。例如，網(wǎng)格170優(yōu)選地由諸如不銹鋼或鉬等的耐腐蝕的材料制成。網(wǎng)格170也可以被諸如金等的惰性材料涂覆。在網(wǎng)格170由金屬絲構(gòu)成的實(shí)例中，構(gòu)成網(wǎng)格170的金屬絲的直徑優(yōu)選地在大約ΙΟΟμπι至Imm的范圍內(nèi)。網(wǎng)格開口大小優(yōu)選地在大約IΟΟμπι至大約2_的范圍內(nèi)。金屬絲網(wǎng)格170的百分比開口優(yōu)選地等于或大于50 %。
[0037]如圖4中所示，網(wǎng)格170可以使用附接構(gòu)件180在幾個(gè)點(diǎn)處被附接至葉片120。附接構(gòu)件180可以被確定尺寸以維持網(wǎng)格180與葉片120的相對的表面之間的恒定寬度的間隙，或者可以被確定尺寸以使得間隙寬度以期望的方式變化。
[0038]以上描述包括一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示例。當(dāng)然不可能描述出用于描述前述實(shí)施例的目的的組成部件和方法學(xué)的每一個(gè)可想到的組合，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識到各種實(shí)施例的很多進(jìn)一步的組合和排列都是可能的。于是，所描述的實(shí)施例旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有這樣的更改、修改和變化。此外，就術(shù)語“包含”或者在詳述描述中或者在權(quán)利要求中使用的程度而言，這樣的術(shù)語以與術(shù)語“包括”類似的方式旨在包容性的，如“包括”在權(quán)利要求中被采用作為銜接詞時(shí)所解釋的那樣。此外，雖然所描述的方面和/或?qū)嵤├脑赡鼙灰詥螖?shù)進(jìn)行描述或主張，但復(fù)數(shù)是預(yù)想到的除非明確聲明限制為單數(shù)。另外，任何方面和/或?qū)嵤├乃谢蛞徊糠挚梢耘c任何其他方面和/或?qū)嵤├乃谢蛞徊糠忠黄鹄?，除非另有聲明?br>【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種設(shè)備，包括: 具有內(nèi)壁的室； 在所述室內(nèi)的區(qū)域，當(dāng)所述設(shè)備處于操作中時(shí)污染材料從所述區(qū)域發(fā)出； 被定位在所述內(nèi)壁的一部分上的多個(gè)葉片，每個(gè)所述葉片具有沿著在所述葉片與所述區(qū)域之間的方向被定向的第一表面和與所述第一表面相鄰的第二表面，所述第二表面被定向成使撞擊所述第二表面的所述污染材料遠(yuǎn)離所述區(qū)域偏轉(zhuǎn)，所述第二表面被確定尺寸并且相對于彼此被并列放置，使得所述第二表面基本上防止所述污染材料撞擊所述內(nèi)壁的所述一部分。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片由從由鉬和不銹鋼組成的組中選取的材料制成。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片被惰性材料覆蓋。4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述惰性材料是金。5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋。6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述網(wǎng)格由從由鉬和不銹鋼組成的組中選取的材料制成。7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述網(wǎng)格被惰性材料覆蓋。8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述惰性材料是金。9.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片被加熱。10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片至少被加熱至所述污染材料的熔點(diǎn)。11.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述葉片包括電阻式元件，并且所述葉片通過將電流供應(yīng)至所述電阻式加熱器而被加熱。12.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述葉片包括內(nèi)部流體通道并且所述葉片通過使被加熱的流體在所述內(nèi)部流體通道中流動(dòng)而被加熱。13.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋并且至少被加熱至所述污染材料的熔點(diǎn)。14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片與用于收集所述污染材料的容器流體連通并且所述網(wǎng)格被布置成將液體污染材料引導(dǎo)至所述容器。15.—種用于通過從源材料生成等離子體而生成對半導(dǎo)體制造有用的光的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 具有內(nèi)壁的室； 在所述室內(nèi)的區(qū)域，當(dāng)所述設(shè)備處于操作中時(shí)源材料從所述區(qū)域發(fā)出； 被定位在所述內(nèi)壁的一部分上的多個(gè)葉片，每個(gè)所述葉片具有沿著在所述葉片與所述區(qū)域之間的方向被定向的第一表面和與所述第一表面相鄰的第二表面，所述第二表面被定向成使撞擊所述第二表面的所述源材料遠(yuǎn)離所述區(qū)域偏轉(zhuǎn)，所述第二表面被確定尺寸并且相對于彼此被并列放置，使得所述第二表面基本上防止所述源材料撞擊所述內(nèi)壁的所述一部分。