一種基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
1.本發(fā)明屬于彈性模量周期變化的連續(xù)介質(zhì)超構(gòu)材料領(lǐng)域，特別涉及一種基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器。


背景技術(shù)：

2.在傳統(tǒng)的聲學(xué)集成器件中，提高系統(tǒng)的信號(hào)保真度和信噪比一直是研究人員關(guān)注的焦點(diǎn)。然而，由于加工精度誤差和環(huán)境噪聲的干擾，大部分聲學(xué)信號(hào)被聲學(xué)器件的缺陷所散射，環(huán)境噪聲也會(huì)覆蓋需要測(cè)量的目標(biāo)信號(hào)。因此，信號(hào)失真和低信噪比一直是聲學(xué)集成器件需要解決的問(wèn)題，克服環(huán)境噪聲的魯棒性對(duì)于傳統(tǒng)聲學(xué)器件性能的提升有很大的局限性。21世紀(jì)初，科學(xué)家從理論上發(fā)現(xiàn)了拓?fù)湎嘧兒屯負(fù)湎辔镔|(zhì)。在不同拓?fù)涞南嘟缑嫣帲瑹o(wú)能隙拓?fù)浔Ｗo(hù)的邊界態(tài)具有抗缺陷的魯棒傳輸特性。有鑒于此，拓?fù)湎嘧兝碚撘褟哪蹜B(tài)物理廣泛擴(kuò)展到光聲集成器件的設(shè)計(jì)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

3.發(fā)明目的：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器。
4.為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器，包括三維金屬打印一體成型的第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)、第一基板、第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)、第二基板和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一基板的下表面和第二基板的上表面之間；所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一基板的上表面，所述第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二基板的下表面；
5.所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)關(guān)于第一基板的中軸線bb’對(duì)稱，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在中軸線bb’的左側(cè)包括n個(gè)點(diǎn)陣單元，所述點(diǎn)陣單元包括第一散射體、第二散射體、第三散射體和第四散射體，所述第一散射體、第二散射體、第三散射體和第四散射體依次按列排列，每列第一散射體、第二散射體、第三散射體和第四散射體的個(gè)數(shù)均為m；第一散射體和第二散射體縱向交錯(cuò)排列，第二散射體和第三散射體橫向并列，第三散射體和第四散射體縱向交錯(cuò)排列；點(diǎn)陣單元具有平移周期性，前一個(gè)點(diǎn)陣單元的第四散射體和后一個(gè)點(diǎn)陣單元的第一散射體橫向并列；第一散射體和第三散射體大小相同，第二散射體和第四散射體大小相同；第一散射體、第二散射體、第三散射體和第四散射體的上述排列形成c6v六方晶格；
6.所述第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)關(guān)于中軸線bb’對(duì)稱，所述第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在中軸線bb’的左側(cè)的結(jié)構(gòu)與第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在中軸線bb’的右側(cè)的結(jié)構(gòu)相同；
7.所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在中軸線bb’的左側(cè)，從遠(yuǎn)離中軸線bb’的一側(cè)至靠近中軸線bb’，第五散射體按列交錯(cuò)排列，每列第五散射體的個(gè)數(shù)為m；所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)關(guān)于第一基板的中軸線bb’對(duì)稱；將所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)以及第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)映射至線aa’所在的水平面上，第五散射體能夠填充第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的間隙。
8.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中每列第一散射體、第二散射體、第三散射體和第四散射體的個(gè)數(shù)m設(shè)置為11，在中軸線bb’的一側(cè)點(diǎn)陣單元的個(gè)數(shù)n設(shè)置為4；第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中每列第五散射體的個(gè)數(shù)也設(shè)置為m＝11，在中軸線bb’的一側(cè)第五散射體的總列數(shù)l設(shè)置為8。
9.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一散射體、第二散射體第三散射體、第四散射體和第五散射體為圓柱形，第二散射體和第一散射體的半徑比為0.8；第一散射體和第五散射體的半徑相同。
10.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一基板和第二基板的厚度為0.4a，第一散射體的半徑為0.25a，第二散射體的半徑為0.2a，第五散射體的半徑為0.25a；第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(1)和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(5)的高度均為0.27a，第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(3)的高度為0.15a，其中a＝1cm是晶格常數(shù)。
11.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)、第一基板、第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)、第二基板和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)均為304不銹鋼材料，材料參數(shù)為密度7903kg/m3，楊氏模量219e9pa，泊松比0.32。
