專利名稱：具有會(huì)聚校正裝置的彩色陰極射線管的制作方法
本申請(qǐng)基于在日本受理的第11-281322號(hào)申請(qǐng)，其內(nèi)容在此引作參考。
本發(fā)明涉及一種用在電視機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器等設(shè)備中的彩色陰極射線管，尤其是涉及一種用于在彩色陰極射線管(以下稱為CRT)中校正會(huì)聚的裝置，該裝置利用磁鐵校正光柵畸變。
用來(lái)在使用一字型電子槍的彩色CRT中校正會(huì)聚的一種方法是自會(huì)聚方法。這種方法校正包括水平偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的枕形畸變和垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變?cè)趦?nèi)的會(huì)聚。自會(huì)聚方法能夠制造出有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和極好的性能價(jià)格比的設(shè)備，因此得到普遍使用。
在利用自會(huì)聚方法的常規(guī)彩色CRT中，例如具有90°偏轉(zhuǎn)角度和大的屏幕曲率的的彩色CRT，垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)經(jīng)歷桶形畸變，因此導(dǎo)致垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的水平分量(以下稱為“Bh”)在靠近CRT的左右邊緣處變大。附

圖1A是一個(gè)沿著CRT的水平軸H繪制的Bh的曲線。如果沿著CRT水平方向的中心點(diǎn)被取為原點(diǎn)O，則顯示Bh的線1是關(guān)于原點(diǎn)O對(duì)稱的，并且它離開(kāi)原點(diǎn)O越遠(yuǎn)越陡峭地向上傾斜。
依據(jù)Fleming定律，隨著B(niǎo)h變大，作用于電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)力將增大。因此，在利用自會(huì)聚方法的彩色CRT中，更靠近垂直軸V通過(guò)的電子束將受到一個(gè)較弱的垂直偏轉(zhuǎn)，而更遠(yuǎn)離垂直軸V通過(guò)的電子束將受到一個(gè)較強(qiáng)的垂直偏轉(zhuǎn)。當(dāng)使用一字型電子槍時(shí)，對(duì)應(yīng)于三原色(紅、綠和藍(lán))的三個(gè)電子束被水平地排列，所以，如果我們忽略三個(gè)電子束的中心束與垂直軸V重合的情況，則在作用于垂直軸V任何一側(cè)的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)力中，將有一些變化。附圖1B顯示出分別由紅、綠和藍(lán)電子束R、G和B受到的垂直偏轉(zhuǎn)力Fr、Fg和Fb。當(dāng)從屏幕前觀看時(shí)，由一字型電子槍發(fā)射的電子束通常從左到右被排列成B、G和R的次序。在本說(shuō)明書(shū)中，假定所有電子束都被排列成這種次序。當(dāng)電子束G與垂直軸V重合時(shí)，換句話說(shuō)，當(dāng)它被定位成對(duì)應(yīng)于水平軸H的原點(diǎn)O時(shí)，垂直偏轉(zhuǎn)力Fr和Fb是相等的，而垂直偏轉(zhuǎn)力Fg小于兩個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)力Fr和Fb。然而，當(dāng)電子束R離原點(diǎn)O比電子束B(niǎo)更遠(yuǎn)時(shí)，電子束受到的垂直偏轉(zhuǎn)力是Fb＜Fg＜Fr。相反地，當(dāng)電子束B(niǎo)離原點(diǎn)O比電子束R更遠(yuǎn)時(shí)，受到的垂直偏轉(zhuǎn)力是Fb＞Fg＞Fr。
結(jié)果，當(dāng)水平的洋紅線被顯示在屏幕的頂端和底端邊緣時(shí)，引起了如附圖2中所示的失會(huì)聚。這里，在顯示屏2上的每一條洋紅線中，紅色分量R(在圖中的實(shí)線)和藍(lán)色分量B(在圖中的虛線)垂直地向屏幕的角落發(fā)散。因?yàn)楫?dāng)垂直偏轉(zhuǎn)量達(dá)到最大時(shí)Bh是最大的，所以這種失會(huì)聚在屏幕的角落部位尤其顯著。這種類型的失會(huì)聚以下被稱為PQV枕形失會(huì)聚。
日本專利特開(kāi)8-98193公開(kāi)了一種通過(guò)削弱垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變校正PQV枕形失會(huì)聚的彩色CRT。附圖3A是在垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變被削弱之前和之后沿著水平軸H繪制的Bh值的曲線。作為削弱桶形畸變的結(jié)果，Bh變化從圖中的線1改變到線3。從而，如附圖3B中所示，減少了Bh沿著水平線的變化，而且校正了PQV枕形失會(huì)聚。
如果垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的的桶形畸變被削弱，這又會(huì)削弱CRT利用自會(huì)聚方法校正失會(huì)聚的能力。這里，如果一條洋紅線沿著顯示屏2的中心被豎直地顯示，將產(chǎn)生如附圖4所示的失會(huì)聚。這種失會(huì)聚以下被稱為YH枕形失會(huì)聚。在相關(guān)技術(shù)中公開(kāi)的彩色CRT利用一個(gè)四極線圈校正這種類型的失會(huì)聚。圖5是從屏幕前面觀看得到的這種四極線圈的視圖。這里，一個(gè)四極線圈4包括線圈5和8以及U形磁心6和7。U形磁心6和7被相對(duì)布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍一邊，以便于電子束通過(guò)兩個(gè)磁心6和7之間。當(dāng)一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)電流在被二極管整流之后通過(guò)線圈5和8時(shí)，力被施加到從電子槍的左右兩側(cè)發(fā)射的電子束B(niǎo)和R上，推動(dòng)它們遠(yuǎn)離垂直軸V，因此校正了YH枕形失會(huì)聚。
