專(zhuān)利名稱(chēng)：圖象顯示設(shè)備和用于圖象顯示設(shè)備中的間隔組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖象顯示設(shè)備，它包括彼此相對(duì)的基片和位于基片之間的間隔組件，及該間隔組件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，存在著對(duì)用于高級(jí)廣播或其高分辨率版本的需求，這要求更高的屏幕顯示性能。為了滿足這些需求，屏幕表面必須是平坦的且分辨率要提高。同時(shí)，設(shè)備必須減輕重量和厚度。
諸如場(chǎng)致發(fā)射顯示器(下文稱(chēng)為FED)之類(lèi)的平板圖象顯示設(shè)備被視為滿足上述需求的圖象顯示設(shè)備。FED具有彼此相對(duì)且其間有固定間隙的第一基片和第二基片。這些基片具有它們各自的周?chē)吘壊糠?，所述周?chē)吘壊糠种苯踊蛲ㄟ^(guò)矩形框形式的側(cè)壁接合在一起，且構(gòu)成真空外殼。在第一基片的內(nèi)表面上形成熒光層，而多個(gè)用作激勵(lì)所述熒光層發(fā)光的電子發(fā)射源設(shè)置在第二基片的內(nèi)表面上。
多個(gè)用作支撐元件的間隔物設(shè)置在第一基片和第二基片之間以支撐作用于這些基片上的大氣壓。在該FED中顯示圖象的過(guò)程中，陽(yáng)極電壓被施加至熒光層使得從電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束由陽(yáng)極電壓加速并與熒光層碰撞，因此熒光體發(fā)光并顯示圖象。
根據(jù)以此方式構(gòu)成的FED，各電子發(fā)射元件的大小屬于微米數(shù)量級(jí)，且可以按毫米數(shù)量級(jí)設(shè)置第一基片和第二基片之間的距離。因此，與用作現(xiàn)有的電視或計(jì)算機(jī)的顯示器的陰極射線管(CRT)相比，該圖象顯示設(shè)備可以享有更高的分辨率、更輕的重量和更薄的厚度。
為了獲得上述圖象顯示設(shè)備的實(shí)際顯示特征，使用與傳統(tǒng)陰極射管類(lèi)似的熒光體，并且必須將其陽(yáng)極電壓設(shè)置為幾kV或更高，且最好為10kV或更高。考慮到分辨率、支撐元件的屬性和生產(chǎn)力等，第一基片和第二基片之間的間隙不能制得非常寬并設(shè)置為約1-2mm。如果在高加速電壓下加速的電子與熒光屏碰撞，而且在熒光屏上產(chǎn)生次級(jí)電子和反射的電子。
如果第一基片和第二基片之間的間隔窄，在熒光屏上產(chǎn)生的次級(jí)電子和反射的電子與設(shè)置在基片之間的間隔物碰撞，因此間隔物帶電。通過(guò)FED中的加速電壓，通常間隔物帶正電。在此情況下，從電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束被吸引至間隔物并不可避免地從它們?cè)瓉?lái)的軌跡偏離。因此，存在電子束錯(cuò)誤地落在熒光層上的問(wèn)題，從而降低了顯示的圖象的色純度。
為了減少電子束被間隔物吸引，可以對(duì)整個(gè)或部分間隔物表面進(jìn)行導(dǎo)電率處理以去電。例如，美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5,726,529中描述了一種對(duì)絕緣間隔物的第二基片側(cè)端部進(jìn)行導(dǎo)電率處理從而使間隔物去電的結(jié)構(gòu)。
