專利名稱：陰極射線管中的防爆屏盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管中的屏盤，特別涉及通過抑制陰極射線管制造期間或之后因使屏盤更平坦致使屏盤上部的集中應(yīng)力增加所引起的爆裂，從而可確保防爆特性的屏盤結(jié)構(gòu)。
陰極射線管是用于在諸如TV接收機(jī)或計(jì)算機(jī)監(jiān)視器等顯示器中顯示圖像的主要器件。

圖1展示現(xiàn)有技術(shù)彩色陰極射線管的局部剖切的側(cè)視圖。
參照圖1，陰極射線管具有固定于陰極射線管正面的屏盤1的內(nèi)表面上且其上涂敷紅、綠和藍(lán)熒光材料的熒光屏2，在屏盤1的背面且熔接到屏盤1上的錐體3，和錐體3的頸部3a內(nèi)的電子槍4。此外，還具有固定到框架7上的蔭罩6，蔭罩6在屏盤1內(nèi)的熒光屏2附近，用于選擇從電子槍4發(fā)射的電子束5的顏色。當(dāng)把固定于框架7上的支撐彈簧8插入固定于屏盤1側(cè)壁上的柱狀銷釘9中時(shí)，可把框架7懸掛在屏盤1的側(cè)壁上。此外，還有通過固定彈簧11固定到框架7一側(cè)的內(nèi)屏蔽10，內(nèi)屏蔽10用于保護(hù)飛向熒光屏2的電子束5免受外部地磁影響。并且，還有在頸部3a外周上且具有多個(gè)磁極的磁鐵13和捆扎在陰極射線管外周上的防爆帶12，磁鐵13用于校正電子束5的行進(jìn)軌道，以使其準(zhǔn)確地轟擊在期望的熒光材料上，防爆帶12用于防止陰極射線管工作期間因外部沖擊引起的陰極射線管的爆裂。下面參照圖2和3說明屏盤1的結(jié)構(gòu)。屏盤1構(gòu)成真空容器的正面，為使電子束平坦地行進(jìn)，真空容器維持陰極射線管的內(nèi)部空間為真空。圖2展示現(xiàn)有技術(shù)屏盤的關(guān)鍵部位的剖面，示出裙部28從有效表面部分20向后彎曲。
參照圖2，具有裙部28的屏盤1有一定的總高度27，相對(duì)于該高度，裙部28被分成由模制匹配線(mold match line)21劃分的包括具有外部曲率半徑的有效表面部分20的上部22，從模制匹配線21到斷開線(break line)23的中間部分24，和從斷開線23到密封邊緣線25的下部26。上部22中有效表面部分20的邊緣通過曲率R和R’，即漸變的(bland)曲率過渡到裙部28，其中外部漸變曲率R’在與垂直線成大約5°的上部角度‘a(chǎn)’處連接到模制匹配線21，中間部分24具有從模制匹配線21到斷開線23與垂直線成大約1.5°的中間部分角度‘b’，下部26與垂直線成大約3°～4°的下部角度‘c’。因現(xiàn)有技術(shù)屏盤的外部彎曲的有效表面部分在有效表面上具有最終獲得的彎曲熒光屏，使熒光屏上的圖像失真并且是可覺察到的，因而有使屏盤的有效表面形成得更平坦，使上部高度的比例增大的趨勢。
同時(shí)，參照圖3，捆扎在屏盤裙部28外部的防爆帶32一般從漸變的曲率R’與裙邊上部22的直線部分的邊界點(diǎn)開始到整個(gè)中間部分24設(shè)置。防爆帶32具有與屏盤裙部28的部分類似的部分，即相對(duì)于屏盤1的模制匹配線21來說，防爆帶32具有設(shè)置在屏盤下部的帶主體部分30、和在屏盤上部22的彎曲部分31。彎曲部分31以與屏盤上部角度‘a(chǎn)’相同的角度彎曲，帶主體部分30與陰極射線管的管軸平行。防爆帶對(duì)屏盤1加壓，以在陰極射線管制造中的排氣期間防止其向外爆裂，減小屏盤上的應(yīng)力，從而使結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。
可是，盡管具有彎曲屏盤表面的現(xiàn)有技術(shù)陰極射線管當(dāng)應(yīng)力集中于其上時(shí)在屏盤有效表面部分的周邊呈現(xiàn)最大張力，但由于其有效表面的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)陰極射線管該厚度的平面陰極射線管呈現(xiàn)集中于相對(duì)較薄的屏盤裙部的拉應(yīng)力，使平面陰極射線管對(duì)于應(yīng)力來說較弱，因而所建議的屏盤形式和防爆帶具有不能滿足實(shí)際防爆要求的問題。
下面詳細(xì)說明該問題。