在近幾年，具有純平屏幕和大偏轉(zhuǎn)角度的CRT已經(jīng)變得越來(lái)越平常。在這樣的CRT中，對(duì)于屏幕表面上每一點(diǎn)，電子束在從電子槍發(fā)射出來(lái)之后移動(dòng)到達(dá)屏幕的距離都顯著地變化。這樣導(dǎo)致增大的光柵畸變。對(duì)于這種光柵畸變，它是在由電子束掃描的光柵區(qū)域的頂端和底端邊緣向內(nèi)彎曲時(shí)產(chǎn)生的，被稱為頂端/底端枕形畸變，并且通常是通過(guò)將磁鐵安裝到偏轉(zhuǎn)線圈上校正的。圖6是從顯示屏前面觀看得到的已經(jīng)安裝上磁鐵的偏轉(zhuǎn)線圈的視圖。磁鐵10和13被安裝在一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈9的絕緣框架的前表面的頂端和底端，并且一個(gè)水平偏轉(zhuǎn)線圈12被安裝在絕緣框架11的內(nèi)表面。當(dāng)從顯示屏前面觀看時(shí)，磁鐵10和13被布置成磁鐵10的北極在右邊而南極在左邊，而磁鐵13的南極在右邊而北極在左邊。圖7顯示出由磁鐵10和13產(chǎn)生的磁通量。如果磁鐵10和13以這種方式被布置，依據(jù)Fleming定律，作用在電子束上的力F如圖7中所示，由此校正頂端/底端枕形畸變。
然而，由磁鐵10和13產(chǎn)生的磁場(chǎng)的水平分量Mh在遠(yuǎn)離磁鐵的點(diǎn)上變?nèi)?。圖8A是沿著水平軸H繪制的Mh的曲線。如果在水平軸H的中心點(diǎn)被取為原點(diǎn)O，顯示分量Mh的線14是相對(duì)于原點(diǎn)對(duì)稱的，隨著它遠(yuǎn)離原點(diǎn)移動(dòng)時(shí)會(huì)變小并且更陡峭地向下傾斜。圖8B顯示出電子束R、G和B受到的力Fr、Fg和Fb。當(dāng)電子束G與垂直軸V重合時(shí)，換句話說(shuō)，當(dāng)它被定位成對(duì)應(yīng)于水平軸H的原點(diǎn)O時(shí)，垂直偏轉(zhuǎn)力Fg和Fb是相等的，并且垂直偏轉(zhuǎn)力Fg比垂直偏轉(zhuǎn)力Fr和Fb兩者都大。然而，當(dāng)電子束R比電子束B(niǎo)離原點(diǎn)O更遠(yuǎn)時(shí)，電子束受到的垂直偏轉(zhuǎn)力是Fb＞Fg＞Fr。相反地，當(dāng)電子束B(niǎo)比電子束R離原點(diǎn)O更遠(yuǎn)時(shí)，受到的垂直偏轉(zhuǎn)力是Fb＜Fg＜Fr。結(jié)果，當(dāng)洋紅線被水平地顯示時(shí)，引起了如圖9所示的失會(huì)聚。在這種類型的失會(huì)聚中，洋紅線的紅色分量R(實(shí)線)和藍(lán)色分量B(虛線)彼此發(fā)散遠(yuǎn)離。這被稱為PQV桶形失會(huì)聚。
盡管由磁鐵10和13產(chǎn)生的磁場(chǎng)削弱了垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變，但這又會(huì)導(dǎo)致YH枕形失會(huì)聚惡化。這種失會(huì)聚是如此嚴(yán)重，以至于利用如在相關(guān)技術(shù)中的四極線圈校正它增加了PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚。圖10顯示出PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚。在這種類型的失會(huì)聚中，當(dāng)兩條洋紅線在顯示屏幕的左邊和右邊豎直地被顯示的時(shí)候，如圖中所示，洋紅線的紅色分量R(實(shí)線)轉(zhuǎn)向右側(cè)而藍(lán)色分量(虛線)轉(zhuǎn)向左側(cè)。分量R和B傾向于向著顯示屏的角落顯著地發(fā)散。在圖中可看到，D1是紅色分量R和藍(lán)色分量B分開(kāi)最遠(yuǎn)的距離，并且PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚的嚴(yán)重性可用這個(gè)距離D1來(lái)表示。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在近幾年中已經(jīng)變得流行的、有純平屏幕和大偏轉(zhuǎn)角度的類型的彩色CRT，尤其是提供一種具有優(yōu)異的圖象質(zhì)量的彩色CRT，這種彩色CRT通過(guò)利用磁鐵校正光柵區(qū)域的頂端和底端的枕形畸變來(lái)校正會(huì)聚。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的彩色CRT有以下結(jié)構(gòu)。一種彩色陰極射線管(CRT)使用自會(huì)聚方法，它具有用于校正頂端/底端枕形畸變的磁鐵，并且包括下列部件。一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生桶形畸變的第一校正場(chǎng)。一個(gè)四極線圈被布置在一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一側(cè)，并且產(chǎn)生第二校正場(chǎng)校正YH桶形失會(huì)聚。這里，第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用在由電子槍發(fā)射的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
如果使用了上述結(jié)構(gòu)，由磁鐵產(chǎn)生的PQV桶形失會(huì)聚能被校正。不能在相關(guān)技術(shù)中校正的YH枕形失會(huì)聚被過(guò)度校正到Y(jié)H桶形失會(huì)聚，然后這種失會(huì)聚能用四極線圈校正。同時(shí)，當(dāng)垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)桶形畸變時(shí)產(chǎn)生的PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚也能被校正。
為了使垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)畸變成桶形，可以使用下列結(jié)構(gòu)。垂直偏轉(zhuǎn)線圈包括串聯(lián)連接的第一線圈部分和第二線圈部分。第一線圈部分中的線圈截面具有比第二線圈部分中的線圈截面大的繞線角度。第一和第二線圈部分被分別地并聯(lián)連接到第一和第二阻抗元件，并且通過(guò)使第二阻抗元件的阻抗大于第一阻抗元件的阻抗，第一校正場(chǎng)可以畸變成桶形?；蛘?，通過(guò)使第二線圈部分中的匝數(shù)多于第一線圈部分中的匝數(shù)，第一校正場(chǎng)可以畸變成桶形。