如果對(duì)絕緣間隔物的第二基片側(cè)端部進(jìn)行導(dǎo)電率處理，而帶電間隔物上的電荷被放電至第二基片，則第二基片上的電子發(fā)射元件可能被損壞或退化從而降低圖象質(zhì)量水平。另外，通過(guò)間隔物從第一基片流至第二基片的無(wú)功電流增加，從而引起溫度或功耗上升。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到這些背景制作了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的在于提供一種能容易地控制電子束的軌跡并限制向電子發(fā)射源一側(cè)放電，從而確?？煽慷群透纳频膱D象質(zhì)量的圖象顯示設(shè)備及其制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)該目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種圖象顯示設(shè)備，包括具有熒光屏的第一基片、隔著間隙與所述第一基片相對(duì)并具有多個(gè)發(fā)射電子以激勵(lì)所述熒光屏的電子發(fā)射源的第二基片、和設(shè)置在所述第一和第二基片之間并支撐作用于所述第一和第二基片上的大氣壓的間隔組件，所述間隔組件具有與所述第一和第二基片相對(duì)并具有多個(gè)與電子發(fā)射源一個(gè)一個(gè)地相對(duì)的電子束孔的柵格，和多個(gè)豎立在所述柵格的表面的間隔物，所述各間隔物的體電阻從其柵格側(cè)端向所述第一或第二基片側(cè)一端逐漸減小。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種間隔組件的制造方法，包括制備形成有多個(gè)電子束孔的板形柵格和具有多個(gè)用于模制間隔物的間隔物形成孔的壓模；將間隔物形成材料和導(dǎo)電粉末填入所述壓模的間隔物形成孔；從間隔物的鄰近一側(cè)向遠(yuǎn)端一側(cè)將所述填入的間隔物形成材料中的導(dǎo)電粉末調(diào)整成密度梯度；在調(diào)整了所述導(dǎo)電粉末的密度梯度后使所述壓模與所述柵格的表面相接觸；在間隔物形成材料固化后將所述壓模從所述柵格去除；并燒制所述固化的間隔物形成材料。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的SED透視圖；圖2為SED沿圖1的線II-II的部分截面圖；圖3為示出SED的截面圖；圖4為示出部分SED的放大的截面圖；圖5為示出用于SED的間隔組件的制造過(guò)程的截面圖；圖6為示出用于SED的間隔組件的制造過(guò)程的截面圖；圖7為示出用于SED的間隔組件的制造過(guò)程的截面圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的SED的一部分的截面圖；圖9為示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的SED的一部分的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明將本發(fā)明作為一種平板圖象顯示設(shè)備FED應(yīng)用于表面導(dǎo)電電子發(fā)射器顯示器(下文稱(chēng)為SED)的實(shí)施例。
如圖1-3所示，SED包括各由用作透明絕緣基片的矩形玻璃板所形成的第一基片10和第二基片12。這些基片之間隔著大約1.0-2.0mm的間隙彼此相對(duì)。形成的第二基片12的尺寸比第一基片10的尺寸稍大。第一基片10和第二基片12具有由矩形框形的玻璃側(cè)壁14接合在一起的它們各自的周?chē)吘?。它們?gòu)成內(nèi)部保持高真空的平板矩形真空外殼15。
熒光屏16作為發(fā)熒光的屏幕在第一基片10的內(nèi)表面上形成。通過(guò)將當(dāng)被電子撞擊時(shí)發(fā)出紅、藍(lán)和綠光的熒光層R、G和B和光屏蔽層并排排列形成熒光屏16。熒光層R、G和B形成條形或點(diǎn)。在該熒光屏16上連續(xù)地形成鋁等金屬殼17和吸氣薄膜19?？梢詫⒗鏘TO的透明導(dǎo)電薄膜或?yàn)V色薄膜設(shè)置在第一基片10和熒光屏16之間。