12.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)第一性原理全波求解彈性波波動(dòng)方程，獲得所述雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器在整個(gè)布里淵區(qū)的能帶分布。
13.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)第一性原理全波求解彈性波波動(dòng)方程，求解過(guò)程中，設(shè)置最大網(wǎng)格尺寸為晶格常數(shù)a的1/10，三維模型設(shè)置500000個(gè)自由度。
14.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器采用電弧增材制造方式完成結(jié)構(gòu)件的成形制造，首先依據(jù)雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器尺寸選擇基板大?。粚⒒宕蚰コケ砻嫜趸瘜?，然后固定在數(shù)控機(jī)床工作臺(tái)上；電弧起弧后，送絲機(jī)根據(jù)設(shè)定的送絲速度同步送進(jìn)304不銹鋼絲材，機(jī)床根據(jù)控制系統(tǒng)的指令按預(yù)定的軌跡在水平面上移動(dòng)，每完成一層，焊槍沿豎直方向上升一個(gè)層厚的距離，實(shí)現(xiàn)由點(diǎn)-線-面-體的方式完成傳感器結(jié)構(gòu)的成形。
15.有益效果：本發(fā)明的可基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器結(jié)合了聲超構(gòu)材料能帶計(jì)算與拓?fù)湎嘧兝碚摚擅畹乩媚蹜B(tài)物理中的能帶理論對(duì)傳統(tǒng)聲學(xué)集成器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，旨在通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化提高傳統(tǒng)聲學(xué)器件的信號(hào)保真度和信噪比。在凝聚態(tài)物理中，由于結(jié)構(gòu)周期性以及布拉格散射，能量在倒格矢空間中呈現(xiàn)帶狀分布，從而可以有效調(diào)控能量的傳播。通過(guò)圓柱形散射體間的耦合強(qiáng)度的精心調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)聲超材料的拓?fù)湎嘧?。通過(guò)雙層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，可以在較寬帶隙范圍內(nèi)通過(guò)層間有選擇激發(fā)具有時(shí)間反演對(duì)稱性的彈性波贗自旋模式，不僅可以有效的改善傳統(tǒng)聲學(xué)器件的信噪比，而且可以為新型的聲學(xué)器件的設(shè)計(jì)提供解決方案。
附圖說(shuō)明
16.下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明做更進(jìn)一步的具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述和/或其他方面的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚。
17.圖1為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的立體圖。
18.圖2為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的前視圖。
19.圖3為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的上視圖。
20.圖4為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的下視圖。
21.圖5為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器沿線aa’截取的剖面圖。
22.圖6為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器由對(duì)稱線性聲源激發(fā)的聲波沿傳播方向傳播示意圖。
23.圖7為包括兩個(gè)第一散射體的單胞結(jié)構(gòu)示意圖以及能帶圖。
24.圖8為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的包括第一散射體和第二散射體的單胞結(jié)構(gòu)示意圖以及能帶圖。
25.圖9為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的上視圖對(duì)應(yīng)的超元胞結(jié)構(gòu)示意圖。
26.圖10為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的下視圖對(duì)應(yīng)的超元胞結(jié)構(gòu)示意圖。
27.圖11為圖9和圖10超元胞的能帶圖。
28.圖12為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的本征對(duì)稱模式的有限元模擬實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
29.圖13為本發(fā)明提供的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的本征反對(duì)稱模式的有限元模擬實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
30.圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明：第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1，第一基板2，第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3，第二基板4，第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5，點(diǎn)陣單元10，第一散射體11，第二散射體12，第三散射體13，第四散射體14，第五散射體31。
具體實(shí)施方式
31.下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。
32.本技術(shù)提供的基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器，可以應(yīng)用于聲學(xué)集成器件中，提高了聲學(xué)集成器件的信號(hào)保真度和信噪比。
