專利名稱：等離子體顯示板和其制造方法及其保護(hù)層材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于圖像顯示設(shè)備等的等離子體顯示板(以下表示為PDP)和制造方法以及其保護(hù)層材料。
背景技術(shù)：
交流面放電型的PDP將形成由掃描電極以及維持電極構(gòu)成的多個表示電極的前面基板，與該表示電極正交地形成多個地址電極的背面基板相對配置，以便在基板間形成放電空間，從而將周圍封固，在放電空間內(nèi)封閉氖氣以及氙氣等放電氣體從而構(gòu)成。表示電極被電介質(zhì)層覆蓋，電介質(zhì)層上形成保護(hù)層。保護(hù)層一般使用氧化鎂(MgO)那樣的耐濺蝕性高的物質(zhì)而形成，保護(hù)電介質(zhì)層，避免放電而產(chǎn)生的離子沖擊損害。而且，各表示電極形成一行，在表示電極和地址電極交叉的部分形成放電單元。
這樣的PDP中，由具有亮度的加權(quán)的多個子場構(gòu)成視頻信號的一場(1/60秒)，各子場具有一邊每次一行按順序掃描一邊在應(yīng)該點亮的放電單元中產(chǎn)生寫入放電并進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入的地址期間，和在地址期間在數(shù)據(jù)被寫入的放電單元中產(chǎn)生對應(yīng)于亮度的加權(quán)的次數(shù)的放電從而，使放電單元點亮的持續(xù)(sustain)期間。
在顯示電視視頻時，有必要在一場內(nèi)使各子場的所用動作完成，所以在行數(shù)(掃描線數(shù))伴隨放電單元的高精細(xì)化而增加時，必須在更短的時間內(nèi)進(jìn)行各行的寫入放電。即，在地址期間，為了產(chǎn)生寫入放電，而必須將對掃描電極以及地址電極施加的脈沖的寬度變窄，從而進(jìn)行高速驅(qū)動。但是，由于存在從脈沖的上升沿延遲某一時間而產(chǎn)生放電的所謂“放電延遲”，所以進(jìn)行上述那樣的高速驅(qū)動時，有時在脈沖被施加的區(qū)間放電完成的概率降低，并不能對本來應(yīng)該點亮的放電單元進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入，產(chǎn)生點亮不良而顯示質(zhì)量惡化。
作為產(chǎn)生上述的放電延遲的主要的原因，認(rèn)為在放電開始時成為觸發(fā)的初始電子難以從保護(hù)層被放出到放電空間中。因此，期待通過關(guān)于保護(hù)層進(jìn)行探討，可以改善顯示質(zhì)量。
作為這樣從保護(hù)層放出電子的改善，通過使由MgO構(gòu)成的保護(hù)層中包含硅元素(Si)，可以增加二次電子的放出量并提高顯示質(zhì)量，這在例如(日本)特開平10-334809號公報中被公開。
但是，在由MgO構(gòu)成的保護(hù)層中包含Si時產(chǎn)生以下課題電子放出能力由于保護(hù)層的溫度而變動大，所以放電延遲時間變動大，實際上圖像顯示質(zhì)量因使用PDP時的環(huán)境溫度而變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決這樣的課題而被完成，其目的在于縮短延遲時間從而實現(xiàn)對于施加電壓而產(chǎn)生放電的優(yōu)良的響應(yīng)性，同時抑制該放電延遲時間對于溫度的變化。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的PDP為形成電介質(zhì)層，使其覆蓋在基板上形成的掃描電極以及維持電極，并在電介質(zhì)層上形成保護(hù)層的等離子體顯示板，其特征在于該PDP包含碳元素(C)以及硅元素(Si)。
按照這樣的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)不受PDP的溫度影響且放電延遲時間小、高速響應(yīng)性優(yōu)良，并實現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示的PDP。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的PDP的一部分的立體圖。
