專利名稱：管殼及其制造方法和圖象顯示裝置以及電視顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在內(nèi)部維持密封的管殼及其制造方法。該管殼能適用于圖象形成裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為電子發(fā)射元件，知道熱電子源和冷陰極電子源等兩種。在冷陰極電子源中存在場(chǎng)致發(fā)射元件(以下簡(jiǎn)稱為FE型元件)、金屬/絕緣層/金屬型元件(以下簡(jiǎn)稱為MIM元件)、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件(以下簡(jiǎn)稱為SCE元件)等。
如果關(guān)于這些技術(shù)介紹基于本申請(qǐng)人的先行技術(shù)的一部分，則關(guān)于基于噴墨形成方式的元件形成，在特開(kāi)平09-102271號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2000-251665號(hào)公報(bào)中進(jìn)行了詳細(xì)描述，在特開(kāi)昭64-031332號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平07-326311號(hào)公報(bào)中詳細(xì)描述了把這些元件配置為XY矩陣形狀的例子。關(guān)于布線的形成方法，在特開(kāi)平08-185818號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平09-050757號(hào)公報(bào)中進(jìn)行了詳細(xì)描述，關(guān)于驅(qū)動(dòng)方法，在特開(kāi)平06-342636號(hào)公報(bào)中進(jìn)行了詳細(xì)描述。
此外，以往，在制造在內(nèi)部維持真空的管殼時(shí)，采用了在玻璃構(gòu)件之間涂敷或安放作為密封材料的燒結(jié)玻璃，放入電爐等密封爐中，或放置在熱板加熱器上(有時(shí)也從上下用熱板加熱器夾著)，把管殼整體加熱到密封溫度，用密封玻璃使密封部分的玻璃構(gòu)件熔敷的密封方法。在特開(kāi)平11-135018號(hào)公報(bào)中記載了管殼制造方法的一個(gè)例子。
此外，在特開(kāi)2001-210258號(hào)公報(bào)中描述了使用低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行密封的平面型圖象顯示裝置。此外，作為低熔點(diǎn)金屬材料的保持部件，描述了使用與形成在密封面上的低熔點(diǎn)金屬材料親和性高的材料。
此外，使用了電子源的平面型圖象顯示裝置為了使冷陰極電子發(fā)射元件等長(zhǎng)期穩(wěn)定工作，有必要為超高真空，所以用框夾著具有多個(gè)電子發(fā)射元件的基板和在與它相對(duì)的位置具有熒光體的基板，通過(guò)燒結(jié)玻璃密封，具有吸附放出的氣體來(lái)維持真空的吸氣劑。
上述的吸氣劑存在蒸鍍型和非蒸發(fā)型，蒸鍍型吸氣劑是把以Ba等為主成分的合金在真空玻璃管殼內(nèi)通過(guò)通電或高頻加熱，在容器內(nèi)壁形成蒸鍍膜(吸氣劑閃光)，通過(guò)活性吸氣劑金屬面，吸附在內(nèi)部產(chǎn)生的氣體來(lái)維持高真空。
而非蒸發(fā)型吸氣劑配置Ti、Zr、V、Al、Fe等吸氣劑材料，在真空中加熱，通過(guò)進(jìn)行取得氣體吸附特性的“吸氣劑活性化”，能吸附放出的氣體。
一般，平面型圖象顯示裝置因?yàn)楸?，所以無(wú)法充分確保維持真空的蒸鍍型吸氣劑的設(shè)置區(qū)域和用于瞬間放電的閃光區(qū)域，因此在圖象顯示區(qū)外的支撐框附近設(shè)置它們。因此，圖象顯示的中央部和吸氣劑設(shè)置區(qū)域的電感減小，電子發(fā)射元件和熒光體的中央部的有效排氣速度減小，在具有電子源和圖象顯示構(gòu)件的圖象顯示裝置中，產(chǎn)生不希望的氣體的部分主要是由電子束照射的圖象顯示區(qū)域。因此，當(dāng)想以高真空保持熒光體和電子源時(shí)，有必要在作為放出氣體的發(fā)生源的熒光體和電子源附近配置非蒸發(fā)型吸氣劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供能恰當(dāng)?shù)鼐S持密封且難以損壞的管殼。
本發(fā)明者們的研究結(jié)果表明，以下的管殼難以損壞、能恰當(dāng)維持真空，即具有面板、與面板相對(duì)配置的背板、在面板和所述背板之間包圍周?chē)耐饪颍謩e接合外框和面板、外框和背板的接合部的至少一方是由低熔點(diǎn)金屬材料構(gòu)成，該接合部具有低熔點(diǎn)金屬材料和面板或外框上的母材直接接合的部位、與形成在面板或外框上的母材上的底層材料接合的部位。本發(fā)明是根據(jù)該見(jiàn)識(shí)而取得的。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種管殼，具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框，其特征在于所述第一基板和所述框之間由低熔點(diǎn)金屬接合；所述第一基板作為與所述熔點(diǎn)金屬鄰接的區(qū)域具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種管殼，具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框，其特征在于所述第一基板和所述框之間由低熔點(diǎn)金屬接合；所述框作為與所述熔點(diǎn)金屬鄰接的區(qū)域具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種管殼的制造方法，該管殼具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框，其特征在于具有以低熔點(diǎn)金屬接合所述第一基板和所述框的接合步驟；在該接合步驟中，作為所述第一基板，使用作為與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接的區(qū)域具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的基板。
