專利名稱：平面圖像顯示設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及平面圖像顯示設備，它具有彼此對置的基板和用來將這些基板密封起來的真空密封結構。
背景技術：
近年來，平面圖像顯示設備已經被視為一種就有效的空間利用和其它設計因素看非常值得注意的一類圖像顯示設備。在其它類別中，像場發(fā)射設備(下文將其稱為FED)這樣的電子發(fā)射類型的圖像顯示設備預期會成為一種卓越的顯示器，它具有高亮度、高分辨率、低功耗等優(yōu)點。
通常，平面圖像顯示設備包括以間隔的方式彼此對置的兩個基板，并且各基板都由玻璃板構成。這些基板使其各自的外圍邊緣部分密封起來以形成一個機殼。使兩個基板之間的空間(即，機殼的內部)保持高度真空是很重要的。如果真空度較低，電子發(fā)射元件的壽命和整個設備的壽命都不可避免地減少。
在該狹窄的空間中保持高真空的過程中，很難使用有機密封材料，這類材料易漏氣，盡管漏得非常少。因此，基本上都使用無機粘合劑或密封劑作為密封材料。因此，根據特許公開號為2002-319346的日本專利申請所揭示的設備，可以使用像In和Ga這樣的低熔點金屬作為密封材料將玻璃板接合到一起或形成真空密封。如果這些低熔點金屬被加熱到其熔點并熔化，則它們可以進行高度氣密性的密封，因為它們與玻璃之間具有高度的可濕性。
然而，在一些平面圖像顯示設備中，其基板的四周長度可能超過3米，與常規(guī)的陰極射線管等相比，要有更寬的面積必須密封。因此，與陰極射線管等的情況相比，引入密封缺陷的可能性幾乎多出一百倍，所以密封這種基板是非常困難的操作。一些平面圖像顯示設備的特征要求其機殼具有嚴格的真空規(guī)范，所以可以在比密封材料的熔點高出許多的一溫度下進行熱處理。在這種高溫熱處理的過程中，密封材料與玻璃之間的可濕性下降，使得該密封材料無法體現(xiàn)出令人滿意的接合或密封效果。結果，有一個問題開始出現(xiàn)，使得無法制造出保持高真空度的大尺寸設備。

發(fā)明內容
本發(fā)明正是在考慮到這些情況的前提下才得以產生的，并且其目標在于提供一種平面圖像顯示設備，它能夠保持高度真空并且可靠性得到改善。
為實現(xiàn)該目標，根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種平面圖像顯示設備，該設備包括彼此對置并在其間留有間隙的兩個玻璃基板；以及密封部分，用來密封玻璃基板上預定的位置并在這兩個玻璃基板之間界定了一個密封空間，該密封部分具有沿該預定的位置填充的低熔點金屬以及介于玻璃基板各表面與低熔點金屬之間并由某一種金屬構成的一層金屬層，這種金屬具有對玻璃的接合性、對該低熔點金屬的親和性以及對要在500攝氏度或更低的溫度熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。
根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種平面圖像顯示設備，包括彼此對置且在其間留有間隙的兩個玻璃基板；以及密封部分，用來密封玻璃基板上預定的位置并在這兩個玻璃基板之間界定了一個密封空間，該密封部分具有沿該預定位置填充的低熔點金屬、介于玻璃基板各表面和該低熔點金屬之間并由某一金屬構成的一層金屬層以及保護層，這種金屬具有對玻璃的接合性、對該低熔點金屬的親和性以及對要在500攝氏度或更低的溫度熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度，該保護層位于該金屬層和該低熔點金屬之間并具有對該低熔點金屬的親和性。


