專利名稱：彩色陰極射線管及電子槍的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種彩色陰極射線管及一種電子槍，尤其涉及這樣一種彩色陰極射線管及一種電子槍，其通過使用構成在電子槍內的磁性材料來使偏轉象差得到有效的改善，同時顯示器的分辨率也得到了提高。
背景技術：
圖1表示根據(jù)現(xiàn)有技術的彩色陰極射線管的結構。
參照圖1，現(xiàn)有技術的彩色陰極射線管是一種真空管，其包括位于前玻璃處的面板1與漏斗2，漏斗2是后玻璃，與面板1密封連接，使得平面彩色陰極射線管的內部呈真空。
紅、藍和綠(R，G和B)熒光物質被涂層在面板1的內表面上形成熒光屏11。電子槍8被安裝在漏斗2的頸部與熒光屏11相對。
選擇顏色的陰罩板3安裝在熒光屏11與電子槍8之間，并且與熒光屏11間隔一定的距離。陰罩板3與陰罩框4相聯(lián)接，被彈簧5彈性地支撐，同時在面板1上被柱銷6支撐。此外，陰罩框4與內磁屏蔽7相聯(lián)接以減少地磁場在陰極射線管后部的影響從而減少由于外部磁場引起的電子束6的移動。
同時，會聚純度修正磁鐵(CPM)10安裝在漏斗2的頸部來控制RGB電子束，使得電子束被會聚到一點上。此外，安裝加強帶12以增強前玻璃抵抗內部真空。
下面介紹具有上述結構的彩色陰極射線管的操作。從電子槍8發(fā)射的電子束被偏轉系統(tǒng)9在垂直和水平方向上偏轉。被偏轉的電子束從陰罩板3的電子束通孔通過并且與前面的熒光屏11碰撞顯示出期望的彩色圖像。在此，會聚純度修正磁鐵10修正R，G和B電子束的會聚度和純度，并且內磁屏蔽7屏蔽電子束免于在陰極射線管后部的地磁場的影響。
圖2表示根據(jù)現(xiàn)有技術的電子槍的結構。電子槍8包括三個彼此獨立的陰極80，與陰極80分開一定距離安裝的第一電極(G1)81，與第一電極(G1)81相距一定距離的第二電極(G2)82，與第二電極(G2)82相距一定距離的第三電極(G3)83，與第三電極(G3)83相距一定距離的第四電極(G4)84，與第四電極(G4)84相距一定距離的第五電極(G5)85，與第五電極(G5)85相距一定距離的第六電極(G6)86，及屏蔽杯87。
將橫跨整個熒光屏的電子束進行偏轉的偏轉系統(tǒng)9安裝在具有電子槍8的漏斗2的頸部的外側。在此，在第一電極81上施加地電壓。在第二電極82和第四電極84上施加大約600V的靜態(tài)電壓。在第三電極83和第五電極85上施加動態(tài)聚焦電壓。在第六電極86上施加大約26000V的靜態(tài)電壓。
根據(jù)上述結構，下面描述電子束的工作。從熱加熱器發(fā)射的熱電子的數(shù)量受第一電極81控制并且這些熱電子被第二電極82加速。熱電子連續(xù)地通過作為會聚電極的第三電極83、第四電極84、第五電極85及第六電極86，使得熱電子被會聚并且最終被加速與熒光屏相撞。
這些R，G和B電子束經(jīng)主透鏡靜態(tài)會聚后會聚于熒光屏的中心。如果通過使用均勻磁場使三電子束偏轉離開熒光屏的中心，因為電子槍與熒光屏之間的距離，這三電子束在到達熒光屏之前聚焦并且三電子束將彼此背離。
在沒有任何附加的電路的情況下采用自會聚磁場克服上述問題。自會聚磁場形成的磁場在水平方向為枕形在垂直方向為桶形。
圖3表示自會聚磁場。因為自會聚磁場由枕形水平偏轉磁場(HB)和桶形垂直偏轉磁場(VB)組成，所以成直線排列的R，G和B電子束在沒有任何附加動態(tài)會聚的情況下被會聚到熒光屏上。