根據(jù)本發(fā)明提供一種管殼的制造方法，該管殼具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框，其特征在于在該接合步驟中，作為所述框，使用作為與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接的區(qū)域具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的框。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)維持密封，并且難以變成非接合狀態(tài)的管殼。
此外，根據(jù)本申請(qǐng)，提供使用了所述管殼的圖象顯示裝置。此外，提供使用了所述管殼的電視顯示裝置。


下面簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖。
圖1是關(guān)于本發(fā)明管殼的一個(gè)例子，是表示周邊部的概略截面構(gòu)造的模式圖。
圖2是表示電子發(fā)射元件的制造步驟例的步驟圖(在基板上設(shè)置相對(duì)電極的階段)。
圖3是表示接著圖2的電子發(fā)射元件的制造步驟例的步驟圖(設(shè)置了Y方向布線的階段)。
圖4是表示接著圖3的電子發(fā)射元件的制造步驟例的步驟圖(設(shè)置了絕緣膜的階段)。
圖5是表示接著圖4的電子發(fā)射元件的制造步驟例的步驟圖(設(shè)置了X方向布線的階段)。
圖6是表示接著圖5的電子發(fā)射元件的制造步驟例的步驟圖(形成了電子發(fā)射元件的階段)。
圖7A、7B、7C、7D是表示基于噴墨法的元件膜(導(dǎo)電性膜)形成方法的一個(gè)例子的步驟圖。
圖8A、8B是表示通電成形的電壓波形的例子的曲線圖。
圖9是表示電子發(fā)射元件的電子發(fā)射特性的測(cè)定評(píng)價(jià)裝置例的模式圖。
圖10是表示電子發(fā)射元件的特性例的曲線圖。
圖11A、11B是電子發(fā)射元件的活性化步驟中使用的外加電壓的希望的一個(gè)例子的曲線圖。
圖12是表示圖象形成裝置的顯示面板的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖13A、13B是用于說(shuō)明面板上設(shè)置的熒光膜的模式圖。
圖14是表示圖象形成裝置的驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)例的模式圖。
圖15A、15B是表示電子發(fā)射元件的一個(gè)例子的模式圖。
圖16是表示In膜形成方法的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖17是表示密封方法的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖18是關(guān)于本發(fā)明管殼的其他例子，是表示周邊部的概略截面構(gòu)造的模式圖。
圖19是關(guān)于本發(fā)明管殼的又一例子，是表示周邊部的概略截面構(gòu)造的模式圖。
具體實(shí)施例方式
下面，一邊具體表示實(shí)施例一邊說(shuō)明本發(fā)明。
圖12是表示管殼的概略結(jié)構(gòu)例的模式圖，圖1是表示實(shí)施例1的管殼周邊部的概略截面構(gòu)造的模式圖。在管殼90的周邊部，通過(guò)低熔點(diǎn)金屬的In膜93接合作為框的支撐框86和第一基板即面板82。80是指配置了多個(gè)電子發(fā)射元件的電子源基板，在單面具有電子源基板80的81是玻璃基板，是作為第二基板的背板。82是在玻璃基板83的內(nèi)表面形成了熒光膜和金屬背的面板。通過(guò)在面板82和背板81之間設(shè)置稱作隔離塊205的支撐體，即使為大面積面板時(shí)，也能構(gòu)成具有充分強(qiáng)度的管殼90。隔離塊205和支撐框86通過(guò)燒結(jié)玻璃203粘結(jié)在背板81上，通過(guò)在400℃～500℃燒結(jié)10分鐘以上而固定。通過(guò)設(shè)置高度形狀，使得與通過(guò)燒結(jié)玻璃203粘結(jié)在背板81上的支撐框86的高度相比，隔離塊205的高度稍高，確定接合后的In膜93的厚度。因此，隔離塊205也用作In膜93的厚度限定構(gòu)件。支撐框86和面板82由In膜93接合。In膜93為了在高溫下也很少放出氣體而具有低溫的熔點(diǎn)，因此使用金屬I(mǎi)n。這里，本發(fā)明中所說(shuō)的In膜93是指熔點(diǎn)在300度以下的金屬(包含合金)。特別希望是具有200度以下熔點(diǎn)的金屬。作為該低熔點(diǎn)金屬，能使用In和Sn。此外，能使用包含In或Sn的合金。更具體而言，作為該合金，適合使用包含In的In-Ag、In-Sn。當(dāng)把金屬(包含合金)作為接合構(gòu)件使用時(shí)，因?yàn)椴话軇┖驼澈蟿?，所以熔點(diǎn)熔化時(shí)的放出氣體非常少，所以希望作為接合構(gòu)件。