另外，四極線圈優(yōu)選具有下列的結(jié)構(gòu)。三個(gè)水平排列的電子束由電子槍發(fā)射。這里，第二校正場(chǎng)可能由四極線圈產(chǎn)生，以便給三個(gè)水平排列的電子束的每一個(gè)外面的電子束作用一個(gè)向內(nèi)的水平力。當(dāng)作用到電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量是最大值時(shí)，作用到電子束上的第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度是最大值，當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，其強(qiáng)度是最小值。而且，四極線圈可能通過(guò)外部電路被連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上。外部電路包括一個(gè)串聯(lián)電路，其中兩個(gè)電阻器串聯(lián)連接，兩個(gè)二極管每一個(gè)都有一個(gè)陰極分別地連接到串聯(lián)電路的任何一端，還有兩個(gè)變阻器各自在一端分別地被連接到兩個(gè)二極管中的一個(gè)的陽(yáng)極，在另一端連接到四極線圈的一端。這里，四極線圈的另一端可能被連接到在串聯(lián)電路中兩個(gè)電阻器的連接節(jié)點(diǎn)上，并且串聯(lián)電路可能被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上。另外，四極線圈可能包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈。這兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U形磁心中的一個(gè)上。U形磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，并且電子束通過(guò)相對(duì)的U形磁心之間。
此外，當(dāng)垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)畸變成桶形時(shí)產(chǎn)生的VCR失會(huì)聚能通過(guò)利用下列結(jié)構(gòu)被校正。CRT可以包括一個(gè)彗形象差校正線圈，此線圈被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍一側(cè)，并且用于產(chǎn)生第三校正場(chǎng)來(lái)校正垂直彗形象差殘留(VCR)失會(huì)聚。這里，第三校正場(chǎng)的強(qiáng)度可能依據(jù)作用到電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而改變。而且，通過(guò)第三校正場(chǎng)作用到電子束上的力可能被作用到與垂直偏轉(zhuǎn)相同的方向上。作用到外部電子束上的力可能是相等強(qiáng)度，而作用到中心電子束上的力比作用到外部電子束上的力更大。當(dāng)作用到電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量最大時(shí)，作用到電子束上的第三校正場(chǎng)的強(qiáng)度也是最大值，當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，此強(qiáng)度是最小值。彗形象差校正線圈可以包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈，并且被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上。兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U型磁心中的一個(gè)上。兩個(gè)U型磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，并且電子束通過(guò)兩個(gè)相對(duì)的U型磁心之間。
另外，可以使用像下列這樣的結(jié)構(gòu)。彩色陰極射線管(CRT)使用一個(gè)自會(huì)聚方法，它具有用于校正頂端/底端枕形畸變的磁鐵，并且包括下列特征。一個(gè)正常的或者強(qiáng)磁性的磁性物質(zhì)被布置在垂直偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近玻璃管殼的外部表面的一邊，以便使垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)畸變成桶形。一個(gè)四極線圈被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊，以便通過(guò)產(chǎn)生第二校正場(chǎng)來(lái)校正YH桶形失會(huì)聚。第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用到由電子槍發(fā)射的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。即使使用這樣的結(jié)構(gòu)，垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)仍然能畸變成桶形，因此失會(huì)聚仍然能按上述方法被校正，只要這樣的結(jié)構(gòu)包括一個(gè)四極線圈和一個(gè)彗形象差校正線圈即可。
從結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施例所做的以下描述，本發(fā)明的這些和其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征將變得清楚明了。在附圖中圖1是一個(gè)曲線圖，它顯示出垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)沿著水平軸H的水平分量的強(qiáng)度變化以及通過(guò)水平分量施加在電子束上的力；圖2顯示出PQV枕形失會(huì)聚；圖3是一個(gè)曲線圖，它顯示出在垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變被削弱之前和之后垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的水平分量的變化以及垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變被削弱后通過(guò)水平分量施加在電子束上的力；圖4顯示出YH枕形失會(huì)聚；圖5是一個(gè)在日本專利特開(kāi)8-98193中公開(kāi)的從顯示屏前面看到的四極線圈的視圖。