然而，如圖4所示，因為由偏轉系統(tǒng)形成的磁場密度在從中心部位到外圍部位時變密，所以位于在成直線排列的三電子束末端的R，G和B電子束的橫截面變形。從而，為了改善熒光屏外圍的聚焦，動態(tài)聚焦電壓應該施加到每一電子束上，但是因為在成直線排列的電子槍內同一電壓被施加到三電子束上，而在成直線排列的該電子槍內R，G和B三電子束通孔是從一個電極形成的，所以R和B電子束的聚焦惡化。
圖5表示枕形水平偏轉磁場。如圖5所示三電子束被枕形水平偏轉磁場偏轉會聚到一點，該枕形水平偏轉磁場與桶形垂直偏轉磁場一起形成自會聚磁場。
然而，電子束由于自會聚磁場而失真。尤其是，R，G和B電子束受到了在熒光屏左邊和右邊的不同垂直方向的聚焦作用力的影響。從而，在熒光屏的右邊，紅色電子束變模糊引起霾，并且在熒光屏的左邊引起藍色電子束的霾，使得整個熒光屏的分辨率惡化。
圖6表示在電子槍屏蔽杯內由偏轉系統(tǒng)引起的枕形磁場及施加到電子束上的力。譬如，假定電子束被向前發(fā)射離開圖形朝向讀者，如果磁場指向上方，三電子束受向右方向上的力所影響。但是，如圖6所示，根據(jù)枕形水平偏轉磁場的形成，紅色電子束受正交于磁場方向上的發(fā)散力所影響并且藍色電子束受正交于磁場方向上的會聚力所影響，所以在熒光屏的左邊上由紅色電子束引起模糊現(xiàn)象并且由藍色電子束引起光暈現(xiàn)象。相反，在熒光屏的右邊上由紅色電子束引起光暈現(xiàn)象并且由藍色電子束引起模糊現(xiàn)象。
圖7a、7b和7c表示現(xiàn)有技術的成直線排列的R，G和B電子束兩邊緣的R和B電子束橫截面變形。
圖7a表示當電子束被偏轉到熒光屏左邊時偏轉系統(tǒng)的枕形磁場。圖7b表示當偏轉到熒光屏左邊時B電子柬引起光暈現(xiàn)象。圖7c表示當偏轉到熒光屏左邊時R電子束引起模糊現(xiàn)象。換句話說，如圖7a所示，因為偏轉系統(tǒng)的枕形磁場，R和B電子束受到圖中所示箭頭方向上的力。B電子束受到會聚磁場上的力并且R電子束受到發(fā)散磁場上的力。
結果，當電子束在向左的方向上被偏轉時，由于如圖7b所示形成的透鏡，R電子束引起模糊現(xiàn)象并且由于如圖7c所示形成的透鏡，B電子束引起光暈現(xiàn)象。相反，當電子束向右的方向上被偏轉時，現(xiàn)象相反。
當掃描到熒光屏的外圍時，R電子束和B電子束的光暈現(xiàn)象和模糊現(xiàn)象增大并且熒光屏上的電子束尺寸發(fā)生變動。不均勻的電子束橫截面使圖像分辨率惡化。減少彗形失真的電子槍已經(jīng)被建議用來解決這個問題。
譬如，日本專利公布號10-116570公開了通過在電子槍的電極的一部分使用磁鐵塊和使用與偏轉信號同步的單獨的磁場產生裝置來修正偏轉象差。然而，這種解決方案太昂貴了，并且難于制造，因為單獨的磁場產生裝置安裝在頸外側并且具有與偏轉信號同步的信號被施加到磁場產生裝置上，而磁鐵塊被安裝在電子槍內部。因為安裝在頸外側的單獨的磁場產生裝置是與偏轉系統(tǒng)的偏轉同步并且與偏轉系統(tǒng)耦合，偏轉系統(tǒng)的偏轉靈敏度被降低所以功耗提高并且產生了多余的熱量。所以這種解決方法難于應用。
韓國專利公布號2001-0091314公開了使用安裝在電子槍和偏轉系統(tǒng)上的磁鐵塊產生的磁場來改進偏轉象差，所以應用磁場很容易。但是，由于小磁鐵塊被放置在外側電子束通孔與中央通孔之間所以漏磁場沒有被充分地利用。