在支撐框86和面板82上，為了提高在界面的緊貼性，設(shè)置了下伸層204a和204b。在本實(shí)施例中，使用與金屬I(mǎi)n的浸濕性好的銀。能通過(guò)絲網(wǎng)印刷等容易地對(duì)銀膏構(gòu)圖，形成銀的下伸層204a和204b。在密封時(shí)，成為上方的基板，在本實(shí)施例中為第一基板的面板82的作為第一區(qū)域的下伸層204b不在中央部形成。在這里說(shuō)明的實(shí)施例中，未形成下伸層204的中央部(即基板的母材露出的區(qū)域)是第二區(qū)域。作為下伸層204a和204b，除了銀，也能使用通過(guò)ITO或Pt等真空蒸鍍法簡(jiǎn)單形成的金屬薄膜。在接合即密封面板82和背板81前，預(yù)先構(gòu)圖形成In膜93。在圖16中，說(shuō)明在粘結(jié)于背板81上的支撐框86上形成In膜93的方法。首先，支撐框86為了提高熔化的In的浸濕性，在以充分的溫度下加溫的狀態(tài)下保持。如果是100℃以上的溫度，就是充分的。下伸層204中使用的銀膏是玻璃緊貼性高的在內(nèi)部包含很多孔的多孔膜。這時(shí)，為了防止真空泄漏，希望把熔化的In充分含浸在下伸層204內(nèi)部中，因此，通過(guò)超聲波焊頭1205把在熔點(diǎn)以上的高溫熔化的In焊接在下伸層204上，形成In膜93。如果是在熔點(diǎn)以上的溫度熔化的液體In，就很充分。為了總把金屬I(mǎi)n提供給焊頭頂端，通過(guò)未圖示的In補(bǔ)給部件隨時(shí)補(bǔ)給到接合部。此外，調(diào)節(jié)超聲波焊頭1205的移動(dòng)速度和In的供給量，使In膜93的膜厚與接合后的In膜93的厚度相比充分厚，為數(shù)十μm～1mm左右。在本實(shí)施例中，密封后的In膜93的厚度為300μm，在支撐框86上以500μm的膜厚焊接了In膜。
在支撐框86上通過(guò)圖16所示的形成法形成In膜93后，通過(guò)圖17所示的密封方法形成管殼。在相對(duì)的面板82和背板81間設(shè)置了一定間隔的狀態(tài)下，保持兩基板進(jìn)行真空加熱。從基板放出氣體，然后在回到室溫時(shí)，以300℃以上的高溫進(jìn)行基板的真空烘焙，使管殼90內(nèi)部變?yōu)槌浞值恼婵?。在該時(shí)刻，In膜93是熔化狀態(tài)，背板81進(jìn)行1mm/1m以下的充分水平調(diào)整，使熔化的In不流出。在真空烘焙后，通過(guò)使溫度下降到In的熔點(diǎn)附近，通過(guò)定位裝置200，漸漸縮小面板82和背板81的間隔，進(jìn)行兩基板的接合即密封。之所以把溫度下降到熔點(diǎn)附近，是為了抑制熔化狀態(tài)的液體In的流動(dòng)性，防止接合時(shí)的不必要的流動(dòng)和溢出。
這里，說(shuō)明分別形成在面板82和背板81上的In膜93的接合界面狀態(tài)。在通過(guò)圖16說(shuō)明的形成方法形成的In膜93的表面上形成有表面氧化膜。氧化膜的熔點(diǎn)是高溫(800℃以上)，并且由于停留于結(jié)晶性固體，所以在密封時(shí)有可能保持各表面的形狀。即由于作為氧化膜界面殘留在In膜中，所以有可能形成成為真空泄漏原因的泄漏路徑。實(shí)際上，因?yàn)檠趸さ暮穸缺?，所以接合時(shí)，氧化膜容易由于應(yīng)力而破損，從內(nèi)部滲出液體In，并對(duì)流，所以很少發(fā)生剩下氧化物的問(wèn)題?？墒?，在形成In膜時(shí)，在局部可以形成厚的氧化膜，或在In膜93的厚度不充分的地方有可能成為泄漏路徑。此外，在In膜自身的膜厚分布產(chǎn)生的In膜93的厚度不充分的地方有可能成為泄漏路徑。
在本實(shí)施例中，因?yàn)闇p小了In膜93的膜厚分布，所以在面板82一側(cè)不形成In膜，在框86上形成的In膜93至少在變?yōu)槊芊馇暗娜刍癄顟B(tài)時(shí)被調(diào)平。
基板的母材直接與In接合的部位比下伸層204b與In接合的部位更具接合力。此外，下伸層204b與In接合的部位的密封性比基板的母材與In接合的部位好。
須指出的是，制備只由低熔點(diǎn)金屬和第一區(qū)域(在本實(shí)施例中，是在基板的母材上形成了銀的下伸層的)構(gòu)成了接合部的第一管殼、只由低熔點(diǎn)金屬和第二區(qū)域(低熔點(diǎn)金屬；其他條件與第一管殼相同)構(gòu)成了接合部的第二管殼，在各管殼上開(kāi)孔，連接在He泄漏探測(cè)器上，向管殼周邊噴射He氣體，根據(jù)He泄漏探測(cè)器的檢測(cè)值的多少，確認(rèn)本發(fā)明所說(shuō)的密封維持性的相對(duì)差。
此外，制備在表面具有第一區(qū)域(在本實(shí)施例中，是在基板的母材上形成了銀的下伸層的)的第一構(gòu)件、在表面具有第二區(qū)域(在本實(shí)施例中，是基板的母材)第二構(gòu)件，在其間配置接合低熔點(diǎn)金屬。把該接合的兩個(gè)構(gòu)件放在拉伸試驗(yàn)機(jī)上，能通過(guò)確認(rèn)哪個(gè)界面容易剝離來(lái)確認(rèn)本發(fā)明所說(shuō)的結(jié)合力的相對(duì)差。如果第一構(gòu)件(第一區(qū)域)和低熔點(diǎn)金屬的界面比第二構(gòu)件(第二區(qū)域)和低熔點(diǎn)金屬的界面更容易剝離(在彼此拉開(kāi)的第一構(gòu)件和第二構(gòu)件中，如果低熔點(diǎn)金屬容易殘留在第二構(gòu)件一側(cè))，則可以說(shuō)與第二區(qū)域相比，第一區(qū)域與低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力弱。