圖6是一個(gè)從顯示屏前面看到的已經(jīng)安裝磁鐵的偏轉(zhuǎn)線圈的視圖；圖7顯示出由磁鐵產(chǎn)生的磁力線以及通過(guò)磁力線施加在電子束上的力；圖8是一個(gè)曲線圖，它顯示出由磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)沿著水平軸H的水平分量的強(qiáng)度變化以及通過(guò)水平分量施加到電子束上的力；圖9顯示出PQV桶形失會(huì)聚；圖10顯示出PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚；圖11是本發(fā)明的實(shí)施例中的監(jiān)視器顯象管的剖面圖，這是沿包括顯象管軸Z的水平面得到的；圖12是本發(fā)明的實(shí)施例中的監(jiān)視器顯象管的偏轉(zhuǎn)線圈的垂直剖視圖，此剖面包括顯象管軸Z；圖13是從顯示屏前面看到的本發(fā)明的實(shí)施例中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈的視圖；圖14是本發(fā)明的實(shí)施例中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈的透視圖；圖15是一個(gè)電路圖，它顯示出一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈24、一個(gè)彗形象差校正線圈19和一個(gè)四極線圈18；圖16是從顯示屏前面看到的彗形象差校正線圈19的視圖；圖17是從顯示屏前面看到的四極線圈18的視圖；圖18顯示出由水平軸H和垂直軸V跨越的平面；圖19顯示出由大繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通量；圖20顯示出由小繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通量；圖21顯示出YH桶形失會(huì)聚；圖22顯示出VCR失會(huì)聚；圖23是從顯示屏前面看到的利用一個(gè)E型磁心的彗形象差校正線圈48的視圖；圖24是從顯示屏前面看到的本發(fā)明的實(shí)施例中的監(jiān)視器顯象管中的偏轉(zhuǎn)線圈的視圖；圖25是包括顯象管軸Z的偏轉(zhuǎn)線圈55的垂直剖面圖；和圖26是在垂直于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的顯象管軸Z的橫截面中第一象限的放大剖視圖。
下面描述的本發(fā)明的實(shí)施例涉及一個(gè)具有100度的偏轉(zhuǎn)角度和4∶3的寬高比的19英寸純平屏幕顯示監(jiān)視器。此后這個(gè)設(shè)備被稱為“監(jiān)視器”。第一個(gè)實(shí)施例下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例中的一個(gè)監(jiān)視器15進(jìn)行描述。監(jiān)視器15的結(jié)構(gòu)附圖11是這個(gè)實(shí)施例中的監(jiān)視器15的剖面圖，此剖面是在包括顯象管軸Z的水平面上得到的。在此圖中，監(jiān)視器15包括一個(gè)玻璃管殼16，一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈17和一個(gè)電子槍20，并且有用于校正失會(huì)聚的一個(gè)四極線圈18和一個(gè)彗形象差校正線圈19。可注意到四極線圈18和彗形象差校正線圈19共用同樣的磁心，正如后面所描述的那樣。
偏轉(zhuǎn)線圈17圖12是包括顯象管軸Z的偏轉(zhuǎn)線圈17的垂直剖面圖。偏轉(zhuǎn)線圈17包括一個(gè)水平偏轉(zhuǎn)線圈21、磁鐵22，一個(gè)絕緣框架23、一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈24和一個(gè)鐵氧體線圈25。每一個(gè)磁鐵22的尺寸為40.0mm×10.0mm×5.0mm，并且有0.04T(特斯拉)的表面磁通量密度。磁鐵22被用來(lái)校正頂端/底端枕形畸變。
垂直偏轉(zhuǎn)線圈24圖13是從顯示屏前面看到的垂直偏轉(zhuǎn)線圈24的視圖。垂直偏轉(zhuǎn)線圈24被分成東和西線圈E和W，它們被布置在垂直軸V的兩邊，并且這些E和W線圈每一個(gè)都進(jìn)一步地由內(nèi)部和外部線圈形成。換句話說(shuō)，E線圈由一個(gè)外部E線圈26和一個(gè)內(nèi)部E線圈27形成，而W線圈由一個(gè)外部W線圈29和一個(gè)內(nèi)部W線圈28形成。圖14是E線圈的透視圖。如圖中所示，內(nèi)部和外部E線圈26和27在各自的末端有引線30和31，以及32和33。電流通過(guò)這些引線30-33提供。圖15是一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈24、彗形象差校正線圈19和四極線圈18的電路圖。垂直偏轉(zhuǎn)線圈的每一個(gè)E和W線圈的總匝數(shù)是98，形成這些線圈的內(nèi)部和外部線圈26到29每一個(gè)都有49匝。阻尼電阻器被并聯(lián)連接到這些內(nèi)部和外部線圈26到29的每一個(gè)上。被并聯(lián)連接到內(nèi)部線圈27和28上的阻尼電阻器每一個(gè)都有100Ω的電阻，而被并聯(lián)連接到外部線圈26和29上的阻尼電阻器每一個(gè)都有4Ω的電阻。這里，垂直偏轉(zhuǎn)線圈24被串聯(lián)連接到彗形象差校正線圈19，并且也通過(guò)外部電路34被串聯(lián)連接到四極線圈18上。
彗形象差校正線圈19圖16是從顯示屏前面看到的彗形象差校正線圈19的視圖。彗形象差校正線圈19被纏繞在一對(duì)U形磁心41和42上，U形磁心41和42在靠近電子槍20一邊被相對(duì)布置在偏轉(zhuǎn)線圈17的頂端和底端。彗形象差校正線圈19被纏繞在每一個(gè)U形磁心41和42上93匝。而且，彗形象差校正線圈19被連接成U形磁心41和42的每一個(gè)的對(duì)應(yīng)端通常有相同的極性。
四極線圈18如圖15所示，四極線圈18通過(guò)外部電路34被連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈24上。外部線圈34包括具有兩個(gè)電阻器35和36的串聯(lián)電路，并且肖特基二極管37和40的陰極被分別地連接到串聯(lián)電路的每一端。每一個(gè)可變電阻器38和39的一端分別地被連接到二極管37和40的陽(yáng)極上，而另一端通過(guò)四極線圈18被連接到電阻器35和36的中間連接點(diǎn)上。這里，電阻器35和36有相同的阻值。
圖17是從顯示屏前面看到的四極線圈18的視圖。四極線圈18，如同彗形象差校正線圈19那樣，被纏繞在U形磁心41和42上，在每一種情況下匝數(shù)都是70。電流通常以相同的方向流過(guò)四極線圈18，因?yàn)橛啥O管37和40進(jìn)行了整流。這樣通常引起四極線圈18產(chǎn)生一個(gè)像在圖17中所示的磁場(chǎng)，由此將水平力在與相關(guān)技術(shù)中描述的四極線圈4的相反方向中作用到每一個(gè)電子束B(niǎo)和R上(那是一個(gè)向內(nèi)的而不是向外的力)。
繞線角度由水平軸H和垂直軸V跨越形成的給定平面被分成四個(gè)象限。在水平軸和連接原點(diǎn)O到此平面的第一象限中繞組(線圈)上的各點(diǎn)的線之間形成的角度被稱為垂直偏轉(zhuǎn)線圈24的繞線角度。對(duì)應(yīng)于給定繞線角度的一個(gè)區(qū)域就是由第一象限中的此繞線角度決定的一個(gè)線圈截面，以及在第二到第四象限的每一個(gè)中與在第一象限中的線圈截面對(duì)稱的線圈截面。圖18顯示出一個(gè)由水平軸H和垂直軸V跨越的平面。在圖18中線圈截面43到46的繞線角度被給做一個(gè)角度θ，它是在(1)一條連接在第一象限中的線圈截面43到原點(diǎn)O的直線47和(2)水平軸H之間形成的。在此圖中，符號(hào)‘?！o予線圈截面43和44，表示電流在電子槍20的方向上從屏幕流過(guò)這些截面，而符號(hào)‘⊙’給予線圈截面45和46，表示電流在相反的方向上即從電子槍20到屏幕的方向上流過(guò)這些截面。通常，電流在一個(gè)方向上流過(guò)被布置在垂直偏轉(zhuǎn)線圈的第一和第二象限中的線圈，并且以相反的方向流過(guò)被布置在第三和第四象限中的線圈。