圖1是根據本發(fā)明的第一實施例示出了SED的透視圖；圖2是沿圖1的II-II線切開的SED透視圖；圖3是示出了SED的密封部分的放大截面圖；圖4是示出了密封部分的另一個實施例的截面圖；圖5是示出密封部分的又一個實施例的截面圖；以及圖6是示出密封部分的另一個實施例的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細描述一些實施例，在這些實施例中根據本發(fā)明的平面圖像顯示設備可應用于FED。
如圖1和2所示，F(xiàn)ED包括第一基板11和第二基板12，它們都由矩形玻璃基板構成。這些基板彼此對置，其間留有約1.0到2.0毫米的間隙。第一基板11和第二基板12用矩形框架形狀的玻璃側壁13將它們各自的周邊部分連接起來，由此形成了一種在其內部保持真空的平面真空機殼10。
用低熔點玻璃30(比如，燒結玻璃)將充當連接部件的側壁13密封到第二基板12的內表面四周邊緣部分。如下文所述，用包含低熔點金屬作為密封材料的密封部分33將側壁13密封到第一基板11的內表面四周邊緣部分。因此，側壁13和密封部分33緊密地將第一基板11和第二基板12各自的四周邊緣部分連接起來，由此在第一和第二基板之間定義了一密封空間。
在真空機殼10中，有多個玻璃制成的盤形支撐部件14，以便支撐作用在第一基板11和第二基板12上的大氣負載。這些支撐部件14本身在平行于真空機殼10短邊的方向上延伸，并按預定的間隔在平行于其長邊的方向上排列。支撐部件14的形狀并不限于該結構，并且可以使用列支撐部件作為替代。
充當熒光表面的熒光屏16形成于第一表面11的內表面上。熒光屏16具有可以發(fā)出紅光、綠光和藍光的多個熒光層15以及形成于這些熒光層之間的多個遮光層17。各熒光層15是條形、點形或矩形的。鋁等制成的金屬背面18和吸氣劑膜19接連形成于熒光屏16上。
在第二基板12的內表面上有大量的電子發(fā)射元件22，它們作為電子源單獨發(fā)出電子束，用于激發(fā)熒光屏16的熒光層15。具體來講，導電的陰極層24形成于第二基板12的內表面上，并且具有大量空腔25的二氧化硅膜26形成于導電的陰極層上。鉬、鈮等制成的柵電極28形成于二氧化硅膜26之上。錐形的鉬制電子發(fā)射元件22個個單獨地位于第二基板12內表面上的空腔25中。這些電子發(fā)射元件22排列在與單獨的像素相對應的多個列與多個行中。另外，提供電勢給電子發(fā)射元件22的大量導線21以矩陣的形式排列在第二基板12之上，并且它們各自的末端部分從真空機殼10中引出。
在以這種方式構造出的FED中，視頻信號輸入到電子發(fā)射元件22和柵電極28。在基于電子發(fā)射元件22的最高亮度狀態(tài)中，施加+100伏特的柵電壓。+10千伏的電壓加在熒光屏16上。由柵電極28的電壓來調制從電子發(fā)射元件22中發(fā)出的電子束的大小，并且隨著電子束激發(fā)熒光屏16的熒光層使其發(fā)光便顯示出了圖像。因為高電壓加在熒光屏16，所以使用高應變點玻璃作為用于第一基板11、第二基板12、側壁13和支撐部件14的平板玻璃。
下文詳細描述了用來密封第一基板11和側壁13之間的空間的密封部分33。
如圖2所示，密封部分33具有金屬層31a、金屬層31b和低熔點金屬構成的密封層32。金屬層31a是矩形框架的形狀，它沿第一基板的內表面四周邊緣部分延伸。金屬層31b是矩形框架的形狀，它沿側壁13面朝第一基板那一側的末端表面延伸。密封層32位于金屬層31a和31b之間。金屬層31a和31b都由這樣一種金屬構成，該金屬具有對玻璃的接合性、對低熔點金屬的親和性以及對要在500攝氏度或更低的溫度熔融的低熔點金屬的小于1％的溶解度。