此外，如上所述，氧化膜與作為結(jié)晶性固體的體積相比是非常薄的。對(duì)在液體In狀態(tài)下外加的壓力，在接合時(shí)在下伸層204b的臺(tái)階部產(chǎn)生的力成為足以破壞氧化膜的力。即使接合面整個(gè)面上表面氧化膜不破壞，如果在局部失去氧化膜，則以那里為起點(diǎn)，液體In對(duì)流，使氧化膜從接合面與多余的液體In一起向周邊部排出，具有在接合面上排除氧化膜的效果。在本實(shí)施例中，通過(guò)在形成下伸層204b的第一區(qū)域和不形成下伸層204b的第二區(qū)域之間設(shè)置臺(tái)階，進(jìn)一步減小了泄漏的發(fā)生概率。
下面，說(shuō)明本實(shí)施例中形成的具有管殼的圖象形成裝置各構(gòu)成要素的形成工藝。首先，在背板的電子源基板面上作為電子發(fā)射元件形成圖15A、15B所示類型的電子發(fā)射元件。圖15A表示本元件的平面圖，圖15B表示剖視圖。
該元件具有表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的典型元件結(jié)構(gòu)即所述M.哈特威爾的元件結(jié)構(gòu)。
在圖15A、15B中，1是由玻璃等構(gòu)成的基板，依存于設(shè)置在其上的電子發(fā)射元件個(gè)數(shù)、各元件的設(shè)計(jì)形狀、以及電子源使用時(shí)構(gòu)成容器一部分的用于把該容器保持于真空的耐大氣壓構(gòu)造等的力學(xué)條件等，適當(dāng)設(shè)定基板的大小和厚度。
作為玻璃的材料，一般使用廉價(jià)的青板玻璃，但是希望使用在其上例如通過(guò)濺射法形成厚度0.5μm的氧化硅膜作為鈉塊層的基板。此外，也能用少鈉的玻璃或石英基板形成。在本實(shí)施例中，使用等離子體顯示器用電玻璃的少堿成分的PD-200(商品名，旭玻璃(株式會(huì)社))的材料。
此外，作為元件電極2、3的材料，能使用一般的導(dǎo)體材料，例如適合為Ni、Cr、Au、Mo、Pt、Ti等金屬和Pd-Ag等金屬，或者從由金屬氧化物和玻璃等構(gòu)成的印刷導(dǎo)體、ITO等透明導(dǎo)體適當(dāng)選擇，它的膜厚希望是數(shù)百到數(shù)μm的范圍。
雖然按照應(yīng)用實(shí)際元件的形狀適當(dāng)設(shè)定了這時(shí)的元件電極間隔L、元件電極長(zhǎng)度W、元件電極2、3的形狀等，但是間隔L希望為數(shù)千到1mm，更希望考慮外加在元件電極間的電壓等而設(shè)定為1μm到100μm的范圍。此外，元件電極長(zhǎng)度W希望考慮電極的電阻值、電子發(fā)射特性而設(shè)定為數(shù)μm到數(shù)百μm的范圍。
能通過(guò)膠印等印刷法涂敷市場(chǎng)上出售的含有鉑Pt等金屬粒子的膏來(lái)形成該元件電極。
此外，為了取得更精密的圖案，也能通過(guò)用絲網(wǎng)印刷等印刷法涂敷含有鉑Pt等的感光性膏，使用光掩模曝光、顯影的步驟來(lái)形成。
然后，以跨元件電極2、3的形式形成成為電子源的導(dǎo)電性薄膜4。
作為導(dǎo)電性薄膜，為了取得良好的電子發(fā)射特性，特別希望是由微粒子構(gòu)成的微粒子膜。此外，考慮向元件電極2、3的臺(tái)階覆蓋、元件電極間的電阻值以及后面描述的成形處理?xiàng)l件等，適當(dāng)設(shè)定了其膜厚，但是希望為數(shù)到數(shù)千，特別希望是10到500的范圍。
如果根據(jù)本申請(qǐng)人的研究，則對(duì)導(dǎo)電性膜材料一般適用鈀Pd，但是并不局限于此。此外，成膜形成法也適合使用濺射法、在溶液涂敷后進(jìn)行燒結(jié)的方法等。
這里，選擇了在涂敷有機(jī)鈀溶液后燒結(jié)，形成氧化鈀PdO膜的方法。其后，在共存氫的還原氣氛中通電加熱，成為鈀Pd膜，同時(shí)形成裂縫部。它形成電子發(fā)射部5。
須指出的是，為了便于圖示，在導(dǎo)電性薄膜4的中央以矩形的形狀表示了電子發(fā)射部5，但是這是模式上的，沒(méi)有忠實(shí)反映實(shí)際的電子發(fā)射部的位置和形狀。
下面，圖2～圖6以矩陣狀顯示了具有電子發(fā)射元件的基板的平面圖。在這些圖中，21是電子源基板，22、23是元件電極，24是Y方向布線，25是絕緣膜，26是X方向布線，27是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件膜，形成電子發(fā)射部。
下面，參照?qǐng)D2～圖6說(shuō)明該元件的形成方法。
在圖2中，在玻璃基板21上，首先作為下伸層，通過(guò)濺射法形成5nm的鈦Ti，在其上形成40nm的鉑Pt后，涂敷光致抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等一系列光刻法，構(gòu)圖形成了元件電極22、23。
在本實(shí)施例中，元件電極的間隔L＝10μm，對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)度W＝100μm。
關(guān)于X布線和Y布線的布線材料，希望是能向多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型元件提供幾乎均等的電壓的低電阻，適當(dāng)設(shè)定材料、膜厚、布線寬度等。
如圖3所示，以線狀圖案形成作為公共布線的Y方向布線(下布線)24，使其鄰接元件電極的一方，并且連接它們。對(duì)于材料使用銀Ag感光膏狀墨，在絲網(wǎng)印刷后，使其干燥，曝光、顯影為給定圖案。然后，在480℃前后的溫度燒結(jié)，形成了布線。
布線的厚度約10μm，寬度50μm。須指出的是，為了把終端部作為布線取出電極使用，使線寬更大。
