專利名稱：等離子蝕刻機的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子蝕刻機，尤其是涉及一種用于半導體元件或液晶顯示器制造工序的等離子蝕刻機。
背景技術：
一般而言，等離子蝕刻工序是通過連接在等離子蝕刻機箱體上部的氣體注入管向箱體內部注入氣體來進行的。這時，在橫穿箱體內部設置的上部電極上形成多個噴射孔，因此由氣體注入管供應到上部電極的氣體，通過噴射孔噴射到位于箱體內部的玻璃基片整個表面上。
然而，隨著玻璃基片的大型化，通過氣體注入管注入到箱體內部的氣體噴射不均勻的可能性也變大。
換而言之，由氣體注入管流入的氣體通過離氣體注入管規(guī)定間距相隔的上部電極噴射孔向箱體內部流入時，因為玻璃基片大，所以在玻璃基片的中央噴射較多氣體，而玻璃基片的邊緣噴射較少氣體，導致流入的氣體流量和密度分布不均勻。另外組成混合氣體的氣體都由相同溫度流入，因此各組成氣體的速度不同，勢必不均勻地流入到箱體內。這時，氣體分子的熱速度為Vth=T/M]]>在這里，T是氣體分子溫度，而M是氣體分子的分子量。
因此，組成混合氣體的氣體溫度相同時，根據組成氣體間的質量差造成組成氣體分子的不同速度。所以組成混合氣體的氣體之間有質量差時，在水平方向擴散中速度變得不均勻，導致向箱體內部流入的氣體分布不均勻。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明提供了一種等離子蝕刻機，其包括箱體、分別設置在該箱體內上部及下部的上部等離子電極及下部等離子電極、與箱體連接的氣體注入管、設置在上部等離子電極和氣體注入管之間的多個擴散板、向上部及下部等離子電極施加電壓的電力發(fā)生器。優(yōu)選地，在上部等離子電極形成多個噴射孔，在擴散板形成多個輔助噴射孔。
優(yōu)選地，設置擴散板時使形成在相互面對的擴散板上的輔助噴射孔相互交叉排列。
優(yōu)選地，該等離子蝕刻機可以進一步包括設置在多個擴散板上的溫度調節(jié)器。
優(yōu)選地，該等離子蝕刻機可以進一步包括設置在氣體注入管入口上的小型擴散板。


本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點將通過參考附圖詳細地描述其典型實施例而變得更加顯而易見，其中圖1是根據本發(fā)明一實施例的等離子蝕刻機示意圖；以及圖2是根據本發(fā)明一實施例的等離子蝕刻機擴散板的布局圖。
具體實施例方式
為了使本領域技術人員能夠實施本發(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實施例。
在圖中為了明確表現(xiàn)各層及區(qū)域，擴大其厚度來表示，在全篇說明書中對類似部分附上相同圖的符號，當提到層、膜、區(qū)域、板等部分在別的部分“之上”時，它是指“直接”位于別的部分之上，也包括其間夾有別的部分之情況，反之說某個部分“直接”位于別的部分之上時，指其間并無別的部分。
下面將參照附圖詳細說明根據本發(fā)明實施例的等離子蝕刻機。
圖1是根據本發(fā)明一實施例的等離子蝕刻機示意圖，而圖2是根據本發(fā)明一實施例的等離子蝕刻機擴散板的布局圖。
參照圖1及圖2，根據本發(fā)明一實施例的等離子蝕刻機包括進行等離子工序的箱體10、位于箱體10內并裝有薄膜沉積的玻璃基片20的支撐臺31。該支撐臺31還起到下部等離子電極31的作用。
在箱體10內設置上部等離子電極32，在該上部等離子電極32及下部等離子電極31上由RF(射頻)電力發(fā)生器40施加等離子電壓。而且，在RF電力發(fā)生器40上發(fā)生的電力通過阻抗匹配箱體50經調諧后施加到箱體10內。
