專利名稱：電子槍及使用該電子槍的彩色陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及彩色陰極射線管，尤其涉及具有能改善偏轉(zhuǎn)(散焦或像差)或彗差的改進(jìn)的屏蔽杯的電子槍，以及使用該電子槍的彩色陰極射線管。


圖1示出了采用自會(huì)聚偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管，該陰極射線管用于電視機(jī)和監(jiān)視器。如圖1所示，彩色陰極射線管10包括具有熒光屏11的面板12，在熒光屏內(nèi)側(cè)上設(shè)有點(diǎn)或帶狀圖案的紅、綠和藍(lán)熒光材料；錐體13，其包括頸部13a和錐部13b并緊固到面板12上；電子槍20，其容納在錐體13的頸部13a內(nèi)；以及偏轉(zhuǎn)軛15，其貫穿錐體13的錐部13b，用于偏轉(zhuǎn)從電子槍20發(fā)射出來的電子束。
如圖2所示，電子槍20包括三個(gè)排成直線的陰極21，與陰極21隔開預(yù)定距離且具有三個(gè)排成直線的電子束通道的多個(gè)電極22，末級(jí)加速電極23，以及安裝到末級(jí)加速電極23上的屏蔽杯24。
在具有這種結(jié)構(gòu)的彩色陰極射線管10中，電子槍20發(fā)射的三個(gè)電子束經(jīng)偏轉(zhuǎn)軛15被選擇性地偏轉(zhuǎn)并落在熒光屏11上，激發(fā)熒光材料，從而顯示圖象。
在這個(gè)過程中，使電子槍20發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)由枕形水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)HB和桶形垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)VB組成，如圖3所示，使得它能將三束排成直線的光束會(huì)聚到熒光屏11上而沒有動(dòng)態(tài)會(huì)聚。但是，如圖4所示，由偏轉(zhuǎn)軛形成的磁場(chǎng)的磁通密度在水平方向上從中心向邊緣增大，這樣，三個(gè)電子束(R,G和B電子束)中兩端的紅(R)和藍(lán)(B)電子束的橫截面被扭曲。換言之，如圖5所示，R和B電子束受到偏轉(zhuǎn)軛枕形磁場(chǎng)HB帶來的箭頭方向的力的作用，在R和B電子束周圍出現(xiàn)暈圈現(xiàn)象。在R和B電子束中出現(xiàn)的暈圈現(xiàn)象朝熒光屏的邊緣變差，如圖6所示。因此，落在熒光屏邊緣上的電子束量級(jí)改變。電子束的暈圈現(xiàn)象和電子束橫截面的不均勻性降低了通過激發(fā)熒光屏而形成的圖象清晰度。
日本專利公報(bào)No.4-52586、日本專利特開昭No.51-61766、日本專利特開昭No.51-64368和日本專利公報(bào)No.10-116569公開了減少彗差問題的電子槍的例子。
根據(jù)所公開的工藝結(jié)構(gòu)，使三個(gè)電子束的路徑變窄的上下扁平電極布置在直線型電子槍的屏蔽杯的底面上，從而與電子束的直線方向平行且朝主透鏡或熒光屏延伸?；蛘?，將電子槍設(shè)計(jì)成使得靜電四級(jí)透鏡形成在一些電極之間，靜電四級(jí)透鏡的強(qiáng)度隨對(duì)應(yīng)于電子束之偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)信號(hào)而變化，從而實(shí)現(xiàn)整個(gè)屏幕上圖象的均勻性。在另一個(gè)例子中，在形成預(yù)聚焦透鏡的各電極之間的區(qū)域內(nèi)設(shè)置像散透鏡，從而在整個(gè)熒光屏上實(shí)現(xiàn)電子束橫截面的均勻性。在另一個(gè)例子中，使電子槍的第一和第二電極的電子束通道具有不同的寬高比，從而防止落在熒光屏中心和邊緣上的電子束扭曲。
日本專利公報(bào)No.10-116570公開了一種校正電子束偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，其中磁片部分地布置在形成電子槍的電極中，電子槍安裝在陰極射線管的頸部中，磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置布置在頸部的外表面上，從而產(chǎn)生與偏轉(zhuǎn)信號(hào)同步的磁場(chǎng)并激勵(lì)磁片。
美國(guó)專利No.5,912,530公開了一種利用偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)校正偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，其中左右磁片布置在發(fā)射三束成直線的電子束的電子槍的其中一個(gè)電極中，磁片布置在中央電子束和邊緣電子束之間。