在屏盤的裙部上捆扎在盤模制匹配線上其內(nèi)周邊長度短于外周邊長度的防爆帶中，對(duì)屏盤施加收縮力，作為反作用力，在防爆帶上產(chǎn)生張力，從而要求把防爆帶更緊地捆扎在裙部上，以利用由防爆帶本身的厚度、寬度和屈服強(qiáng)度決定的張力?？墒牵捎谠谑褂行П砻娓教沟倪^程中屏盤上部所占的比例增加，因而防爆帶上部的彎曲部分的長度增加，從而在防爆帶與屏盤裙部上部之間的間隙增加使緊密接觸困難。即，在屏盤裙部中的屏盤上部增加，使屏盤上部與防爆帶之間的接觸變差，因而使設(shè)計(jì)的防爆裂作用變差。并且，取決于屏盤上部的增加的防爆帶上的張力中心向前面偏移，在防爆帶滑出屏盤時(shí)可引起事故。
因此，本發(fā)明涉及基本上可克服因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷引起的幾個(gè)問題的陰極射線管中的防爆屏盤。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供可增強(qiáng)防爆特性的陰極射線管中的防爆屏盤。
將在隨后的描述中提出本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)說明可部分明了這些特征和優(yōu)點(diǎn)，或通過本發(fā)明的實(shí)施來了解這些特征和優(yōu)點(diǎn)。通過書面描述和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為概要和概括的描述，提供一種陰極射線管中的防爆屏盤，該陰極射線管包括形成在屏盤上的熒光屏的有效表面部分；具有大體平坦外表面的屏盤，該屏盤包括從有效表面部分的周邊開始到屏盤的密封邊緣線的裙部，具有上部、中部、下部，上部和中間部分由模制匹配線劃分；和捆扎在屏盤外周邊用于防止陰極射線管爆裂的防爆帶，其中該屏盤滿足下列條件Rdo/(USDdx1.75)≥35，和0.7≤(MMLHd/OAH)≤0.9，其中Rdo表示屏盤外表面的對(duì)角線方向的曲率半徑，USDd表示屏盤有效表面部分的對(duì)角線方向的長度，MMLHd表示從屏盤的密封邊緣線到模制匹配線的高度，和OAH表示屏盤的總高度。
在本發(fā)明的另一個(gè)方案中，提供一種陰極射線管中的防爆屏盤，該陰極射線管包括形成在屏盤上的熒光屏的有效表面部分；和具有大體平坦外表面的屏盤，該屏盤包括從有效表面部分的周邊開始大致以直角彎曲且通過模制匹配線到達(dá)屏盤的密封邊緣線的裙部；其中屏盤滿足下列條件Rdo/(USDdx1.75)≥35，和0.5≤(MMLHu/CFT)≤3.0，其中Rdo表示屏盤外表面的對(duì)角線方向的曲率半徑，USDd表示屏盤有效表面部分的對(duì)角線方向的長度，MMLHu表示從屏盤外表面的中心到屏盤模制匹配線的高度，和CFT表示屏盤中心的厚度。
應(yīng)該理解，上述概括說明和下面的詳細(xì)描述都是示例和說明性的，試圖對(duì)如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
附圖表示本發(fā)明的實(shí)施例，用于對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的理解，并包含于說明書中和構(gòu)成本說明書的一部分，附圖連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
附圖中圖1展示現(xiàn)有技術(shù)彩色陰極射線管的局部剖切的側(cè)視圖；圖2展示現(xiàn)有技術(shù)彩色陰極射線管中屏盤結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部位的剖面圖；圖3展示現(xiàn)有技術(shù)彩色陰極射線管中屏盤側(cè)壁上的防爆帶的剖面圖4展示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的平面陰極射線管中屏盤結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部位的剖面圖；和圖5展示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的平面陰極射線管中屏盤側(cè)壁上的防爆帶的剖面圖。