此外，另一種被研究過的方法是，在電極區(qū)域內安裝散光透鏡構成一個臨時的會聚透鏡，形成一個橫跨整個熒光屏的規(guī)則的電子束橫截面。第一電極與第二電極的電子束通孔的縱橫比(aspect)是彼此不同的以防止落在熒光屏中心和外圍的電子束發(fā)生失真。但是，這種散光透鏡難于制造和控制。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明集中在能基本上消除由于現(xiàn)有技術的局限和缺點所產生的一個或幾個問題的一種彩色陰極射線管和電子槍。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供一種彩色陰極射線管和電子槍，并且尤其提供一種通過使用構成在電子槍內的磁性材料來有效地改善偏轉象差同時使得顯示器的分辨率得以改善的彩色陰極射線管和電子槍。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點一部分將在隨后的描述中提出，一部分從描述中將變得很明顯，或可以從對本發(fā)明的實踐中認識到。本發(fā)明的這些和其它的優(yōu)點可以通過本說明書和權利要求及其附圖所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
為了獲得這些和其它的優(yōu)點并且按照本發(fā)明的目的，如在實施例中詳細描述的和這里廣泛描述的，提供了一種彩色陰極射線管的電子槍。這種電子槍包括發(fā)射電子束的陰極；從陰極射線管的陰極向著熒光屏方向排列的眾多電極；及屏蔽杯，其中該屏蔽杯進一步包括中央電子束通孔；兩個外側電子束通孔，其中中央電子束通孔和外側電子束通孔基本上是沿著一水平軸在同一直線上；及第一、第二、第三、和第四磁鐵塊；其中第一和第二磁鐵塊是與第一外側電子束通孔相鄰接并且在水平軸的對面；及其中第三和第四磁鐵塊是與第二外側電子束通孔相鄰接并且在水平軸的對面。
本發(fā)明另一方面提供了一種彩色陰極射線管的電子槍。這種電子槍包括發(fā)射電子束的陰極；從陰極射線管的陰極向著熒光屏方向排列的眾多電極；及屏蔽杯，其中該屏蔽杯進一步包括中央電子束通孔；第一和第二外側電子束通孔其中中央電子束通孔和外側電子束通孔基本上沿著水平軸在同一直線上；及第一和第二磁鐵塊；其中第一和第二磁鐵塊在水平軸的對面并且伸出以致第一和第二電子束通孔的一部分在第一和第二磁鐵塊之間?？梢哉J為前面的綜述與后面的詳述是具有代表性與說明性的，并且是對權利要求所要求的本發(fā)明提供進一步說明。


這些附圖提供對本發(fā)明的進一步理解并且與本發(fā)明說明書、實施例合為一體構成了說明書的一部分，并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1表示根據(jù)現(xiàn)有技術的彩色陰極射線管的結構；圖2表示根據(jù)現(xiàn)有技術的電子槍的結構；圖3表示現(xiàn)有技術的自會聚磁場；