作為各自機制之一，本發(fā)明的發(fā)明人不斷研究與玻璃金屬接合有關的機制，并系統(tǒng)地觀察了銦(In)的潤濕現(xiàn)象，銦是一種通常用在玻璃上的密封材料。結果，認識到盡管可與玻璃沾濕，但是沾濕在玻璃基板上這一過程會使熔融的銦變?yōu)榘肭蛐味⒉粩U展開，這是因其表面張力很大所致。因此，注意到，很難用銦對一段長距離進行密封，并且必須在玻璃和銦之間提供一種物質來將銦固定在預定的位置并相對地減弱其表面張力。
因此，發(fā)明人打算在玻璃表面上形成金屬層，并用許多類型的金屬層不斷重復實驗。結果，認識到隨著銦的凝固許多物質都與玻璃表面分開了，盡管當這些物質是金屬性的時候銦的表面張力可以被相對地減小。此外，注意到，當這些金屬層甚至在比500攝氏度低的低溫環(huán)境下對銦具有一定的溶解度時，隨著時間的流逝這些金屬層變得不再有效，漸漸地從玻璃表面上消失了?；谶@一點，已發(fā)現(xiàn)，通過使用對玻璃具有良好的附著力、對銦溶解度較低并且對銦具有良好的親和性這樣一類材料，便可以解決前述的兩個問題。已發(fā)現(xiàn)，通過使用除銦以外但滿足這些條件的其它材料(比如，低熔點金屬或合金)，也可以獲得高度真空的密封能力。
對玻璃具有高附著力的有效金屬包括簡單的活性過渡金屬(比如Cr、Ti、Hf、Zr、Ta、Al等)，包含兩個或更多這些金屬的合金，簡單的稀土金屬(比如，Y、Ce等)，或包含兩個或更多這些稀土金屬的合金。此外，簡單的過渡金屬(比如，F(xiàn)e、Ni、W、Mo等)或主要含這些金屬的合金可以被用作對低熔點金屬具有低溶解度的材料。
基本上，具有前述兩種功能的金屬層由各自具備某一功能的多個金屬層堆疊而成。如圖3所示，例如，金屬層31a和31b中的每一個都由Cr制的第一金屬層34a和Fe制的第二金屬層34b堆疊而成。Cr具有對玻璃的高接合性，F(xiàn)e具有對要在500攝氏度或更低的溫度下熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。在這種情況下，第一金屬層34a形成于玻璃表面上，同時第二金屬層34b堆疊到第一金屬層上并插放在第一金屬層和低熔點金屬32之間。如果在用汽相沉積來形成金屬層的情況下用不銹鋼或Cr鋼作為蒸發(fā)源，則特別的是，具有高蒸汽壓力的Cr作為這些金屬中的一種組分會比其它組分Fe或Ni蒸發(fā)得要快。因此，當Cr在玻璃表面上富集并附著于其上之后，F(xiàn)e或Ni是以迭生的方式形成的。因此，通過一個處理周期，便可以獲得與多層處理相似的效果。
金屬層可以作為單層結構產生一種效果，使得具有前述兩種功能的元件混合在一起。如圖4所示，例如，Cr制的單金屬層可以被用作金屬層31a和31b中的每一層。
選自In、Ga、Bi、Pb、Sn、Zn和Sb中的至少一種金屬或除它們以外包含Ag、Cu、Al等的一種金屬可以特別用作低熔點金屬或合金。除Al以外都具有對玻璃基板的高接合性的那些金屬很難溶于低熔點合金并且具有前述的兩種功能。然而，較為有效的是，用低熔點金屬使這些金屬可潤濕以便例如用高度可潤濕材料清洗或涂覆它們。
可以用下列處理中的任一種使金屬層位于玻璃表面上干處理，比如，汽相沉積、濺射、低壓惰性氣體環(huán)境下的熱噴射等；濕法處理，比如，無電鍍。在這些處理中的任一種中，應該連續(xù)地形成多層。通過在惰性氣體環(huán)境下熱處理或在膜形成之后減小氣壓，便可以提高該金屬膜對玻璃的接合性和附著力。
