陣列基板和包括其的顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供一種陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。該陣列基板包括：第一支撐圖案層和第二支撐圖案層中的至少之一，所述第一支撐圖案層與柵線彼此重疊，并且所述第一支撐圖案層與數(shù)據(jù)線位于同一層且由相同材料形成；所述第二支撐圖案層與數(shù)據(jù)線彼此重疊，且所述第二支撐圖案層與柵線位于同一層且由相同材料形成，所述第一支撐圖案層和所述第二支撐圖案層中的至少之一在第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線在第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之外。
【專利說明】
陣列基板和包括其的顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及一種陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示技術(shù)廣泛地應(yīng)用于電視、手機(jī)、電腦以及公共信息顯示中。通常，在液晶盒的設(shè)計(jì)中，隔墊物位于柵線上方或薄膜晶體管的上方，當(dāng)液晶盒受到外部力作用時(shí)，位于其中的隔墊物易滑動(dòng)、變形，從而造成液晶盒厚不均勻，進(jìn)而造成顯示質(zhì)量下降。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中隔墊物易滑動(dòng)或變形從而造成液晶盒厚不均勻以及顯示質(zhì)量下降的技術(shù)問題。
[0004]本實(shí)用新型至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:第一襯底基板以及設(shè)置在所述第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線和位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電性連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電性連接，所述陣列基板還包括第一支撐圖案層和第二支撐圖案層中的至少之一，所述第一支撐圖案層與所述柵線彼此重疊，并且所述第一支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線位于同一層且由相同材料形成;所述第二支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線彼此重疊，且所述第二支撐圖案層與所述柵線位于同一層且由相同材料形成，所述第一支撐圖案層和所述第二支撐圖案層中的至少之一在第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線在第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之外。
[0005]在一個(gè)示例中，所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。在一個(gè)示例中，在所述柵線的寬度方向上，所述第一支撐圖案層的寬度大于所述柵線的寬度，且所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影的兩端均位于所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影之外。
[0006]在一個(gè)示例中，所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。
[0007]在一個(gè)示例中，在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上，所述第二支撐圖案層的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度，且所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影的兩端均位于所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影之外。
[0008]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第一隔墊物，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0009]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第二隔墊物，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0010]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第一支撐圖案層重疊的第一半導(dǎo)體材料層，所述第一半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。
[0011]在一個(gè)示例中，所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。
[0012]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第二支撐圖案層重疊的第二半導(dǎo)體材料層，與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。
[0013]在一個(gè)示例中，所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。
[0014]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第一隔墊物，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層、所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0015]在一個(gè)示例中，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第二隔墊物，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層、所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0016]在一個(gè)示例中，所述第一支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線以及所述柵線電性及物理分離。
