專利名稱：包含多孔氧化鋁的發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包含規(guī)則多孔氧化鋁層的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
多孔的鋁氧化物(Al2O3)，下文中稱作多孔氧化鋁，是一種具有電絕緣特性的透明材料?？梢岳硐氲貙⒍嗫籽趸X的結(jié)構(gòu)描述為氧化鋁矩陣中平行孔的網(wǎng)格，并且多孔氧化鋁是二維光子晶體的實例，在它的兩個軸上具有周期性，而在第三個軸上是均勻的。這種結(jié)構(gòu)的周期性，以及因此產(chǎn)生的不同介電常數(shù)裝置的交替情況，使得可以確定光子帶隙以及因此可以防止在給定方向上具有特定能量的光傳播。特別的，通過控制氧化鋁孔的尺寸和它們之間的間隔，可以確定可見頻譜中的帶隙，并且具有由入射光平面中的反射導(dǎo)致的隨之發(fā)生的彩虹效應(yīng)。
本申請人在此之前就已經(jīng)提出將多孔氧化鋁的二維光子晶體特性用于降低光源的發(fā)射瓣，以及用于按照周期大小的函數(shù)使光束發(fā)生聚焦。
為此，文獻(xiàn)EP-A-1 385 041描述了一種具有透明基底的背光類型的發(fā)光裝置，將用于產(chǎn)生電磁輻射的裝置連接到該發(fā)光裝置的一個表面，并且在所述產(chǎn)生電磁輻射的裝置中，可以將多孔氧化鋁層用于抑制電磁輻射在平行于基底平面的方向上的傳播，從而改善了從所述基底中提取光的效率并且增加了所發(fā)射光的方向性。在上述文獻(xiàn)所描述的各種可能采用的實施方案中，用于產(chǎn)生電磁輻射的裝置包含電致發(fā)光材料層，該層受到包含金屬層的第一電極和包含ITO膜(銦錫氧化物)的第二電極的激發(fā)，或者也可能受到滲透金屬層或中孔性氧化物的激發(fā)。
在Proceedings of SPIE-The International Society for OpticalEngineering，vol.4105，31.07.00，pp405-412中的論文“用于有機(jī)發(fā)光裝置的基于多孔氧化鋁的陰極(Porous alumina based cathodefor organic light-emitting device)”中，也描述了基于使用多孔氧化鋁的發(fā)光裝置。
上述論文中描述的裝置具有填充了受到場效應(yīng)激發(fā)的發(fā)光磷光體的氧化鋁建模元件，其中該裝置的一個電極包含沉積于氧化鋁下面的鋁膜。發(fā)光分子被吸收到氧化鋁孔的壁上，從而由施加到電極上的強(qiáng)電場導(dǎo)致所述發(fā)光分子受到激發(fā)。為了獲得可以激發(fā)發(fā)光分子所需的場效應(yīng)，必須降低氧化鋁壁壘層的厚度。必須向所述裝置提供高電壓，以滿足提取足夠高能的電子并且使它們在兩個電極之間得到加速。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于制造如上面所述的一種裝置，相比于上述現(xiàn)有的用于制造所述裝置的技術(shù)，可以以更簡單、更快速和更便宜的方式制造所述裝置，而所述裝置的功能性特性保持不變。
根據(jù)本發(fā)明，通過一種發(fā)光裝置和一種用于制造具有如權(quán)利要求1和11中所述特性的發(fā)光裝置的方法，可以實現(xiàn)這些目的和其它目的。
在所附的權(quán)利要求中描述了根據(jù)本發(fā)明的裝置及其制造方法的優(yōu)選特性，并且所附權(quán)利要求是本說明書的不可缺少的和基本的部分。


通過下面的詳細(xì)描述和附圖，我們可以清楚地看出本發(fā)明的進(jìn)一步的目的、特性和優(yōu)勢，并且所述附圖僅是示例性和非限制性的例子，在所述附圖中-圖1和2是示意圖，即納米級尺寸的多孔氧化鋁膜的一部分的透視圖和平面圖；-圖3和4是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明用于制造發(fā)光裝置的方法的兩個步驟；-圖5、6、7和8是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的可能實施例的橫截面示意圖。