在本實施例中，金屬層31a和31b單獨形成于第一基板11和側壁13各自的表面上，用于提高對玻璃的接合性并防止熔融的低熔點金屬32的損耗。此外，為了提高低熔點金屬的可潤濕性，預期著形成一層金屬性的保護層或一種對低熔點金屬具有親和性的物質膜層，使得它可以很容易地與該低熔點金屬形成合金。
具體來講，該金屬層最外圍的表層在其剛剛形成之后主要因氧化而變?yōu)榉墙饘俚奈镔|，所以它與密封用的低熔點金屬32之間的可濕性也可能會下降。因此，為了解決這個問題，發(fā)明人不斷進行工藝研究和實驗以形成對玻璃具有高接合性的金屬層31a和31b，從而使各種材料組合起來。因此，已發(fā)現(xiàn)，在剛剛形成之后即表面狀態(tài)改變之前就形成具有抗氧化性和對低熔點金屬的親和性的金屬性保護層36，這樣便可以解決該問題。根據另一個實施例，如圖5和6所示，在金屬層31a和31b上形成金屬性的保護層36，由此防止該金屬層的外表面被氧化，并且該金屬保護層位于金屬層和低熔點金屬32之間。低熔點金屬成分或像Ag、Au、Cu、Al、Pt、Pd、Ir或Sn這樣的金屬都可以有效地被用作金屬性的保護層36。在用干處理形成金屬性保護層36的過程中，期望在金屬層31a和31b形成之后在不暴露于大氣的情況下連續(xù)形成金屬性的保護層1。
下文是對FED結構示例的詳細描述。
〔示例1〕為了形成FED，準備好由65厘米長、110厘米寬的玻璃板制成的第一和第二基板，用燒結玻璃將矩形框架形狀的玻璃側壁13接合到兩個基板之一(例如，第二基板)的內表面四周邊緣部分。然后，借助于真空汽相沉積裝置，在側壁13上表面和第一基板11的內表面四周邊緣部分(即，在側壁13相對的預定位置處)之上分別形成兩層厚度為0.4微米的Cr制第一金屬層。接下來，形成厚度為0.4微米的Fe制第二金屬層。然后，通過使用烙鐵，在氮氣環(huán)境下使作為一種低熔點金屬由重量百分比為53％的Bi和47％的Sn組成的合金熔融并涂覆在側壁13上的金屬層上。
在這兩塊玻璃基板之間確保100毫米的空間，并在5×10-6Pa的真空環(huán)境下對它們進行熱處理。因為Bi-Sin對薄膜具有良好的親和性，所以使Bi-Si潤濕。之后，兩塊玻璃基板彼此粘在一起，使得后來在冷卻過程中對準該合金的位置，于是使Bi-Sn合金與兩塊基板的表面連在一起。在這種情況下，通過冷卻使該合金固化，因此側壁13和第一基板密合在一起。
當通過之前形成的測量孔評估真空密封特性時，呈現(xiàn)出1×10-9atm*cc/s或更小的泄漏，從而提供了合適的密封效果。該結果和外觀表明，該玻璃基板沒有遇到可歸因于金屬密封的任何內部破裂。
〔示例2〕為了形成FED，準備好由65厘米長、110厘米寬的玻璃板構成的第一和第二基板。接下來，借助于汽相沉積裝置，在玻璃基板彼此正對著的預定位置處(在這種情況下就是各玻璃基板內表面的四周邊緣部分上)，形成厚度為0.6微米的Cr金屬層。接下來，在該金屬層上形成厚度為0.4微米的Cu制金屬性保護層。在各金屬性的保護層上，涂上厚度為0.3毫米的合金軟膏作為低熔點金屬，它由重量百分比為53％的Bi和47％的Sn組成并包含分解揮發(fā)性粘合劑。然后，在玻璃基板之一的低熔點金屬上，F(xiàn)e的重量百分比為37％、并鍍有Ag的Ni合金導線(直徑1.5毫米)被設為側壁。