33.如圖1～圖2所示，本技術(shù)實(shí)施例提供的基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器，包括三維金屬打印一體成型的第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1、第一基板2、第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3、第二基板4和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5，所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3設(shè)置于第一基板2的下表面和第二基板4的上表面之間；所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1設(shè)置于第一基板2的上表面，所述第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5設(shè)置于第二基板4的下表面；
34.如圖3所示，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1關(guān)于第一基板2的中軸線bb’對(duì)稱，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1在中軸線bb’的左側(cè)包括n個(gè)點(diǎn)陣單元10，所述點(diǎn)陣單元10包括第一散射體11、第二散射體12、第三散射體13和第四散射體14，所述第一散射體11、第二散射體12、第三散射體13和第四散射體14依次按列排列，每列第一散射體11、第二散射體12、第三散射體13和第四散射體14的個(gè)數(shù)均為m；第一散射體11和第二散射體12縱向交錯(cuò)排列，第二散射體12和第三散射體13橫向并列，第三散射體13和第四散射體14縱向交錯(cuò)排列；點(diǎn)陣單元10具有平移周期性，前一個(gè)點(diǎn)陣單元10的第四散射體14和后一個(gè)點(diǎn)陣單元10的第一散射體11橫向并列；第一散射體11和第三散射體13大小相同，第二散射體12和第四散射體14大小相同；
35.如圖2和圖4所示，所述第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5關(guān)于中軸線bb’對(duì)稱，所述第三周期
性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5在中軸線bb’的左側(cè)的結(jié)構(gòu)與第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1在中軸線bb’的右側(cè)的結(jié)構(gòu)相同；
36.如圖5所示，所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3在中軸線bb’的左側(cè)，從遠(yuǎn)離中軸線bb’的一側(cè)至靠近中軸線bb’，第五散射體31按列交錯(cuò)排列，每列第五散射體31的個(gè)數(shù)為m；所述第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3關(guān)于第一基板2的中軸線bb’對(duì)稱；將所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1以及第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3映射至線aa’所在的水平面上，第五散射體31能夠填充第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1的間隙。
37.上述左側(cè)和右側(cè)的描述，僅是為了描述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1、第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5和第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3中散射體的相對(duì)關(guān)系，所述基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的擺放方向包括但不限于如圖1-圖6所示的擺放方向。
38.本實(shí)施例中，如圖3和圖5所示，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1中每列第一散射體11、第二散射體12、第三散射體13和第四散射體14的個(gè)數(shù)m設(shè)置為11，在中軸線bb’的一側(cè)點(diǎn)陣單元10的個(gè)數(shù)n設(shè)置為4；第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3中每列第五散射體31的個(gè)數(shù)也設(shè)置為m＝11，在中軸線bb’的一側(cè)第五散射體31的總列數(shù)l設(shè)置為8。
39.本實(shí)施例中，所述第一散射體11、第二散射體12、第三散射體13、第四散射體14和第五散射體31為圓柱形，第二散射體12和第一散射體11的半徑比為0.8；第一散射體11和第五散射體31的半徑相同。
40.本實(shí)施例中，所述第一基板2和第二基板4的厚度為0.4a，第一散射體11的半徑為0.25a，第二散射體12的半徑為0.2a，第五散射體31的半徑為0.25a；第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(1)和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(5)的高度均為0.27a，第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)(3)的高度為0.15a，其中a＝1cm是晶格常數(shù)。
41.本實(shí)施例中，所述第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1、第一基板2、第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3、第二基板4和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5均為304不銹鋼材料，材料參數(shù)為密度7903kg/m3，楊氏模量219e9pa，泊松比0.32。
42.本實(shí)施例中，通過(guò)第一性原理全波求解彈性波波動(dòng)方程，獲得所述雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器在整個(gè)布里淵區(qū)的能帶分布。由于彈性體超材料由彈性模量和密度周期性變化的散射體組成，這種具有平移周期性的晶格結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致彈性能量因布拉格散射而呈帶狀分布。對(duì)應(yīng)于帶隙頻率的彈性能量不能在材料中傳播。使用這種材料可以有效地控制聲波的傳播。