圖19顯示出由大繞線角度的線圈截面(換句話說(shuō)就是在外部線圈26和29中的線圈截面)產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通量。如圖中所示，由大繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)畸變成枕形。同時(shí)，圖20顯示出由小繞線角度的線圈截面(換句話說(shuō)就是在內(nèi)部線圈27和28中的線圈截面)產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通量。如圖中所示，由小繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)畸變成桶形。為了準(zhǔn)確起見(jiàn)，具有60度或者更大的繞線角度的線圈截面將產(chǎn)生一個(gè)枕形畸變的磁場(chǎng)，而具有比這個(gè)角度更小的繞線角度的線圈截面將產(chǎn)生一個(gè)桶形畸變的磁場(chǎng)。
PQV桶形失會(huì)聚的校正在本實(shí)施例的顯示監(jiān)視器15中，并聯(lián)連接到內(nèi)部線圈27和28的阻尼電阻器每一個(gè)都有100Ω的阻值，而并聯(lián)連接到外部線圈26和29的阻尼電阻器每一個(gè)都有4Ω的阻值。結(jié)果，由內(nèi)部線圈27和28產(chǎn)生的磁場(chǎng)比由外部線圈26和29產(chǎn)生的磁場(chǎng)更強(qiáng)。換句話說(shuō)，由小繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)比由大繞線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)更強(qiáng)。因?yàn)橛尚±@線角度的線圈截面產(chǎn)生的磁場(chǎng)畸變成桶形，這樣最終意味著由垂直偏轉(zhuǎn)線圈24產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變更強(qiáng)。結(jié)果，作用到電子束上的力Fb、Fg和Fr的差異增大，如圖1所示，從而校正了PQV桶形失會(huì)聚。
然而，如果垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變這樣被增強(qiáng)，YH枕形失會(huì)聚將被矯枉過(guò)正，并且產(chǎn)生YH桶形失會(huì)聚、PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚和VCR失會(huì)聚。YH桶形失會(huì)聚和PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚通過(guò)四極線圈18被校正，VCR失會(huì)聚通過(guò)彗形象差校正線圈19被校正。這個(gè)過(guò)程將在下面描述。
YH桶形失會(huì)聚的校正如果垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變按上述方式增強(qiáng)，就會(huì)產(chǎn)生YH桶形失會(huì)聚。圖21顯示出YH桶形失會(huì)聚。當(dāng)洋紅線豎直地顯示在水平軸中心的時(shí)候，垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變的影響引起了洋紅線的紅色分量R和藍(lán)色分量B發(fā)散到左邊和右邊，它們?cè)绞墙咏聊坏捻敹撕偷锥嗽绞沁h(yuǎn)離水平軸H。在屏幕的極頂端和極底端，分量R和B被一個(gè)大約等于0.6mm的距離D2分開(kāi)。這個(gè)失會(huì)聚的程度能通過(guò)四極線圈18被校正。如圖17所示，由四極線圈18產(chǎn)生的磁場(chǎng)將一個(gè)向內(nèi)的水平力作用到每一個(gè)電子束R和B上，這個(gè)力與垂直偏轉(zhuǎn)同步。然而，對(duì)電子束G上沒(méi)有什么影響。結(jié)果，當(dāng)垂直偏轉(zhuǎn)角度更大時(shí)電子束R和B受到一個(gè)更強(qiáng)的向內(nèi)的力。這意味著紅色分量R和藍(lán)色分量B將移到一起，從而消除YH桶形失會(huì)聚。
PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚的校正由于垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的強(qiáng)桶形畸變而產(chǎn)生的PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚也能利用四極線圈18被校正。在本實(shí)施例中，在被四極線圈18校正之前，PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚的大小是如圖10中所示的距離D1，這里大約是1.1mm。在本實(shí)施例的彩色CRT中的四極線圈18在顯示屏左邊和右邊比在顯示屏中心能校正大約兩倍多的YH失會(huì)聚(紅色和藍(lán)色分量相對(duì)于水平方向的發(fā)散)。結(jié)果，距離D1大約是距離D2尺寸的兩倍，從而能使YH桶形失會(huì)聚和PQH紅色右側(cè)圖形失會(huì)聚同時(shí)地被四極線圈18校正。
VCR失會(huì)聚VCR失會(huì)聚利用彗形象差校正線圈19被校正。圖22顯示出VCR失會(huì)聚。當(dāng)白線沿著顯示器頂端和底端被水平地顯示時(shí)，紅色和藍(lán)色分量R和B相匹配，但是綠色分量G相對(duì)于其他兩個(gè)分量發(fā)散。這種失會(huì)聚被稱為VCR失會(huì)聚，其中紅色和藍(lán)色分量R和B在綠色分量G的外側(cè)被顯示。越靠近顯示屏的頂端和底端，VCR失會(huì)聚越顯著，并且在屏幕的中心部分是不可見(jiàn)的。彗形象差校正線圈19產(chǎn)生一個(gè)枕形畸變場(chǎng)，如在圖18中所示，從而校正VCR失會(huì)聚。換句話說(shuō)，因?yàn)橛慑缧蜗蟛钚Ｕ€圈19產(chǎn)生的場(chǎng)畸變成枕形，依據(jù)Fleming定律，電子束G受到一個(gè)在平行于垂直偏轉(zhuǎn)方向的方向中最大的力。電子束R和B也受到同樣平行于垂直偏轉(zhuǎn)方向的力，但是這個(gè)力比施加在電子束G上的力小。而且，因?yàn)殄缧蜗蟛钚Ｕ€圈19接收一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)電流用于產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)，所以當(dāng)垂直偏轉(zhuǎn)角度更大時(shí)施加在電子束R和B上的力與施加在電子束G上的力之間的差異更大，并且，相反地，當(dāng)垂直偏轉(zhuǎn)角度更小時(shí)差異更小。彗形象差校正線圈19這樣校正VCR失會(huì)聚。