位于第二基片12的內(nèi)表面上的是大量一個(gè)一個(gè)單獨(dú)地發(fā)出作為激勵(lì)熒光屏16的熒光層的電子發(fā)射源的電子束的表面導(dǎo)電電子發(fā)射元件18。對(duì)于每個(gè)像素，這些電子發(fā)射元件18排列成多個(gè)相互對(duì)應(yīng)的行和列。每個(gè)電子發(fā)射元件18由電子發(fā)射部分(未示出)和將電壓施加至電子發(fā)射部分的一對(duì)元件電極(element electrode)等構(gòu)成。在第二基片12的內(nèi)表面上大量將電位供給電子發(fā)射元件18的導(dǎo)線21設(shè)置成矩陣，并它們的端部被拉出真空外殼15的周?chē)吘壊糠帧?br> 用諸如低熔點(diǎn)玻璃或低熔點(diǎn)金屬之類(lèi)的密封材料20將用作接合元件的側(cè)壁14封接至第一基片10和第二基片12的各自的外緣部分，并將第一基片和第二基片接合在一起。
如圖2和4中所示，SED包括位于所述第一基片10和第二基片12之間的間隔組件22。在本實(shí)施例中，間隔組件22包括板形柵格24和多個(gè)整體地豎立在柵格的相對(duì)表面上的多個(gè)柱形間隔物。
更具體來(lái)說(shuō)，柵格24具有與第一基片10的內(nèi)表面相對(duì)的第一表面24a和與第二基片12的內(nèi)表面相對(duì)的第二表面24b，并與這些基片相平行。通知蝕刻等方法在柵格24中形成大量電子束孔26。電子束孔26一個(gè)一個(gè)地與電子發(fā)射元件相對(duì)而設(shè)，且從電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束通過(guò)它們。
柵格24由例如厚度為0.1-0.25mm的基于鐵鎳的金屬板形成。在柵格24的表面上形成的是構(gòu)成金屬板的元件的氧化膜，例如Fe3O4和NiFe2O4氧化膜。另外，至少在柵格24在第二基片一側(cè)的表面上形成的是涂覆了諸如玻璃或陶瓷之類(lèi)的高阻抗材料的燒結(jié)的高阻抗薄膜。高阻抗薄膜的薄膜電阻被設(shè)置在大于或等于E+8Ω/□。
例如，各電子束孔26為測(cè)得0.15-0.25mm×0.15-0.25mm的矩形形式。在柵格24的電子束孔26的各壁表面上還形成具有放電限制效應(yīng)的上述高阻抗薄膜。
多個(gè)第一間隔物30a整體地豎立在柵格24的第一表面24a上，且它們各自延伸的端部緊靠插入了吸氣薄膜19、金屬殼17和熒光屏16的光屏蔽層11的第一基片10。多個(gè)第二間隔物30b整體地豎立在柵格24的第二表面24b上，且它們各自延伸的端部一個(gè)一個(gè)地緊靠在第二基片12的內(nèi)表面上的導(dǎo)線21上。第一和第二間隔物30a和30b以給定間隔設(shè)置，覆蓋柵格24的各表面的整個(gè)區(qū)域。第一和第二間隔物30a和30b設(shè)置在每?jī)蓚€(gè)相鄰的電子束孔26之間并相互成一條直線地延伸。因此，與柵格24整體地形成第一和第二間隔物30a和30b以從相對(duì)的兩側(cè)支撐柵格24。
各第一和第二間隔物30a和30b成錐形，其直徑從柵格24一側(cè)向其延伸的端部減小。第一間隔物30a的高度比第二間隔物30b的高度低。
各第一和第二間隔物30a和30b由主要包含玻璃的間隔物形成材料形成。位于第二基片12一側(cè)的第二間隔物30b包含例如Ag的導(dǎo)電粉末的導(dǎo)電材料。第二間隔物30b的導(dǎo)電粉末含量具有密度梯度。更具體地說(shuō)，該導(dǎo)電粉末的含量密度從第二間隔物30b在柵格24一側(cè)的鄰近端向第二基片12一側(cè)的遠(yuǎn)端逐漸增加。因此，各第二間隔物30b的體電阻從柵格24一端向第二基片12逐漸減小。例如，各第二間隔物30b的體電阻在其柵格一側(cè)的鄰近端大于或等于1010Ω而在其第二基片12一側(cè)的遠(yuǎn)端則小于或等于108Ω。各第二間隔物30b在與柵格24的表面平行的方向上的橫截面的體電阻在各高度方向位置中的整個(gè)區(qū)域上基本上相同。