43.由于周期性的晶格結(jié)構(gòu)，所以彈性體波動(dòng)方程中的密度，lam
é
常數(shù)以及位移等參數(shù)可以在倒格矢空間中以平面波的形式展開(kāi)，從而將偏微分方程的求解轉(zhuǎn)換為特征方程中特征值的求解過(guò)程。
44.在彈性波體系中，波動(dòng)方程的形式如下：
[0045][0046]
通過(guò)將公式(1)式化解為特征方程并求解就可以得到倒格矢空間中每一個(gè)波失k對(duì)應(yīng)的共振頻率ω，即彈性波聲子晶體的能帶。
[0047]
本實(shí)施例中，通過(guò)第一性原理全波求解彈性波波動(dòng)方程，求解過(guò)程中，設(shè)置最大網(wǎng)格尺寸為晶格常數(shù)a的1/10，三維模型設(shè)置500000個(gè)自由度。
[0048]
本實(shí)施例中，所述雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器采用電弧增材制造方法完成結(jié)構(gòu)件
的成形制造。在結(jié)構(gòu)件增材制造成形前，首先依據(jù)結(jié)構(gòu)件尺寸選擇合適的基板大小。將基板打磨除去表面氧化層，而后固定在數(shù)控機(jī)床工作臺(tái)上。電弧起弧后，送絲機(jī)根據(jù)設(shè)定的送絲速度同步送進(jìn)304不銹鋼絲材，機(jī)床根據(jù)控制系統(tǒng)的指令按預(yù)定的軌跡在水平面上移動(dòng)，每完成一層，焊槍沿豎直方向上升一個(gè)層厚的距離，從而實(shí)現(xiàn)由“點(diǎn)-線-面-體”的方式完成傳感器結(jié)構(gòu)的成形。本實(shí)施例中，設(shè)置送絲速度為40-60毫米/秒，預(yù)定的軌跡包括雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的三維模型，第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1、第一基板2、第二周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3、第二基板4和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5分別為一層。
[0049]
如圖7和圖8左側(cè)所示為兩種單胞結(jié)構(gòu)的示意圖，本發(fā)明的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的單胞結(jié)構(gòu)如圖7左側(cè)和如圖8左側(cè)所示的結(jié)構(gòu)。單胞的上下表面為自由邊界，四周為周期性邊界，對(duì)應(yīng)雙原子半徑比為1(第一周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)1和第三周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)5中，中軸線bb’兩側(cè)靠近中軸線bb’的兩列并排的散射體)和0.8(第二散射體12和第一散射體11，或者第四散射體14和第三散射體13，或者第二散射體12和第三散射體13，或者前一個(gè)點(diǎn)陣單元10的第四散射體14和后一個(gè)點(diǎn)陣單元10的第一散射體11)的能帶結(jié)構(gòu)分別如圖7和圖8的右半部分，縱坐標(biāo)表示頻率，橫坐標(biāo)表示波矢k，圖7和圖8的帶寬范圍為160-180khz，橫坐標(biāo)波矢k上的γ、k和m表示能帶圖的高對(duì)稱點(diǎn)，圖8中的陰影部分為由于周期結(jié)構(gòu)的布拉格散射導(dǎo)致的帶隙，帶隙的中心頻率對(duì)應(yīng)于周期結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)a。
[0050]
圖9～圖11為本發(fā)明的雙層超材料傳感器的超元胞及其投影能帶，所述超元胞指如圖9的上圖和圖10的上圖所示的結(jié)構(gòu)。為了驗(yàn)證拓?fù)溥吔缒Ｊ?，本發(fā)明中將兩個(gè)不同拓?fù)鋽?shù)的聲超材料拼接起來(lái)形成拓?fù)浞瞧接菇缑妫磮D3中中軸線bb’兩側(cè)拓?fù)鋽?shù)不同。如圖6所示，傳感器的四周采用了吸收邊界條件來(lái)防止帶隙內(nèi)部額外的邊界模式產(chǎn)生，沿界面方向設(shè)置為周期性邊界，垂直界面設(shè)置為吸收邊界以防止駐波產(chǎn)生。當(dāng)單胞內(nèi)雙原子的半徑比由1改變?yōu)?.8時(shí)，對(duì)應(yīng)的投影能帶和結(jié)構(gòu)分別如圖11、圖10和圖9，其中圖10對(duì)應(yīng)于圖11中的1模式，圖9對(duì)應(yīng)于圖11中的2模式?？梢钥吹疆?dāng)空間反演對(duì)稱性破缺時(shí)如圖11，在k＝π/a點(diǎn)處會(huì)打開(kāi)一個(gè)全方向的帶隙。這個(gè)全方向的帶隙重組了量子自旋霍爾效應(yīng)中的邊界模式，即邊界態(tài)的奇偶性發(fā)生翻轉(zhuǎn)。
[0051]
圖12為本發(fā)明的雙層超材料傳感器的對(duì)稱邊界模式的模擬實(shí)驗(yàn)。沿傳播方向?qū)ΨQ線性聲源位于樣品的上邊界附近，激發(fā)頻率為174.5khz，對(duì)應(yīng)于圖11中的1模式。圖12左側(cè)為雙層傳感器的上層，圖12右側(cè)為雙層傳感器的下層。
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圖13為本發(fā)明的雙層超材料傳感器的反對(duì)稱邊界模式的模擬實(shí)驗(yàn)。沿傳播方向反對(duì)稱線性聲源位于樣品的上邊界附近，激發(fā)頻率為171.5khz，對(duì)應(yīng)于圖11中的2模式。圖13左側(cè)為雙層傳感器的上層，圖13右側(cè)為雙層傳感器的下層。
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從圖12和圖13可以看出，本實(shí)施例提供的基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器能夠有效調(diào)控能量的傳播，具有很好的信號(hào)保真度和信噪比。
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本發(fā)明提供了一種基于三維金屬打印技術(shù)的雙層c6v點(diǎn)陣超材料傳感器的思路，具體實(shí)現(xiàn)該技術(shù)方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中未明確的各組成部分均可用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。