圖2是表示使用該PDP的圖像顯示裝置的一例的方框圖。
圖3是表示該PDP的驅(qū)動波形的時序圖。
圖4是表示本發(fā)明的第二實施方式中的PDP的活性化能量值的特性圖。
具體實施例方式
以下，使用

本發(fā)明的實施方式。
(第一實施方式)圖1是將本發(fā)明的第一實施方式中的交流面放電型的PDP的一部分切去而表示的立體圖。將前面板1和背面板2相對配置從而在它們之間形成放電空間3，在放電空間3中封閉氖氣以及氙氣等組成的放電氣體而構(gòu)成該PDP。
前面板1如下構(gòu)成。即，在為玻璃制的基板的前面基板4上形成多個由條狀的掃描電極5和條狀的維持電極6組成的表示電極7，在相鄰的表示電極7之間形成遮光層8。而且，形成電介質(zhì)層9以覆蓋表示電極7以及遮光層8，在電介質(zhì)層9上形成由包含碳元素(C)以及硅元素(Si)的氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層10，使其覆蓋該電介質(zhì)層的表面。
而且，背面板2為如下的結(jié)構(gòu)。即，在為玻璃制的基板的背面基板11上與掃描電極5以及維持電極6正交地形成多個條狀的地址電極12，并形成電極保護(hù)層13使其覆蓋地址電極12。然后，設(shè)置與地址電極12平行的隔壁14使其位于該電極保護(hù)層13上且在地址電極12之間，并在隔壁14之間形成熒光體層15。電極保護(hù)層13具有保護(hù)地址電極12并將熒光體層15產(chǎn)生的可視光反射到前面板1側(cè)的作用。
各表示電極7構(gòu)成一行，在表示電極7和地址電極12交叉的部分形成放電單元。在各放電單元的放電空間3內(nèi)產(chǎn)生放電，通過使伴隨著放電從熒光體層15產(chǎn)生的紅、綠、藍(lán)三色的可視光透過前面板1而進(jìn)行顯示。
圖2是表示使用圖1所示的PDP的圖像顯示裝置的一例的方框圖。如圖2所示，PDP16的地址電極12上連接地址電極驅(qū)動部17，PDP16的掃描電極5上連接掃描電極驅(qū)動部18，PDP16的維持電極6上連接維持電極驅(qū)動部19。
圖3是表示PDP的驅(qū)動波形的時序圖。一般交流面放電型的PDP中使用通過將一場的視頻分割為多個子場而進(jìn)行灰度表現(xiàn)的方式。而且，在該方式中，為了控制各放電單元中的放電，而將一個子場由設(shè)置期間、地址期間、持續(xù)期間以及消除(erase)期間組成的四個期間構(gòu)成。圖3是表示一個子場中的驅(qū)動波形的時序圖。
在圖3中，在設(shè)置期間，為了容易地產(chǎn)生放電，而在PDP內(nèi)的全部放電單元均勻蓄積表面電荷。在地址期間進(jìn)行點亮的放電單元的寫入放電。在持續(xù)期間，使在地址期間被寫入的放電單元點亮并維持該點亮。在消除期間，通過消除表面電荷而停止放電單元的點亮。
在設(shè)置期間，通過對掃描電極5施加初始化脈沖，對掃描電極5施加比地址電極12以及維持電極6更高的電壓，并在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電。通過該放電而產(chǎn)生的電荷被蓄積在放電單元的表面，以便消除地址電極12、掃描電極5以及維持電極6間的電位差。其結(jié)果，負(fù)電荷作為表面電荷被蓄積在掃描電極5附近的保護(hù)層10表面，而且，在地址電極12附近的熒光體層15表面上以及維持電機6附近的保護(hù)層10表面上，作為表面電荷而蓄積正電荷。通過該表面電荷在掃描電極5-地址電極12之間、掃描電極5-維持電極6之間產(chǎn)生規(guī)定值的表面電位。
在地址期間，使放電單元點亮?xí)r，對掃描電極5施加掃描脈沖，對地址電極12施加數(shù)據(jù)脈沖，對掃描電極5施加比地址電極12以及維持電極6低的電壓。即，通過在掃描電極5-地址電極12之間施加與表面電壓同方向的電壓，且在掃描電極5-維持電極6之間也施加與表面電荷同方向的電壓，而產(chǎn)生寫入放電。其結(jié)果，在熒光體層15表面和維持電極6附近的保護(hù)層10表面蓄積負(fù)電荷，在掃描電極5附近的保護(hù)層10表面作為表面電荷蓄積正電荷。由此，在維持電極6-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的表面電位。
