一種集成觸摸顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種集成觸摸顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]集成觸摸技術(shù)與液晶顯示裝置的結(jié)合是顯示裝置發(fā)展史的一個飛躍，隨著集成觸摸技術(shù)的引入，顯示裝置的結(jié)構(gòu)也發(fā)生了變化，即需要引入用于觸摸檢測的電極。其中，市場上大部分集成觸顯示裝置為互電容式，即通過驅(qū)動電極與檢測電極之間的耦合電容的變化確定觸摸位置。一般地，公共電極會復(fù)用為驅(qū)動電極從而防止顯示裝置變厚，因此，公共電極會被分割成很多的條狀電極。然而，當(dāng)公共電極被分割成很多條面積很小的條狀電極時，其每一條條狀電極防靜電擊傷的能力大大降低，從而導(dǎo)致集成觸摸顯示裝置在制程中防靜電擊傷的能力大幅度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本實用新型一種集成觸摸顯示裝置，包括:第一基板;第二基板，與所述第一基板相對設(shè)置;液晶層，位于所述第一基板和所述第二基板之間；多條柵極線，設(shè)置在所述第一基板上，沿著第一方向延伸；多條數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述第一基板上，沿著第二方向延伸；多個像素單元，所述像素單元由相鄰的所述柵極線和相鄰的所述數(shù)據(jù)線交叉形成;多條驅(qū)動電極，沿著所述第一方向排列，向所述第二方向延伸，所述驅(qū)動電極在顯示階段復(fù)用為公共電極;多條檢測電極，沿著所述第二方向排列，向所述第一方向延伸;控制部，所述控制部通過驅(qū)動電極引線連接至所述驅(qū)動電極，并通過檢測電極引線連接至所述檢測電極，用于控制所述驅(qū)動電極和所述檢測電極;多個防靜電器件，設(shè)置于所述第一基板邊緣的一側(cè)，每個所述靜電保護(hù)器件與一條所述數(shù)據(jù)線或者一條所述驅(qū)動電極連接;第一防靜電公共線，設(shè)置于所述第一基板設(shè)置有所述防靜電器件的一側(cè)，并與所有所述防靜電器件連接。
[0004]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型能夠消除條狀驅(qū)動電極和數(shù)據(jù)線之間的電勢差，避免發(fā)生層間放電，防止集成觸摸顯示裝置在制程中被靜電擊傷。
【附圖說明】
[0005]圖1是本實用新型實施例提供的一種集成觸摸顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0006]圖2是本實用新型圖1在A-A’截面的剖視示意圖；
[0007]圖3是本實用新型圖1的防靜電器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖4是本實用新型實施例提供的一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖5是本實用新型實施例提供的另一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖6是本實用新型實施例提供的又一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖7是本實用新型實施例提供的又一種集成觸摸顯示裝置的防靜電器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖8是本實用新型實施例提供的又一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖9是本實用新型實施例提供的又一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本實用新型做進(jìn)一步說明。
[0015]需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實用新型不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0016]請參考圖1，圖2，以及圖3，圖1是本實用新型實施例提供的一種集成觸摸顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1在A-A’截面的剖視示意圖，圖3是圖1的防靜電器件結(jié)構(gòu)示意圖。首先，如圖1至圖3所示，本實施例提供的集成觸摸顯示裝置包括第一基板100，第一基板100包括顯示區(qū)1001和非顯示區(qū)1003;第二基板120，與第一基板100相對設(shè)置，包括顯示區(qū)1201和非顯示區(qū)1203;液晶層110，位于第一基板100和第二基板120之間；多條柵極線132，設(shè)置在第一基板100上的顯示區(qū)1001，沿著第一方向X延伸；多條數(shù)據(jù)線134，設(shè)置在第一基板100上的顯示區(qū)1001，沿著第二方向Y延伸；多個像素單元136，像素單元136由相鄰的柵極線132和相鄰的數(shù)據(jù)線134交叉形成;多條驅(qū)動電極C0ML，沿著第一方向X排列，向第二方向Y延伸，驅(qū)動電極COML在顯示階段復(fù)用為公共電極;多條檢測電極TDL，沿著第二方向Y排列，向第一方向X延伸;控制部111，控制部111通過驅(qū)動電極引線124連接至驅(qū)動電極C0ML，并通過檢測電極引線122連接至檢測電極TDL，用于控制驅(qū)動電極COML和檢測電極TDL，具體地，驅(qū)動電極引線124先連接至驅(qū)動部114，驅(qū)動部114與控制部111之間為電連接，檢測電極引線122先連接至觸摸檢測處理部112，觸摸檢測處理部112與控制部111之間為電連接;在本實施例中，如圖1所示，檢測電極引線122分布在第二基板120非顯示區(qū)1203的兩側(cè)，需要說明的是圖1中第一基板與第二基板重疊，但由于第一基板100在第二方向Y的長度大于第二基板120，因此，第一基板100的非顯示區(qū)1003相對于第二基板120的非顯示區(qū)1203在第二方向Y超出一區(qū)域，此超出區(qū)域被稱為臺階面，通常情況下，臺階面設(shè)置有控制部111以及其他的驅(qū)動1C。