美國(guó)專利No.5,818,156公開了一種校正偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，其中將磁性材料附著到偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)內(nèi)屏蔽電極中每個(gè)側(cè)面電子束通道的上、下部分上。
如上所述，當(dāng)與提供給偏轉(zhuǎn)軛的信號(hào)同步地變換電子束通道的形狀或改變電子透鏡的放大率以利用偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)校正電子束的偏轉(zhuǎn)時(shí)，制造電子槍和控制電子束是很難的。此外，當(dāng)將磁片成直線附著到布置在屏蔽杯底面上的每個(gè)電子束通道兩側(cè)并附著在電子束通道之間時(shí)，磁片形狀的復(fù)雜性由于部件形狀造成過度分散并導(dǎo)致難以組裝，從而阻礙生產(chǎn)率的提高。
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種直線型電子槍和使用電子槍的彩色陰極射線管，用于減少由于偏轉(zhuǎn)軛磁場(chǎng)不均勻造成的偏轉(zhuǎn)(散焦或像差)或彗差并減小由于排成直線的側(cè)面電子束偏轉(zhuǎn)造成的壓差，從而改善整個(gè)熒光屏上圖象的清晰度。
因此，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上目的，在第一方面，提供一種用于彩色陰極射線管的電子槍。電子槍包括排成直線的陰極；多個(gè)電極，從陰極開始順序布置且具有使三個(gè)電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，它與多個(gè)電極中的最后一個(gè)電極耦合，并設(shè)有排成直線的電子束通道；以及至少一個(gè)彗差校正部分(coma correction portion)，其布置在屏蔽杯上或多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極上，其布置的方式是使彗差校正部分定位在中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間的上方和下方。
在第二方面中，提供一種用于彩色陰極射線管的電子槍。電子槍包括排成直線的三個(gè)陰極，一個(gè)控制電極，一個(gè)屏幕電極，多個(gè)從屏幕電極開始順序布置并形成輔助透鏡和主透鏡的多個(gè)聚焦電極，末級(jí)加速電極，與末級(jí)加速電極耦合且設(shè)有三個(gè)排成直線的電子束通道的屏蔽杯，以及至少一對(duì)布置在屏蔽杯上或多個(gè)聚焦電極中一個(gè)電極上的彗差校正部分，布置的方式是使磁片的中心定位于形成在控制電極和屏幕電極上的三個(gè)電子束通道中的中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方。
在第三方面中，提供一種用于彩色陰極射線管的電子槍，包括排成直線的三個(gè)陰極；從陰極開始順序布置的一個(gè)控制電極和一個(gè)屏幕電極；從屏幕電極開始順序布置的多個(gè)聚焦電極，與偏轉(zhuǎn)信號(hào)同步向其施加動(dòng)態(tài)聚焦電壓，由此形成四級(jí)透鏡；與聚焦電極相鄰布置并形成主透鏡的末級(jí)加速電極；與末級(jí)加速電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道的屏蔽杯；以及至少一對(duì)布置在屏蔽杯或多個(gè)聚焦電極中的一個(gè)電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于形成在控制電極、屏幕電極和屏蔽杯上的三個(gè)電子束通道中的中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上目的，提供一種彩色陰極射線管，彩色陰極射線管包括外殼，外殼包括內(nèi)側(cè)上具有熒光屏的面板和緊固到面板上的錐體，錐體包括頸部；電子槍，其容納在頸部中并發(fā)射電子束以激發(fā)熒光屏和形成圖象，而電子槍包括排成直線的陰極，多個(gè)電極、其從陰極開始順序排列且具有使三個(gè)電子束通過的電子束通道，屏蔽杯、其與多個(gè)電極中的最后一個(gè)電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道，以及布置在屏蔽杯上或多個(gè)電極中一個(gè)或多個(gè)電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方；以及偏轉(zhuǎn)軛，它貫穿錐體的頸部和錐部布置，偏轉(zhuǎn)軛使從電子槍發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏上的熒光位置。