[0017]在一個(gè)示例中，所述第二支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線以及所述柵線電性及物理分離。
[0018]本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括任一項(xiàng)上述陣列基板、對置基板、以及設(shè)置在所述陣列基板與所述對置基板之間的液晶層及第一隔墊物和第二隔墊物中的至少之一，其中，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0019]在一個(gè)示例中，所述顯示裝置還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第一支撐圖案層重疊的第一半導(dǎo)體材料層，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。
[0020]在一個(gè)示例中，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層、所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0021 ]在一個(gè)示例中，所述顯示裝置還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第二支撐圖案層重疊的第二半導(dǎo)體材料層，其中，所述第二半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。
[0022]在一個(gè)示例中，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層、所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0023]在一個(gè)示例中，所述對置基板為彩膜基板，所述彩膜基板包括第二襯底基板以及設(shè)置在所述第二襯底基板上的彩膜層和黑矩陣層，所述第一隔墊物在所述第二襯底基板上的垂直投影位于所述黑矩陣層在所述第二襯底基板上的垂直投影之中。
[0024]在一個(gè)示例中，所述對置基板為彩膜基板，所述彩膜基板包括第二襯底基板以及設(shè)置在所述第二襯底基板上的彩膜層和黑矩陣層，所述第二隔墊物在所述第二襯底基板上的垂直投影位于所述黑矩陣層在所述第二襯底基板上的垂直投影之中。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，而非對本實(shí)用新型的限制。附圖中各個(gè)膜層并非按實(shí)際比例繪制。且附圖只示出了與本實(shí)用新型實(shí)施例的緊密相關(guān)的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可在本實(shí)用新型實(shí)施例的基礎(chǔ)上參考通常設(shè)計(jì)。
[0026]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為圖1所示的陣列基板沿A1-A2線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為圖1所示的陣列基板沿A1-A2線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的陣列基板的一個(gè)截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的陣列基板的另一個(gè)截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6本實(shí)用新型第三實(shí)施例提供的顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。在彼此不沖突的情況下，本實(shí)用新型的不同實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0033]除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0034]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。該陣列基板包括:第一襯底基板以及設(shè)置在所述第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線和位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電性連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電性連接，所述陣列基板還包括第一支撐圖案層和第二支撐圖案層中的至少之一，所述第一支撐圖案層與所述柵線彼此重疊，并且所述第一支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線位于同一層且由相同材料形成;所述第二支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線彼此重疊，且所述第二支撐圖案層與所述柵線位于同一層且由相同材料形成，所述第一支撐圖案層和所述第二支撐圖案層中的至少之一在第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線在第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之外。
[0035]第一實(shí)施例
[0036]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的陣列基板沿A1-A2線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖1的陣列基板沿B1-B2線的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]以下，參見圖1、圖2和圖3描述本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的陣列基板。該陣列基板100，包括第一襯底基板101以及設(shè)置在第一襯底基板101上的柵線102、數(shù)據(jù)線103、薄膜晶體管104、像素電極105、第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2。例如，柵線102在橫向方向上延伸，數(shù)據(jù)線103在垂直于該橫向方向的縱向方向上延伸。薄膜晶體管104設(shè)置在柵線102和數(shù)據(jù)線103的交叉處。像素電極105設(shè)置在柵線102和數(shù)據(jù)線103交叉定義的一像素區(qū)域P中。