16.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片由從由鉬和不銹鋼組成的組中選取的材料制成。17.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片被惰性材料覆蓋。18.如權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述惰性材料是金。19.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋。20.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述網(wǎng)格由從由鉬和不銹鋼組成的組中選取的材料制成。21.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述網(wǎng)格被惰性材料覆蓋。22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述惰性材料是金。23.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片被加熱。24.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片至少被加熱至所述源材料的熔點(diǎn)。25.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其中所述葉片包括電阻式元件，并且所述葉片通過將電流供應(yīng)至所述電阻式加熱器而被加熱。26.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其中所述葉片包括內(nèi)部流體通道并且所述葉片通過使被加熱的流體在所述內(nèi)部流體通道中流動(dòng)而被加熱。27.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋并且每個(gè)所述葉片至少被加熱至所述源材料的熔點(diǎn)。28.如權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述葉片與用于收集所述源材料的容器流體連通并且所述網(wǎng)格被布置成將液體源材料引導(dǎo)至所述容器。29.—種用于通過從源材料生成等離子體而生成對半導(dǎo)體制造有用的光的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 具有內(nèi)壁的室； 在所述室內(nèi)的區(qū)域，當(dāng)所述設(shè)備處于操作中時(shí)源材料從所述區(qū)域發(fā)出； 被定位在所述內(nèi)壁的第一部分上的第一葉片，所述葉片具有沿著在所述第一葉片與所述區(qū)域之間的第一方向被定向的第一葉片相切表面和與所述第一葉片相切表面相鄰的第一葉片遮蔽表面，所述第一葉片遮蔽表面被定向成使撞擊所述第一葉片遮蔽表面的所述源材料遠(yuǎn)離所述區(qū)域偏轉(zhuǎn)； 被定位在所述內(nèi)壁的第二部分上的第二葉片，所述第二葉片具有沿著在所述第二葉片與所述區(qū)域之間的不同于所述第一方向的第二方向被定向的第二葉片相切表面和與所述第二葉片相切表面相鄰的第二葉片遮擋表面，所述第二葉片遮擋表面被定向成使撞擊所述第二葉片遮蔽表面的所述源材料遠(yuǎn)離所述區(qū)域偏轉(zhuǎn)； 所述第一葉片遮蔽表面和所述第二葉片遮蔽表面被確定尺寸并且相對于彼此被并列放置，使得所述第一葉片遮蔽表面和所述第二葉片遮蔽表面基本上防止所述源材料撞擊所述內(nèi)壁的所述第一部分和所述第二部分。30.如權(quán)利要求29所述的設(shè)備，其中所述第一葉片和所述第二葉片中的每一個(gè)的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋。31.如權(quán)利要求29所述的設(shè)備，其中所述第一葉片和所述第二葉片中的每一個(gè)被加熱。32.如權(quán)利要求29所述的設(shè)備，其中所述第一葉片和所述第二葉片中的每一個(gè)的至少一部分被網(wǎng)格覆蓋并且所述第一葉片和所述第二葉片中的每一個(gè)至少被加熱至所述源材料的熔點(diǎn)。
【專利摘要】一種設(shè)備，包括具有內(nèi)壁的室和在室內(nèi)的區(qū)域，當(dāng)設(shè)備處于操作中時(shí)污染材料從該區(qū)域發(fā)出。多個(gè)葉片被定位在內(nèi)壁的一部分上，每個(gè)葉片具有沿著在葉片與區(qū)域之間的方向被定向的第一表面和與第一表面相鄰的第二表面，第二表面被定向成使撞擊第二表面的污染材料遠(yuǎn)離區(qū)域偏轉(zhuǎn)，第二表面被確定尺寸并且相對于彼此被并列放置以使得第二表面基本上防止污染材料撞擊內(nèi)壁的一部分。
【IPC分類】G03F7/00
【公開號】CN105518530
【申請?zhí)枴緾N201480048742
【發(fā)明人】A·I·厄肖夫, J·伯克
【申請人】Asml荷蘭有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年8月21日
【公告號】US8901523, WO2015034685A1