為了使上下布線絕緣，配置層間絕緣膜25。如圖4所示，使絕緣層在后面描述的X布線(上布線)下覆蓋與預(yù)先形成的Y布線(下布線)之間的交叉部，并且使上布線(X布線)與元件電極的另一方的電連接成為可能那樣地在連接部開(kāi)接觸孔28，從而形成了絕緣層。
在絲網(wǎng)印刷了以PbO為主成分的感光性玻璃膏后，曝光顯影。重復(fù)4次，最后在480℃前后的溫度燒結(jié)。該層間絕緣膜的厚度整體約30μm，寬度150μm。
在先形成的絕緣膜25上絲網(wǎng)印刷Ag膏狀墨后，使其干燥，在其上再度進(jìn)行同樣的過(guò)程，2次涂敷后，在480℃前后的溫度燒結(jié)形成X方向布線(上布線)26。如圖5所示，X方向布線隔著所述絕緣膜與Y方向布線(下布線)交叉，在絕緣膜的接觸孔部分，也與元件電極的另一方連接。
通過(guò)該布線連接著另一個(gè)元件電極，在面板化后作為掃描電極起作用。
該X方向布線的厚度約15μm。也用與此同樣的方法形成了與外部驅(qū)動(dòng)電路的引出布線。
雖然未圖示，但是也用與此同樣的方法形成了到外部驅(qū)動(dòng)電路的引出端子。
這樣，就形成了具有XY矩陣布線的基板。
充分清潔了所述基板后，用含有防水劑的溶液處理表面，使表面變?yōu)槭杷?。這是為了此后涂敷的元件膜形成用的水溶液在元件電極上具有適度的擴(kuò)散。
使用的防水劑是把DDS(二甲基二乙氧基硅烷)溶液用噴射法散布到基板上，在120℃用溫風(fēng)干燥。
然后，在元件電極間，通過(guò)噴墨涂敷方法形成了圖6所示的元件膜27。
圖7A、7B、7C、7D表示本步驟的模式圖。在實(shí)際的步驟中，為了補(bǔ)償基板上各元件電極的平面偏移，在基板上的數(shù)處觀測(cè)圖案的配置偏移，用直線近似觀測(cè)點(diǎn)間的點(diǎn)偏移量，補(bǔ)全位置，通過(guò)涂敷，消除全部象素的位置偏移，盡力準(zhǔn)確地在對(duì)應(yīng)的位置上涂敷。
在本實(shí)施例中，為了取得鈀膜作為元件膜，首先在由水85∶異丙醇(IPA)15構(gòu)成的水溶液中溶解鈀-脯氨酸絡(luò)合物0.15重量％，取得了含有有機(jī)鈀的溶液。再加入若干添加劑。
作為液滴供給部件，利用使用了壓電元件的噴墨裝置，把點(diǎn)直徑調(diào)整為60μm，向電極間提供該溶液的液滴(圖7B)。然后，在空氣中、350℃，把該基板加熱燒結(jié)10分鐘，成為氧化鈀(PdO)。取得點(diǎn)的直徑約為60μm、厚度最大為10nm的膜。
這時(shí)取得的氧化鈀膜的平面性和均勻性大大影響其后的元件特性。
通過(guò)以上的步驟，在元件部分形成了氧化鈀PdO膜。
在稱作成形的本步驟中，對(duì)所述導(dǎo)電性薄膜進(jìn)行通電處理，使內(nèi)部產(chǎn)生裂縫，形成電子發(fā)射部。
具體的方法是蓋上蓬狀蓋，剩下所述基板周?chē)娜〕鲭姌O部分覆蓋基板整體，在內(nèi)部產(chǎn)生真空空間，通過(guò)外部電源從電極端子部向XY布線間外加電壓，通過(guò)向電極間通電(圖7C)局部使導(dǎo)電性薄膜破壞、變形或變質(zhì)，形成高電阻狀態(tài)的電子發(fā)射部(圖7D)。
這時(shí)，如果在包含若干氫氣的真空氣氛下通電加熱，則通過(guò)氫促進(jìn)了還原，氧化鈀PdO變?yōu)殁ZPd膜。
在該變化時(shí)，由于膜的還原收縮，在一部分產(chǎn)生裂縫，但是該裂縫的發(fā)生位置和形狀很受原來(lái)膜的均勻性的影響。
為了抑制多個(gè)元件特性的偏移，希望所述裂縫發(fā)生在中央部，并且應(yīng)該為直線狀。
須指出的是，在給定電壓下，在通過(guò)成形而形成的裂縫附近也發(fā)生電子發(fā)射，但是在本階段，發(fā)射效率很低。
此外，取得的導(dǎo)電性薄膜的電阻值Rs，是從102到107Ω的值。
下面，參照?qǐng)D8A、8B，簡(jiǎn)單說(shuō)明成形處理中使用的電壓波形。
外加的電壓使用了脈沖波形，但是有外加脈沖峰值為恒定電壓的脈沖的情形(圖8A)和一邊使脈沖峰值增加一邊外加的情形(圖8B)。
在圖8A中，T1和T2是電壓波形的脈沖寬度和脈沖間隔，T1為1μsec～10msec，T2是10μsec～100msec，適當(dāng)選擇三角波的峰值(成形時(shí)的峰值電壓)。
在圖8B中，T1和T2取同樣的大小，把三角波的峰值(成形時(shí)的峰值電壓)每次以0.1V的步長(zhǎng)增加。
須指出的是，成形處理的結(jié)束是在成形用脈沖間插入不會(huì)局部破壞、使導(dǎo)電性膜變形程度的電壓例如0.1V左右的脈沖電壓，測(cè)定元件電流，求出電阻值，在對(duì)成形處理前的電阻表現(xiàn)1000倍以上的電阻的時(shí)刻，可結(jié)束成形。
如上所述，在該狀態(tài)下電子發(fā)射效率低。
因此，為了提高電子發(fā)射效率，希望對(duì)所述元件進(jìn)行稱作活性化的處理。
該處理是在有機(jī)化合物存在的適當(dāng)?shù)恼婵斩鹊幕A(chǔ)上，與所述成形同樣，蓋上蓬狀蓋，在與基板間的內(nèi)部制造真空空間，從外部通過(guò)XY布線向元件電極重復(fù)外加脈沖電壓，進(jìn)行該處理。然后，導(dǎo)入包含碳原子的氣體，在所述裂縫附近淀積由此而來(lái)的碳或碳化物作為碳膜的步驟。
在本步驟中，使用三腈作為碳源，通過(guò)慢泄漏閥導(dǎo)入真空空間內(nèi)，維持1.3×10-4Pa。導(dǎo)入的三腈的壓力受真空裝置的形狀和真空裝置中使用的構(gòu)件等影響，但是適合為1×10-5Pa～1×10-2Pa左右。