具體實施例方式
圖1和2示意性地顯示了整體用附圖標(biāo)記1表示的多孔氧化鋁膜的一部分，所述多孔氧化鋁膜是通過對放在便于操作的玻璃基底S上的鋁膜2進(jìn)行陽極氧化而獲得的，并且僅是一個示例性的例子。如可以看到的，氧化鋁層1包含一系列彼此直接相鄰的典型為六邊形的單元3，每個單元具有形成孔4的直的中央洞，并且所述孔基本上垂直于基底S的表面。放于鋁膜2上的每個單元3的端面具有一個閉合部分，該閉合部分具有典型為半球形的形狀，并且所有這些閉合部分共同形成了氧化鋁結(jié)構(gòu)的非多孔部分，或壁壘層，用附圖標(biāo)記5表示該壁壘層。
通過適當(dāng)?shù)剡x擇物理和電化學(xué)處理參數(shù)，可以使氧化鋁層1具有受拉的形態(tài)在酸電解液中(例如磷酸、草酸以及硫酸)和在適當(dāng)?shù)奶幚項l件下(電壓、電流、攪拌和溫度)，可以獲得高度規(guī)則的多孔膜。為實現(xiàn)所述目的，可以改變單元3的尺寸和密度、孔4的直徑以及膜1的高度。
用于多孔氧化鋁膜1的第一制造步驟是將鋁膜2沉積到便于操作的基底S上，該基底在本文中是由玻璃或其它透明介電材料制成的。所述操作需要厚度為1到50μm的高純度材料沉積物。用于膜2的優(yōu)選沉積技術(shù)是通過電子光束和濺射實現(xiàn)的熱蒸發(fā)，從而獲得好的粘著。
鋁膜2的沉積步驟之后，進(jìn)行使所述膜2陽極氧化的步驟。如前面說過的那樣，根據(jù)希望得到的孔4的尺寸和孔間距離，可以通過使用不同的電解液來執(zhí)行膜2的陽極氧化處理。
通過膜2的第一陽極氧化獲得的氧化鋁層具有不規(guī)則的結(jié)構(gòu)；為了獲得高度規(guī)則的結(jié)構(gòu)，有必要執(zhí)行連續(xù)的陽極氧化處理，即至少包含i)膜2的第一陽極氧化；ii)通過對不規(guī)則的氧化鋁膜進(jìn)行刻蝕來實施的還原步驟，并且所述刻蝕是通過酸溶液(例如CrO3和H3PO4)實現(xiàn)的；iii)鋁膜2的第二陽極氧化，并且該步驟從未通過刻蝕去除的殘余氧化鋁部分開始。
在ii)中提到的刻蝕步驟是重要的，以便在殘余的不規(guī)則氧化鋁部分上規(guī)定用于第二陽極氧化步驟中氧化鋁生長的優(yōu)選區(qū)域。
通過多次執(zhí)行包括刻蝕和陽極氧化的連續(xù)操作，結(jié)構(gòu)得到改善，直到所述結(jié)構(gòu)變得高度均勻為止，如圖1和2中所示。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，執(zhí)行鋁膜2的陽極氧化處理，從而幾乎完全“消耗”相同膜中用于氧化鋁1生長的部分，以便氧化鋁的壁壘層與基底S局部接觸。圖3中示意性地顯示了該處理的結(jié)果。
如可以看到的，得到的鋁膜2包含在所獲得的氧化鋁結(jié)構(gòu)1的側(cè)面上延伸的外圍部分2A，以及包含位于不同單元的半球形頂之間的空隙中的局部部分，用2B表示。
在獲得圖2中所示的規(guī)則多孔氧化鋁膜1之后，執(zhí)行涉及全部或局部去除壁壘層5的步驟，從而孔4變成穿過氧化鋁結(jié)構(gòu)并且直接面對基底S的洞。實際上，從電子角度來看，壁壘層5使得讀氧化鋁結(jié)構(gòu)完全絕緣，并且鋁是非透明的材料?？梢酝ㄟ^刻蝕來執(zhí)行上述的局部去除的過程。
圖4示意性地顯示了在局部去除壁壘層后獲得的結(jié)果。如可以看到的，由于所述去除，使得氧化鋁孔具有這樣的端面部分，該端面部分的側(cè)面邊界由原始鋁膜2的部分2B確定。
圖5示意性地顯示了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，整體用附圖標(biāo)記10表示該發(fā)光裝置，并且該發(fā)光裝置包含與圖4中一樣的基本結(jié)構(gòu)，即基底S，并且在所述基底S上存在用于形成多孔氧化鋁的鋁膜1的殘余部分2A和2B，以及在所述膜2上還存在氧化鋁結(jié)構(gòu)1；如可以看到的，氧化鋁結(jié)構(gòu)1的孔直接開到基底S上，并且在接近基底S的地方，孔的邊界由鋁部分2B確定。