除了將Ag用作包含在第二間隔物30b中的導(dǎo)電材料之外，還可以采用Ni、In、Au、Pt、Ir、Ru或W?？紤]施加至電子束的排斥力，即電子束的軌跡修正量，可自由地設(shè)置導(dǎo)電材料的含量密度。
以此方式構(gòu)成的間隔組件22設(shè)置在第一基片10和第二基片12之間。當(dāng)?shù)谝缓偷诙g隔物30a和30b將第一基片10和第二基片12的內(nèi)表面接合時(shí)，它們支撐作用于這些基片上的大氣壓，從而將基片之間的間隔保持在給定值。
SED包括將電壓提供給柵格24和第一基片10的金屬殼17的電壓饋送單元(未示出)。該電壓饋送單元與柵格24和金屬殼17連接，并將例如約12kV和10kV的電壓分別饋送至柵格24和金屬殼17。在顯示圖象時(shí)，將陽(yáng)極電壓提供給熒光屏16和金屬殼17，且從電子發(fā)射元件18發(fā)射的電子束通過(guò)陽(yáng)極電壓加速并與熒光屏16碰撞。因此，熒光屏16的熒光層被激勵(lì)以發(fā)光，從而顯示圖象。
下面說(shuō)明以此方式構(gòu)成的SED的制造方法。在制造間隔組件22時(shí)，如圖5中所示，首先制備給定大小的柵格24以及各基本上與柵格24相同尺寸的矩形板形式的第一和第二壓模36a和36b。在將板厚度為0.12mm的Fe-45-55％Ni的薄板除油污、清潔并干燥后，通過(guò)蝕刻形成電子束孔26，從而完成柵格24。此后，通過(guò)氧化作用將整個(gè)柵格24氧化以在包括電子束孔26的內(nèi)表面的柵格表面上形成一層絕緣薄膜。另外，用主要包含玻璃的涂液涂覆絕緣薄膜，通過(guò)濺射然后干燥和燒結(jié)它來(lái)形成高阻抗薄膜。
第一和第二壓模36a和36b由諸如硅或可透過(guò)紫外線的透明的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯之類(lèi)的透明材料形成。第一壓模36a具有大量用于模制第一間隔物30a的底部間隔物形成孔40a。間隔物形成孔40a在第一壓模36a的一個(gè)表面中一個(gè)一個(gè)地打開(kāi)并以給定間隔設(shè)置。類(lèi)似地，第二壓模36b具有大量用于模制第二壓模36b的底部間隔形成孔40b。該間隔物形成孔40b在第二壓模36b的一個(gè)表面中一個(gè)一個(gè)地打開(kāi)并以給定間隔設(shè)置。
隨后，如圖6中所示，用玻璃漿作為至少包含紫外線固化粘合劑(有機(jī)成分)和玻璃填充物的間隔物形成材料46a填充第一壓模36a的間隔物形成孔40a。另外，用玻璃漿作為包含紫外線固化粘合劑、玻璃填充物和Ag的導(dǎo)電粉末的間隔物形成材料46b填充第二壓模36b的間隔物形成孔40b。此后，通過(guò)合適的方法調(diào)節(jié)各間隔物形成孔40b中的導(dǎo)電粉末的密度以從間隔物形成孔40b的開(kāi)口一側(cè)向底部一側(cè)逐漸增加。
然后，將第一壓模36a定位使填充了間隔物形成材料46a的間隔物形成孔40a一個(gè)一個(gè)地位于電子束孔26之間，并緊貼著柵格24的第一表面24a。類(lèi)似地，將第二壓模36b定位使填充了間隔物形成材料46b的間隔物形成孔40b一個(gè)一個(gè)地位于電子束孔26之間，并緊貼著柵格24的第二表面24b。因此，柵格24、第一壓模36a和第二壓模36b構(gòu)成組件42。在組件42中，第一壓模36a的間隔物形成孔40a和第二壓模36b的間隔物形成孔40b彼此相對(duì)而設(shè)，而它們中間是柵格24。
隨后，通過(guò)柵格24、第一壓模36a和第二壓模36b相互緊貼，紫外線(UV)從第一和第二壓模36a和36b的外表面一側(cè)施加至間隔物形成材料46a和46b，因此，間隔物形成材料是UV固化的。第一和第二壓模36a和36b各由透UV的材料形成。因此，施加的紫外線透過(guò)第一和第二壓模36a和36b并施加至填充的間隔物形成材料46a和46b。因此，間隔物形成材料46a和46b是UV固化的而組件42保持緊貼。