圖11A、11B表示了活性化步驟中適用的外加電壓的希望的一個(gè)例子。在10～20V的范圍中適當(dāng)選擇外加的最大電壓值。圖11A中，T1是電壓波形的正和負(fù)的脈沖寬度，T2是脈沖間隔，電壓值設(shè)定為正負(fù)的絕對(duì)值相等。此外，圖11B中，T1和T1’分別是電壓波形的正和負(fù)的脈沖寬度，T2是脈沖間隔，T1＞T1’，電壓值設(shè)定為正負(fù)的絕對(duì)值相等。
這時(shí)，提供給元件電極3的電壓為正，元件電流If是從元件電極3流向元件電極2的方向?yàn)檎?。約60分鐘后，在發(fā)射電流Ie幾乎達(dá)到飽和的時(shí)刻停止了通電，關(guān)閉慢泄漏閥，結(jié)束了活性化處理。
在以上的步驟中，能形成具有電子源元件的基板。
參照?qǐng)D9、圖10說(shuō)明通過(guò)上述的元件結(jié)構(gòu)和制造方法形成的本發(fā)明電子發(fā)射元件的基本特性。
圖9是用于測(cè)定具有所述結(jié)構(gòu)的元件的電子發(fā)射特性的測(cè)定評(píng)價(jià)裝置的概略圖。
在流過(guò)電子發(fā)射元件的元件電極間的元件電流If和向陽(yáng)極的發(fā)射電流Ie的測(cè)定時(shí)，把電源51、電流計(jì)50連接在元件電極2、3上，在該電子發(fā)射元件的上方配置有連接了電源53和電流計(jì)52的陽(yáng)極54。在圖9中，2、3表示元件電極，4表示包含電子發(fā)射部的薄膜(元件膜)，5表示電子發(fā)射部。此外，51是用于在元件上外加元件電壓Vf的電源，50是用于測(cè)定流過(guò)包含元件電極2、3間的電子發(fā)射部的導(dǎo)電性薄膜4的元件電流If的電流計(jì)，54是用于捕捉從元件的電子發(fā)射部發(fā)射的發(fā)射電流Ie的陽(yáng)極，53是用于在陽(yáng)極54上外加電壓的高壓電源，52是用于測(cè)定從元件的電子發(fā)射部5發(fā)射的發(fā)射電流Ie的電流計(jì)。
此外，本電子發(fā)射元件和陽(yáng)極54設(shè)置在真空裝置內(nèi)，在該真空裝置中具有排氣泵56和未圖示的真空計(jì)等真空裝置必要的儀器，在所需的真空下，進(jìn)行本元件的測(cè)定評(píng)價(jià)。須指出的是，在陽(yáng)極的電壓為1kV～10kV，陽(yáng)極和電子發(fā)射元件的距離為2mm～8mm的范圍中進(jìn)行了測(cè)定。
圖10表示通過(guò)圖9所示的測(cè)定評(píng)價(jià)裝置測(cè)定的發(fā)射電流Ie和元件電流If的關(guān)系的典型例。須指出的是，發(fā)射電流Ie和元件電流If顯著不同，但是在圖10中為了定性地比較研究If、Ie的變化，以線性刻度，以任意單位描述了縱軸。
測(cè)定在元件電極間外加的電壓12V時(shí)的發(fā)射電流Ie的結(jié)果平均為0.6μA，電子發(fā)射效率取得平均0.15％。此外，元件間的均勻性也好，各元件間的Ie的偏移取得了良好的值，是5％。
本電子發(fā)射元件具有對(duì)于發(fā)射電流Ie的三個(gè)特性。
首先，第一，從圖10可知，本元件如果外加某電壓(稱作閾值電壓，圖10中的Vth)以上的元件電壓，則發(fā)射電流Ie急速增加，而在閾值電壓以下時(shí)，幾乎檢測(cè)不到發(fā)射電流Ie。即表示了作為具有對(duì)于發(fā)射電流Ie的明確閾值電壓Vth的非線性元件特性。
第二，因?yàn)榘l(fā)射電流Ie依存于元件電壓Vf，所以能用元件電壓Vf控制發(fā)射電流Ie。
第三，由陽(yáng)極54捕捉的發(fā)射電荷依存于外加元件電壓Vf的時(shí)間。即陽(yáng)極54捕捉的電荷量能通過(guò)外加元件電壓Vf的時(shí)間控制。
參照?qǐng)D12和圖13A、13B說(shuō)明使用了所述簡(jiǎn)單矩陣配置的電子源基板的電子源、顯示等中使用的圖象形成裝置的一個(gè)例子。
通過(guò)所述密封工藝構(gòu)成了管殼90。
圖13A、13B是面板上設(shè)置的熒光膜的說(shuō)明圖。熒光膜84當(dāng)單色時(shí)只由熒光體構(gòu)成，但是當(dāng)為彩色熒光膜時(shí)，通過(guò)熒光體的排列，由稱作黑條或黑底的黑色導(dǎo)電材料91和熒光體92構(gòu)成。設(shè)置黑條和黑底的目的在于通過(guò)使彩色顯示時(shí)必要的三原色熒光體在各熒光體92間的分離布為黑色，使混色等不明顯，抑制熒光膜84的外部光反射引起的對(duì)比度下降。
此外，在熒光膜84的內(nèi)表面一側(cè)通常設(shè)置金屬背85。金屬背的目的在于通過(guò)把熒光體的發(fā)光中向內(nèi)表面一側(cè)的光向面板86一側(cè)鏡面反射，提高亮度，作為用于外加電子束加速電壓的陽(yáng)極起作用。在熒光膜的制作后，進(jìn)行熒光膜的內(nèi)表面一側(cè)的平滑化處理(通常稱作鍍膜)，然后用真空蒸鍍淀積Al后，就能制作金屬背。
對(duì)面板82與背板81相同，使用等離子體顯示器用電玻璃的少堿成分的PD-200(商品名，旭玻璃(株式會(huì)社))的材料。當(dāng)該玻璃材料時(shí)，不發(fā)生玻璃的著色現(xiàn)象，如果板厚為3mm左右，則即使用10kV以上的加速電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，抑制2次發(fā)生的軟X射線泄漏的屏蔽效果也是充分的。
當(dāng)進(jìn)行所述密封時(shí)，當(dāng)為彩色時(shí)，使各色熒光體和電子發(fā)射元件對(duì)應(yīng)，所以希望用上下基板的定位法等進(jìn)行充分的對(duì)位。