最好，構(gòu)成彗差校正部分的磁片具有圓盤形或多邊形，磁片的直徑為大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度為大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。最好，通過成對(duì)彗差校正部分形成的磁場(chǎng)分布是相對(duì)于在屏蔽杯或電極上排成直線的電子束通道方向?qū)ΨQ的。
下面通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例使本發(fā)明的以上目的和優(yōu)點(diǎn)變得更為明顯，附圖中圖1是典型彩色陰極射線管的剖視圖；圖2是傳統(tǒng)電子槍的平面圖；圖3是使偏轉(zhuǎn)電子束的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)直觀化的圖；圖4是偏轉(zhuǎn)軛的磁通密度圖；圖5是通過枕形磁場(chǎng)使電子束偏轉(zhuǎn)的狀態(tài)圖；圖6是當(dāng)三個(gè)電子束朝熒光屏邊緣偏轉(zhuǎn)時(shí)的電子束量級(jí)圖；圖7是本發(fā)明彩色陰極射線管的局部剖面透視圖；圖8是本發(fā)明電子槍的透視圖，示出了電壓施加的關(guān)系；圖9A是圖8的屏蔽杯的底視圖；圖9B是圖8的屏蔽杯的透視圖；圖10是本發(fā)明電子槍的電極視圖，磁片處于附著到電極上的狀態(tài)；圖11是偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)和由于屏蔽杯上的磁片引起的磁場(chǎng)的直觀圖；圖12A和12B是電子束偏轉(zhuǎn)和偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)以及磁片之間的關(guān)系圖；圖13和14是磁片位置和HCR之間的關(guān)系曲線以及磁片位置和VCR之間的關(guān)系曲線；圖15是磁片位置和左右偏轉(zhuǎn)電壓之差的曲線；圖16和17是磁片直徑和HCR以及VCR之間的關(guān)系曲線以及磁片直徑和偏轉(zhuǎn)電壓差之間的關(guān)系曲線；圖18和19是磁片厚度和HCR以及VCR之間的關(guān)系曲線以及磁片厚度和左右偏轉(zhuǎn)電壓差之間的關(guān)系曲線；圖20是由于磁片引起的三個(gè)電子束偏轉(zhuǎn)形狀變化的圖；圖21和22是示出磁片應(yīng)用前后三個(gè)電子束的動(dòng)態(tài)聚焦電壓、使電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏左右邊緣所需的電壓的曲線；圖23是曲線圖，示出了三個(gè)電子束的動(dòng)態(tài)聚焦電壓、在安裝了偏轉(zhuǎn)軛之后使電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏左右邊緣所需的電壓，其中偏轉(zhuǎn)形狀相對(duì)于偏轉(zhuǎn)軛進(jìn)行校正。
參考圖7，彩色陰極射線管50包括具有熒光屏51a的面板51，在熒光屏的內(nèi)側(cè)上有點(diǎn)形或帶形圖案的紅、綠和藍(lán)熒光材料；錐體52，包括頸部52a和錐部52b且緊固到面板51上；電子槍60，安裝在頸部52a中以激發(fā)熒光屏51a；以及偏轉(zhuǎn)軛53，它貫穿錐體52的頸部、錐部52a和52b設(shè)置。
如圖8所示，電子槍60包括三極管，三極管包含排成直線作為產(chǎn)生電子束的源的三個(gè)陰極61，從陰極61開始順序布置的控制電極62和屏幕電極63；從屏幕電極63開始順序布置并形成輔助透鏡和主透鏡的第一至第五聚焦電極64、65、66、67和68；與第五聚焦電極68相鄰布置的末級(jí)加速電極69；以及與末級(jí)加速電極69耦合的屏蔽杯70。每個(gè)電極具有使電子束聚焦和加速的獨(dú)立電子束通道或公用大直徑電子束通道。用于通過R、G和B電子束的R、G和B電子束通道71、72和73形成在屏蔽杯70的底面上。彗差校正部分80布置在屏蔽杯70的底面上或第一至第四聚焦電極64至67中的至少一個(gè)電極上，用于減小由于偏轉(zhuǎn)軛的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)引起的電子束的偏轉(zhuǎn)彗差和無彗差磁鐵的彗差。這里，偏轉(zhuǎn)軛的枕形磁場(chǎng)和無彗差磁鐵的磁場(chǎng)通過彗差校正部分80變?yōu)橥靶?barreled)和被削弱，從而令人滿意地校正彗差。