進(jìn)一步地，如圖3所示，集成觸摸顯示裝置還包括多個防靜電器件146，具體地，防靜電器件146設(shè)置于第一基板100非顯示區(qū)1003的一側(cè)，每個靜電保護(hù)器件146與一條數(shù)據(jù)線134或者一條驅(qū)動電極COML連接;第一防靜電公共線148，設(shè)置于第一基板100設(shè)置有防靜電器件146的一側(cè)，并與所有防靜電器件146連接，防靜電器件146包括第一輸入端142和第一輸出端144，第一輸入端142與驅(qū)動電極COML或者數(shù)據(jù)線134連接，第一輸出端144與第一防靜電公共線148連接。
[0017]在本實施例中，防靜電器件包括一級或者一級以上串聯(lián)的次級防靜電電路。具體地，請參考圖4至圖6，圖4是本實用新型實施例提供的一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是本實用新型實施例提供的另一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是本實用新型實施例提供的又一種防靜電電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]集成觸摸顯示裝置的第一基板100在非顯示區(qū)1003設(shè)置有薄膜晶體管，該薄膜晶體管是移位寄存器的一部分，多個移位寄存器通過級連形成用于驅(qū)動?xùn)艠O線132進(jìn)行逐行掃描的柵極驅(qū)動電路。其中，如果薄膜晶體管為匪OS晶體管，則可以采用如圖4所示的防靜電器件，具體地，防靜電器件包括一級次級防靜電電路。次級防靜電器件包括第一晶體管T1和第二晶體管τ2，第一晶體管T1的柵極G1和源極S1與第二晶體管T2的漏極D2連接，第二晶體管!^的柵極G2和源極S2與第一晶體管T1的漏極D1連接，其中，次級防靜電電路的第一晶體管T1的柵極61連接第一輸入端142，第二晶體管T2的柵極62連接第一輸出端144，第一晶體管T1和第二晶體管T2Snmos型晶體管。在本實施例中，像素單元包括薄膜晶體管，薄膜晶體管的半導(dǎo)體為非晶硅，或者薄膜晶體管的半導(dǎo)體為低溫多晶硅，且為NM0S。
[0019]如果第一基板100在非顯示區(qū)1003設(shè)置的薄膜晶體管為PMOS晶體管，則可以采用如圖5所示的防靜電器件，具體地，防靜電器件包括一級次級防靜電電路。次級防靜電器件包括第一晶體管!^和第二晶體管Τ2，第一晶體管T1的柵極G1和源極S1與第二晶體管T2的漏極D2連接，第二晶體管T2的柵極G2和源極S2與第一晶體管T1的漏極D1連接，其中，次級防靜電電路的第一晶體管!^的柵極61連接第一輸入端142，第二晶體管T2的柵極62連接第一輸出端144，第一晶體管T1和第二晶體管T2Spmos型晶體管。
[0020]進(jìn)一步地，防靜電器件包括一級以上串聯(lián)的次級防靜電電路，前一級次級防靜電電路的第二晶體管的柵極與后一級次級防靜電器件的第一晶體管的柵極連接，第一級次級防靜電器件的第一晶體管的柵極連接第一輸入端，最后一級所述次級防靜電電路的第二晶體管的柵極連接第一輸出端。如果第一基板100在非顯示區(qū)1003設(shè)置的薄膜晶體管為WOS晶體管，則可以采用如圖6所示的防靜電器件。圖6示意地給出N級串聯(lián)的3個次級防靜電路1461、1462和1463，其中，1461為第一級防靜電電路，1462為N-1級防靜電電路，1463為最后一級防靜電電路，N為大于等于3的正整數(shù)。N-1級次級防靜電電路1462的第二晶體管T2的柵極62與~級次級防靜電器件1463的第一晶體管T1的柵極G1連接，次級防靜電路1461的第一晶體管!^的柵極61連接第一輸入端142，次級防靜電路1462第二晶體管T2的柵極G2與次級防靜電電路1463的第一晶體管T1的柵極G1連接，次級防靜電電路1463的第二晶體管T2的柵極62連接第一輸出端144。圖6只是給出了次級防靜電電路為匪OS型晶體管的多級串聯(lián)防靜電電路，在其他的實施例中，如果第一基板在非顯示區(qū)設(shè)置的薄膜晶體管為PMOS晶體管，防靜電器件可以是次級防靜電電路為PMOS型晶體管的多級串聯(lián)防靜電電路。此外，圖6示意了3級及其以上次級防靜電電路串聯(lián)的靜電防護(hù)電路，在本實施例中，2級次級防靜電電路串聯(lián)的防靜電電路可以被采用。多級次級防靜電電路串聯(lián)形成的防靜電器件與一級次級防靜電電路形成的防靜電器件相比，其防靜電能力更強(qiáng)，即使有些次級防靜電電路被擊穿，仍然還有其他次級防靜電電路可以防止公共電極與數(shù)據(jù)線之間發(fā)生靜電擊穿。
[0021]本實施例中，通過在數(shù)據(jù)線或者條狀公共電極與第一防靜電公共線之間引入防靜電器件，可以防止在制程中條狀公共電極與數(shù)據(jù)線之間的電勢差過大而發(fā)生放電。相應(yīng)地，防靜電器件可以采用一級或者一級以上串聯(lián)的次級防靜電電路，次級防靜電電路為NMOS型晶體管或者PMOS型晶體管。為了簡化制程難度，防靜電電路的薄膜晶體管的半導(dǎo)體與設(shè)置于第一基板的薄膜晶體管的半導(dǎo)體相同。
[0022]此外，本實用新型實施例提供了另一種集成觸摸顯示裝置，請參考圖7。圖7是本實用新型實施例提供的又一種集成觸摸顯示裝置的防靜電器件結(jié)構(gòu)示意圖，與上述集成觸摸顯示裝置，本集成觸摸顯示裝置除防靜電器件及其連接方式不同外，其他結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述。圖7示出了集成觸摸顯示裝置