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一種柔性集成化超聲換能器的制作方法

文檔序號(hào):2824258閱讀:610來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種柔性集成化超聲換能器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及無(wú)損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。具體是一種柔性集成化超聲換能器。
背景技術(shù)
超聲換能器是實(shí)現(xiàn)聲能與電能相互轉(zhuǎn)換的部件,既可以將超聲波轉(zhuǎn)換成電信 號(hào),也可將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成超聲波。超聲換能器是超聲技術(shù)中的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用醫(yī)學(xué) 診斷、水下通信與探測(cè)、缺陷無(wú)損檢測(cè)、測(cè)距定位、遙感與遙控等領(lǐng)域。壓電式超聲換能器是超聲換能器的主流,特別是壓電薄膜超聲換能器因具有微 型化,脈沖響應(yīng)好,能有效提高換能器的頻率、帶寬和分辨率等優(yōu)勢(shì)而得到廣泛應(yīng)用。 目前一種硅基集成化壓電薄膜超聲換能器通過(guò)內(nèi)部集成硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管在實(shí)現(xiàn)超聲波 轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電信號(hào)的放大,該換能器具有微型化、靈敏度高、易實(shí)現(xiàn)二 維平面陣的優(yōu)點(diǎn),但制備工藝更為復(fù)雜,成本相對(duì)較高,且不適于制備柔性陣列。柔性換能器能與探測(cè)對(duì)象表面更緊密接觸,尤其對(duì)表面不平整的探測(cè)對(duì)象,可 有效減小因耦合不好而造成的超聲波損耗?,F(xiàn)有的柔性超聲換能器是將超聲換能器單元 組裝在具有柔性的電路基板上或是在柔性襯底上沉積壓電薄膜而實(shí)現(xiàn)換能器的柔性化, 但其增益、信噪比較低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種柔性集成化超聲換能器,克服硅基壓電薄膜換 能器的缺陷。本實(shí)用新型的柔性集成化超聲換能器由有機(jī)薄膜晶體管和壓電傳感器集成而 成,結(jié)構(gòu)圖如圖1所示,依次由基底、防潮隔離層、源漏電極、半導(dǎo)體薄膜層、柵介質(zhì) 層、柵電極層、電信號(hào)耦合層、壓電薄膜層、電極層和超聲耦合層構(gòu)成?;撞捎镁蹖?duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性塑料材料;防潮隔離層為二氧化 硅或氮化硅;源漏電極為鋁或銀等金屬;半導(dǎo)體薄膜層為機(jī)半導(dǎo)體材料;柵介質(zhì)層為有 機(jī)絕緣材料;柵電極層為鋁或銀等金屬;電信號(hào)耦合層為環(huán)氧樹脂薄膜層;壓電薄膜層 為聚偏氟乙烯PVDF壓電薄膜;電極層為鋁或銀等金屬;超聲耦合層為環(huán)氧樹脂薄膜。本實(shí)用新型柔性集成化超聲換能器的制備方法依下列步驟進(jìn)行(1)采用磁控濺射在基底上沉積防潮隔離層;(2)在防潮隔離層上沉積金屬薄膜層形成薄膜晶體管的源、漏電極;(3)在具有源、漏電極的基片上沉積有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層,以形成薄膜晶體管的半 導(dǎo)體活性層;(4)在半導(dǎo)體薄膜上沉積有機(jī)絕緣膜,形成薄膜晶體管的柵介質(zhì)層;(5)在絕緣膜上制備金屬膜形成薄膜晶體管的柵電極;(6)在柵電極上旋涂環(huán)氧樹脂膜,形成電信號(hào)耦合層;(7)在環(huán)氧樹脂膜上制備聚偏氟乙烯PVDF壓電薄膜;[0016](8)在壓電薄膜上制備金屬電極形成壓電傳感器的上電極;(9)在上電極上制備環(huán)氧樹脂膜,形成超聲耦合層;為了便于制備二維柔性超聲換能器陣列,采用柔性PET作為基底,PET基底上 沉積一層二氧化硅薄膜用于隔離濕汽。用PVDF薄膜作為超聲傳感器的壓電材料具有壓 電性能好、低聲阻抗、與水和有機(jī)體具有良好的聲阻抗匹配,從而使靈敏度提高、頻帶 變寬。另外,PVDF薄膜具有高柔順性,為壓電傳感器集成提供良好的技術(shù)基礎(chǔ)。通常 PVDF薄膜壓電傳感器因高輸出阻抗而易受外界電磁場(chǎng)的干擾,采用有機(jī)薄膜晶體管作為 內(nèi)置信號(hào)放大,提高增益和信噪比,改善抗干擾能力。本實(shí)用新型與現(xiàn)有的集成超聲換能器相比,由于采用了 PVDF薄膜作壓電材料 和內(nèi)置了有機(jī)薄膜晶體管作前置放大,因此具有如下優(yōu)點(diǎn)1、提高了頻帶寬度、增益、信噪比和抗干擾能力;2、減小硅基PVDF-MOS換能器中擴(kuò)展柵電極帶來(lái)的寄生電容,提高靈敏度;3、實(shí)現(xiàn)了超聲換能器的柔性化,適合于任意形狀的探測(cè)物體,擴(kuò)大了應(yīng)用范 圍;4、采用廉價(jià)基底材料和簡(jiǎn)單制備工藝,降低制造成本,便于推廣應(yīng)用。