在持續(xù)期間，首先通過對掃描電極5施加維持脈沖，對掃描電極5施加比維持電極6高的電壓。即，在維持電極6-掃描電極5之間通過施加與表面電位同方向的電壓而產(chǎn)生維持放電。其結(jié)果，可以使放電單元點亮。接著，通過施加維持脈沖以使維持電極6-掃描電極5之間的極性交互更替，可以間斷地脈沖發(fā)光。
在消除期間，通過將寬度窄的消除脈沖施加給維持電極6而產(chǎn)生不完全的放電，因為清除了表面電荷，從而進(jìn)行消除。
這里，在地址期間，在掃描電極5-地址電極12之間施加用于進(jìn)行寫入放電的電壓，直到產(chǎn)生寫入放電，成為放電延遲。按照該放電延遲，在施加用于在掃描電極5-地址電極12之間進(jìn)行寫入放電的電壓的時間(地址時間)內(nèi)在不引起寫入放電時成為寫入失誤，不產(chǎn)生維持放電，成為顯示的閃爍，并表現(xiàn)在圖像中。而且，在進(jìn)一步高精細(xì)化時，分配給各掃描電極的地址時間變短，產(chǎn)生寫入失誤的概率增高。
本發(fā)明的第一實施方式中的PDP在保護(hù)層10的構(gòu)成材料中有特征。接著，關(guān)于該內(nèi)容，說明使用真空蒸鍍法形成保護(hù)層的情況。
用于形成如上述的保護(hù)層10時的真空蒸鍍法的裝置，一般由存儲室、加熱室、蒸鍍室、冷卻室構(gòu)成，按該順序運送基板，通過蒸鍍形成由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)膜。此時，在本發(fā)明的實施方式中，將成為蒸鍍源的包含C以及Si的MgO的蒸鍍材料，在氧環(huán)境中使用皮爾斯式電子束槍加熱從而使其蒸發(fā)，通過使其在基板上堆積的成膜工序形成保護(hù)層10。這里，可以任意設(shè)定成膜工序中的電子束電流量、氧分壓量、基板溫度等。以下表示成膜的設(shè)定條件的一例。
達(dá)到真空度小于或等于5.0×10-4Pa蒸鍍時基板溫度大于或等于200℃蒸鍍時壓力3.0×10-2Pa～8.0×10-2Pa
這里，作為保護(hù)層材料，準(zhǔn)備將MgO的燒結(jié)體和Si的粉末以及C的粉末混合的材料。此時，準(zhǔn)備分別使添加的Si的粉末以及C的粉末的濃度變化的多種的蒸鍍材料。而且，制作分別使用該多種的蒸鍍材料而蒸鍍保護(hù)層10的多種的基板，使用這些基板分別制作PDP。
而且，通過以二次離子質(zhì)量分析法(SIMS)分析各PDP的保護(hù)層10，求保護(hù)層10中包含的C以及Si的濃度。此時，通過作為標(biāo)準(zhǔn)試料而使用通過離子注入而注入Si或者C的MgO膜，將通過SIMS分析而得到的保護(hù)層10中包含的C以及Si的濃度換算為每單位體積的原子數(shù)。
而且在環(huán)境溫度為-5℃～80℃的環(huán)境下，計測各PDP的放電延遲時間，根據(jù)該計測結(jié)果制作對于溫度的放電延遲時間的阿雷尼厄斯曲線(Arrheniusplot)，從而根據(jù)該近似的直線求對于保護(hù)層10中的Si濃度、C濃度的放電延遲時間的活性化能量。
這里所說的放電延遲時間是指在地址期間中從在掃描電極5-地址電極12之間施加電壓開始到引起放電(寫入放電)的時間。在各PDP中一邊產(chǎn)生寫入放電一邊觀察，將寫入放電的發(fā)光的強度顯示峰值的時間設(shè)為引起放電的時間，通過對100次該寫入放電的發(fā)光求平均來計測放電延遲時間。
而且，活性化能量為表示對于溫度的特性(本實施方式中為放電延遲時間)的變化的數(shù)值，活性化能量的值越低，特性對于溫度越不變化。
作為如以上那樣得到的結(jié)果，在表1中表示對于保護(hù)層10中包含的Si濃度、C濃度的活性化能量的值。
表1