確保兩塊玻璃基板之間有100毫米的空間，在130攝氏度約10-3Pa的真空中對這些玻璃基板進行暫時地燒制并持續(xù)30分鐘。之后，這些基板在5×10-6Pa的真空環(huán)境下經受加熱除氣處理。當在冷卻過程中到達200攝氏度時，這兩塊玻璃基板在預定的位置處粘在一起。因此，熔融Bi-Sn合金潤濕并涂在Fe-Ni合金導線上并不留間隙，這是因其良好的相互親和性。在這種情況下，該合金固化從而將兩塊玻璃基板密封在一起。當該FED經受與示例1中相同的真空泄漏測試時，得到相同的結果。
〔示例3〕準備好由65厘米長、110厘米寬的玻璃板構成的第一和第二基板。接下來，借助于汽相沉積裝置并使用13Cr鋼作為蒸發(fā)源，在玻璃基板彼此正對著的預定位置處(在這種情況下就是各玻璃基板內表面的四周邊緣部分上)，形成厚度為0.6微米的Cr金屬層。接下來，在該金屬層上形成了厚度為0.4微米的Ag作為金屬性保護層。在玻璃基板之一的金屬性保護層上，將由重量百分比為70％的Bi和30％的In構成、涂有0.2毫米厚的合金、直徑為1.5毫米的Ti導線設為側壁。
這兩塊玻璃基板保持水平并在兩者之間留有100毫米的空間，在5×10-6Pa的真空中，對它們進行加熱除汽處理。當在冷卻過程中達到200攝氏度時，這兩塊玻璃基板在預定的位置處連接在一起了。之后，通過這種操作，熔融的Bi-In合金潤濕并涂敷在Ti導線上并不留間隙，這是因為它們具有良好的相互親合性。在這種情況下，該合金固化從而使這兩塊玻璃基板密封在一起。當該FED經受與示例1相同的真空泄漏測試時，獲得了相同的結果。
〔示例4〕準備好由65厘米長、110厘米寬的玻璃板構成的第一和第二基板。接下來，借助于汽相沉積裝置并使用Ce作為蒸發(fā)源，在玻璃基板彼此正對著的預定位置處(在這種情況下就是各玻璃基板內表面的四周邊緣部分上)，形成厚度為0.4微米的Ce金屬層。接下來，在該金屬層上形成了厚度為0.4微米的Cu作為金屬性保護層。在各金屬性保護層上，涂敷厚度為0.3毫米的合金軟膏作為低熔點金屬，它由重量百分比為53％的Bi和47％的Sn構成并且包含分解揮發(fā)性粘合劑。然后，在玻璃基板之一的低熔點金屬層上，將鍍有Ag的鐵素體不銹鋼(SUS 410)的導線(直徑為1.5毫米)設為側壁。確保兩塊玻璃基板之間有100毫米的空間，在130攝氏度約10-3Pa的真空中對這些玻璃基板進行暫時的燒制并持續(xù)30分鐘。之后，這些基板在5×10-6Pa的真空環(huán)境下經受加熱除氣處理。當在冷卻過程中到達200攝氏度時，這兩塊玻璃基板在預定的位置處粘在一起。因此，熔融Bi-Sn合金潤濕并涂在SUS 410導線上并不留間隙，這是因其良好的相互親和性。在這種情況下，該合金固化從而將兩塊玻璃基板密封在一起。當該FED經受與示例1中相同的真空泄漏測試時，得到相同的結果。
〔示例5〕當在與示例1相同的條件下使用In替代Bi-Sn合金作為低熔點金屬時，獲得相同的結果。
〔示例6〕為了形成FED，準備由65厘米長、110厘米寬的玻璃板構成的第一和第二基板。接下來，借助于汽相沉積裝置，在玻璃基板彼此正對著的預定位置處(在這種情況下就是各玻璃基板內表面的四周邊緣部分上)，形成厚度為0.6微米的Cr金屬層。接下來，在該金屬層上形成0.4微米厚的Ag作為金屬保護層。通過使用超聲烙鐵，在各金屬性保護層上涂敷0.3毫米厚的In作為低熔點金屬。然后，在玻璃基板之一的In上，將鍍有Ag且Fe的重量百分比為37％的Ni合金的導線(直徑為1.5毫米)設為側壁。
確保這兩塊玻璃基板之間有100毫米的空間，在130攝氏度約10-3Pa的真空中對這些玻璃基板進行暫時的燒制并持續(xù)30分鐘。之后，這些基板在5×10-6Pa的真空環(huán)境下經受加熱除氣處理。當在冷卻過程中到達200攝氏度時，這兩塊玻璃基板在預定的位置處粘在一起。因此，熔融In合金潤濕并涂在Fe-Ni合金導線上并不留間隙，這是因其良好的相互親和性。在這種情況下，該合金固化從而將兩塊玻璃基板密封在一起。當該FED經受與示例1中相同的真空泄漏測試時，得到相同的結果。
