專利名稱：陰極射線管的支承框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管的支承框架，更具體地說，涉及這樣一種支承框架，它能防止在支承框架成形過程中損壞支承框架周邊的角部。
如

圖1所示，通常的陰極射線管包括作為前窗口組件的面板101；作為后表面窗口組件的與面板101聯(lián)結(jié)的錐體102；安裝在錐體102頸部?jī)?nèi)的用于發(fā)射電子的電子槍(未示出)；被電子槍發(fā)射的電子束106所照射的熒光屏104；用于從熒光屏104挑選入射電子束的蔭罩103；用于支承蔭罩103的支承框架107；將支承框架107聯(lián)結(jié)到面板101的彈簧108；以及安裝在支承框架107上的內(nèi)屏蔽罩109，該屏蔽罩用來(lái)執(zhí)行屏蔽外地球磁場(chǎng)的功能以便減少來(lái)自外面地球磁場(chǎng)的影響。
通過向陰極射線管施加正電壓，電子槍發(fā)射電子束106。電子束106與形成在面板101內(nèi)表面上的熒光屏104相撞，在電子束106到達(dá)熒光屏之前，位于錐體102頸部的偏轉(zhuǎn)線圈105使得電子束106向上、下、左、右偏轉(zhuǎn)。
此外，磁體110設(shè)置在偏轉(zhuǎn)線圈105的后部以便防止色純度缺失(色純度的異常性)。磁體110改變電子束的前進(jìn)軌道以便電子束與熒光屏104的熒光物質(zhì)準(zhǔn)確相撞。
因?yàn)樯鲜鲫帢O射線管處于高真空狀態(tài)，外面的碰撞容易引發(fā)爆炸。為了防止爆炸，在面板101的裙部安裝加強(qiáng)帶111，用于分散在高真空狀態(tài)下的陰極射線管的應(yīng)力，相應(yīng)地也提高了抗振性能。
同時(shí)，在形成支承框架107過程中，如圖2所示，當(dāng)將蔭罩103聯(lián)結(jié)到支承框架107上時(shí)，為了提高工作效率，支承框架107的周邊(長(zhǎng)邊，短邊，對(duì)角部分)的外端向外延伸以便蔭罩103的裙部與支承框架107的周邊安裝就位。
然而，在現(xiàn)有的陰極射線管中，為了使得蔭罩103和支承框架組裝更容易，如圖3所示，當(dāng)支承框架107的周邊外端向外延伸時(shí)，支承框架107的周邊角部由于應(yīng)力作用容易損壞。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種陰極射線管的支承框架，它能防止在支承框架成形時(shí)損壞支承框架周邊的角部。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明的陰極射線管的支承框架包括在支承框架周邊的角部上表面上有若干切口。
附圖中圖1是普通陰極射線管的局部剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的陰極射線管的支承框架和蔭罩聯(lián)結(jié)的分解立體圖；圖3圖示在現(xiàn)有技術(shù)中的陰極射線管形成中支承框架周邊的角部受到損壞；圖4是根據(jù)本發(fā)明的支承框架的局部示意圖。
下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的陰極射線管的支承框架的優(yōu)選實(shí)施例。
下面僅描述本發(fā)明陰極射線管的特征，在此省略對(duì)與現(xiàn)有技術(shù)中的支承框架相同的構(gòu)造的描述。
如圖4所示，在本發(fā)明的陰極射線管支承框架中，在陰極射線管的支承框架周邊的角部404的一定部位形成若干切口403a,403b。
更具體地說，從支承框架周邊的角部404到支承框架長(zhǎng)邊401上的切口的距離是A；從支承框架長(zhǎng)邊401的中部到支承框架周邊的角部404的距離是B；在支承框架405的成形中，支承框架長(zhǎng)邊401上的切口403a形成在A/B之比為0.10-0.16的位置上，以便有效分散集中在支承框架角部上的應(yīng)力。相應(yīng)地，本發(fā)明能防止支承框架周邊的角部受到損傷。
此外，從支承框架的角部404到支承框架短邊402上的切口403b的距離是C；從支承框架短邊402的中部到支承框架周邊的角部404的距離是D；支承框架短邊402上的切口403b形成在C/D之比為0.08-0.18的位置上，以便有效分散集中在支承框架角部上的應(yīng)力。相應(yīng)地，本發(fā)明能防止支承框架周邊的角部受到損傷。
另外，在具有上述的切口構(gòu)造后，在陰極射線管使用過程中出現(xiàn)的支承框架熱膨脹被角部的切口吸收，相應(yīng)地，由于支承框架的熱膨脹而拱起也能被減少。