現(xiàn)在將詳細(xì)說明其實(shí)例展示于附圖中的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖4展示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的平面陰極射線管中屏盤結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部位的剖面圖。
參照圖4，本發(fā)明的矩形屏盤400包括設(shè)置于屏盤400內(nèi)且其曲率半徑為Rdi的屏盤內(nèi)表面部分404，設(shè)置于屏盤400正面且其曲率半徑為Rdo的屏盤正面部分401，和從正面部分401的端部到密封邊緣線402大體形成為直線的裙部403。在正面部分401形成具有熒光屏的有效表面部分USDd，在高于從有效表面部分USDd的端部畫出的垂直線405與屏盤內(nèi)表面404之間的交點(diǎn)‘q’的位置處形成模制匹配線406。屏盤具有上部407a和中間部分408a，當(dāng)模制匹配線406朝向形成于模制匹配線406上的屏盤正面向上移動(dòng)時(shí)使上部407a的高度較小，當(dāng)屏盤上部407a的高度較小時(shí)在模制匹配線406之下形成其高度較大的中間部分408a。在屏盤的模制匹配線406之下形成的斷開線409構(gòu)成中間部分408a的下部邊界，以及在斷開線409與形成在斷開線409之下的密封邊緣線402之間形成屏盤的下部410a。
同時(shí)，屏盤400在其相對(duì)側(cè)有裙部403，可以按相同方式劃分裙部403。即，可把裙部403分成裙邊上部407b，裙邊上部407b從有效表面部分USDd的端部開始到模制匹配線408，具有與屏盤上部407a的高度相同的尺寸；從裙邊上部407b到斷開線409的裙邊中部408b；和從裙邊中部408b延伸到密封邊緣線402的底部410b。
同時(shí)，要求上述屏盤400滿足如下所示的用于提供最大防爆作用的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)1Rdo/(USDdx1.75)≥35其中，Rdo表示屏盤外表面的曲率半徑，USDd表示其上形成熒光屏的屏盤有效表面部分的對(duì)角線方向的長度。
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)21.32≤(CFT+Zi-Zo)/CFT＜2.0其中，Zi表示從屏盤內(nèi)表面404的中心到點(diǎn)‘q’的高度，Zo表示從屏盤外表面401的中心到點(diǎn)‘p’的高度，CFT表示在屏盤中心的屏盤厚度，‘p’表示在屏盤401外表面上USDd的端點(diǎn)，‘q’表示從點(diǎn)‘p’畫出到達(dá)USDd的垂直線405與屏盤內(nèi)表面404之間的交點(diǎn)。
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)30.5≤(MMLHu/CFT)≤3.0其中，MMLHu表示從屏盤外表面的中心到模制匹配線406的高度，MMLHd表示從密封邊緣線402到模制匹配線406的高度，和OAH表示屏盤的總高度。
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)4MMLHd和OAH具有下列關(guān)系。
0.7≤(MMLHd/OAH)≤0.9同時(shí)，為了在有效表面部分USDd的周邊與裙部403之間光滑過渡，在有效表面部分USDd與裙邊上部407b之間具有曲率半徑OBR411，用直線連接OBR411端部到模制匹配線406的上部407b的側(cè)表面以相對(duì)于陰極射線管管軸的角度θ1朝向屏盤內(nèi)傾斜。
下面參照圖4和5說明本發(fā)明陰極射線管中防爆屏盤的工作。
由于與屏盤的總高度OAH相比屏盤的裙邊上部407b所占比例減少，因而捆扎在裙邊上部407b上的防爆帶的彎曲部分501的高度降低，從而導(dǎo)致裙部403上的應(yīng)力集中到防爆帶500的中間部分502上，當(dāng)對(duì)陰極射線管內(nèi)部空間排氣時(shí)產(chǎn)生向外張力時(shí)，其上張力的工作是有效的。并且，由于裙部403的上部407b上的應(yīng)力與整個(gè)應(yīng)力之比減小，從而對(duì)于相同的防爆帶，其防爆作用增強(qiáng)。