[0038]薄膜晶體管104包括在遠(yuǎn)離第一襯底基板101的方向上順次堆疊的柵極108、柵極絕緣層109、有源層110、源極111和漏極112。薄膜晶體管104的柵極108與柵線102電性連接。例如，薄膜晶體管104的柵極108與柵線102—體形成。薄膜晶體管104的源極111與數(shù)據(jù)線103電性連接。例如，薄膜晶體管104的源極111與數(shù)據(jù)線103—體形成。第一支撐圖案層SI與柵線102彼此重疊，并且第一支撐圖案層SI與數(shù)據(jù)線103位于同一層且由相同材料形成。第二支撐圖案層S2與數(shù)據(jù)線103彼此重疊，且第二支撐圖案層S2與柵線102位于同一層且由相同材料形成。
[0039]第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影和第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影位于柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域W之外。在圖1中，柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)±或評以矩形陰影部分示出。需要說明的是，在本實(shí)用新型的全部實(shí)施例中，“一個(gè)區(qū)域位于另一個(gè)區(qū)域之外”是指該一個(gè)區(qū)域與該另一個(gè)區(qū)域完全分離。也就是，該一個(gè)區(qū)域與該另一個(gè)區(qū)域之間不存在任何交集。這樣，“第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影位于柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之外”是指第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影與柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域W完全分離。
[0040]例如，在本實(shí)施例提供的陣列基板100中，參見圖1、圖2和圖3，第一支撐圖案層SI與數(shù)據(jù)線103以及柵線102電性及物理分離;第二支撐圖案層S2與數(shù)據(jù)線103以及柵線102電性及物理分離。在此情況下，第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影與柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域彼此分離，第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影與柵線102和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域彼此分離。
[0041]在上述第一實(shí)施例提供的陣列基板中，由于設(shè)置有與柵線102重疊的第一支撐圖案層SI和與數(shù)據(jù)線103重疊的第二支撐圖案層S2，從而能夠?qū)υO(shè)置于第一支撐圖案層和/或第二支撐圖案層上方的隔墊物起到良好支撐作用，以獲得比較均勻的液晶盒盒厚，進(jìn)而增加液晶盒對外部力沖擊的穩(wěn)定性。
[0042]例如，參見圖1，第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影例如位于薄膜晶體管104的柵極108、源極111和漏極112在第一襯底基板101上的垂直投影之外。
[0043]例如，該第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2的形狀可以為矩形、六邊形、八邊形、圓形、正方形、或其他多邊形等。柵線102和數(shù)據(jù)線103的形狀例如為平直條形。
[0044]例如，參見圖2和圖3，本實(shí)施例提供的陣列基板100還包括覆蓋薄膜晶體管104的源極111和漏極112的鈍化層114及設(shè)置在漏極112上方且穿透鈍化層114的過孔115。像素電極105通過過孔115與薄膜晶體管104的漏極112電性連接。
[0045]例如，在本實(shí)施例提供的陣列基板100中，參見圖1、圖2和圖3，在柵線102的寬度方向上，第一支撐圖案層SI的寬度大于柵線102的寬度，且第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影的兩端El和E2均位于柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影之外。例如，在柵線102的寬度方向上，第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影的兩端El和E2分別位于柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的相反兩側(cè)。這里，柵線102的寬度方向例如是指垂直于柵線102的延伸方向的方向。這樣，第一支撐圖案層SI與柵線102的重合區(qū)域較大。
[0046]例如，在本實(shí)施例提供的陣列基板100中，參見圖1、圖2和圖3，在數(shù)據(jù)線103的寬度方向上，第二支撐圖案層S2的寬度大于數(shù)據(jù)線103的寬度，且第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影的兩端Dl和D2均位于數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影之夕卜。例如，在數(shù)據(jù)線103的寬度方向上，第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影的兩端Dl和D2分別位于數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的相反兩側(cè)。這里，數(shù)據(jù)線103的寬度方向例如是指垂直于數(shù)據(jù)線103的延伸方向的方向。這樣，第二支撐圖案層S2與數(shù)據(jù)線103的重合區(qū)域較大。
[0047]在另一示例中，第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影位于柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影之中；例如，第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影位于數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影之中。需要說明的是，在本實(shí)用新型的全部實(shí)施例中，“一個(gè)區(qū)域位于另一個(gè)區(qū)域之中”是指該一個(gè)區(qū)域位于該另一個(gè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不超過該另一個(gè)區(qū)域的邊緣。在此情況下，第一支撐圖案SI和第二支撐圖案S2均不占用像素的開口區(qū)，有利于陣列基板開口率的提高。