圖4表示現(xiàn)有技術的由一偏轉系統(tǒng)產生的磁場的磁通密度的變化；圖5表示現(xiàn)有技術的枕形水平偏轉磁場；圖6表示現(xiàn)有技術的在電子槍屏蔽杯中由偏轉系統(tǒng)引起的枕形磁場及施加到電子束上的力；圖7a、7b和7c表示現(xiàn)有技術的在成直線排列的R，G和B電子束兩邊緣的R和B電子束橫截面變形；圖8表示本發(fā)明的第一個實施例；圖9表示在本發(fā)明的第一個實施例中的磁場的變化；圖10表示本發(fā)明的第二個實施例；圖11表示在本發(fā)明的第二個實施例中的磁場的變化；圖12表示本發(fā)明的第三個實施例；圖13表示在本發(fā)明的第三個實施例中的磁場的變化；圖14表示本發(fā)明的第四個實施例；圖15表示在本發(fā)明的第四個實施例中沿著外圍的電子束偏轉失真受到補償；圖16表示本發(fā)明的第五個實施例；圖17表示在本發(fā)明的第五個實施例中沿著外圍的電子束偏轉失真受到補償；及圖18表示根據(jù)本發(fā)明的屏蔽杯和條形磁鐵塊。
具體實施例方式
下面參考本發(fā)明的實施例進行詳細描述，其范例在附圖中進行說明。可能時，全部附圖中使用的同一參考標號代表同一或相似部件。
圖8所示為本發(fā)明的第一個實施例。根據(jù)本發(fā)明的直線型彩色陰極射線管的電子槍包括發(fā)射電子束的陰極，從陰極向著熒光屏方向逐次排列的眾多電極；及屏蔽杯，其中被放置在屏蔽杯外側電子束通孔上面與下面的成對磁鐵塊與眾多電極中至少之一之間的垂直最靠近的位置位于中央電子束通孔的中心與外側電子束通孔中心之間。
更詳細地講，磁鐵塊24a、24b、24c和24d對稱安裝在形成在屏蔽杯87表面上的三電子束通孔87a、87b和87c之中的外側電子束通孔87a和87c的上下。這里，左右或稱水平方向被定義為連接三電子柬通孔87a、87b和87c的中心的直線方向。上下或稱垂直方向是與左右或水平方向正交的方向。有第一末端的磁鐵塊可以彼此互相靠近安置在接近中央電子束通孔87b區(qū)域的垂直方向上。磁鐵塊的第二末端被相對垂直地放置，在垂直方向上彼此互相遠離，第二末端與第一末端相對并且離中央電子束通孔87b比第一末端更遠。磁鐵塊24a、24b、24c和24d的第一末端可定位在更靠近外側電子束通孔87a和87c的中心而不是中央電子束通孔87b的中心。
磁鐵塊24a、24b、24c和24d可以具有基本上是矩形的形狀并且可以相對于水平方向傾斜18到57度。使磁鐵塊24a、24b、24c和24d傾斜使得形成桶形磁場除去了霾現(xiàn)象。此外，當磁鐵塊24a、24b、24c和24d具有基本上是矩形的形狀并且相對于水平方向傾斜20到23度時，除去了霾現(xiàn)象并且克服了會聚問題。理想的是使磁鐵塊24a、24b、24c和24d伸出到外側電子束通孔并超過外側電子束通孔的中心。
總而言之，由于主透鏡的靜態(tài)會聚，當外側電子束通過屏蔽杯87時，被從外側電子束通孔中心朝向中央電子束通孔偏移，因此，當通過屏蔽杯87時，外側電子束通孔的中心即為外側電子束的中心偏移。
圖8示出了中央電子束通孔87b的中心與外側電子束通孔87a和87c的中心之間的距離l，和中央電子束通孔87b與磁鐵塊24a、24b、24c和24d的第一末端之間的距離l′。理想的是使l′l滿足0.5≤l′l≤1.0.]]>當l′/l小于0.5時，磁鐵塊24a、24b、24c和24d的作用很小以致于不能修正霾現(xiàn)象。并且當l′/l大于1.0時，同時電子束被偏轉到右邊，因為磁鐵塊之間的磁場與枕形磁場排成直線，紅色電子束的會聚在垂直方向上增強了且藍色電子束的發(fā)散在垂直方向上增強了引起更大的霾現(xiàn)象。
圖9表示本發(fā)明的第一實施例中的磁場的變化。常規(guī)的磁性材料的比導磁率為1000或者更高。非磁性材料和真空的比導磁率分別為1到2和1。所以，幾乎所有的磁通量在磁性材料中流動。在本發(fā)明中當比導磁率被設為5或者更高時，能獲得期望的修正效果。