為了制造裝置1，氧化鋁結(jié)構(gòu)1的孔填充了方便操作的發(fā)射材料11；所述材料可以是有機(jī)材料，例如電致發(fā)光聚合體(如聚苯撐乙烯或者寫作PPV)或者有機(jī)金屬材料(如AlQ3)，或者無機(jī)材料，例如從磷光體、直接帶隙半導(dǎo)體和稀土氧化物中選出的一種。通過例如旋壓、蒸發(fā)、濺射、CVD、浸漬或溶膠凝膠的技術(shù)，可以將所述材料11嵌入到氧化鋁膜1中。
然后，使得反射金屬膜12沉積到包含電致發(fā)光材料11的氧化鋁結(jié)構(gòu)1上，例如通過蒸發(fā)、溶膠凝膠、濺射或CVD。
如可以推斷出的，發(fā)射材料11因此會與鋁膜2(即與部分2B)和金屬膜12發(fā)生電接觸。
鋁膜2的殘余部分(即部分2A和2B)起到了陰極的作用，而金屬膜12起到了陽極的作用，并且它們被連接到方便操作的低壓電源13。來自沉積于氧化結(jié)構(gòu)之下的鋁基底(即沉積于氧化鋁結(jié)構(gòu)1之下的膜2)和金屬膜12的電流可以激發(fā)電致發(fā)光材料12。金屬膜12除了起到設(shè)備10中的陰極的作用之外，還用于發(fā)射材料11的保護(hù)層。
在圖5中顯示的實施例中，來自裝置10的光發(fā)射穿過玻璃基底S，并且垂直箭頭和用14表示的一些瓣來代表所述光發(fā)射。
與前面提到的歐洲專利申請中公開的內(nèi)容類似，多孔氧化鋁膜1抑制在與垂直于基底S表面的方向形成較大夾角的方向上的光傳播，其中在這些方向上，在基底-空氣界面處將會發(fā)生全內(nèi)反射或?qū)懽鱐IR。然后，對應(yīng)于所述傳播方向的輻射部分被轉(zhuǎn)化為相對于該垂直方向以小于TIR角的角度傳播的輻射，并且該輻射部分基本上可以離開玻璃基底S的前表面。結(jié)果是從裝置中提取了較大量的光，并且同時降低了離開基底S的前表面的光的發(fā)射瓣14。
在一種可能的實施方案變體中，如圖6中所示，電極12可以是由透明材料制成的，從而使得在裝置10的兩個面上都可以實現(xiàn)光發(fā)射。在所述實施方案中，可以通過蒸發(fā)、溶膠凝膠、濺射或者CVD技術(shù)沉積傳導(dǎo)膜12，并且該傳導(dǎo)膜12例如是由滲透金屬或者傳導(dǎo)氧化物制成的。
如知道的，存在多種電子通過金屬-絕緣體-金屬界面?zhèn)鬏數(shù)臋C(jī)制，即歐姆傳導(dǎo)、離子傳導(dǎo)、熱發(fā)射、場效應(yīng)導(dǎo)致的發(fā)射。在一種給定的材料中，上述機(jī)制中的每一種都會在給定的溫度和電壓(電場)范圍內(nèi)占據(jù)主導(dǎo)地位，并且具有取決于電流、電壓和溫度的特性。這些不同的過程彼此之間不必是獨立的。
根據(jù)本發(fā)明的解決方案提出了一種裝置10，其中無論電致發(fā)光元件11是有機(jī)的還是無機(jī)的，都可以確保所述電致發(fā)光元件受到激發(fā)，這是因為上述電致發(fā)光材料同時與兩個電極保持電接觸，并且所述兩個電極即為殘余鋁層2和沉積于所述電致發(fā)光元件11上的傳導(dǎo)電極12。
通過正常的電子傳導(dǎo)或者通過場效應(yīng)，可以實現(xiàn)激發(fā)。
在第一種情況中，電致發(fā)光材料11包含有機(jī)或無機(jī)半導(dǎo)體制成的連續(xù)層，或者包含其中嵌入了發(fā)光器的傳導(dǎo)矩陣，例如納米晶體或者稀土離子，或者直接復(fù)合半導(dǎo)體。激發(fā)之所以得到確保是因為由施加到兩個電極2、12的電勢差產(chǎn)生的電流通過了上述材料。
在第二種情況中，電致發(fā)光材料11包含形成滲透結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)元件(例如金屬納米顆粒)和輻射點(例如半導(dǎo)體納米晶體)的交替。上述輻射點受到輻射的激發(fā)，并且所述輻射是由金屬非連續(xù)結(jié)構(gòu)引起的場效應(yīng)發(fā)射的電子產(chǎn)生的。