通過(guò)調(diào)整用于形成垂直偏轉(zhuǎn)線圈的每一個(gè)內(nèi)部和外部線圈的阻尼電阻器來(lái)增強(qiáng)垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變，并且更進(jìn)一步地用由四極線圈18和彗形象差校正線圈19產(chǎn)生的作用與之組合，能夠使在大偏轉(zhuǎn)角度和純平屏幕的彩色CRT中產(chǎn)生的失會(huì)聚，特別是在這樣的彩色CRT中由磁鐵產(chǎn)生的失會(huì)聚，得到校正。
如前面所描述的，由磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)引起的YH枕形失會(huì)聚太嚴(yán)重了以至于不能通過(guò)四極線圈18校正。然而，如果垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變被增大，從而將失會(huì)聚改變成為YH桶形失會(huì)聚，失會(huì)聚能被降低到用四極線圈18校正的程度。這意味著，最終，任何形式的失會(huì)聚都能通過(guò)在本說(shuō)明書(shū)中描述的設(shè)備而被校正。
如果使用E形磁心而不是U形磁心的彗形象差校正線圈，也能達(dá)到對(duì)于上面描述的那些相似作用。圖23是從顯示屏前面看到的使用E形磁心的彗形象差校正線圈48的視圖。在此圖中，彗形象差校正線圈48包括一對(duì)E形磁心53和54和被纏繞在E形磁心53和54上的線圈49到52。彗形象差校正線圈48被布置在偏轉(zhuǎn)線圈17的更靠近電子槍20的一邊。彗形象差校正線圈48產(chǎn)生一個(gè)類似于由彗形象差校正線圈19產(chǎn)生的枕形磁場(chǎng)，從而校正VCR失會(huì)聚。
一個(gè)使用E形磁心的四極線圈能夠達(dá)到上面描述的那些類似的作用。此外，四極線圈和彗形象差校正線圈也可以共用相同的E型磁心。
第二個(gè)實(shí)施例在第一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的每一個(gè)內(nèi)部和外部阻尼電阻器的調(diào)整增強(qiáng)了垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變。然而，在第二個(gè)實(shí)施例中，垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變通過(guò)在偏轉(zhuǎn)線圈上安裝一個(gè)透磁合金而被增強(qiáng)。
在第二個(gè)實(shí)施例中，除了垂直偏轉(zhuǎn)線圈的結(jié)構(gòu)和添加透磁合金之外，監(jiān)視器結(jié)構(gòu)與在第一個(gè)實(shí)施例中的監(jiān)視器一樣。在第一個(gè)實(shí)施例中，垂直偏轉(zhuǎn)線圈被分成外部和內(nèi)部線圈，但是在第二個(gè)實(shí)施例中，它僅僅由兩個(gè)線圈形成一個(gè)東線圈E和一個(gè)西線圈W。透磁合金的尺寸是5.0mm×25.0mm，并且被安裝在偏轉(zhuǎn)線圈的內(nèi)表面，安裝位置在基準(zhǔn)線的電子槍一邊15.0mm-20.0mm之間。
圖24是從顯示屏前面看到的在第二個(gè)實(shí)施例的監(jiān)視器中偏轉(zhuǎn)線圈55的視圖。偏轉(zhuǎn)線圈55有安裝在絕緣框架58的上下邊緣的磁鐵56，而且透磁合金59被安裝在絕緣框架58的由形成在水平偏轉(zhuǎn)線圈57中的開(kāi)孔暴露的部分上。圖25是包括顯象管軸Z的偏轉(zhuǎn)線圈55的垂直截面。透磁合金59被安裝在絕緣框架58的表面上，在基準(zhǔn)線60靠近電子槍一邊，距離基準(zhǔn)線60在15.0mm-20.0mm之間的位置?；鶞?zhǔn)線60垂直于顯象管軸Z，并且是一條包括偏轉(zhuǎn)中心的直線。垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變被透磁合金59增強(qiáng)，能夠使失會(huì)聚按照與第一個(gè)實(shí)施例相似的方式被校正。
應(yīng)當(dāng)指出的是，透磁合金59只需要被布置成比垂直偏轉(zhuǎn)線圈更靠近玻璃管殼的外表面，并且可以例如被布置在絕緣框架和垂直偏轉(zhuǎn)線圈之間。此外，除了透磁合金之外的磁物質(zhì)也能被用來(lái)達(dá)到上述作用，只要它具有正常的或者強(qiáng)的磁性即可。
本發(fā)明已經(jīng)參照上述實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是并不局限于這里描述的結(jié)構(gòu)。也可以采用下列的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。改進(jìn)結(jié)構(gòu)垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變能通過(guò)調(diào)整垂直偏轉(zhuǎn)線圈的繞組分布而被增強(qiáng)。換句話說(shuō)，如果大繞線角度的線圈截面有比小繞線角度的線圈截面更少的匝數(shù)，則垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變能被增強(qiáng)。
圖26是在垂直于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的顯象管軸Z的平面的橫截面中的第一象限的放大示意圖。垂直偏轉(zhuǎn)線圈的線圈截面61是在從原點(diǎn)O有24.0mm半徑的弧線62和從點(diǎn)O’有19.0mm半徑的弧線63之間的區(qū)域中，點(diǎn)O’通過(guò)從原點(diǎn)O沿著垂直軸V在正方向上移動(dòng)3mm確定。有30°或者更小的繞線角度的線圈截面61的一部分(圖中的陰影部分)顯著地加寬。纏繞在垂直偏轉(zhuǎn)線圈上的匝數(shù)總計(jì)是98，并且這些匝數(shù)與橫截面61的寬度成比例地被分布。垂直偏轉(zhuǎn)線圈的第二、第三和第四象限有與第一象限對(duì)稱的形狀。