彗差校正部分80布置在屏蔽杯70的底面上或第一至第四聚焦電極其中之一上，使得它位于與從直線排列的陰極61所發(fā)射的三束R、G和B電子束中心之間的空間相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上方和下方。
圖9A和9B示出了設(shè)在屏蔽杯70底面上的彗差校正部分80的實(shí)施例。如圖9A和9B所示，彗差校正部分80作成使圓盤形的磁片81、82、83和84的中心位于直線排列在屏蔽杯70底面上的R、G和B電子束通道71、72和73中心之間空間的上方和下方的部分處(排列方向與R、G和B電子束通道的排列方向垂直)，所述空間即為G電子束通道72中心和R、B電子束通道71、73中心之間的空間。圓盤形磁片81-84的厚度“t”最好大于0.1mm且小于2.0mm。更可取的，厚度“t”為0.4mm。磁片81-84的直徑D大于2mm且小于4mm。更可取的，直徑D為2.5mm。磁片81和82中每個(gè)磁片的中心在朝著G電子束通道72的方向上最好與R電子束通道71的中心隔開0.5-3.0mm，磁片83和84中每個(gè)磁片的中心在朝著G電子束通道72的方向上最好與B電子束通道73的中心隔開0.5-3.0mm。更可取的，磁片81和82的中心與R電子束通道71隔開1.5mm，磁片83和84的中心與B電子束通道73隔開1.5mm。在垂直方向上，即與通道71、72和73的排列方向垂直的方向上，磁片81和82中每個(gè)磁片的中心與R電子束通道71的中心隔開2.5-4.5mm，磁片83和84中每個(gè)磁片的中心與B電子束通道73的中心隔開2.5-4.5mm。更可取的，通道71中央的磁片81和82的中心之間的垂直距離以及通道73中央的磁片83和84的中心之間的垂直距離為3.5mm。磁片81、82、83、和84的位置不限于以上實(shí)施例，而是可以修改成使其中心位于R、B電子束通道中心和G電子束通道中心之間。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，磁片可以布置成其中心位于構(gòu)成三極管的控制電極62及屏幕電極63的中央電子束通道以及控制電極62和屏幕電極63的側(cè)面電子束通道之間的空間的上方和下方。
圖10示出了彗差校正部分設(shè)在聚焦電極入射側(cè)上的結(jié)構(gòu)。如圖10所示，上述磁片81′、82′、83′、和84′附著于直線排列在聚焦電極67入射側(cè)上的三個(gè)電子束通道67R、67G和67B的中心之間的空間的上方和下方。磁片81′、82′、83′、和84′相對(duì)于R和B電子束通道的定位方式與上述相同。
根據(jù)上述實(shí)施例，彗差校正部分設(shè)在屏蔽杯的底面或第四聚焦電極的入射側(cè)上，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。彗差校正部分可以設(shè)在受偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)影響的任何區(qū)域，這樣可以使由于使電子束偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)引起的偏轉(zhuǎn)得到校正。磁片81-84和81′-84′的形狀不限于圓盤，而是可以修改成各種形狀。磁片最好由含30-70％鎳的材料制成。更可取的，使用具有42％或72％鎳成分的磁片。
在具有上述結(jié)構(gòu)的電子槍中，向形成電子槍的各個(gè)電極施加預(yù)定電壓。這將在下面進(jìn)行描述。
向控制電極62施加第一恒定電壓VS1。向屏幕電極63和第二聚焦電極65施加第一聚焦電壓VF1。向第一和第四聚焦電極64和67施加第二聚焦電壓VF2。向第三和第五聚焦電極66和68施加與偏轉(zhuǎn)軛的偏轉(zhuǎn)信號(hào)同步的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD。給電極施加電壓不限于上述實(shí)施例，而是可以使用任何可實(shí)現(xiàn)能形成四級(jí)透鏡的施壓結(jié)構(gòu)的方法。
下面描述本發(fā)明電子槍的操作和使用該電子槍的陰極射線管的操作。
在本發(fā)明的彩色陰極射線管中，一旦為構(gòu)成彩色陰極射線管的那些部件和電子槍提供預(yù)定電勢(shì)，則從陰極發(fā)射的三個(gè)電子束就通過在構(gòu)成電子槍的各電極中形成的電子透鏡被聚焦和加速，并根據(jù)熒光屏上電子束的掃描位置經(jīng)偏轉(zhuǎn)軛被偏轉(zhuǎn)，使得電子束落在熒光屏上。