場效應(yīng)導(dǎo)致的發(fā)射，也稱作Powler-Nordheim電子隧道效應(yīng)，包含由隧道效應(yīng)導(dǎo)致電子通過金屬-絕緣體-金屬界面。所述現(xiàn)象在存在強(qiáng)電場的情況下發(fā)生，并且該強(qiáng)電場可以使絕緣體的能量帶發(fā)生彎曲，直到在金屬和絕緣體之間建立了窄的三角形勢壘。根據(jù)下面的函數(shù)，場效應(yīng)導(dǎo)致的發(fā)射電流的密度主要取決于電場的強(qiáng)度，而它基本上與溫度無關(guān)j=Cφ(βE2)exp(-Bφ3/2βE)]]>其中E是電場的強(qiáng)度，φ是勢壘的高度，B、C和β是常數(shù)。
如果所施加的電壓足夠高從而可以產(chǎn)生非常強(qiáng)的局部電場(E大于大約109伏/米)，那么會出現(xiàn)電流密度隨隧道效應(yīng)導(dǎo)致的電子傳導(dǎo)而產(chǎn)生的局部增加，這使得可以在納米級水平上局部地激發(fā)材料11，并且隨后進(jìn)行光發(fā)射，如圖5和6中用14指示的瓣所指示的那樣。
圖7顯示了裝置10的可替換的實施例，其中使連續(xù)的鋁層沉積于氧化鋁結(jié)構(gòu)1之下，而不是與前面的實施例那樣，僅局部區(qū)域2B沉積于氧化鋁結(jié)構(gòu)1之下。
根據(jù)所述變化，在獲得規(guī)則多孔氧化鋁膜1之后，執(zhí)行涉及全部或局部去除壁壘層5和鋁膜2的步驟，例如通過刻蝕，從而在鋁層2中可以獲得與氧化鋁結(jié)構(gòu)的開孔對齊的洞。如前面提到的那樣，從電子角度來看，壁壘層5使得氧化鋁結(jié)構(gòu)完全絕緣，并且鋁是非透明材料。
然后，材料11沉積到如此獲得的結(jié)構(gòu)上，從而所述材料填充孔4和形成在鋁層2中的對應(yīng)的洞，直到所述材料與基底S直接接觸。然后，第二電極12沉積到基底上，并且與通過例子顯示的情況中一樣，所述電極可以是不透明的也可以是透明的。
圖8顯示了裝置10的另一種可能的實施例，其中用于形成氧化鋁的鋁膜并未完全陽極氧化，從而在氧化鋁結(jié)構(gòu)1下還保留有連續(xù)鋁層2。在獲得規(guī)則的多孔氧化鋁膜1之后，執(zhí)行涉及全部或局部去除壁壘層5的步驟，例如通過刻蝕，從而獲得與氧化鋁結(jié)構(gòu)的開孔對齊的洞，并且所述孔面對鋁層2。然后，材料11沉積到如此獲得的結(jié)構(gòu)上，從而所述材料填充孔4，直到所述材料與鋁層2直接接觸。因為鋁是不透明材料，所以沉積到所述結(jié)構(gòu)上的第二電極12必須是透明的，以便使得在裝置10的與連續(xù)鋁層2相對的側(cè)面上可以產(chǎn)生光發(fā)射。
上面的描述指出了本發(fā)明的特性及其優(yōu)勢。
根據(jù)本發(fā)明，將氧化鋁結(jié)構(gòu)用作光子晶體，來改善光提取，并且將該所述氧化鋁結(jié)構(gòu)用作裝置自身的納米級框架，而用于氧化鋁生長的鋁層起到電極的作用；因此，使用多孔氧化鋁使得可以獲得規(guī)則的介電框架，從而確保了裝置的陽極(即氧化鋁的鋁基底)和陰極之間的電子傳輸。
根據(jù)本發(fā)明的裝置的結(jié)構(gòu)顯示了通過氧化鋁孔，與之對應(yīng)的是殘留鋁層與電致發(fā)光材料的直接電接觸。因此，所述裝置的工作原理基本上與上述的現(xiàn)有技術(shù)的工作原理不同。這是因為輻射點的激發(fā)是通過正常激發(fā)或者通過局部場的發(fā)射實現(xiàn)的。在后一種情況下，輻射復(fù)合是由從傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)中局部提取的電子產(chǎn)生的，而該電子提取要歸功于強(qiáng)電場。所述特別性使得可以向根據(jù)本發(fā)明的裝置提供低壓。
顯然，與僅通過舉例方式描述和顯示的內(nèi)容相比，即使本發(fā)明的基本原理保持不變，也可以改變構(gòu)建細(xì)節(jié)和實施例。
如已經(jīng)敘述過的，嵌入到裝置10的兩個電極2、12之間的電致發(fā)光材料11是有機(jī)發(fā)射器(聚合體)或者無機(jī)發(fā)射器(磷光體、半導(dǎo)體或者稀土)，并且可以以連續(xù)膜的形式出現(xiàn)。作為一種替換，材料11可以包含嵌入到傳導(dǎo)矩陣中的納米顆粒。