如圖7中所示，此后，從柵格24去除第一和第二壓模36a和36b，而固化的間隔物形成材料46a和46b留在柵格24上。然后，在加熱爐中對(duì)設(shè)有間隔物形成材料46a和46b的柵格24進(jìn)行熱處理以從間隔物形成材料去除粘合劑，此后，在約500-550℃將間隔物形成材料燒結(jié)30分鐘至一小時(shí)?？梢酝ㄟ^(guò)最優(yōu)化要加入的Ag粉末與間隔物形成材料46b的比來(lái)減小形成導(dǎo)電部分的Ag部分與基于玻璃的間隔物的熱膨脹系數(shù)差。這樣就可以進(jìn)行燒結(jié)而不引起產(chǎn)生熱膨脹差的損害。
因此，可以獲得具有設(shè)置在柵格24上的第一和第二間隔物30a和30b的間隔組件22。第二間隔物30b以它的成分從位于鄰近端一側(cè)的絕緣層中的基于Li的硼硅酸鹽堿玻璃向位于遠(yuǎn)端部分的導(dǎo)電層變化的方式形成。
另一方面，預(yù)先制備的是設(shè)有熒光屏16和金屬殼17的第一基片10和設(shè)有電子發(fā)射元件18和導(dǎo)線21并與側(cè)壁14接合的第二基片12。
隨后，將以此方式構(gòu)成的間隔組件22定位在第二基片12上。這樣，定位間隔組件22使第二間隔物30b的各延伸的端部一個(gè)一個(gè)地位于導(dǎo)線21上。在此情況下，第一基片10、第二基片12和間隔組件22位于真空室內(nèi)。在真空室抽空后，第一基片通過(guò)側(cè)壁14與第二基片接合。
根據(jù)以此方式構(gòu)成的SED，第二間隔物30b在第二基片12一側(cè)的體電阻從柵格24一側(cè)向第二基片12逐漸減小。第二基片和第二間隔物之間的接觸部分包括低阻抗部分。因此，可以將第二間隔物30b和第二基片12各自的遠(yuǎn)端部分相互電連接，使得間隔物不能輕易地帶正電。因此，第二間隔物30b對(duì)電子束的吸力很小，從而大大地減小了對(duì)電子束的軌跡的影響。特別是從電子發(fā)射元件18發(fā)射的電子束在最低速度移動(dòng)且在放射后容易受到間隔物的吸力的影響。然而，可以限制電子束向位于電子發(fā)射元件18附近的第二間隔物30b移動(dòng)。結(jié)果，可以限制從電子發(fā)射元件18發(fā)出的電子束從它們的軌道偏離并能到達(dá)熒光屏16的目標(biāo)熒光層。因此，可以防止電子束落在錯(cuò)誤的地方，從而可以減少色純度的下降而提高圖象質(zhì)量。
因?yàn)榈诙g隔物30b具有在與第二基片12接觸的部分中的低阻抗部分，在第二基片12和第二間隔物30b之間的接觸部分(即間隔物的陰極接合點(diǎn)(三接合點(diǎn)))中的電場(chǎng)可以被減輕以限制沿表面放電?？梢跃S持第一基片10和第二基片12之間的耐放電電壓。這樣，可以增加施加至熒光屏的陽(yáng)極電壓以提高顯示的圖象的亮度。另外，可以減少?gòu)牡谝换?0通過(guò)間隔物流向第二基片的無(wú)功電流，從而可以防止間隔物中溫度上升和功耗。
根據(jù)上述SED，柵格24位于第一基片10和第二基片12之間，且第一間隔物30a比第二間隔物30b短。因此，比起第二基片12，柵格24更靠近第一基片10。如果在第一基片10的一側(cè)引起放電，因此，柵格24可以限制第二基片12上電子發(fā)射元件18的放電擊穿。因此，可以獲得耐放電電壓特性好而圖象質(zhì)量得以改善的SED。
因?yàn)榈谝婚g隔物30a比第二間隔物30b短，而且可以確保從電子發(fā)射元件18產(chǎn)生的電子到達(dá)熒光屏，即使施加于柵格24的電壓高于施加于第一基片10的電壓。
在制造間隔組件的方法中，在將間隔物燒結(jié)成玻璃狀后可以用導(dǎo)電膜覆蓋該間隔物。然而很難對(duì)纖細(xì)的間隔物進(jìn)行導(dǎo)電率處理，因此制造效率降低。另一方面，根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，可以容易地獲得具有希望的電阻值的間隔物。