在這個(gè)過程中，作為由偏轉(zhuǎn)軛所形成的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，其中偏轉(zhuǎn)軛用于使電子槍發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)，形成了在垂直方向上偏轉(zhuǎn)R、G和B電子束的桶形磁場(chǎng)VB以及在水平方向上偏轉(zhuǎn)R、G和B電子束的枕形磁場(chǎng)HB，如圖11所示。由于磁片81-84附著在屏蔽杯70的底面上，從而使偏轉(zhuǎn)側(cè)面R和B電子束的枕形磁場(chǎng)HB變?yōu)橥靶蔚?，且使桶形偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)VB變?yōu)檎硇蔚模瑥亩Ｕ娮邮呐で?br> 如圖12A所示，穿過作為水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的枕形磁場(chǎng)的B和R電子束分別受聚焦能量和發(fā)散能量作用，由此扭曲。由于磁片81、82、83、和84布置在R和B電子束通道的上方和下方，在R和B電子束通道的上方形成桶形水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，這樣如圖12B所示，在與枕形磁場(chǎng)相反的方向上分別為B和R電子束提供發(fā)散能量和聚焦能量，從而校正電子束的扭曲。
由于電子束因偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)而扭曲，因此需要用不同的聚焦電壓使電子束偏轉(zhuǎn)到屏幕上的左右邊緣，圖21所示的不同的動(dòng)態(tài)聚焦電壓應(yīng)分別提供給各個(gè)電子束，以實(shí)現(xiàn)三個(gè)電子束在屏幕邊緣上的最佳聚焦。但是，在單個(gè)電極上形成R、G和B電子束通道的直線型電子槍中，與偏轉(zhuǎn)信號(hào)同步的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD被同時(shí)施加到三束R、G和B電子束上，這樣如圖3所示通過偏轉(zhuǎn)軛在自會(huì)聚的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用下使R和B電子束的聚焦降級(jí)，如圖6所示。彗差校正部分校正側(cè)面電子束的偏轉(zhuǎn)散焦，這樣能減小使電子束偏轉(zhuǎn)到左右邊緣所需的動(dòng)態(tài)聚焦電壓之差，如圖22所示。因此，能減弱在施加單個(gè)動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD時(shí)出現(xiàn)的屏幕邊緣上側(cè)面電子束的聚焦降級(jí)。
在由自會(huì)聚偏轉(zhuǎn)軛形成的磁場(chǎng)不均勻分布的情況下，彗差校正部分造成屏幕邊緣上三個(gè)電子束之間的光柵形狀變化，如圖20所示，這導(dǎo)致偏轉(zhuǎn)軛的磁場(chǎng)分布變化。因此，如圖23所示，可以進(jìn)一步減小左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓差。
通過以下測(cè)試可以更清楚地理解上述電子槍中磁片的作用。
測(cè)試中觀察到，電子束的著屏狀態(tài)取決于磁片的位置，排成直線的側(cè)面電子束的偏轉(zhuǎn)電壓取決于磁片的位置，排成直線的側(cè)面電子束的偏轉(zhuǎn)電壓取決于磁片的直徑，電子束的著屏狀態(tài)取決于磁片的厚度，側(cè)面電子束的偏轉(zhuǎn)電壓取決于磁片的厚度。
測(cè)試?yán)?在該測(cè)試中，假設(shè)在朝著G電子束通道72的方向上，從R和B電子束通道71和73中任一個(gè)通道中心到每個(gè)圓盤磁片81-84中心的距離用X表示，在垂直方向上，從R和B電子束通道71和73中任一個(gè)通道中心到每個(gè)磁片81-84中心的距離用Y表示，所述垂直方向即與電子束的直線排列方向垂直的方向。這里，得到表1和2以及圖13和14。
表1 表1和圖13示出了沿水平方向在熒光屏側(cè)面(在3點(diǎn)鐘方向和9點(diǎn)鐘方向上)上，R、B電子束中心和G電子束中心之間的距離HCR。
表2 表2和圖14示出了沿垂直方向在熒光屏的側(cè)面(在12點(diǎn)鐘方向和6點(diǎn)鐘方向上)上，R、B電子束中心和G電子束中心之間的距離VCR。
從表1和2以及圖13和14可見，當(dāng)Y為3.5和X為1.5時(shí)，HCR值具有拐點(diǎn)。在拐點(diǎn)處，可以很容易地校正電子束所形成的光柵圖案。