這里，現(xiàn)有例子為具有使用僅在MgO燒結(jié)體中添加300重量ppm的Si的蒸鍍材料從而蒸鍍的保護(hù)層10的PDP。用SIMS分析該現(xiàn)有例子的PDP的保護(hù)層10，保護(hù)層中Si的原子數(shù)大約包含1×1020個/cm3。在表1中，將該現(xiàn)有例子的PDP中的放電延遲時間的活性化能量的值設(shè)為1，將個PDP中的放電延遲時間的活性化能量用相對值表示。另外，使用MgO的燒結(jié)體中僅添加Si的蒸鍍材料時的活性化能量的值與Si的添加濃度無關(guān)，大致為一定的值。
在表1中，在Si濃度為7×1021個/cm3以及1.2×1022個/cm3的PDP中放電延遲時間增加，或者放電所必需的電壓值異常增高，以現(xiàn)有的設(shè)定電壓值無法進(jìn)行圖像顯示。因此，保護(hù)層10中的Si濃度為5×1018個/cm3～2×1021個/cm3的范圍較理想。而且，可知有如果保護(hù)層10中的C濃度變大則活性化能量的值減小的傾向?？芍猄i濃度小時，即使C濃度小活性化能量也變得相當(dāng)小，但為了在Si濃度大時將活性化能量相當(dāng)降低，而有必要將C濃度提高某一程度。這樣，為了相當(dāng)?shù)亟档突钚曰芰?，如果保護(hù)層10中的Si濃度大則對應(yīng)于此，將C濃度較大提高較為理想。特別地，可知如表1中帶有下劃線的數(shù)據(jù)所示，C濃度/Si濃度≥1的范圍，即保護(hù)層10中的C的原子數(shù)大于或等于Si的原子數(shù)時，活性化能量變得相當(dāng)小。
從而，通過使PDP的保護(hù)層10中包含Si以及C，可以縮短放電延遲時間，同時可以抑制放電延遲時間對于溫度的變化。按照以上結(jié)果，理想的濃度范圍是Si濃度為5×1018個/cm3～2×1021個/cm3，C濃度為1×1018個/cm3～2×1021個/cm3。而且，在具有滿足C濃度/Si濃度≥1的條件的保護(hù)層10的PDP中，可以相當(dāng)降低活性化能量，并可以有效地抑制放電延遲時間對于溫度的變化。
而且，認(rèn)識到在從保護(hù)層10的最表面到膜厚方向上200nm的深度間的一部分如果存在上述濃度范圍的位置，則可以得到上述的效果。
為了制作上述所示的具有Si、C的濃度范圍的保護(hù)層10而有必要在蒸鍍材料中分別添加Si、C的粉末，但這是Si單體、C單體的粉末也可以，或者各自的化合物也可以。作為化合物的例子，例如，可以舉出Sio2、Al4C3、B4C。而且，對成為蒸鍍源的蒸鍍材料的添加量根據(jù)蒸鍍條件而不同，所以有必要在成膜后通過使用SIMS進(jìn)行分析而確認(rèn)。表2中表示對于本發(fā)明的實施方式中使用的蒸鍍源的Si的添加濃度和保護(hù)層10中的Si原子數(shù)，表3中表示對于本實施方式中使用的蒸鍍源的C的添加濃度和保護(hù)層10中的C原子數(shù)。
表2

表3

如表2所示，在本實施方式中，通過將對蒸鍍源添加的濃度，在為Si粉末時設(shè)為7重量ppm～8000重量ppm，在為SiO2粉末時設(shè)為14重量ppm～17200重量ppm，可以將保護(hù)層中的Si濃度設(shè)為大致5.0×1018個/cm3～2.0×1021個/cm3。而且，如表3所示，通過將對蒸鍍源添加的濃度，在為C粉末時設(shè)為5重量ppm～1500重量ppm，在為Al4C3粉末時設(shè)為19重量ppm～6000重量ppm，在為B4C粉末時設(shè)為22重量ppm～7000重量ppm，可以將保護(hù)層10中C濃度大致設(shè)為1×1018個/cm3～2.0×1021個/cm3。這里，在將SiO2粉末添加14重量ppm～17200重量ppm的蒸鍍源中包含大致7重量ppm～8000重量ppm的Si。而且，在添加19重量ppm～6000重量ppm的Al4C3粉末的蒸鍍源中大致包含5重量ppm～1500重量ppm的C，在添加22重量ppm～7000重量ppm的B4C粉末的蒸鍍源中，大致包含5重量ppm～1500重量ppm的C。
(第二實施方式)作為蒸鍍源的蒸鍍材料的制作方法，有在MgO的結(jié)晶體或者燒結(jié)體中混合上述粉末的方法，或在成為溶劑的MgO粉末中混合了表2或者表3中記載的粉末后作為燒結(jié)體的方法。
在第一實施方式中，說明了在蒸鍍源中分別添加Si、C的粉末的情況，但也可以使用添加了碳化硅元素(SiC)的蒸鍍源。添加SiC時，不能如第一實施方式那樣獨立控制保護(hù)層10中的Si濃度以及C濃度，但可以得到包含Si以及C的保護(hù)層。