[0048]例如，在本實(shí)施例提供的陣列基板100中，參見圖1、圖2和圖3，該陣列基板100還包括:設(shè)置在第一襯底基板101上的第一隔墊物113和第二隔墊物117。第一隔墊物113在第一襯底基板101上的垂直投影位于第一支撐圖案層SI和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影位于第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。在第一實(shí)施例提供的陣列基板中，第一隔墊物113在第一襯底基板101上的垂直投影小于第一支撐圖案層SI和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域，且第一隔墊物113在第一襯底基板101上的垂直投影被第一支撐圖案層SI和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域包圍。第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影小于第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域，且第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影被第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域包圍。
[0049]例如，第一隔墊物113和第二隔墊物117的個(gè)數(shù)可以為一個(gè)或多個(gè)。本實(shí)施例中不限制第一隔墊物113和第二隔墊物117的個(gè)數(shù)。
[0050]盡管在圖1至圖3所示的第一實(shí)施例提供的陣列基板中，同時(shí)包括了第一支撐圖案層SI和第二支撐圖案層S2，但是可以理解的是，在另外的實(shí)施例提供的陣列基板中，可以僅包括第一支撐圖案層SI或第二支撐圖案層S2。盡管在圖1至圖3所示的第一實(shí)施例提供的陣列基板中，同時(shí)包括了第一隔墊物113和第二隔墊物117，但是可以理解的是，在另外的實(shí)施例提供的陣列基板中，可以僅包括第一隔墊物113或第二隔墊物117。在又一實(shí)施例中提供的陣列基板中，可以不包括第一隔墊物113和第二隔墊物117。第一隔墊物113和第二隔墊物117例如可以形成在與本申請實(shí)施例提供的陣列基板對盒組裝的對置基板上。
[0051 ] 第二實(shí)施例
[0052]圖4和圖5示出本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的陣列基板的截面示意圖。第二實(shí)施例提供的陣列基板可具有與第一實(shí)施例提供的陣列基板基本上相同的構(gòu)造，除了半導(dǎo)體材料層116和118之外。因此，這里將省略相同部件的重復(fù)描述，并且相同的術(shù)語和相同的附圖標(biāo)記用于表示相同的部件。
[0053]圖4和圖5示出的第二實(shí)施例提供的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)分別對應(yīng)于圖2和圖3示出的第一實(shí)施例提供的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)。
[0054]如圖4和圖5所示，第二實(shí)施例提供的陣列基板還包括設(shè)置在第一襯底基板上且與有源層110位于同一層且由相同材料形成的第一半導(dǎo)體材料層116和第二半導(dǎo)體材料層118。第一半導(dǎo)體材料層116與第一支撐圖案層SI彼此重疊。第二半導(dǎo)體材料層118與第二支撐圖案層S2彼此重疊。
[0055]例如，第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影位于第一半導(dǎo)體材料層116在第一襯底基板上的垂直投影之中。參見圖4，所述第一支撐圖案層SI在第一襯底基板101上的垂直投影與第一半導(dǎo)體材料層116在第一襯底基板101上的垂直投影彼此重合。例如，第一隔墊物113在第一襯底基板101上的垂直投影位于第一半導(dǎo)體材料層116、和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0056]例如，第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影位于第二半導(dǎo)體材料層118在第一襯底基板101上的垂直投影之中。參見圖5，第二支撐圖案層S2在第一襯底基板101上的垂直投影與第二半導(dǎo)體材料層118在第一襯底基板101上的垂直投影彼此重合。例如，第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影位于第二半導(dǎo)體材料層118、第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0057]在本實(shí)施例提供的陣列基板中，第一半導(dǎo)體材料層116可與第一支撐圖案層SI—起對其上方的第一隔墊物113提供更好的支撐作用;第二半導(dǎo)體材料層118可與第二支撐圖案層S2—起對其上方的第二隔墊物117提供更好的支撐作用。
[0058]第三實(shí)施例
[0059]本實(shí)用新型的第三實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述任一實(shí)施例提供的陣列基板，因此，這里將省略相同部件的重復(fù)描述，并且相同的術(shù)語和相同的附圖標(biāo)記用于表示相同的部件。
[0060]如圖6所示，是本實(shí)用新型第三實(shí)施例提供的顯示裝置的截面示意圖。該顯示裝置10例如包括陣列基板100、對置基板200和設(shè)置在陣列基板100與對置基板200之間的液晶分子層LC和第一隔墊物113。第一隔墊物113第一襯底基板101上的垂直投影位于第一支撐圖案層SI和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0061]例如，在本實(shí)施例提供的顯示裝置10中，如圖6所示，與有源層110位于同一層且由相同材料形成的第一半導(dǎo)體材料層116設(shè)置在第一襯底基板101上。第一半導(dǎo)體材料層116與第一支撐圖案層SI彼此重疊。