如果繞組分布這樣實(shí)施，在有小繞線角度的區(qū)域中匝數(shù)被增加，從而增強(qiáng)了垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的桶形畸變。結(jié)果，如果有上述特性的四極線圈和彗形象差校正線圈被一起使用，就能獲得本發(fā)明的效果。
此外，實(shí)施例是參照有100°偏轉(zhuǎn)角度、4∶3寬高比的純平屏幕的19英寸監(jiān)視器來(lái)描述的，但是有不同屏幕尺寸、偏轉(zhuǎn)角度、寬高比或者屏幕曲率的監(jiān)視器也可以利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)被校正，只要由這樣的監(jiān)視器遭受的失會(huì)聚歸因于磁鐵即可。
盡管已參照附圖以舉例方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了全面描述，但還要注意到各種改變和改進(jìn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也將是明顯的。因此，除非這些改變和改進(jìn)脫離了本發(fā)明的范圍，否則它們應(yīng)當(dāng)被視為包括在本發(fā)明內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使用自會(huì)聚方法并且具有用于校正頂端/底端枕形畸變的磁鐵的彩色陰極射線管(CRT)，該CRT包括一個(gè)用于產(chǎn)生桶形畸變的第一校正場(chǎng)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈，和一個(gè)四極線圈，它被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊，用于產(chǎn)生第二校正場(chǎng)來(lái)校正YH桶形畸變，第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用于由電子槍發(fā)射的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1的CRT，其中垂直偏轉(zhuǎn)線圈包括串聯(lián)連接的第一線圈部分和第二線圈部分，第一線圈部分的線圈截面的繞線角度大于第二線圈部分中的線圈截面的繞線角度，第一和第二線圈部分被各自并聯(lián)連接到第一和第二阻抗元件，并且通過(guò)使第二阻抗元件的阻抗大于第一阻抗元件的阻抗，第一校正場(chǎng)畸變成桶形。
3.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1的CRT，其中垂直偏轉(zhuǎn)線圈包括串聯(lián)連接的第一線圈部分和第二線圈部分，第一線圈部分的線圈截面的繞線角度大于第二線圈部分中的線圈截面的繞線角度，并且通過(guò)使第二線圈部分中的匝數(shù)多于第一線圈部分中的匝數(shù)，第一校正場(chǎng)畸變成桶形。
4.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1的CRT，其中三個(gè)水平排列的電子束由電子槍發(fā)射，第二校正場(chǎng)由一個(gè)四極線圈產(chǎn)生，以便給三個(gè)水平排列的電子束的每一個(gè)外部電子束作用一個(gè)向內(nèi)的水平力，當(dāng)作用到電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量達(dá)到最大值時(shí)，作用到電子束上的第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度達(dá)到最大值，并且當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，此強(qiáng)度達(dá)到最小值。
5.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)4的CRT，其中四極線圈通過(guò)外部電路被連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈，外部電路包括(1)一個(gè)串聯(lián)電路，其中兩個(gè)電阻器串聯(lián)連接，(2)兩個(gè)二極管，每一個(gè)都有一個(gè)陰極分別地連接到串聯(lián)電路的任一端，和(3)兩個(gè)可變電阻器，每一個(gè)在一端分別被連接到兩個(gè)二極管中的一個(gè)的陽(yáng)極上，在另一端連接到四極線圈的一端上，四極線圈的另一端被連接到在串聯(lián)電路中兩個(gè)電阻器的連接節(jié)點(diǎn)上，并且串聯(lián)電路被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上。
6.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)5的CRT，其中四極線圈包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈，兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U形磁心中的一個(gè)上，U形磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，電子束通過(guò)相對(duì)的U形磁心中間。
7.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1的CRT，還包括一個(gè)彗形象差校正線圈，它被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊，用于產(chǎn)生第三校正場(chǎng)來(lái)校正垂直彗形象差殘留(VCR)失會(huì)聚，其中第三校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用在電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)7的CRT，其中通過(guò)第三校正場(chǎng)作用在電子束上的力作用在與垂直偏轉(zhuǎn)相同的方向上，作用在外部電子束上的力是等強(qiáng)度的，而作用在中心電子束上的力比作用在外部電子束上的力更大，并且當(dāng)作用在電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量達(dá)到最大時(shí)，作用在電子束上的第三偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的強(qiáng)度達(dá)到最大值，并且當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，此強(qiáng)度達(dá)到最小值。