參照圖9，在外側電子束通孔87a和87c的上下流動的磁通量被位于在外側電子束通孔87a和87c上面和下面的磁鐵塊24a、24b、24c和24d拉回并流過磁鐵塊24a、24b、24c和24d。磁鐵塊外部的磁通量從具有最小磁阻的路徑上流過，也即，最靠近磁鐵塊的路徑。因此，枕形磁場很少存在于外側電子束通孔87a和87c之中。最靠近中央電子束通孔87b的外部電子束通孔87a和87c的電子束路徑內的磁鐵塊產生桶形磁通量。此外，磁鐵塊伸出到外側電子束通孔87a和87c并且超過了外側電子束通孔87a和87c的中心。磁鐵塊相對水平軸是傾斜的并且相對由偏轉系統(tǒng)產生的磁通量有一個規(guī)定的角度，所以最靠近上部磁鐵塊和下部磁鐵塊產生了高密度的磁通量。
在圖6中，受枕形水平偏轉磁場影響的紅色電子束被偏轉到熒光屏右邊時，被過分會聚。受枕形水平偏轉磁場影響的藍色電子束被偏轉到熒光屏右邊時，沒有被充分會聚。但是，在圖9中所示的桶形水平偏轉磁場彌補了這些影響。
正如上面所描述的，經(jīng)過外側電子束通孔87a和87c的磁通路徑被改變去抑制在外側電子束通孔87a和87c內的枕形磁通量，并且使用由磁鐵塊會聚的磁通量在外側電子束通孔87a和87c內產生強大的桶形磁通。結果是，偏轉象差可以被修正。
圖10表示本發(fā)明的第二個實施例。磁鐵塊25a、25b、25c和25d呈L形，具有與水平軸平行并與之相距一規(guī)定距離的第一腿。磁鐵塊的第二腿向著水平軸的方向伸出并且最接近中央電子束通孔，如圖10所示。磁鐵塊的第一腿可以伸出到超過外側電子束通孔87a和87c的中心。
參照圖11，在相鄰的磁鐵塊25a-25b和25c-25d的第二腿之間產生桶形磁場。因為磁鐵塊25的第一腿伸出至超過外部電子束通孔87a和87c的中心，所以在外部電子束通孔87a和87c的枕形磁場被抑制。
圖12表示本發(fā)明的第三個實施例。磁鐵塊26a、26b、26c和26d呈L形，具有相對于水平軸傾斜18-57度的第一腿。磁鐵塊的第二腿向著遠離外側電子束通孔87a和87c的方向伸出。磁鐵塊可以傾斜使得形成桶形磁場以除去霾現(xiàn)象并克服會聚問題。此外，理想的是，使磁鐵塊26伸出至超過外部電子束通孔87a和87c的中心。
如圖13所示，在上面的磁鐵塊26a、26c和下面的磁鐵塊26b、26d之間產生桶形磁場。桶形磁場從磁鐵塊26第一腿與第二腿交叉的地方發(fā)出。磁鐵塊的第一腿抑制外部電子束通孔87a和87c的枕形磁場。因此，阻止了當紅色電子束被偏轉到熒光屏右邊時產生的過分會聚。阻止了當藍色電子束被偏轉到熒光屏右邊時產生的會聚不充分。阻止了當紅色電子束被偏轉到熒光屏左邊時產生的會聚不充分。阻止了當藍色電子束被偏轉到熒光屏左邊時產生的過分會聚。圖14表示本發(fā)明的第四個實施例，其中條形磁鐵塊27a和27b形成在屏蔽杯87上。三電子束通孔87a、87b和87c成直線排列。條形磁鐵塊27a和27b設置在電子束通孔87的上面和下面。
條形磁鐵塊27a和27b可以是4到11毫米寬(w)，1到5毫米高(h)和0.1到3.0毫米厚(t)，并且條形磁鐵塊27a和27b的中心可以定位在電子束通孔87的中心線上方和下方距離為l＝2.5到4.5毫米的地方。此外，條形磁鐵塊27a和27b的末端可以延伸超過或不超過外側電子束通孔87a和87c的中心線。條形磁鐵塊27a和27b的末端可呈圓形使得補償磁場主要影響R和B電子束。