這里，在本實施方式中，作為保護(hù)層材料，使用混合了MgO的燒結(jié)體和SiC的粉末的蒸鍍源形成保護(hù)層10，并制作具有該保護(hù)層10的PDP。而且，如第一實施方式同樣求各PDP的放電延遲時間的活性化能量。在圖4中表示該結(jié)果。在圖4中，也與第一實施方式相同，將在MgO中僅添加300重量ppm的情況作為現(xiàn)有例，將該活性化能量的值作為1表示。
如圖4所示，如果將對蒸鍍源的SiC的添加濃度設(shè)為大于或等于40重量ppm，則活性化能量的值比僅添加Si的現(xiàn)有例降低。但是，添加濃度在15000重量ppm以上，放電延遲時間增加，或者放電所必需的電壓值異常增高，無法以現(xiàn)有的設(shè)定電壓值進(jìn)行圖像顯示。即，具有使用將SiC的濃度設(shè)為40重量ppm～12000重量ppm的MgO蒸鍍源而形成的保護(hù)層PDP中，可以進(jìn)行圖像顯示并不變更現(xiàn)有的設(shè)定電壓值，并可以得到優(yōu)良的電子放出能力，并抑制對于放電延遲時間的溫度的依存性。另外，使用將SiC的濃度設(shè)為40重量ppm～12000重量ppm的MgO蒸鍍源而形成的保護(hù)層10中，Si濃度大致為5.0×1018個/cm3～2.0×1021個/cm3，C濃度大致為1×1018個/cm3～1.0×1021個/cm3。
從以上的說明可知，通過使PDP的保護(hù)層10中包含Si以及C，可以縮短放電延遲時間，同時可以控制放電延遲時間對于溫度的依賴性。而且，在由MgO構(gòu)成的保護(hù)層10中包含的Si的原子數(shù)為5×1018個/cm3～2.0×1021個/cm3，C原子數(shù)為1×1018個/cm3～2.0×1021個/cm3的PDP中，可以進(jìn)行圖像顯示并不變更現(xiàn)有的設(shè)定電壓值，并可以抑制放電延遲時間對于溫度的依賴性。而且，在具有C原子數(shù)大于或等于Si的原子數(shù)的保護(hù)層10的PDP中，可以減小活性化能量從而有效地抑制放電延遲時間對于溫度的依賴性。
考慮這些現(xiàn)象不明確，是因為通過不僅對MgO添加Si還添加Si以及C，可以排除增強溫度特性的原因。而且，本發(fā)明的實施方式的保護(hù)層在價電子帶和傳導(dǎo)帶之間形成雜質(zhì)能級，具有優(yōu)良的電子放出能力，從而放電延遲時間縮短且對于電壓施加的放電產(chǎn)生的響應(yīng)性優(yōu)良。因此，可以顯示不能視覺識別閃爍的良好的圖像。
另外，在上述的保護(hù)層的制造方法中說明了蒸鍍法，但不限于該蒸鍍法，也可以使用飛濺法或離子鍍法等，在該情況下，也進(jìn)行目標(biāo)材料以及原材料的成分控制，也可以使用上述材料成膜。
而且，不是使用預(yù)先進(jìn)行了成分控制的保護(hù)層材料的方法，也可以在保護(hù)層的成膜中添加元素。例如，通過蒸鍍法對保護(hù)層進(jìn)行成膜時，作為環(huán)境氣體，也可以使用包含Si、C的氣體。
進(jìn)而，將保護(hù)層成膜從而形成后，也可以對該保護(hù)層添加C元素以及Si元素，作為其方法，可舉出離子注入法。該情況下，首先對高純度的MgO進(jìn)行成膜，之后，進(jìn)行C元素以及Si元素的離子注入。通過使用離子注入法，可以可靠地形成包含濃度規(guī)定的C元素以及Si元素的保護(hù)層。以下表示進(jìn)行離子注入時的設(shè)定條件的一例。
劑(dose)量1011/cm2～1016/cm2加速電壓10keV～150keV而且，考慮作為在保護(hù)層的成膜后添加元素的其它的方法，采用在包含C、Si的氣體環(huán)境中的等離子體摻雜(dope)的方法，或在對高純度的MgO成膜后對Si、C成膜，并進(jìn)行熱擴散的方法。