測(cè)試?yán)?在該測(cè)試中，假設(shè)在朝著G電子束通道72的方向上，從R和B電子束通道71和73中任一個(gè)通道的中心到每個(gè)圓盤磁片81-84中心的距離用X表示，在垂直方向上，從R和B電子束通道71和73中任一個(gè)通道的中心到每個(gè)磁片81-84中心的距離用Y表示，所述垂直方向即與電子束的直線排列方向垂直的方向。這里，表3示出了所得到的當(dāng)電子束偏轉(zhuǎn)到左右邊緣時(shí)用于實(shí)現(xiàn)最佳聚焦的左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD的電壓差。
表3
從表3和圖15可見，當(dāng)Y為3.5且X為1.5時(shí)，當(dāng)電子束偏轉(zhuǎn)到左右時(shí)用于實(shí)現(xiàn)最佳聚焦的左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD的電壓差最小。
測(cè)試?yán)?在該測(cè)試中，觀察圓盤磁片直徑和HCR及VCR之間的關(guān)系以及磁片直徑和實(shí)現(xiàn)最佳聚焦的左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差之間的關(guān)系，得到表4和圖16、17。
表4
表4和圖16示出了在同一位置上HCR和VCR的變化取決于磁片直徑的變化。
表5
從表5和圖17可見，當(dāng)磁片直徑為2.5mm或更大時(shí)，電壓差快速減小。
測(cè)試?yán)?在該測(cè)試中，觀察圓盤磁片厚度和HCR及VCR之間的關(guān)系以及磁片直徑和左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差之間的關(guān)系，得到表6和圖18。
表6
如表6和圖18、19所示，隨著磁片厚度增大，HCR和VCR的變化增大，左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD差值減小。
測(cè)試?yán)?對(duì)于常規(guī)特性來說，當(dāng)三個(gè)電子束的光柵由于彗差校正部分而被改變時(shí)，由于彗差校正部分的作用和通過改變偏轉(zhuǎn)軛的磁場(chǎng)分布來校正會(huì)聚時(shí)所獲得的效果，比較左右動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD差值，得到表7、8和9以及圖21、22和23。
表7
表8
表9
表7和8以及圖21和22示出了應(yīng)用彗差校正部分之前和之后偏轉(zhuǎn)到屏幕上左右邊緣所需的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差的變化。從表7和8以及圖21和22可見，在電子束偏轉(zhuǎn)到左右邊緣時(shí)施加給電子束的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差被減小，使得可以用單個(gè)動(dòng)態(tài)聚焦電壓減弱在屏幕邊緣上側(cè)面電子束的散焦。此外，從表9和圖23可見，當(dāng)電子束被偏轉(zhuǎn)時(shí)，由于偏轉(zhuǎn)軛所形成的磁場(chǎng)的變化，進(jìn)一步減小了偏轉(zhuǎn)到屏幕左右邊緣所需的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差。
測(cè)試?yán)?在該測(cè)試中，觀察HCR、VCR和偏轉(zhuǎn)到屏幕上左右邊緣所需的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差，它們的變化取決于彗差校正部分的材料，得到表10。
表10
從表10可見，彗差校正部分的磁性較強(qiáng)時(shí)，HCR和VCR的變化增大，偏轉(zhuǎn)到屏幕上左右邊緣所需的動(dòng)態(tài)聚焦電壓VFD之差減小。
從上述測(cè)試可見，在本發(fā)明的電子槍和使用該電子槍的彩色陰極射線管中，通過將磁片附著到屏蔽杯的底面上能減小由于電子束偏轉(zhuǎn)到屏幕左右邊緣引起的偏轉(zhuǎn)彗差。所以，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在垂直方向上，電子束的直徑能減小23％或更多，由于電子束偏轉(zhuǎn)到屏幕左右邊緣所引起的電壓差能減小60％或更多。
雖然已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是，應(yīng)當(dāng)知道，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不背離本發(fā)明的精神的條件下進(jìn)行修改和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書限定。本文和附圖所述內(nèi)容是解釋性的而非限制性的。