根據(jù)上述實(shí)施例，只有位于第二基片12一側(cè)的第二間隔物30b的電阻是從柵格一側(cè)向基片逐漸減小的。然而，另選地，如圖8中所示，只有第一間隔物30a的電阻或第一和第二間隔物30a和30b的電阻可以從柵格24一側(cè)向第一基片10或第二基片12逐漸減小。
在圖8中所示的第二實(shí)施例中，其它結(jié)構(gòu)與以上實(shí)施例相同。因此，將相同的標(biāo)號(hào)用于指定相同的部分，并省略對(duì)那些部分的詳細(xì)說(shuō)明。從第二實(shí)施例也可以獲得與以上實(shí)施例相同的功能和效果。
雖然在以上實(shí)施例中用第一、第二間隔物和柵格24整體地設(shè)置成間隔組件22，也可以在第二基片12上形成第二間隔物30b。另外，還可以將間隔組件配置成僅設(shè)有柵格和第二間隔物，且柵格可以與第一基片接觸。
在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的SED中，如圖9中所示，間隔組件22具有由矩形金屬板形成的柵格24和大量整體地豎立在柵格的僅一個(gè)表面上的柱形間隔物30。柵格24具有與第一基片10的內(nèi)表面相對(duì)的第一表面24a和與第二基片12的內(nèi)表面相對(duì)的第二表面24b，并與這些基片平行。通過(guò)蝕刻等在柵格24中形成大量電子束孔26.電子束孔26一個(gè)一個(gè)好與電子發(fā)射元件18相對(duì)而設(shè)，且從電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束通過(guò)它們。
柵格24的第一和第二表面24a和24b及電子束孔26的各自的內(nèi)壁表面涂覆了如主要由玻璃或陶瓷構(gòu)成的絕緣材料的絕緣層的高阻抗薄膜。以一種方式設(shè)置柵格24使其第一表面24a與第一基片10的內(nèi)表面平接，而吸氣薄膜19、金屬殼17和熒光屏16設(shè)置在它們之間。柵格24中的電子束孔26面向熒光屏16的熒光層R、G和B。因此，設(shè)置在第二基片12上的電子發(fā)射元件18通過(guò)電子束孔26面向它們相應(yīng)熒光層。
在柵格24的第二表面上整體地豎立了多個(gè)間隔物30。間隔物30的各延伸端一個(gè)一個(gè)地緊貼著第二基片12的內(nèi)表面，或在此情況下，一個(gè)一個(gè)地緊貼著設(shè)置在第二基片12的內(nèi)表面上的導(dǎo)線21。各間隔物30成錐形，其直徑從柵格24一側(cè)向其延伸端減小。各間隔物30在與柵格24的表面平行的方向上的橫截面成橢圓形。
各間隔物30由主要含玻璃成分并包含導(dǎo)電材料(例如Ag的導(dǎo)電粉末)的材料形成。第一和第二間隔物30a和30b的導(dǎo)電粉末成分具有密度梯度。更具體來(lái)說(shuō)，該導(dǎo)電粉末的成分密度從間隔物30在柵格24一側(cè)的鄰近端到第二基片12一側(cè)的遠(yuǎn)端逐漸增加。因此，各間隔物30的體電阻從柵格24一端向第二基片12逐漸下降。例如，各第二間隔物30的體電阻在其柵格一側(cè)的鄰近端大于或等于1010Ω而在其第二基片12一側(cè)的遠(yuǎn)端則小于或等于108Ω。各第二間隔物30沿與柵格24的表面平行的方向上的橫截面的體電阻在各高度方向位置中的整個(gè)區(qū)域上基本上相同。
除了將Ag用作包含在第二間隔物30中的導(dǎo)電材料之外，還可以采用Ni、In、Au、Pt、Ir、Ru或W?？紤]施加至電子束的排斥力，即電子束的軌跡修正量，可自由地設(shè)置導(dǎo)電材料的含量密度。
以此方式構(gòu)成的間隔組件22支撐作用于基片上的大氣壓，從而將基片之間的間隔保持在給定值，而柵格24與第一基片10平接，間隔物30的各延伸端與第二基片12的內(nèi)表面接觸。