如上所述，本發(fā)明陰極射線管中的防爆屏盤可抑制制造期間或之后屏盤的爆裂，提供具有高防爆性能，同時(shí)當(dāng)裙邊上部的厚度增加時(shí)陰極射線管的成本或重量也不會(huì)增加，或增加防爆帶強(qiáng)度以補(bǔ)償因現(xiàn)有技術(shù)屏盤結(jié)構(gòu)引起的防爆帶效率的降低，解決使屏盤正面部分變平時(shí)因應(yīng)力引起的屏盤強(qiáng)度減弱的問題，從而當(dāng)平面陰極射線管的尺寸變大時(shí)可減少屏盤重量的增加，允許提供較輕的平面陰極射線管，和在因屏盤正面部分變平而使屏盤上部增大時(shí)，可防止防爆帶從屏盤滑落。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可對(duì)本發(fā)明陰極射線管中的防爆屏盤進(jìn)行各種改進(jìn)和變更，而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明將覆蓋落入權(quán)利要求和其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的各種改變和變更。
權(quán)利要求
1．陰極射線管中的防爆屏盤，該陰極射線管包括形成在屏盤上的熒光屏的有效表面部分；具有大體平坦外表面的屏盤，該屏盤包括從有效表面部分的周邊開始到屏盤的密封邊緣線的裙部，具有上部、中間部分和下部，上部和中間部分由模制匹配線劃分；和捆扎在屏盤外周邊的防爆帶，用于防止陰極射線管爆裂，其中該屏盤滿足下列條件Rdo/(USDdx1.75)≥35，和0.7≤(MMLHd/OAH)≤0.9，其中Rdo表示屏盤外表面的對(duì)角線方向的曲率半徑，USDd表示屏盤有效表面部分的對(duì)角線方向的長度，MMLHd表示從屏盤的密封邊緣線到模制匹配線的高度，和OAH表示屏盤的總高度。
2．如權(quán)利要求1所述的防爆屏盤，其中屏盤滿足下列條件1.32≤(CFT+Zi-Zo)/CFT＜2.0其中，Zi表示從屏盤內(nèi)表面的中心到點(diǎn)‘q’的高度，Zo表示從屏盤外表面的中心到點(diǎn)‘p’的高度，CFT表示在屏盤中心的屏盤厚度，‘p’表示在屏盤外表面上USDd的端點(diǎn)，和‘q’表示從點(diǎn)‘p’畫出到達(dá)USDd的垂直線與屏盤內(nèi)表面之間的交點(diǎn)。
3．陰極射線管中的防爆屏盤，該陰極射線管包括形成在屏盤上的熒光屏的有效表面部分；和，具有大體平坦外表面的屏盤，該屏盤包括從有效表面部分的周邊開始按大致直角彎曲然后通過模制匹配線到達(dá)屏盤的密封邊緣線的裙部；其中屏盤滿足下列條件Rdo/(USDdx1.75)≥35，和0.5≤(MMLHu/CFT)≤3.0，其中Rdo表示屏盤外表面的對(duì)角線方向的曲率半徑，USDd表示屏盤有效表面部分的對(duì)角線方向的長度，MMLHu表示從屏盤外表面的中心到屏盤模制匹配線的高度，和CFT表示屏盤中心的厚度。
4．如權(quán)利要求3所述的防爆屏盤，其中屏盤滿足下列條件1.32≤(CFT+Zi-Zo)/CFT≤2.0其中，Zi表示從屏盤內(nèi)表面的中心到點(diǎn)‘q’的高度，Zo表示從屏盤外表面的中心到點(diǎn)‘p’的高度，CFT表示在屏盤中心的屏盤厚度，‘p’表示在屏盤外表面上USDd的端點(diǎn)，‘q’表示從點(diǎn)‘p’畫出到達(dá)USDd的垂直線與屏盤內(nèi)表面之間的交點(diǎn)。
全文摘要
陰極射線管中的防爆屏盤,陰極射線管包括形成在屏盤上的熒光屏的有效表面部分;有大體平坦外表面的屏盤,屏盤包括從有效表面部分的周邊開始到屏盤的密封邊緣線的裙部,有上部、中間部分和下部,上部和中間部分由模制匹配線劃分;捆扎在屏盤外周邊的防爆帶,該屏盤滿足下列條件:Rdo/(USDdx1.75)≥35,0.7≤(MMLHd/OAH)≤0.9,其中Rdo表示屏盤外表面對(duì)角線方向的曲率半徑,USDd表示屏盤有效表面部分對(duì)角線方向的長度,MMLHd表示從屏盤的密封邊緣線到模制匹配線的高度,和OAH表示屏盤的總高度。
文檔編號(hào)H01J29/87GK1323054SQ0111720
公開日2001年11月21日 申請日期2001年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月4日
發(fā)明者李泰薰 申請人:Lg電子株式會(huì)社