通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及紅外濾光敏感元件領(lǐng)域，尤其是一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進(jìn)行計算的一種檢測設(shè)備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y到的熱量精確量化或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識別和嚴(yán)格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測器是實現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光敏感元件，通過紅外濾光敏感元件可以使探測器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
[0004]但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實用新型所設(shè)計的一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、S1為第一鍍膜層和以S1、S1為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有127nm厚度的Ge層、253nm厚度的S1層、127nm厚度的Ge層、283nm厚度的S1層、109nm厚度的Ge層、260nm厚度的S1層、150nm厚度的Ge層、247nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、328nm厚度的S1層、165nm厚度的Ge層、317nm厚度的S1層、128nm厚度的Ge層、609nm厚度的S1層、260nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、93nm厚度的Ge層、612nm厚度的S1層、265nm厚度的Ge層、1073nm厚度的S1層、335nm厚度的Ge層、88Inm厚度的S1層、393nm厚度的Ge層、860nm厚度的S1層、408nm厚度的Ge層、438nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有106nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、2500nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、572nm厚度的S1層、326nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、369nm厚度的Si層、499nm厚度的S1層、300nm厚度的Si層、731nm厚度的S1層。
[0007]上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本實用新型所得到的一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件 50% Cut on=4200±20nm，50% Cut on=4450±20nm，4250 ?4400nm，T 彡 88%，Tavg ^ 92%，1000 ?4000nm，4600 ?7000nm，T 3%。
【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
[0011]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實施方式】
[0012]下面通過實施例結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的描述。
[0013]實施例1。
[0014]如圖1、圖2所示，本實施例描述的一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、S1為第一鍍膜層I和以S1、S1為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有127nm厚度的Ge層、253nm厚度的S1層、127nm厚度的Ge層、283nm厚度的S1層、109nm厚度的Ge層、260nm厚度的S1層、150nm厚度的Ge層、247nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、328nm厚度的S1層、165nm厚度的Ge層、317nm厚度的S1層、128nm厚度的Ge層、609nm厚度的S1層、260nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、93nm厚度的Ge層、612nm厚度的S1層、265nm厚度的Ge層、1073nm厚度的S1層、335nm厚度的Ge層、88Inm厚度的S1層、393nm厚度的Ge層、860nm厚度的S1層、408nm厚度的Ge層、438nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有106nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、2500nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、572nm厚度的S1層、326nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、369nm厚度的Si層、499nm厚度的S1層、300nm厚度的Si層、731nm厚度的S1層。
【主權(quán)項】
1.一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板(2)，以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以S1、S1為第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有127nm厚度的Ge層、253nm厚度的S1層、127nm厚度的Ge層、283nm厚度的S1層、109nm厚度的Ge層、260nm厚度的S1層、150nm厚度的Ge層、247nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、328nm厚度的S1層、165nm厚度的Ge層、317nm厚度的S1層、128nm厚度的Ge層、609nm厚度的S1層、260nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、93nm厚度的Ge層、612nm厚度的S1層、265nm厚度的Ge層、1073nm厚度的S1層、335nm厚度的Ge層、881nm厚度的S1層、393nm厚度的Ge層、860nm厚度的S1層、408nm厚度的Ge層、438nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有106nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、2500nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、572nm厚度的S1層、326nm厚度的Si層、622nm厚度的S1層、316nm厚度的Si層、1245nm厚度的S1層、369nm厚度的Si層、499nm厚度的S1層、300nm厚度的Si層、731nm厚度的S1層。
【專利摘要】本實用新型公開了一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Si、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本實用新型所得到的一種通過帶為4200-4450nm的紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%。
【IPC分類】G02B5-20
【公開號】CN204374473
【申請?zhí)枴緾N201420757640
【發(fā)明人】王繼平, 胡偉琴, 呂晶
【申請人】杭州麥樂克電子科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年12月7日