〔示例7〕準備好由65厘米長、110厘米寬的玻璃板構成的第一和第二基板。接下來，借助于汽相沉積裝置并使用13Cr鋼作為蒸發(fā)源，在玻璃基板彼此正對著的預定位置處(在這種情況下就是各玻璃基板內表面的四周邊緣部分上)，形成厚度為0.6微米的Cr金屬層。接下來，在該金屬層上形成了厚度為0.4微米的Ag作為金屬性保護層。在玻璃基板之一的金屬性保護層上，將直徑為1.5毫米、涂有0.2毫米厚的合金、由重量百分比為53％的Bi和47％的In構成、作為低熔點金屬的Ti導線設為側壁。
確保兩塊玻璃基板之間有100毫米的空間，它們在5×10-6Pa的真空環(huán)境下經受加熱除氣處理。當在冷卻過程中到達200攝氏度時，這兩塊玻璃基板在預定的位置處粘在一起。因此，通過該操作，熔融Bi-In合金潤濕并涂在Ti導線上并不留間隙，這是因其良好的相互親和性。在這種情況下，該合金固化從而將兩塊玻璃基板密封在一起。當該FED經受與示例1中相同的真空泄漏測試時，得到相同的結果。
如上所述，根據本實施例和單獨的示例，可以對要求高度真空的玻璃容器進行密封，使得可以獲得一種可靠性得到提高且能夠保持高度真空的平面圖像顯示設備。
本發(fā)明并不直接限于上文所描述的實施例，并且在不背離本發(fā)明的精神的情況下可以按修改后的形式來實施其各組件。此外，通過適當組合結合前述實施例所描述的多個組件，便可以產生各種發(fā)明。例如，根據前述實施例的某些組件可以忽略。此外，根據不同實施例的組件可以按要求組合在一起。
在本發(fā)明中，側壁和其它組件的尺寸、材料等并不限于前述實施例中的那些，而是可以按要求適當地選擇。本發(fā)明并不限于用場發(fā)射類型的電子發(fā)射元件作為電子源的圖像顯示設備，而是也可以應用于使用其它電子源(比如，表面導電型、碳納米管等)的圖像顯示設備以及內部保持真空的其它平面圖像顯示設備。
工業(yè)應用根據本發(fā)明，可以提供一種可靠性得到提高且能夠保持高度真空的平面圖像顯示設備。
權利要求
1.一種平面圖像顯示設備，包括相互對置并在其間留有間隙的兩塊玻璃基板以及密封部分，所述密封部分密封所述玻璃基板上預定的位置并在所述兩塊玻璃基板之間界定了一個密封空間，所述密封部分具有沿所述預定位置填充的低熔點金屬以及介于所述玻璃基板各自表面和所述低熔點金屬之間并由某一種金屬構成的一層金屬層，所述某一種金屬具有對玻璃的接合性、對所述低熔點金屬的親合性、以及對500攝氏度或更低的溫度下要熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。
2.一種平面圖像顯示設備，包括彼此對置并在其間留有間隙的兩塊玻璃基板以及密封部分，所述密封部分密封所述玻璃基板上預定的位置并在所述兩塊玻璃基板之間界定了一個密封空間，所述密封部分具有沿所述預定位置填充的低熔點金屬、介于所述玻璃基板各自表面和低熔點金屬之間且由某一種金屬構成的金屬層以及介于所述金屬層和所述低熔點金屬之間且對所述低熔點金屬具有親合性的保護層，所述某一種金屬具有對玻璃的接合性、對所述低熔點金屬的親合性、以及對500攝氏度或更低的溫度下要熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。
3.如權利要求2所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述保護層由至少一種簡單物質Ag、Au、Al、Pt、Pd、Ir和/或Sn構成，或者由主要包括所述物質的合金構成。