[0062]例如，第一隔墊物113在第一襯底基板101上的垂直投影位于第一半導(dǎo)體材料層116、第一支撐圖案層SI和柵線102在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0063I 需要說明的是，盡管圖6中未示出，在一個(gè)示例中，顯示裝置10還可包括如圖5所示的第二隔墊物117和第二支撐圖案層S2。第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影位于第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0064]此外，在一個(gè)示例中，顯示裝置10還可以進(jìn)一步包括如圖5所示的與有源層110位于同一層且由相同材料形成的第二半導(dǎo)體材料層118。第二半導(dǎo)體材料層118與第二支撐圖案層S2彼此重疊設(shè)置。在此情況下，第二隔墊物117在第一襯底基板101上的垂直投影位于第二半導(dǎo)體材料層118、第二支撐圖案層S2和數(shù)據(jù)線103在第一襯底基板101上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。
[0065]例如，在本實(shí)施例提供的顯示裝置10中，如圖6所示，對置基板200為彩膜基板。該彩膜基板包括第二襯底基板201以及設(shè)置在第二襯底基板201上的彩膜層205和黑矩陣層206。第一隔墊物113在第二襯底基板201上的垂直投影位于黑矩陣層206在第二襯底基板201上的垂直投影之中。
[0066]例如，在顯示裝置10包括第二隔墊物117的情況下，第二隔墊物117在第二襯底基板201上的垂直投影位于黑矩陣層206在第二襯底基板201上的垂直投影之中。
[0067]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供的顯示裝置并不限于圖6所示的彩膜層205和薄膜晶體管104分別設(shè)置在不同的襯底基板上的液晶顯示裝置。在另一示例中，顯示裝置10可以為彩膜層形成在陣列基板上(Color On Array，C0A)的液晶顯示裝置。在此情況下，對置基板20不包括彩膜層205。
[0068]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置中，可以同時(shí)包括了第一隔墊物113和第二隔墊物117，也可以僅包括第一隔墊物113或第二隔墊物117。
[0069]第四實(shí)施例
[0070]本實(shí)用新型的第四實(shí)施例提供一種如圖1、2和3所示的陣列基板的制造方法。該制造方法例如順次包括:
[0071]步驟SlOl:在第一襯底基板101上形成柵線102、薄膜晶體管的柵極108和第二支撐圖案層S2;
[0072]例如，在第一襯底基板101上濺射沉積第一金屬膜層。該第一金屬膜層的材料例如包括Cu、Al、Mo、T1、Cr、W或者這些金屬材料的合金。然后，對該第一金屬膜層執(zhí)行一次圖案化工藝(例如，該圖案化工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕及光刻膠剝離等步驟)以形成同層同材料的柵線102、柵極108以及第二支撐圖案層S2。柵線102、柵極108以及第二支撐圖案層S2可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，如Mo/Al/Mo、Ti/Cu/T1、MoTi/Cu、Ti/Cu/Mo等。
[0073]步驟S102:在形成有柵線102、薄膜晶體管的柵極108和第二支撐圖案層S2的第一襯底基板101上形成柵極絕緣層109;
[0074]例如，在形成有柵線102、柵極108以及第二支撐圖案層S2的第一襯底基板101上通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n,PECVD)沉積諸如氮化硅或氧化硅的第一絕緣膜層。該第一絕緣膜層可以作為柵極絕緣層109。該柵極絕緣層109可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅/氮化硅。
[0075]步驟S103:在形成有柵極絕緣層109的第一襯底基板101上形成有源層110;
[0076]在形成有柵極絕緣層109的第一襯底基板101上例如通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝連續(xù)沉積a-Si和n+a-Si以形成一半導(dǎo)體膜層，或?yàn)R射沉積銦鎵鋅氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide，簡稱IGZ0)以形成一半導(dǎo)體膜層。然后對該半導(dǎo)體膜層執(zhí)行一次圖案化工藝以形成有源層110。該有源層110的材料采用非晶硅，多晶硅，微晶硅或氧化物半導(dǎo)體。
[0077]步驟S104:在形成有有源層110的第一襯底基板101上形成數(shù)據(jù)線103、薄膜晶體管的源極111和漏極112、以及第一支撐圖案層SI;
[0078]在形成有源層110的第一襯底基板101上濺射沉積第二金屬膜層，該第二金屬膜層的材料例如為Cu、Al、Mo、T1、Cr、W或者這些金屬材料的合金。然后對該第二金屬膜層執(zhí)行一次圖案化工藝以形成同層同材料的數(shù)據(jù)線103、源極111、漏極112以及第一支撐圖案層SI。數(shù)據(jù)線103、源極111、漏極112以及第一支撐圖案層SI可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，如Mo/A I /Mo、T i /Cu/T 1、MoT i /Cu、T i /Cu/Mo 等。
[0079]步驟S105:在形成有數(shù)據(jù)線103、源極111、漏極112以及第一支撐圖案層SI的第一襯底基板101上形成鈍化層114以及過孔115;
[0080]在形成有數(shù)據(jù)線103、源極111、漏極112以及第一支撐圖案層SI的第一襯底基板101上形成第二絕緣膜層。該第二絕緣膜層可通過PECVD工藝沉積氮化硅或氧化硅而形成。然后對該第二絕緣膜層執(zhí)行一次圖案化工藝以形成過孔115，該第二絕緣膜層可以作為鈍化層114。該鈍化層114可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu);該鈍化層114的材料例如氧化硅/氮化硅，也可以采用有機(jī)絕緣材料，例如有機(jī)樹脂材料等。
[0081]步驟S106:在形成有過孔115和鈍化層114的第一襯底基板101上形成像素電極105；
[0082]例如，可通過濺射工藝形成透明金屬氧化物導(dǎo)電材料層，如氧化銦錫(Indium tinoxide，ΙΤ0)層，然后執(zhí)行一次圖案化工藝來形成像素電極105。
[0083]從上述描述可知，形成本實(shí)施例提供的陣列基板的形成方法中，不需額外增加其他工藝步驟即可形成本實(shí)用新型的實(shí)施例提供的包括第一支撐圖案層SI和/或第二支撐圖案層S2的陣列基板。通過形成與數(shù)據(jù)線103同層同材料的第一支撐圖案層SI和/或形成與柵線102同層同材料的第二支撐圖案層S2，可以在基本不增加工藝成本的情況下獲得對隔墊物具有良好支撐性的陣列基板。