除了密封時(shí)的真空度要求為10的負(fù)6次方托(1×10-4Pa)以下的真空度，為了維持管殼90的密封后的真空度，有時(shí)也進(jìn)行吸氣劑處理。這些是在進(jìn)行管殼90的密封之前或密封后，通過(guò)電阻加熱或高頻加熱，加熱配置在管殼內(nèi)的給定位置(不圖示)的吸氣劑，形成蒸鍍膜的處理。吸氣劑通常以Ba為主成分，通過(guò)該蒸鍍膜的吸附作用，例如維持1×10的負(fù)5次方到1×10的負(fù)7次方[Torr](1×10-3～1×10-5Pa)的真空度。
根據(jù)所述表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的基本特征，在閾值電壓以上時(shí)，通過(guò)外加在相對(duì)的元件電極間的脈沖電壓的峰值和寬度控制來(lái)自電子發(fā)射部的發(fā)射電子，通過(guò)它的中間值控制電流量，因此能顯示中間色調(diào)。
此外，在配置了多個(gè)電子發(fā)射元件時(shí)，如果通過(guò)各線的掃描線信號(hào)決定選擇線，通過(guò)各信息信號(hào)線適當(dāng)在各元件上外加所述脈沖狀電壓，就能在任意元件上適當(dāng)外加電壓，能使各元件導(dǎo)通。
此外，作為按照具有中間色調(diào)的輸入信號(hào)，調(diào)制電子發(fā)射元件的方式，能列舉電壓調(diào)制方式、脈沖寬度調(diào)制方式。
下面，參照?qǐng)D14說(shuō)明具體的驅(qū)動(dòng)裝置。
圖14表示利用了使用簡(jiǎn)單矩陣配置電子源而構(gòu)成的顯示面板的基于NTSC方式電視信號(hào)的電視顯示用圖象顯示裝置的結(jié)構(gòu)例。
在圖14中，101是圖象顯示面板，102是掃描電路，103是控制電路，104是移位寄存器，105是行存儲(chǔ)器，106是同步信號(hào)分離電路，107是信息信號(hào)發(fā)生器，Vx和Va是直流電壓源。
在使用了電子發(fā)射元件的圖象顯示面板101的X布線上連接著外加掃描線信號(hào)的X驅(qū)動(dòng)器102，在Y布線上連接著外加信息信號(hào)的Y驅(qū)動(dòng)器的信息信號(hào)發(fā)生器107。
為了實(shí)施電壓調(diào)整方式，作為信息信號(hào)發(fā)生器107，產(chǎn)生一定長(zhǎng)度的電壓脈沖，但是使用按照輸入的數(shù)據(jù)，適當(dāng)調(diào)制脈沖峰值的電路。此外，為了實(shí)施脈沖寬度調(diào)制方式，作為信息信號(hào)發(fā)生器107，產(chǎn)生一定峰值的電壓脈沖，但是使用按照輸入的數(shù)據(jù)，適當(dāng)調(diào)制脈沖寬度的電路。
控制電路103根據(jù)從同步信號(hào)分離電路106發(fā)送的同步信號(hào)Tsync，對(duì)各部產(chǎn)生Tscan、Tsft、Tmry等各控制信號(hào)。
同步信號(hào)分離電路106是從由外部輸入的NTSC方式的電視信號(hào)分離同步信號(hào)成分和亮度信號(hào)成分的電路。該亮度信號(hào)成分與同步信號(hào)同步輸入到移位寄存器104中。
移位寄存器104把按時(shí)間系列串行輸入的所述亮度信號(hào)按圖象的每一行進(jìn)行串行/并行變換，根據(jù)從控制電路103發(fā)送的移位時(shí)鐘工作。串行/并行變換了的圖象一行的數(shù)據(jù)(相當(dāng)于電子發(fā)射元件n元件的驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù))作為n個(gè)并行信號(hào)從所述移位寄存器104輸出。
行存儲(chǔ)器105是用于只在必要的時(shí)間中存儲(chǔ)圖象一行的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)的內(nèi)容輸入到信息信號(hào)發(fā)生器107。
信息信號(hào)發(fā)生器107是用于按照各亮度信號(hào)，恰當(dāng)驅(qū)動(dòng)各電子發(fā)射元件的信號(hào)源，該輸出信號(hào)通過(guò)Y布線輸入到顯示面板101內(nèi)，通過(guò)X布線外加到與選擇中的掃描線的交點(diǎn)的電子發(fā)射元件上。
通過(guò)依次掃描X布線，能驅(qū)動(dòng)面板整個(gè)面的電子發(fā)射元件。
如上所述，在本實(shí)施例中制作的圖象顯示裝置中，通過(guò)面板內(nèi)的XY布線在各電子發(fā)射元件上外加電壓，使電子發(fā)射，通過(guò)圖12所示的高壓端子Hv，在陽(yáng)極的金屬背85上外加高壓，把產(chǎn)生的電子束加速，通過(guò)使其撞擊熒光膜84，能顯示圖象。
這里描述的圖象形成裝置的結(jié)構(gòu)是本發(fā)明的圖象形成裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)思想，能有各種變形。關(guān)于輸入信號(hào)，列舉了NTSC方式，但是輸入信號(hào)并不局限于此，PAL、HDTV等也相同。
在圖18中表示本發(fā)明的又一實(shí)施例中的管殼周邊部的接合部的概略截面構(gòu)造。在本實(shí)施例中，作為用于確保密封的第一區(qū)域，只在圖象顯示區(qū)域一側(cè)形成第一基板的下伸層204b，用于確保接合力的第二區(qū)域只存在于其外側(cè)，此外與實(shí)施例1相同。
圖19表示本發(fā)明又一實(shí)施例中的管殼周邊部的接合部的概略截面構(gòu)造。
在本實(shí)施例中，框即支撐框86和第二基板即背板81的接合也通過(guò)In膜進(jìn)行。在框即支撐框86的背板一側(cè)的面上，作為為了確保密封性的第一區(qū)域，只在圖象顯示一側(cè)形成下伸層204b，用于確保接合力的第二區(qū)域只存在于其外側(cè)。其他與實(shí)施例2同樣。如果用In進(jìn)行接合，就能用低溫的接合工藝實(shí)現(xiàn)。