權(quán)利要求
1．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括排成直線的陰極；多個(gè)電極，其從陰極開始順序布置且具有使三個(gè)電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，其與多個(gè)電極中的最后一個(gè)電極耦合，并設(shè)有排成直線的電子束通道；以及彗差校正部分，其布置在屏蔽杯上或多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極上，布置的方式是使彗差校正部分定位在中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間的上方和下方。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個(gè)附著到屏蔽杯底面上的磁片。
3．根據(jù)權(quán)利要求2的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
4．根據(jù)權(quán)利要求2的電子槍，其特征在于，在朝著中央電子束通道的方向上，每個(gè)磁片的中心與排成直線的三個(gè)電子束通道中任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在與三個(gè)電子束通道排列方向垂直的方向上，每個(gè)磁片的中心與任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的電子槍，其特征在于，構(gòu)成彗差校正部分的磁片由具有30-75％鎳成分的材料制成。
6．根據(jù)權(quán)利要求1的電子槍，其特征在于，構(gòu)成彗差校正部分的磁片由具有42或72％鎳成分的材料制成。
7．根據(jù)權(quán)利要求1的電子槍，其特征在于，通過彗差校正部分形成的磁場(chǎng)分布是相對(duì)于于屏蔽杯或電極上電子束通道的直線排列方向?qū)ΨQ的。
8．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括排成直線的三個(gè)陰極，一個(gè)控制電極，一個(gè)屏幕電極，多個(gè)從屏幕電極開始順序布置并形成輔助透鏡和主透鏡的聚焦電極，末級(jí)加速電極，與末級(jí)加速電極耦合且設(shè)有三個(gè)排成直線的電子束通道的屏蔽杯，以及包含至少一對(duì)布置在屏蔽杯上或多個(gè)聚焦電極中一個(gè)電極上的磁片的彗差校正部分，布置的方式是使磁片的中心定位于形成在控制電極和屏幕電極上的三個(gè)電子束通道中的中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方。
9．根據(jù)權(quán)利要求8的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個(gè)附著到屏蔽杯底面上的磁片。
10．根據(jù)權(quán)利要求9的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
11．根據(jù)權(quán)利要求9的電子槍，其特征在于，在朝著中央電子束通道的方向上，每個(gè)磁片的中心與排成直線的三個(gè)電子束通道中任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在與三個(gè)電子束通道排列方向垂直的方向上，每個(gè)磁片的中心與任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
12．根據(jù)權(quán)利要求8的電子槍，其特征在于，構(gòu)成彗差校正部分的磁片由具有30-75％鎳成分的材料制成。
13．根據(jù)權(quán)利要求8的電子槍，其特征在于，通過彗差校正部分形成的磁場(chǎng)分布是相對(duì)于屏蔽杯或電極上電子束通道的直線排列方向?qū)ΨQ的。
14．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括排成直線的三個(gè)陰極；從陰極開始順序布置的控制電極和屏幕電極；從屏幕電極開始順序布置的多個(gè)聚焦電極，與偏轉(zhuǎn)信號(hào)同步向其施加動(dòng)態(tài)聚焦電壓，由此形成四級(jí)透鏡；與聚焦電極相鄰布置并形成主透鏡的末級(jí)加速電極；與末級(jí)加速電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道的屏蔽杯；以及至少一對(duì)布置在屏蔽杯或多個(gè)聚焦電極中的一個(gè)電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于形成在控制電極、屏幕電極和屏蔽杯上的三個(gè)電子束通道中的中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方。