在等離子蝕刻機的箱體10上部上連接流入混合氣體的氣體注入管60。通過這種氣體注入管60向箱體10內部注入氣體。為了使流入的混合氣體均勻擴散，在氣體注入管60和上部等離子電極32之間設置多個擴散板70。在擴散板70上形成多個輔助噴射孔70a。優(yōu)選地，這種輔助噴射孔70a的直徑為0.2-0.5mm，輔助噴射孔70a之間的間距p約為5cm。
用本發(fā)明一實施例示出的圖1中設置兩個擴散板。如圖1所示，在上部擴散板71及下部擴散板72上分別形成輔助噴射孔71a、72a。
通過氣體注入管60流入的混合氣體，通過上部擴散板71及下部擴散板72的輔助噴射孔71a、72a供應到上部等離子電極的噴射孔32a。
然后，通過氣體注入管60流入的一部分混合氣體在上部擴散板71中，幾次反射且向水平方向擴散后，通過輔助噴射孔71a流入到下部擴散板72。一部分直接通過上部擴散板71的輔助噴射孔71a流入到下部擴散板72上。然后，流入到下部擴散板72的一部分混合氣體在下部擴散板72中幾次反射且向水平方向擴散后，通過輔助噴射孔72a流入到上部等離子電極32，一部分直接通過下部擴散板72的輔助噴射孔72a流入到上部等離子電極32。然后，流入到上部等離子電極32的一部分混合氣體在上部等離子電極32中，幾次反射且向水平方向擴散后，通過噴射孔32a流入到箱體10內，一部分直接通過噴射孔32流入到箱體10內。
根據這種混合氣體的水平方向擴散，提高流入到箱體10內部的混合氣體均勻性。
換而言之，經過多個擴散板的輔助噴射孔71a、72a及等離子電極噴射孔32a，從而在箱體中央及邊緣均勻擴散。
優(yōu)選地，設置上部擴散板71及下部擴散板72時使形成在上部擴散板71的輔助噴射孔71a和形成在下部擴散板72的輔助噴射孔72a相互交叉排列。這是為了使通過氣體注入管60流入的混合氣體充分向箱體10邊緣擴散的緣故。
在氣體注入管60入口再設置小型擴散板73，從而可以更好地向水平方向擴散混合氣體。
另外，優(yōu)選地，在多個擴散板71、72上設置溫度調節(jié)器80，均勻保持通過擴散板71、72的混合氣體溫度，從而均勻調節(jié)流入到箱體10內部的混合氣體溫度。
為了在未進行過等離子蝕刻工序的箱體和連續(xù)進行等離子蝕刻工序的所有箱體中，均勻調節(jié)流入到箱體10內部的混合氣體溫度，使薄膜在玻璃基片上均勻形成。
根據本發(fā)明的等離子蝕刻機在氣體注入管和上部等離子電極之間設置形成輔助噴射孔的擴散板，從而可以向箱體內均勻注入混合氣體。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種等離子蝕刻機，包括箱體；上部等離子電極和下部等離子電極，設置在所述箱體的上部和下部；氣體注入管，與所述箱體連接；多個擴散板，設置在所述上部等離子電極和所述氣體注入管之間；電力發(fā)生器，向所述上部等離子電極和所述下部等離子電極施加電壓，其中在所述上部等離子電極上形成多個噴射孔，在所述多個擴散板上形成多個輔助噴射孔。
2.根據權利要求1所述的等離子蝕刻機，其特征在于，設置所述擴散板時使形成在相互面對的所述多個擴散板上的輔助噴射孔相互交叉排列。
3.根據權利要求2所述的等離子蝕刻機，其特征在于，在所述多個擴散板上設置溫度調節(jié)器。
4.根據權利要求3所述的等離子蝕刻機，其特征在于，在所述氣體注入管的入口設置小型擴散板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子蝕刻機，包括箱體；上部等離子電極和下部等離子電極，設置在箱體的上部和下部；氣體注入管，與箱體連接；多個擴散板，設置在上部等離子電極和氣體注入管之間；電力發(fā)生器，向上部等離子電極和下部等離子電極施加電壓，其中在上部等離子電極上形成多個噴射孔，在多個擴散板上形成多個輔助噴射孔。
文檔編號H01J37/32GK1591792SQ20041007373
公開日2005年3月9日 申請日期2004年9月2日 優(yōu)先權日2003年9月5日
發(fā)明者崔熙煥, 姜聖哲, 金湘甲 申請人:三星電子株式會社