120μm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中所述樹脂密封元件具有從0.1到1mm的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中所述密封元件具有設(shè)置在其側(cè)面上的反射面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中形成所述光反射部分，使其位于所述光學(xué)半導(dǎo)體元件正上方的位置中。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中所述光反射部分包括細微的不均勻性。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中金屬薄膜設(shè)置在所述光反射部分上。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光，其中所述至少一個樹脂層包括多個樹脂層，其中多個樹脂層的每個都具有不同的折射率。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的直下式背光，其中所述多個樹脂層包括最外層和其上設(shè)置有所述光學(xué)半導(dǎo)體元件的最內(nèi)層，其中所述多個樹脂層以這種方式排列，即所述多個樹脂層的每層的折射率從所述最內(nèi)層向所述最外層連續(xù)減小。13.一種發(fā)光器件，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的直下式背光以及電路板。全文摘要本發(fā)明提供了一種直下式背光，包括樹脂密封元件，其包含有至少一個樹脂層，該樹脂層具有形成在所述樹脂密封元件最外表面上的光反射部分；由所述樹脂密封元件密封的光學(xué)半導(dǎo)體元件；和以同心圓形式形成在所述樹脂層至少一個表面上的多個圓形光散射凹槽，其中在中心的圓的面積與在各個同心圓之間的面積大致相等。文檔編號F21Y101/02GK1690811SQ200510067610公開日2005年11月2日申請日期2005年4月21日優(yōu)先權(quán)日2004年4月21日發(fā)明者末廣一郎,堀田祐治,貞賴直樹,原田憲章,宇和田一貴申請人:日東電工株式會社