15．根據(jù)權(quán)利要求14的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個(gè)附著到屏蔽杯底面上的磁片。
16．根據(jù)權(quán)利要求15的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
17．根據(jù)權(quán)利要求14的電子槍，其特征在于，在朝著中央電子束通道的方向上，每個(gè)磁片的中心與排成直線的三個(gè)電子束通道中任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在與三個(gè)電子束通道排列方向垂直的方向上，每個(gè)磁片的中心與任一個(gè)側(cè)面電子束通道的中心隔開大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
18．根據(jù)權(quán)利要求14的電子槍，其特征在于，通過彗差校正部分形成的磁場(chǎng)分布是相對(duì)于屏蔽杯或電極上電子束通道的直線排列方向?qū)ΨQ的。
19．一種彩色陰極射線管，包括外殼，包括其內(nèi)側(cè)上具有熒光屏的面板和緊固到面板上的錐體，錐體包括頸部；電子槍，其容納在頸部中并發(fā)射電子束以激發(fā)熒光屏并形成圖象，電子槍包括排成直線的陰極；多個(gè)電極，其從陰極開始順序排列且具有使三個(gè)電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，其與多個(gè)電極中的最后一個(gè)電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道；以及布置在屏蔽杯或多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方；以及偏轉(zhuǎn)軛，其貫穿錐體的頸部和錐部布置，偏轉(zhuǎn)軛使從電子槍發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏上的熒光位置。
20．一種彩色陰極射線管，包括外殼，包括其內(nèi)側(cè)上具有熒光屏的面板和緊固到面板上的錐體，錐體包括頸部；電子槍，其容納在頸部中并發(fā)射電子束以激發(fā)熒光屏并形成圖象，電子槍包括排成直線的陰極；多個(gè)電極，其從陰極開始順序排列且具有使三個(gè)電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，其與多個(gè)電極中的最后一個(gè)電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道；以及布置在屏蔽杯或多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方；以及偏轉(zhuǎn)軛，其貫穿錐體的頸部和錐部布置，偏轉(zhuǎn)軛使從電子槍發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏上的熒光位置并使枕形磁場(chǎng)變成桶形以允許通過磁片校正彗差；以及無彗差的磁鐵，其磁場(chǎng)與偏轉(zhuǎn)軛同步被減弱。
全文摘要
一種彩色陰極射線管,包括具有面板和錐體的外殼,容納在錐體頸部中的電子槍及貫穿錐體頸部和錐部布置的偏轉(zhuǎn)軛,電子槍包括:排成直線的陰極,從陰極開始順序排列且具有使三個(gè)電子束通道的多個(gè)電極,與多個(gè)電極中最后一個(gè)電極耦合并設(shè)有排成直線的三個(gè)電子束通道的屏蔽杯,及布置在屏蔽杯或多個(gè)電極中一個(gè)或多個(gè)電極上的磁片,使磁片位于中央電子束通道中心和側(cè)面電子束通道中心之間的空間上方和下方;偏轉(zhuǎn)軛使電子束偏轉(zhuǎn)到熒光屏上熒光位置。
文檔編號(hào)H01J29/70GK1313627SQ01104729
公開日2001年9月19日 申請(qǐng)日期2001年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月14日
發(fā)明者權(quán)容杰, 尹榮晙, 金德鎬, 李良濟(jì), 尹光珍 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社