運(yùn)動傳感器66、電容器68和無線電芯片組70由射頻(RF)天線72圍繞。RF天線72設(shè)置在隱形眼鏡30的邊緣內(nèi)。RF天線72具有完全圍繞運(yùn)動傳感器66、電容器68和無線電芯片組70的封閉圓形。然而，在另一些實(shí)施例中，RF天線72可以具有部分打開的圓形形狀。RF天線72可以是用于從外部裝置接收信息(數(shù)據(jù))并發(fā)送信息(數(shù)據(jù))到外部裝置的器件之一。此外，RF天線72可以是用于通過無線電力傳輸方法從外部裝置接收電力的器件之一。外部裝置可以包括用于操作智能隱形眼鏡的器件的程序。外部裝置可以是便攜式裝置或固定裝置。例如，便攜式裝置可以是移動通訊裝置。RF天線72與運(yùn)動傳感器66、電容器68和無線電芯片組70分開。運(yùn)動傳感器66和無線電芯片組70可以通過配線連接到RF天線72。運(yùn)動傳感器66可以不直接連接到RF天線72。運(yùn)動傳感器66可以連接到控制單元76。運(yùn)動傳感器66可以直接或通過控制單元76連接到無線電芯片組70。在此情況下，運(yùn)動傳感器66的操作可以由控制單元76控制。鈍化材料層80覆蓋周邊器件34和顯示單元32，包封層60覆蓋材料層80。
[0085]圖10是從圖9的y軸方向看的側(cè)視圖。
[0086]參照圖10，顯示單元32、配線部分64、運(yùn)動傳感器66、電容器68、無線電芯片組70和RF天線72覆蓋有材料層80。材料層80的邊緣與隱形眼鏡30的上表面接觸。材料層80的功能和材料可以與上述第一材料層36的相同。材料層80覆蓋有包封層60。包封層60與隱形眼鏡30的邊緣氣密接觸。
[0087]圖11是沿著圖9的線11-11’剖取的截面圖。
[0088]參照圖11，凹槽30G形成在隱形眼鏡30的中心區(qū)域中。顯示單元32設(shè)置在凹槽30G中。顯示單元32的厚度可以等于凹槽30G的深度。配線部分64設(shè)置在隱形眼鏡30的上表面上位于顯示單元32的兩側(cè)。運(yùn)動傳感器66設(shè)置在配線部分64的左部的左側(cè)，無線電芯片組70設(shè)置在配線部分64的右部的右側(cè)。RF天線72設(shè)置在運(yùn)動傳感器66的左側(cè)和無線電芯片組70的右側(cè)。RF天線72、運(yùn)動傳感器66、無線電芯片組70、配線部分64和顯示單元32覆蓋有用于防止雜質(zhì)(例如，氧氣和水)滲入的材料層80。
[0089]圖12是示出根據(jù)示例實(shí)施例的圖11所示的顯示單元32的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0090]參照圖12，顯示單元32包括順序堆疊的透明基板層90、開關(guān)陣列層94、發(fā)光層96和電極層98。例如，透明基板層90可以是玻璃層。透明基板層90具有曲率。透明基板層90的曲率可以等于隱形眼鏡30的其上設(shè)置顯示單元32的部分的曲率。多個微透鏡92設(shè)置在透明基板層90的下表面上。微透鏡92形成陣列。當(dāng)形成微透鏡92時，可以調(diào)節(jié)微透鏡92的焦距。也就是，光束(箭頭)通過微透鏡92輻射到視網(wǎng)膜的聚集位置可以通過調(diào)整微透鏡92的焦距來控制。開關(guān)陣列層94是透明的并附接到透明基板層90的上表面，開關(guān)陣列層94可以包括由多個晶體管構(gòu)成的陣列。然而，開關(guān)陣列層94的配置不限于具有晶體管。晶體管可以通過有源矩陣方法操作。晶體管可以包括場效應(yīng)晶體管(FET)諸如η溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NM0SFEF)，或薄膜晶體管(TFT)。開關(guān)陣列層94可以單獨(dú)地形成，然后可以轉(zhuǎn)移到透明基板層90。開關(guān)陣列層94中包括的開關(guān)器件可以具有約100 μ mX 100 μ m或更小的尺寸。形成在開關(guān)陣列層94上的發(fā)光層96可以用作光源，并可以包括由多個發(fā)光器件96A構(gòu)成的陣列。發(fā)光器件96A可以通過有源矩陣方法操作。發(fā)光器件96A可以包括發(fā)光二極管(LED)，諸如紅外線LED(ILED)、量子點(diǎn)LED(QD-LED)或有機(jī)LED(OLED)。發(fā)光器件96A可以具有約100 μ mX 100 μ m或更小的尺寸。發(fā)光器件96A通過外延生長方法形成。發(fā)光層96的發(fā)光器件96A可以以一對一的方式對應(yīng)于微透鏡92。微透鏡92聚集從發(fā)光器件96A發(fā)射的光，使得光可以聚焦在視網(wǎng)膜上。發(fā)光層96的發(fā)光器件96A之間的最小間隔可以大于隱形眼鏡30的佩戴者在佩戴者感知目標(biāo)時能夠檢測發(fā)光器件96A的存在的間隔(在下文，稱為極限間隔)。