在上述結構的電子槍中和具有這樣電子槍的彩色陰極射線管中，如果規(guī)定電壓施加到陰極射線管和電子槍上，從陰極發(fā)射的三電子束，即R、G、和B電子束，經(jīng)過電子槍電極之間的透鏡，并且電子束被會聚和加速然后被偏轉系統(tǒng)偏轉去掃描熒光屏上的電子束。為了偏轉從電子槍發(fā)射的電子束，由偏轉系統(tǒng)產生的偏轉磁場包括在垂直方向上偏轉電子束的桶形磁場及在水平方向上偏轉電子束的枕形磁場，如圖3所示。因為條形磁鐵塊27a和27b附著在屏蔽杯87上，在水平方向上偏轉R和B電子束的枕形磁場被轉變?yōu)橥靶未艌鲆匝a償電子束的失真。
換句話說，如上述圖7所示的，從枕形磁場，即水平偏轉磁場，通過的R電子束和B電子束，分別受到會聚力和發(fā)散力而發(fā)生失真。條形磁鐵塊27a和27b安裝在R電子束通孔87c和B電子束通孔87a的上面和下面并且產生桶形水平偏轉磁場，其在與枕形磁場方向相對的方向上給B電子束和R電子束分別施加發(fā)散力和會聚力。所以，電子束的失真得到了補償。
此外，如圖7所示，因為偏轉磁場使得電子束失真并且外側電子束的左聚焦電壓變得與另一外側電子束的右聚焦電壓不同，因此為了在熒光屏的外圍最好地動態(tài)聚焦三電子束，動態(tài)聚焦電壓施加到三電子槍的每一個上面。但是，直線型電子槍的結構中三電子束通孔87a、87b和87c形成于一個電極，因為三電子束被同時偏轉，所以在如圖7所示自會聚偏轉磁場中R和B電子束的聚焦惡化。然而如圖15中所示因為使用條形磁鐵塊27a和27b的彗形修正單元補償周圍電子束的偏轉失真，左聚焦電壓和右聚焦電壓的差別可以減少。
圖16表示本發(fā)明的第五個實施例，其中條形磁鐵塊27安裝在電極上。換句話說，R、G和B電子束通孔31a、31b和31c放置在被選擇的陰極31上并且成直線排列。條形磁鐵塊27排列在電子束通孔31a、31b和31c的上面和下面。條形磁鐵塊27的寬度(w)可以是使條形磁鐵塊27伸出到或超過外側電子束通孔31a和31c。
條形磁鐵塊27可以是4到11毫米寬(w)，1到5毫米高(h)和0.1到3.0毫米厚(t)，并且條形磁鐵塊27a和27b的中心可以定位在電子束通孔87的中心線上方和下方距離為l＝2.5到4.5毫米的地方。此外，條形磁鐵塊27a和27b的末端可以延伸超過或不超過外側電子束通孔31a和31c的中心線。條形磁鐵塊27a和27b的末端可呈圓形使得補償磁場主要影響R和B電子束。
在如上述結構的電子槍及包含電子槍的彩色陰極射線管中，如果規(guī)定的電壓施加到陰極射線管和電子槍上，從陰極中發(fā)射的三電子束，即R、G和B電子束，經(jīng)過電子槍電極之間的透鏡，并且經(jīng)會聚和加速后的電子束被偏轉系統(tǒng)偏轉去掃描熒光屏上的電子束。為了偏轉從電子槍中發(fā)射的電子束，由偏轉系統(tǒng)產生的偏轉磁場包括在垂直方向上偏轉電子束的桶形磁場和在水平方向上偏轉電子束的枕形磁場，如圖3所示。因為條形磁鐵塊27a和27b附著到電極31上，如圖17中所示在水平方向上偏轉R和B電子束的枕形磁場轉變?yōu)橥靶未艌鲆匝a償電子束失真。
此外，如圖7所示，因為偏轉磁場使得電子束失真并且外側電子束的左聚焦電壓變得與另一外側電子束的右聚焦電壓不同，因此為了在熒光屏的外圍最好地動態(tài)聚焦三電子束，動態(tài)聚焦電壓施加到三電子槍的每一個上面。但是，直線型電子槍的結構中三電子束通孔31a、31b和31c形成于一個電極，因為三電子束被同時偏轉，所以在如圖7所示自會聚偏轉磁場中R和B電子束的聚焦惡化。然而如圖15中所示因為使用條形磁鐵塊27a和27b的彗形修正單元補償周圍電子束的偏轉失真，左聚焦電壓和右聚焦電壓的差別可以減少。