如以上那樣，按照本發(fā)明，具有放電延遲時間短且對于電壓施加的放電產(chǎn)生的優(yōu)良的響應(yīng)性，同時可以抑制其放電延遲時間對于溫度的變化，對于得到可以顯示良好的圖像的等離子體顯示板有用。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，其特征在于形成電介質(zhì)層，以覆蓋在基板上形成的掃描電極以及維持電極，并在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層包含碳元素以及硅元素。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其特征在于保護(hù)層是包含原子數(shù)為5×1018個/cm3～2×1021個/cm3的硅元素，和原子數(shù)為1×1018個/cm3～2×1021個/cm3的碳元素的氧化鎂。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其特征在于碳元素的原子個數(shù)比硅元素的原子多。
4.一種等離子體顯示板的制造方法，其特征在于該等離子體顯示板形成電介質(zhì)層使其覆蓋在基板上形成的掃描電極以及維持電極，在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，該制造方法形成所述保護(hù)層的工序為使用包含碳元素以及硅元素的保護(hù)層材料的成膜工序。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示板的制造方法，其特征在于保護(hù)層材料為包含碳元素以及硅元素的氧化鎂，所述碳元素的濃度范圍為5重量ppm～1500重量ppm，所述硅元素的濃度范圍為7重量ppm～8000重量ppm。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示板的制造方法，其特征在于保護(hù)層材料為包含碳化硅的氧化鎂，所述碳化硅的濃度范圍為40重量ppm～12000重量ppm。
7.一種等離子體顯示板的制造方法，其特征在于該等離子體顯示板形成電介質(zhì)層使其覆蓋在基板上形成的掃描電極以及維持電極，在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，該制造方法在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層后，在所述保護(hù)層中添加碳元素以及硅元素。
8.一種等離子體顯示板的保護(hù)層材料，其特征在于該等離子體顯示板形成電介質(zhì)層使其覆蓋在基板上形成的掃描電極以及維持電極，在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層材料包含碳元素以及硅元素。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示板的保護(hù)層材料，其特征在于保護(hù)層材料為包含碳元素以及硅元素的氧化鎂，所述碳元素的濃度范圍為5重量ppm～1500重量ppm，所述硅元素的濃度范圍為7重量ppm～8000重量ppm。
10.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示板的保護(hù)層材料，其特征在于保護(hù)層材料為包含碳化硅元素的氧化鎂，所述碳化硅元素的濃度范圍為40重量ppm～12000重量ppm。
全文摘要
一種放電延遲時間短且具有對于電壓施加的放電產(chǎn)生的優(yōu)良的響應(yīng)性，同時抑制了其放電延遲時間對于溫度的變化的等離子體顯示板。是形成電介質(zhì)層(9)使其覆蓋在前面基板(4)上形成的掃描電極(5)以及維持電極(6)，并在該電介質(zhì)層(9)上形成保護(hù)層(10)的等離子體顯示板，保護(hù)層(10)包含碳元素以及硅元素。而且，保護(hù)層(10)是包含原子數(shù)為5×10
文檔編號H01J11/02GK1698169SQ20048000034
公開日2005年11月16日 申請日期2004年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月3日
發(fā)明者長谷川和之, 大江良尚, 加道博行, 溝上要, 中上裕一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社