此處，形成在支承框架的長(zhǎng)邊401上的切口403a的寬度W與從支承框架長(zhǎng)邊401的中部到支承框架周邊的角部404的距離B之比，即W/B=0.02-0.04。形成在支承框架的短邊402上的切口403b的寬度W′與從支承框架短邊402的中部到支承框架周邊的角部404的距離D之比，即W′/D=0.02-0.06以便切口403a、403b的寬度相應(yīng)地能達(dá)到最優(yōu)化。
此外，形成在支承框架長(zhǎng)邊401上的切口403a的深度為d，當(dāng)支承框架長(zhǎng)邊401的中部高度為E,h=E-d，支承框架周邊的角部404的高度是H,d與H之比設(shè)定為d/H=0.05-0.20；h與E之比設(shè)定為h/E=0.60-0.70，以便切口403a的深度能達(dá)到最優(yōu)化。
此外，形成在支承框架短邊402上的切口403b的深度為d′，當(dāng)支承框架短邊402的中部高度為F,h′=F-d′,d′與H之比設(shè)定為d′/H=0.05-0.20；h′與F之比設(shè)定為h′/F=0.70-0.75，以便切口403b的深度能達(dá)到最優(yōu)化。
切口403a,403b可以是各種形狀，如圓形，橢圓形，方形，三角形等。
如上所述，本發(fā)明的陰極射線管的支承框架通過在支承框架周邊的角部的一定位置上形成若干切口而有效地分散集中在支承框架的角部上的應(yīng)力，從而能防止支承框架周邊的角部受到損傷，并減少由于支承框架的熱膨脹而引起的拱起。
本發(fā)明在不脫離其宗旨和基本特征的情況下，可以有幾種實(shí)施形式。因此，應(yīng)理解，除非特別指出，本發(fā)明并不僅僅限于上面所描述的實(shí)施例，相反，本發(fā)明包括所有落在后附的權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有構(gòu)造。本發(fā)明意在包括所有落入本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)的修改和替換及其等同物。
權(quán)利要求
1．一種陰極射線管的支承框架，用于支承陰極射線管的蔭罩，其特征在于，在支承框架周邊的角部的上部某個(gè)位置形成若干切口，以便防止在形成支承框架周邊的邊緣時(shí)損傷支承框架周邊的角部。
2．如權(quán)利要求1所述的陰極射線管的支承框架，其特征在于，在支承框架周邊的長(zhǎng)邊和短邊上分別形成若干切口。
3．如權(quán)利要求2所述的陰極射線管的支承框架，其特征在于，若干切口分別在A/B之比為0.10-0.16的位置上和C/D之比為0.08-0.18的位置上形成，其中，A是從支承框架周邊的角部到形成在支承框架長(zhǎng)邊上的切口的距離；B是從支承框架長(zhǎng)邊的中部到支承框架周邊的角部的距離；C是從支承框架的角部到形成在支承框架短邊上的切口的距離；D是從支承框架短邊的中部到支承框架周邊的角部的距離。
4．如權(quán)利要求3所述的陰極射線管的支承框架，其特征在于，形成在支承框架長(zhǎng)邊上的切口的寬度W與B之比，即W/B=0.02-0.04；形成在支承框架短邊上的切口的寬度W′與D之比，即W′/D=0.02-0.06。
5．如權(quán)利要求3所述的陰極射線管的支承框架，其特征在于，形成在支承框架長(zhǎng)邊上的切口的深度為d，支承框架長(zhǎng)邊的中部高度為E,h=E-d，支承框架周邊的角部的高度是H,d與H之比設(shè)定為d/H=0.05-0.20；h與E之比設(shè)定為h/E=0.60-0.70；形成在支承框架短邊上的切口的深度為d′，支承框架短邊的中部高度為F,h′=F-d′,d′與H之比設(shè)定為d′/H=0.05-0.20；h′與F之比設(shè)定為h′/F=0.70-0.75。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種支承框架,它能防止在形成支承框架的過程中損壞支承框架周邊的角部。該支承框架用于支承陰極射線管的蔭罩,它包括在支承框架周邊的角部的上表面的某個(gè)位置形成若干切口,更具體地說在支承框架周邊的長(zhǎng)邊和短邊上形成若干切口。
文檔編號(hào)H01J29/07GK1309410SQ0110399
公開日2001年8月22日 申請(qǐng)日期2001年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月17日
發(fā)明者崔容熏, 樸珍穆 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社