上述的電子槍條形磁鐵塊的作用可以借由下述的實驗來理解。
設計條形磁鐵塊找到通過改變它們的尺寸(寬度w，高度h和厚度t)和位置來使它們的磁通的作用最大化的最佳尺寸和位置是可能的。
這個實驗，在厚0.25毫米且高2.0毫米的磁鐵塊中使用了含有47％到51％重量比鎳的鎳合金。這個實驗通過變動磁鐵塊的位置和寬度來完成。
重復實驗結果顯示R和B電子束的動態(tài)聚焦電壓之間的不平衡在距離R、G和B的中央電子束通孔87a、87b和87c為3.1毫米的位置并且寬度為8.0毫米時最小。
圖18表示屏蔽杯87和基于上述實驗結果構成的條形磁鐵塊27a和27b。表1和表2表示實驗數(shù)據(jù)的例子。
表1

表2

表1表示改進以前的實驗結果和數(shù)據(jù)。表2表示對包括條形磁鐵塊作為象差修正單元的電子槍進行改進后的實驗數(shù)據(jù)。改進前(表1)外圍R和B電子束的動態(tài)聚焦電壓最大值是107V，而改進后(表2)外圍R和B電子束的動態(tài)聚焦電壓最大值是67V。對于聚焦特性來說改進了40％。
本發(fā)明的電子槍阻止了由自會聚偏轉磁場引起的紅色電子束和藍色電子束在熒光屏左邊和右邊的霾現(xiàn)象。
本發(fā)明的電子槍改進了分辨率，因為三電子束以相同的強度會聚到整個熒光屏上。
本發(fā)明的電子槍通過在電子槍的屏蔽杯或其它電極上附著磁鐵塊來使得對周邊R和B電子束的動態(tài)聚焦電壓的不均衡改進了大約40％。
很顯然對本領域的技術人員來說對本發(fā)明可以做出多種修改和變化。因此，本發(fā)明的意圖是，只要這些修改和變化落在所附權利要求和它們的等同物的范圍內，那么本發(fā)明包括這些修改和變化。
權利要求
1.一種彩色陰極射線管用電子槍，包括發(fā)射電子束的陰極；從陰極射線管的陰極向著熒光屏方向排列的眾多電極；及屏蔽杯，其中該屏蔽杯進一步包括中央電子束通孔；兩個外側電子束通孔，其中中央電子束通孔和外側電子束通孔基本上是沿著一水平軸在同一直線上；及第一、第二、第三、和第四磁鐵塊；其中第一和第二磁鐵塊是與第一外側電子束通孔相鄰接并且在水平軸的對面；及其中第三和第四磁鐵塊是與第二外側電子束通孔相鄰接并且在水平軸的對面。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊具有第一和第二末端，其中第一末端相對于第二末端更靠近中央電子束通孔，并且其中第一末端相對于第二末端更靠近水平軸。
3.根據(jù)權利要求2所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊基本上是矩形的。
4.根據(jù)權利要求2所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊是L形并且該磁鐵塊具有位于磁鐵塊第一末端與第二末端之間的第一腿和在第二末端處附著在第一腿上的第二腿，并且第二腿向著遠離水平軸的方向伸出。
5.根據(jù)權利要求2或4所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊相對于水平軸在18到57度的范圍內傾斜。