在另一種可能的變體中，電極12可以包含一種滲透金屬結(jié)構(gòu)，并且所述滲透金屬結(jié)構(gòu)配有保護(hù)性涂層從而避免氧化并起到保存電致發(fā)光材料11的作用。
在電致發(fā)光材料11和各個電極2、12之間可以嵌入其它的電致發(fā)光層和/或電荷傳輸層；因此，在后一種情況下，通過至少一個電荷傳輸層(例如由PEDOT制成)可以獲得電致發(fā)光材料11和各個電極2、12之間的電接觸。對于電極2，在完全或局部去除壁壘層5之后，可以使電荷傳輸層沉積到氧化鋁膜1的孔4的內(nèi)表面上，并且所述電荷傳輸層與位于其下的電極2相接觸；然后，材料11沉積到該結(jié)構(gòu)上，從而所述材料填充孔4并且與電荷傳輸層直接接觸，而電荷傳輸層又與鋁電極2直接接觸。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置(10)，其包含基底(S)、具有包含發(fā)射材料(11)的一個規(guī)則系列的納米級尺寸的腔(4)的多孔氧化鋁層(1)、連接到電壓源(13)的第一和第二電極(2，12)，其中電極(2，12)與發(fā)射材料(11)電接觸并且設(shè)計為用于激發(fā)所述發(fā)射材料從而發(fā)出電磁輻射(14)，并且其中氧化鋁層(1)被設(shè)計用于抑制所述電磁輻射在沿著平行于基底(2)平面的方向上的傳播，所述該發(fā)光裝置的特征在于所述第一電極包含基底(S)上的鋁膜(2)的至少一部分，并且在所述鋁膜(2)上，已經(jīng)在之前通過陽極氧化過程生成了氧化鋁層(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于所述腔的形狀與氧化鋁層(1)的通孔相似。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于第一電極包含鋁膜的局部部分(2B)，并且發(fā)射材料與所述局部部分電接觸，多個局部部分縱向地延伸并且基本上彼此平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，特征在于所述局部部分(2B)整體上構(gòu)成一種類似于柵格或類似于網(wǎng)格的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，特征在于鋁膜(2)包含與氧化鋁層(1)的各個腔(4)對準(zhǔn)的通道，其中氧化鋁層(1)的腔(4)和鋁膜(2)中存在的通道是彼此對準(zhǔn)的，從而發(fā)射材料(11)與第一電極(2)局部電接觸，或者與鋁膜(2)中存在的通道的內(nèi)壁是導(dǎo)通的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于發(fā)射材料(11)是有機(jī)的，例如電致發(fā)光聚合體或有機(jī)金屬聚合體，例如AlQ3，或者所述發(fā)射材料是無機(jī)的，是從磷光體、直接帶隙半導(dǎo)體和稀土氧化物中選出的，或者所述發(fā)射材料具有不連續(xù)的或滲透的金屬結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于發(fā)射材料(11)的激發(fā)是由正常電子傳導(dǎo)導(dǎo)致的，并且發(fā)射材料(11)包含有機(jī)或無機(jī)材料制成的連續(xù)層，或者包含其中嵌入了發(fā)光器的傳導(dǎo)矩陣，例如納米晶體或稀土離子，或者直接復(fù)合半導(dǎo)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于發(fā)射材料(11)的激發(fā)發(fā)生在所述腔(4)內(nèi)，并且是由場效應(yīng)導(dǎo)致的，其中發(fā)射材料(11)包含下述兩種元件的交替-傳導(dǎo)元件，例如金屬納米顆粒，構(gòu)成一種滲透結(jié)構(gòu)，以及-輻射點，例如半導(dǎo)體納米晶體，其中所述輻射點受到