4.如權利要求1到3中的任一條所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述金屬層由下列構成活性的過渡金屬，它包括Cr、Ti、Hf、Zr、Ta和Al等物質中的至少任何一種作為主要成分；稀土金屬，它包括Y和/或Ce或主要由所述金屬構成的合金。
5.如權利要求1到3中的任一條所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述金屬層由下列構成簡單的過渡金屬，它包括Fe、Ni、W和Mo等中的至少一種物質；或合金，它主要包括所述金屬中的至少一種并包含權利要求4所述的活性金屬。
6.如權利要求1到3中的任一條所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述金屬層是通過將多層金屬層堆疊在一起而形成的金屬性多層。
7.如權利要求6所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述金屬層包括第一金屬層，它形成于所述玻璃基板表面上并具有對玻璃的接合性；以及堆疊在所述第一金屬層之上的第二金屬層，所述第二金屬層介于所述第一金屬層和所述低熔點金屬之間并由某一種金屬構成，所述某一種金屬具有對所述低熔點金屬的親合性以及對500攝氏度或更低的溫度下要熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。
8.如權利要求7所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述第一金屬層由下列構成簡單的活性過渡金屬，它包括Cr、Ti、Hf、Zr、Ta和Al等中的至少一種物質；簡單的稀土金屬，它包括Y和/或Ce；或主要包括所述金屬中的至少一種的合金。
9.如權利要求7所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述第二金屬層由下列構成簡單的過渡金屬，它包括Fe、Ni、W和Mo等中的至少一種物質；或合金，它主要包括所述金屬中的至少一種。
10.如權利要求1到3中的任一條所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，所述低熔點金屬是簡單金屬，它包括In、Ga、Bi、Sn、Pb和Sb等中的至少一種物質；或合金，它包括所述金屬中的至少一種。
11.如權利要求1到3中的任一條所述的平面圖像顯示設備，其特征在于，它包括熒光層，位于所述玻璃基板之一的內表面上；以及多個電子源，它們位于另一個玻璃基板的內表面上并激發(fā)所述熒光層。
全文摘要
一種平面圖像顯示設備包括彼此對置并在其間留有間隙的兩塊玻璃基板(11，12)；以及密封部分(33)，用于密封玻璃基板上預定的位置并定義兩塊玻璃基板之間的密封空間。該密封部分具有沿預定位置填充的低熔點金屬(32)以及介于玻璃基板各自表面與低熔點金屬之間的金屬層(31a，31b)，這兩層金屬層(31a，31b)由某一種金屬構成，該金屬具有對玻璃的接合性、對低熔點金屬的親合性以及對要在500攝氏度或更低的溫度熔融的低熔點金屬小于1％的溶解度。
文檔編號H01J29/02GK1898766SQ20048003906
公開日2007年1月17日 申請日期2004年12月15日 優(yōu)先權日2003年12月25日
發(fā)明者山田晃義, 竹田博光, 海野洋敬, 榛葉勇一 申請人:株式會社東芝