須指出的是，在上述的各實(shí)施例中，面板為第一基板，背板為第二基板。特別是在實(shí)施例1中，說(shuō)明第一基板即面板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例3中，說(shuō)明了在與框的第二基板即背板接合的面上具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的結(jié)構(gòu)?？墒?，面板為第一基板、背板為第二基板是為了便于說(shuō)明，并不局限于此，也可以在背板上設(shè)置具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的接合面，此外，可以在與框的面板接合的面上設(shè)置第一區(qū)域和第二區(qū)域。
此外，在上述的結(jié)構(gòu)中，作為第一區(qū)域，采用在基板的母材上形成了膜的區(qū)域，作為第二區(qū)域，采用了基板的母材露出的區(qū)域，但是并不局限于此。例如，采用作為第二區(qū)域，形成與第一區(qū)域的組成不同的膜的結(jié)構(gòu)。
在所述實(shí)施例1、2、3中，在真空環(huán)境下進(jìn)行密封工藝，但是當(dāng)在大氣氣氛環(huán)境下進(jìn)行密封，然后從另外設(shè)置的孔對(duì)面板內(nèi)部進(jìn)行排氣，形成具有真空間隙的管殼時(shí)，本發(fā)明也是有效的。大氣氣氛環(huán)境下，低熔點(diǎn)金屬的表面氧化膜更厚，所以容易破壞氧化膜的本發(fā)明構(gòu)造效果變得更顯著。
在以上所述的實(shí)施例中，因?yàn)殡y以受到低熔點(diǎn)金屬表面氧化膜的影響，所以成品率提高，因?yàn)榈蜏叵碌慕雍瞎に嚕阅芤缘蛢r(jià)維持高真空，能取得難以破壞的管殼。
權(quán)利要求
1.一種管殼，具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框、接合所述第一基板和所述框的低熔點(diǎn)金屬，其特征在于所述第一基板具有與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接。
2.一種管殼，具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框、接合所述第一基板和所述框的低熔點(diǎn)金屬，其特征在于所述框具有與所述熔點(diǎn)金屬鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接。
3.一種管殼的制造方法，包括制備第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框的步驟；以低熔點(diǎn)金屬接合所述第一基板和所述框的接合步驟；在該接合步驟中，作為所述第一基板所使用的基板具有與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高。
4.一種管殼的制造方法，包括制備第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框的步驟；以低熔點(diǎn)金屬接合所述第一基板和所述框的接合步驟；在該接合步驟中，所述框具有與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高。
5.一種圖象顯示裝置，包括權(quán)利要求1所述的管殼；和設(shè)置在該管殼內(nèi)的顯示元件。
6.一種圖象顯示裝置，包括權(quán)利要求2所述的管殼；和設(shè)置在該管殼內(nèi)的顯示元件。
7.一種電視顯示裝置，包括具有權(quán)利要求1所述的管殼和設(shè)置在該管殼內(nèi)的顯示元件的圖象顯示裝置，在該圖象顯示裝置中輸入有電視信號(hào)。
8.一種電視顯示裝置，包括具有權(quán)利要求2所述的管殼和設(shè)置在該管殼內(nèi)的顯示元件的圖象顯示裝置，在該圖象顯示裝置中輸入有電視信號(hào)。
全文摘要
本申請(qǐng)描述了具有第一基板、與該第一基板相對(duì)的第二基板、設(shè)置在該第一基板和第二基板間的框、接合所述第一基板和框的低熔點(diǎn)金屬的管殼。特別是作為與低熔點(diǎn)金屬接觸的區(qū)域，基板或框具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域中，與所述第二區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的密封維持性更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接，在所述第二區(qū)域中，與所述第一區(qū)域相比，與所述低熔點(diǎn)金屬的結(jié)合力更高的材料與所述低熔點(diǎn)金屬鄰接。
文檔編號(hào)H01J29/86GK1487558SQ0315507
公開(kāi)日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2003年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月28日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川光利, 時(shí)岡正樹(shù), 三浦德孝, 孝, 樹(shù) 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社