6.根據(jù)權利要求2或4所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊相對于水平軸在20到23度的范圍內傾斜。
7.根據(jù)權利要求1或6所述的電子槍，其特征在于第一距離l′被定義為中央電子束通孔的中心與磁鐵塊的第一末端之間沿著水平軸方向的距離；第二距離l被定義為中央電子束通孔的中心與外側電子束通孔中心之間的昱巨離；及其中電子束通孔與磁鐵塊的排列的方式是使l′/l大于或等于0.5，并且小于或等于1.0。
8.根據(jù)權利要求1所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊基本上是具有第一腿和第二腿的L形，其中具有第一和第二末端的第一腿基本上與水平軸平行并且第一末端更靠近中央電子束通孔，其中第二腿附著到第一腿的第一末端并向著水平軸伸出。
9.根據(jù)權利要求8中所述的電子槍，其特征在于第一距離l′被定義為中央電子束通孔的中心與磁鐵塊第一末端之間沿著水平軸方向的距離第二距離l被定義為中央電子束通孔的中心與外側電子束通孔中心之間的距離；及其中電子束通孔與磁鐵塊的排列的方式是使l′/l大于或等于0.5，并且小于或等于1.0。
10.一種彩色陰極射線管用電子槍，包括發(fā)射電子束的陰極；從陰極射線管的陰極向著熒光屏方向排列的眾多電極；及屏蔽杯，其中該屏蔽杯進一步包括中央電子束通孔；第一和第二外側電子束通孔其中中央電子束通孔和外側電子束通孔基本上沿著水平軸在同一直線上；及第一和第二磁鐵塊；其中第一和第二磁鐵塊在水平軸的兩對面并且伸出以致第一和第二電子束通孔的一部分在第一和第二磁鐵塊之間。
11.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于條形磁鐵塊的寬度是在大約4到11毫米的范圍內。
12.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于條形磁鐵塊的高度是在大約1到5毫米的范圍內。
13.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于條形磁鐵塊的厚度是在大約0.1到3.0毫米的范圍內。
14.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于條形磁鐵塊的中心與水平軸的距離大約在2.5到4.5毫米的范圍內。
15.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于條形磁鐵塊的寬度是在大約4到11毫米的范圍內，條形磁鐵塊的高度是在大約1到5毫米的范圍內，條形磁鐵塊的厚度是在大約0.1到3.0毫米的范圍內，并且條形磁鐵塊的中心與水平軸的距離大約在2.5到4.5毫米的范圍內。
16.根據(jù)權利要求10所述的電子槍，其特征在于磁鐵塊具有球形末端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種彩色陰極射線管及電子槍，尤其涉及這樣一種彩色陰極射線管及電子槍，其通過使用構成在電子槍內的磁性材料來使偏轉象差得到有效的改善同時顯示器的分辨率也得到了提高。
文檔編號H01J29/50GK1487557SQ0315008
公開日2004年4月7日 申請日期2003年7月31日 優(yōu)先權日2002年10月2日
發(fā)明者李壽根, 金德洙, 李政根 申請人:Lg飛利浦顯示器(韓國)株式會社