激發(fā)從而發(fā)出輻射，并且所述激發(fā)是由于滲透結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)所發(fā)射的電子導(dǎo)致的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于基底(S)和第二電極(12)中的至少一個基本上是透明的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，特征在于在發(fā)射材料(11)和相應(yīng)電極(2，12)之間至少設(shè)置了一個電荷傳輸層(1)。
11.用于制造發(fā)光器(10)的方法，其中所述發(fā)光器包含-基底(S)，-具有包含發(fā)射材料(11)的一個規(guī)則系列的納米級尺寸的腔(4)的多孔氧化鋁層(1)，-連接到電壓源(13)并且與發(fā)射材料(11)接觸的第一和第二電極(2，12)，特征在于-該第一電極至少部分是通過沉積于基底(S)上的鋁膜(2)獲得的，-通過至少包含下述步驟的陽極氧化過程，直接在所述鋁膜(2)上生長規(guī)則的氧化鋁層(1)i)對鋁膜(2)實施的第一陽極氧化步驟；ii)對通過第一陽極氧化步驟獲得的規(guī)則多孔氧化鋁結(jié)構(gòu)實施的還原步驟，即通過刻蝕實現(xiàn)的還原步驟；iii)對鋁膜(2)實施的第二陽極氧化步驟，并且所述步驟開始于沒有在還原步驟ii)中被去除的殘余部分的不規(guī)則多孔氧化鋁結(jié)構(gòu)，-規(guī)則氧化鋁層(1)經(jīng)歷了全部或局部去除各個壁壘層(5)的步驟，從而所述腔(4)開在鋁膜(2)上，以便發(fā)射材料(11)可以與第一電極(2)局部接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中執(zhí)行該陽極氧化過程，使得規(guī)則氧化鋁層(1)的壁壘層(5)與基底(S)局部接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中對鋁膜(2)的局部部分進(jìn)行了去除步驟，從而鋁膜(2)的被去除的部分與規(guī)則多孔氧化鋁層(1)的各個腔(4)基本上對準(zhǔn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中發(fā)射材料(11)沉積到規(guī)則多孔氧化鋁層(1)上，從而至少部分發(fā)射材料(11)被引入到規(guī)則多孔氧化鋁層(1)的腔(4)中，優(yōu)選地通過從例如旋壓、蒸發(fā)、濺射、CVD、浸漬或溶膠凝膠中選擇的技術(shù)，從而實現(xiàn)發(fā)射材料(11)的沉積。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中第二電極(12)沉積到包含發(fā)射材料(11)的規(guī)則多孔氧化鋁層(1)上，并且優(yōu)選地通過從蒸發(fā)、溶膠凝膠、濺射、CVD中選擇的技術(shù)進(jìn)行所述沉積。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中使第二電極(12)以金屬滲透層的形式沉積，并且在所述第二電極上涂了保護(hù)涂層。
全文摘要
一種發(fā)光裝置10，包含基底S、具有包含發(fā)射材料11的一個規(guī)則系列的納米級尺寸的腔4的多孔氧化鋁層1、與發(fā)射材料11電接觸并且連接到電壓源13的兩個電極2，12。所述第一電極包含沉積于基底S上的鋁膜2的至少一部分，并且在所述鋁膜2上，已經(jīng)在之前通過陽極氧化過程生成了氧化鋁層1。
文檔編號H01J1/62GK1684566SQ200510056400
公開日2005年10月19日 申請日期2005年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月18日
發(fā)明者P·佩洛, N·利皮拉, M·帕德里, P·雷佩托, V·G·蘭貝蒂尼, M·布里格諾內(nèi), R·蒙菲里諾 申請人:C.R.F.阿西安尼顧問公司