9.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)8的CRT，其中，彗形象差校正線圈包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈，并且被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上，兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U形磁心的一個(gè)上，兩個(gè)U形磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，并且電子束通過(guò)兩個(gè)相對(duì)的U形磁心之間。
10.一種使用自會(huì)聚方法并且具有用于校正頂端/底端枕形畸變的磁鐵的彩色陰極射線管(CRT)，該CRT包括一個(gè)磁性物質(zhì)，它是普通磁性物質(zhì)和強(qiáng)磁性物質(zhì)中的一種，被布置在垂直偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近玻璃管殼外部表面的一邊，以便使垂直偏轉(zhuǎn)場(chǎng)畸變成桶形；和一個(gè)四極線圈，它被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊，用于通過(guò)產(chǎn)生第二校正場(chǎng)來(lái)校正YH桶形畸變，第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用在由電子槍發(fā)射的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)10的CRT，其中，三個(gè)水平排列的電子束由電子槍發(fā)射，第二校正場(chǎng)由四級(jí)線圈產(chǎn)生，以便于在三個(gè)水平排列的電子束的每一個(gè)外部電子束上作用一個(gè)向內(nèi)的水平力，當(dāng)作用在電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量是最大時(shí)，作用在電子束上的第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度達(dá)到最大值，當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，此強(qiáng)度達(dá)到最小值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的CRT，其中，四極線圈通過(guò)外部電路被連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上，外部電路包括(1)一個(gè)串聯(lián)電路，其中兩個(gè)電阻器串連連接，(2)兩個(gè)二極管，每一個(gè)都有一個(gè)陰極分別地連接到串聯(lián)電路的任一端，和(3)兩個(gè)可變電阻器，每一個(gè)在一端分別連接到兩個(gè)二極管中的一個(gè)的陽(yáng)極上，在另一端連接到四極線圈的一端，四極線圈的另一端被連接到在串聯(lián)電路中兩個(gè)電阻器的連接節(jié)點(diǎn)上，并且串聯(lián)電路被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上。
13.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)12的CRT，其中，四極線圈包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈，兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U形磁心中的一個(gè)上，U形磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，電子束通過(guò)相對(duì)的U形磁心中間。
14.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)10的CRT，還包括一個(gè)彗形象差校正線圈，它被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊，用于產(chǎn)生第三校正場(chǎng)來(lái)校正垂直彗形象差殘留(VCR)失會(huì)聚，其中第三校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用在電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
15.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)14的CRT，其中，通過(guò)第三校正場(chǎng)作用在電子束上的力作用在與垂直偏轉(zhuǎn)相同的方向上，作用在外部電子束上的力是等強(qiáng)度的，而作用在中心電子束上的力比作用在外部電子束上的力更大，并且當(dāng)作用在電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量達(dá)到最大時(shí)，作用在電子束上的第三偏轉(zhuǎn)域的強(qiáng)度達(dá)到最大值，并且當(dāng)電子束經(jīng)歷的垂直偏轉(zhuǎn)量是零時(shí)，此強(qiáng)度達(dá)到最小值。
16.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)15的CRT，其中，彗形象差校正線圈包括兩個(gè)串聯(lián)連接的線圈，并且被串聯(lián)連接到垂直偏轉(zhuǎn)線圈上，兩個(gè)線圈的每一個(gè)都被纏繞在兩個(gè)U形磁心的一個(gè)上，兩個(gè)U形磁心被設(shè)置成對(duì)應(yīng)端極性相反，并且電子束通過(guò)兩個(gè)相對(duì)的U形線圈之間。
全文摘要
一種利用自會(huì)聚方法的彩色陰極射線管具有用于校正頂端/底端枕形畸變的磁鐵,并且包括一個(gè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和一個(gè)四極線圈。垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生桶形畸變的第一校正場(chǎng)。四極線圈被布置在偏轉(zhuǎn)線圈的更靠近電子槍的一邊,并且通過(guò)產(chǎn)生第二校正場(chǎng)來(lái)校正YH桶形畸變。第二校正場(chǎng)的強(qiáng)度依據(jù)作用在由電子槍發(fā)射的電子束上的垂直偏轉(zhuǎn)量而變化。
文檔編號(hào)H01J29/76GK1308365SQ00131860
公開(kāi)日2001年8月15日 申請(qǐng)日期2000年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月1日
發(fā)明者田上悅司 申請(qǐng)人:松下電子工業(yè)株式會(huì)社