圖1為本實(shí)用新型的柔性集成化超聲換能器結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的柔性集成化超聲換能器在結(jié)構(gòu)上由有機(jī)薄膜晶體管和壓電傳感器 集成而成。依次由基底1、二氧化硅隔離層2、源漏電極3、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層4、柵介 質(zhì)層5、柵電極層601、環(huán)氧樹脂薄膜層701、聚偏氟乙烯PVDF壓電薄膜層8、上電極層 602和環(huán)氧樹脂薄膜層702構(gòu)成。本實(shí)用新型柔性集成化超聲換能器的制備方法依下列步驟進(jìn)行(1)防潮隔離層的制備可采用磁控濺射在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性 基底上沉積二氧化硅(Si02)薄膜;(2)有機(jī)薄膜晶體管制備,其步驟包括步驟1 在基底上沉積金屬薄膜層形成薄膜晶體管的源、漏電極;步驟2:在具有源、漏電極的基片上沉積有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層形成薄膜晶體管的 半導(dǎo)體活性層;步驟3:在半導(dǎo)體薄膜上沉積有機(jī)絕緣膜,形成柵介質(zhì)層;步驟4 用真空蒸發(fā)法在絕緣膜上制備金屬膜形成柵電極;(3)壓電傳感器的制備,其步驟為步驟1 在薄膜晶體管的柵電極上旋涂環(huán)氧樹脂膜,用于信號(hào)耦合;步驟2 在環(huán)氧樹脂膜上制備聚偏氟乙烯PVDF壓電薄膜;步驟3 采用真空蒸發(fā)法在壓電薄膜上制備金屬電極,形成上電極;步驟4:在上電極上沉積環(huán)氧樹脂膜,用于超聲耦合;經(jīng)檢測(cè),實(shí)施樣品的典型 參數(shù)達(dá)到[0039] 帶寬dOOKHz ;有源增益》5dB ;輸出信號(hào)的信噪比與沒(méi)有薄膜晶體管的比對(duì) 壓電薄膜超聲換能器相比提高了 40dB;靈敏度沖mVPa;具有柔性可彎曲45度。
權(quán)利要求1.一種柔性集成化超聲換能器,其特征在于由有機(jī)薄膜晶體管和壓電傳感器集成 而成,具體是依次由基底、防潮隔離層、源漏電極、半導(dǎo)體薄膜層、柵介質(zhì)層、柵電極 層、電信號(hào)耦合層、壓電薄膜層、電極層和超聲耦合層構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器,其特征在于所述基底采用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇 酯(PET);防潮隔離層為二氧化硅或氮化硅;源漏電極為鋁或銀;半導(dǎo)體薄膜層為有機(jī) 半導(dǎo)體材料;柵介質(zhì)層為有機(jī)絕緣材料;柵電極層為鋁或銀;電信號(hào)耦合層為環(huán)氧樹脂 薄膜層;壓電薄膜層為聚偏氟乙烯PVDF壓電薄膜;電極層為鋁或銀;超聲耦合層為環(huán) 氧樹脂薄膜。
專利摘要一種柔性集成化超聲換能器,由有機(jī)薄膜晶體管和壓電傳感器集成而成,具體是依次由基底、防潮隔離層、源漏電極、半導(dǎo)體薄膜層、柵介質(zhì)層、柵電極層、電信號(hào)耦合層、壓電薄膜層、電極層和超聲耦合層構(gòu)成。本實(shí)用新型為了便于制備二維柔性超聲換能器陣列,采用柔性PET作為基底,PET基底上沉積一層二氧化硅薄膜用于隔離濕汽;用PVDF薄膜作為超聲傳感器的壓電材料具有壓電性能好、低聲阻抗、與水和有機(jī)體具有良好的聲阻抗匹配,從而使靈敏度提高、頻帶變寬;PVDF薄膜的高柔順性為壓電傳感器集成提供良好的技術(shù)基礎(chǔ)。采用有機(jī)薄膜晶體管作為內(nèi)置信號(hào)放大,提高增益和信噪比,改善抗干擾能力。
文檔編號(hào)G10K9/122GK201804553SQ201020231298
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者劉玉榮, 姚若河, 韋崗 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)
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