在第三實(shí)施例中，其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的那些相同。因此，將相同的標(biāo)號(hào)用于指定相同的部分，并省略這些部分的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第三實(shí)施例的SED及其間隔組件可以通過(guò)與根據(jù)以上實(shí)施例的相同的制造方法來(lái)制造。從第三實(shí)施例也可以取得與第一實(shí)施例相同的功能和效果。
本發(fā)明不僅僅限于上述實(shí)施例，可以以修改的形式來(lái)體現(xiàn)其組件而不偏離本發(fā)明的范圍和精神。另外，可以通過(guò)將結(jié)合上述實(shí)施例描述的多個(gè)組件合適地組合來(lái)做出各種發(fā)明。例如，根據(jù)以上實(shí)施例的一些組件可以被省略。另外，可以按要求組合根據(jù)不同實(shí)施例的組件。
例如，可以按要求合適地選擇其它組件的間隔物的直徑和高度及尺寸、材料等。另外，間隔物不限于柱形，還可以是各拉長(zhǎng)的板的形式。雖然根據(jù)上述實(shí)施例間隔物配置成形成在柵格上，但該柵格可以被省略。電子發(fā)射源不限于表面導(dǎo)電電子發(fā)射元件，還可以從諸如場(chǎng)致發(fā)射型、碳納米管等之類(lèi)的各種元件中選擇。另外，本發(fā)明不限于SED，還可以應(yīng)用于任何其它的圖象顯示設(shè)備。
工業(yè)適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能容易地控制電子束的軌跡并限制向電子發(fā)射源一側(cè)放電從而確?？煽啃院蛨D象質(zhì)量改善的圖象顯示設(shè)備及其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種圖象顯示設(shè)備，其特征在于，包括具有熒光屏的第一基片、隔著間隙與所述第一基片相對(duì)并具有多個(gè)發(fā)射電子以激勵(lì)所述熒光屏的電子發(fā)射源的第二基片、和設(shè)置在所述第一和第二基片之間并支撐作用于所述第一和第二基片上的大氣壓的間隔組件，所述間隔組件具有與所述第一和第二基片相對(duì)并具有多個(gè)與電子發(fā)射源一個(gè)一個(gè)地相對(duì)的電子束孔的柵格，和多個(gè)豎立在所述柵格的表面的間隔物，所述各間隔物的體電阻從其柵格側(cè)端向所述第一或第二基片側(cè)一端逐漸減小。
2.如權(quán)利要求1所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，各間隔物的體電阻在其與柵格接觸的端部大于或等于1010Ω而在第一或第二基片一側(cè)的端部小于或等于108Ω。
3.如權(quán)利要求1或2所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述柵格具有與所述第一基片接觸的第一表面和與隔著間隔與所述第二基片相對(duì)的第二表面，且所述各間隔物豎立在第二表面上并具有與所述第二基片接觸的遠(yuǎn)端部分。
4.如權(quán)利要求1或2所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述各間隔物在與柵格的表面平行的方向上的橫截面的體電阻在其整個(gè)區(qū)域上是相同的。
5.如權(quán)利要求1所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述柵格具有與所述第一基片相對(duì)的第一表面和與所述第二基片相對(duì)的第二表面，且所述間隔物包括豎立在所述第一表面上的多個(gè)第一間隔物和豎立在所述第二表面上的多個(gè)第二間隔物，所述第一間隔物和/或所述第二間隔物中的每一個(gè)具有從柵格一側(cè)向所述第一或第二基片一側(cè)逐漸減小的體電阻。