[0084]雖然上文中已經(jīng)用一般性說明及【具體實(shí)施方式】，對本實(shí)用新型作了詳盡的描述，但在本實(shí)用新型實(shí)施例基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進(jìn)，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本實(shí)用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本實(shí)用新型要求保護(hù)的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括:第一襯底基板以及設(shè)置在所述第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線和位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電性連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電性連接，所述陣列基板還包括第一支撐圖案層和第二支撐圖案層中的至少之一，所述第一支撐圖案層與所述柵線彼此重疊，并且所述第一支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線位于同一層且由相同材料形成;所述第二支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線彼此重疊，且所述第二支撐圖案層與所述柵線位于同一層且由相同材料形成，所述第一支撐圖案層和所述第二支撐圖案層中的至少之一在第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線在第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，在所述柵線的寬度方向上，所述第一支撐圖案層的寬度大于所述柵線的寬度，且所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影的兩端均位于所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影之外。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上，所述第二支撐圖案層的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度，且所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影的兩端均位于所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影之外。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第一隔墊物，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第二隔墊物，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第一支撐圖案層重疊的第一半導(dǎo)體材料層，所述第一半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中，所述第一支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第二支撐圖案層重疊的第二半導(dǎo)體材料層，所述第二半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中，所述第二支撐圖案層在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層在所述第一襯底基板上的垂直投影之中。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第一隔墊物，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層、所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上的第二隔墊物，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層、所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線以及所述柵線電性及物理分離。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二支撐圖案層與所述數(shù)據(jù)線以及所述柵線電性及物理分離。16.—種顯示裝置，包括權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板、對置基板、以及設(shè)置在所述陣列基板與所述對置基板之間的液晶層及第一隔墊物和第二隔墊物中的至少之一，其中，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第一支撐圖案層重疊的第一半導(dǎo)體材料層，其中，所述第一半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中，所述第一隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第一半導(dǎo)體材料層、所述第一支撐圖案層和所述柵線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，還包括:設(shè)置在所述第一襯底基板上且與所述第二支撐圖案層重疊的第二半導(dǎo)體材料層，其中，所述第二半導(dǎo)體材料層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層且由相同材料形成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述第二隔墊物在所述第一襯底基板上的垂直投影位于所述第二半導(dǎo)體材料層、所述第二支撐圖案層和所述數(shù)據(jù)線在所述第一襯底基板上的垂直投影的重疊區(qū)域之中。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述對置基板為彩膜基板，所述彩膜基板包括第二襯底基板以及設(shè)置在所述第二襯底基板上的彩膜層和黑矩陣層，所述第一隔墊物在所述第二襯底基板上的垂直投影位于所述黑矩陣層在所述第二襯底基板上的垂直投影之中。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述對置基板為彩膜基板，所述彩膜基板包括第二襯底基板以及設(shè)置在所述第二襯底基板上的彩膜層和黑矩陣層，所述第二隔墊物在所述第二襯底基板上的垂直投影位于所述黑矩陣層在所述第二襯底基板上的垂直投影之中。
【文檔編號】G02F1/1339GK205507295SQ201620156233
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月1日
【發(fā)明人】程鴻飛, 李盼
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司