像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]針對(duì)現(xiàn)有的ADS模式的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極和公共電極完全重疊，像素電極和公共電極之間的存儲(chǔ)電容較高。
[0003]具體地，參見圖1所示的像素結(jié)構(gòu)，其中，在襯底基板11上依次包括公共電極12、絕緣層13、像素電極14，且公共電極12與像素電極14之間重疊區(qū)域造成的存儲(chǔ)電容較高，從而降低了像素的充電率。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)，像素電極和公共電極之間的存儲(chǔ)電容較大，減小了像素的充電率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板，用以減小像素電極和公共電極之間的存儲(chǔ)電容，增大像素的充電率。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈矩陣排布的多個(gè)像素單元，每一像素單元包括位于襯底基板上異層設(shè)置的公共電極和像素電極，所述公共電極和所述像素電極在襯底基板上的投影無(wú)重疊區(qū)域。
[0007]通過(guò)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)中，將異層設(shè)置的公共電極和像素電極設(shè)計(jì)成在襯底基板上的投影無(wú)重疊區(qū)域，從而減小了公共電極和像素電極之間的存儲(chǔ)電容，增大像素的充電率。
[0008]較佳地，所述像素電極和公共電極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，且所述像素電極和公共電極呈插指結(jié)構(gòu)排布。
[0009]較佳地，每一像素單元分為第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域；
[0010]在第一顯示區(qū)域中的像素電極和公共電極的梳狀電極均沿同一延伸方向排布，在第二顯示區(qū)域中的像素電極和公共電極的梳狀電極均沿同一延伸方向排布；
[0011]在第一顯示區(qū)域的梳狀電極的延伸方向與第二顯示區(qū)域的梳狀電極的延伸方向不同。
[0012]較佳地，各第一顯示區(qū)域中的梳狀電極的延伸方向均相同，各第二顯示區(qū)域中的梳狀電極的延伸方向均相同。
[0013]較佳地，各像素單元中的第一顯示區(qū)域中的梳狀電極與第二顯示區(qū)域中的梳狀電極以該第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域的交界處為對(duì)稱軸對(duì)稱分布。
[0014]較佳地，每相鄰兩列像素單元中的梳狀電極以該兩列像素單元之間的空隙為對(duì)稱軸對(duì)稱分布。
[0015]較佳地，所述像素結(jié)構(gòu)還包括位于第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域交界處的第一公共電極線，所述第一公共電極線連接相鄰的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域中的公共電極。
[0016]較佳地，以每相鄰的兩列像素單元為一像素單元組，且每一像素單元組中包括的像素單元不同，其中每一像素單元組共用一根數(shù)據(jù)線，每相鄰兩組像素單元組之間還包括第二公共電極線，所述第二公共電極線連接相鄰的兩組像素單元中的公共電極。
[0017]較佳地，所述第二公共電極線與柵線同層設(shè)置，且所述第二公共電極線在與所述柵線的交疊區(qū)域處，通過(guò)過(guò)孔連接。
[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素電極和公共電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種梳狀電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第三種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027 ]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第四種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第五種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0031]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第三種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0033]附圖中各膜層的厚度和區(qū)域的大小形狀不反映像素結(jié)構(gòu)和陣列基板各部件的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本【實(shí)用新型內(nèi)容】。
[0034]本實(shí)用新型提供了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板，用以減小像素電極和公共電極之間的存儲(chǔ)電容，增大像素的充電率。
[0035]實(shí)施例1
[0036]參見圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的多個(gè)像素單元，每一像素單元包括襯底基板11上異層設(shè)置的公共電極21和像素電極22，公共電極21和像素電極22在襯底基板11上的投影無(wú)重疊區(qū)域。
[0037]其中位于公共電極21和像素電極22之間還包括絕緣層。
[0038]需要說(shuō)明的是，公共電極和像素電極在襯底基板上的投影無(wú)重疊區(qū)域，僅是作為較佳的實(shí)施例進(jìn)行描述，當(dāng)公共電極和像素電極在襯底基板上的投影足夠小，且重疊的面積產(chǎn)生的互電容足夠小，也屬于本實(shí)用新型實(shí)施例的保護(hù)范圍。
[0039]通過(guò)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，將異層設(shè)置的公共電極和像素電極設(shè)計(jì)成在襯底基板上的投影無(wú)重疊區(qū)域，從而減小公共電極和像素電極之間的存儲(chǔ)電容，增大了像素的充電率。
[0040]較佳地，參見圖3，像素電極22和公共電極21為梳狀電極結(jié)構(gòu)，且像素電極22和公共電極21呈插指結(jié)構(gòu)排布。
[0041 ]需要說(shuō)明的是，參見圖4，梳狀電極10包括條狀電極101和連接電極102，相鄰兩個(gè)條狀電極101之間有縫隙，連接電極102將條狀電極101進(jìn)行連接，例如圖4所示的結(jié)構(gòu)為梳狀電極結(jié)構(gòu)。參見圖3所示，將兩個(gè)梳狀電極結(jié)構(gòu)相對(duì)排列，且一個(gè)梳狀電極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)條狀電極101之間的縫隙由另一個(gè)梳狀電極結(jié)構(gòu)的一個(gè)條狀電極101相對(duì)應(yīng)，使得兩個(gè)梳狀電極的排布結(jié)構(gòu)相互之間沒(méi)有重疊，例如圖3所示的結(jié)構(gòu)排布方式為插指結(jié)構(gòu)排布。
[0042]具體地，將像素電極和公共電極設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)，且像素電極和公共電極呈插指結(jié)構(gòu)排布，從而使得像素電極和公共電極在襯底基板上的投影無(wú)重疊區(qū)域，減少像素電極和公共電極之間產(chǎn)生存儲(chǔ)電容，提高像素的充電率。
[0043]本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的像素電極和公共電極的梳狀電極結(jié)構(gòu)，以及呈插指結(jié)