6.如權(quán)利要求5所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一和/或第二間隔物中的每一個(gè)的體電阻在其與所述第一或第二基片接觸的端部小于或等于108Ω而在與柵格接觸的端部大于或等于1010Ω。
7.如權(quán)利要求5或6所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)第二間隔物中的每一個(gè)的體電阻從柵格一側(cè)向所述第二基片一側(cè)逐漸減小。
8.如權(quán)利要求5或6所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一和第二間隔物中的每一個(gè)的體電阻從柵格一側(cè)向所述第一或第二基片一側(cè)逐漸減小。
9.如權(quán)利要求5或6所述的圖象顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一間隔物和/或所述第二間隔物中的每一個(gè)在與所述柵格平行方向上的橫截面的體電阻在其整個(gè)區(qū)域上相同。
10.一種間隔組件的制造方法，所述間隔組件包括具有多個(gè)電子束孔的板狀柵格和豎立在所述柵格的相對(duì)表面上的多個(gè)間隔物并用于圖象顯示設(shè)備中，其特征在于，所述間隔組件制造方法包括制備形成有多個(gè)電子束孔的板形柵格和具有多個(gè)用于模制間隔物的間隔物形成孔的壓模；將紫外線固化的間隔物形成材料和導(dǎo)電粉末填入所述壓模的間隔物形成孔；從所述間隔物的鄰近一側(cè)向遠(yuǎn)端一側(cè)將所述填入的間隔物形成材料中的導(dǎo)電粉末調(diào)整成密度梯度；在調(diào)整了所述導(dǎo)電粉末的密度梯度后使所述壓模與所述柵格的表面相接觸；在間隔物形成材料固化后將所述壓模從所述柵格去除；并燒制所述固化的間隔物形成材料。
11.一種間隔組件的制造方法，所述間隔組件包括具有多個(gè)電子束孔的板狀柵格和豎立在所述柵格的表面上的多個(gè)間隔物并用于圖象顯示設(shè)備中，其特征在于，所述間隔組件制造方法包括制備形成有多個(gè)電子束孔的板形柵格和各具有多個(gè)用于模制間隔物并允許紫外線通過(guò)的間隔物形成孔的第一壓模和第二壓模；將紫外線固化的間隔物形成材料填入所述第一和和第二壓模的間隔物形成孔并將導(dǎo)電粉末填入第一和和第二壓模中至少一個(gè)的間隔物形成孔；從所述間隔物的鄰近一側(cè)向遠(yuǎn)端一側(cè)將所述填入的間隔物形成材料中的導(dǎo)電粉末調(diào)整成密度梯度；在調(diào)整了所述導(dǎo)電粉末的密度梯度后使所述第一和第二壓模與所述柵格的相對(duì)兩個(gè)表面逐一相接觸；從緊貼著柵格的第一和第二壓模的外部將紫外線施加至所述間隔物形成材料，以紫外線固化所述間隔物形成材料；并將所述壓模從所述柵格去除和燒制所述固化的間隔物形成材料。
12.如權(quán)利要求10或11所述的間隔組件制造方法，其特征在于，一種至少包含紫外線固化粘合劑和玻璃填充物的漿用作所述間隔物形成材料。
全文摘要
一種設(shè)置包括具有熒光屏的第一基片(10)和隔著間隙與第一基片相對(duì)并具有多個(gè)用于激勵(lì)熒光屏發(fā)光的電子發(fā)射源(18)的第二基片。用于支撐作用在第一和第二基片上的大氣壓的間隔組件(22)設(shè)置在基片之間。間隔組件具有板形柵格(24)和豎立在該柵格上的間隔物(30a、30b)。該間隔物的體電阻從柵格一側(cè)向基片一側(cè)逐漸減小。
文檔編號(hào)H01J9/24GK1784763SQ200480012348
公開(kāi)日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2004年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月8日
發(fā)明者高橋健, 平原祥子, 石川諭, 二階堂勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