因此，發(fā)光器件96A不阻擋佩戴者的視野。發(fā)光器件96A的分布密度可以根據(jù)發(fā)光層96的區(qū)域而變化，另外，發(fā)光器件96A之間的間隔可以為極限間隔或更大。這將在后面詳細(xì)描述。電極層98形成在發(fā)光層96上。電極層98包括多個第一電極98A和多個第二電極98B。第一和第二電極98A和98B是彼此相交的水平線和垂直線。發(fā)光器件96A設(shè)置在第一和第二電極98A和98B的相交位置。在圖12中，第一和第二電極98A和98B彼此接觸。然而，第一和第二電極98A和98B可以不彼此接觸。第一和第二電極98A和98B可以具有約20μπι至約30μπι的厚度tl。電極層98的面積可以為其中分布電極層98的區(qū)域的整個面積的約5%至約15%。也就是，其中分布電極層98的區(qū)域的約85%至95%可以是空的(empty)。因此，電極層98的第一和第二電極98A和98B不會妨礙佩戴者的視野。
[0091]微透鏡92的分布密度可以根據(jù)透明基板層90的區(qū)域而變化。其示例在圖13中示出。
[0092]參照圖13，微透鏡92的分布密度可以在朝著透明基板層90的中心的方向上增大。換言之，微透鏡92的分布密度可以在透明基板層90的中心區(qū)域中是最高的，并在遠(yuǎn)離透明基板層90的中心的方向上逐漸減小。發(fā)光層96的發(fā)光器件96A的分布密度可以與微透鏡92的分布密度相同。換言之，發(fā)光器件96A的分布密度在發(fā)光層96的中心區(qū)域中是最高的，并在遠(yuǎn)離發(fā)光層96的中心的方向上逐漸減小。開關(guān)陣列層94的開關(guān)器件的分布密度可以與發(fā)光器件96A的分布密度類似。微透鏡92的分布密度將在后面更詳細(xì)地描述，并且該描述也可以應(yīng)用于發(fā)光器件96A和開關(guān)陣列層94。
[0093]圖14和圖15是示出圖13所示的透明基板層90的微透鏡92的分布密度的仰視圖。
[0094]參照圖14，如上所述，微透鏡92的分布密度在透明基板層90的中心區(qū)域中是最高的，并在朝著透明基板層90的邊緣的方向上逐漸減小。微透鏡92可以以一對一的方式對應(yīng)于發(fā)光器件96A。圖14示出其中透明基板層90具有圓形形狀的情形，也就是其中顯示單元32具有圓形形狀的情形。圖15示出其中透明基板層90具有四邊形形狀的情形。
[0095]發(fā)光層96的發(fā)光器件96A可以構(gòu)成像素。微透鏡92的分布密度可以應(yīng)用于發(fā)光器件96A的分布密度。因此，分辨率可以在發(fā)光層96的中心區(qū)域中相對較高，并可以在朝著發(fā)光層96的邊緣的方向上減小。也就是，分辨率可以在顯示單元32的中心區(qū)域中是最高的，并可以在朝著顯示單元32的邊緣的方向上減小。
[0096]圖16是示出其中信息(數(shù)據(jù))通過根據(jù)示例實(shí)施例的智能隱形眼鏡投射到視網(wǎng)膜130上的示例情形的截面圖。
[0097]參照圖16，水平和垂直顛倒的圖像(例如，信息或數(shù)據(jù))通過晶體透鏡120從智能隱形眼鏡(SC1、SC2或SC3)與眼球110接觸的第一區(qū)域S1中設(shè)置的顯示單元32投射到視網(wǎng)膜130上。因為顯示單元32設(shè)置在隱形眼鏡30上或隱形眼鏡30中，所以與其中顯示單元32與隱形眼鏡30分隔的情況相比，從顯示單元32朝著視網(wǎng)膜130投射的光的角度相對較大。這導(dǎo)致較大的視角(α)。此外，視網(wǎng)膜130的其中顯示信息(數(shù)據(jù))的區(qū)域的尺寸可以通過改變用于發(fā)光(也就是，用于顯示信息)的顯示單元32的發(fā)光層96的區(qū)域的范圍來調(diào)整。
[0098]接下來，將參照圖17至圖29根據(jù)示例實(shí)施例描述制造智能隱形眼鏡的方法。在下面的描述中，與上述相同的元件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且不再重復(fù)其描述。
[0099]首先，將詳細(xì)描述制造具有上述結(jié)構(gòu)的顯示單元32的工藝。
[0100]參照圖17，制備剛性模子(或模子層)150。模子150的上表面150Α是具有預(yù)定曲率的凸起表面。模子150具有形成在其上表面150Α中的多個凹陷150G。凹陷150G用于形成微透鏡92。形成在上表面150Α中的凹陷150G的數(shù)量可以等于要形成的微透鏡92的數(shù)量。模子150可以具有約2.2mm的直徑D1。
[0101]參照圖18，透明基板層90形成在模子150的上表面150A上以填充凹陷150G。接下來，開關(guān)陣列層94形成在透明基板層90上。開關(guān)陣列層94可以通過轉(zhuǎn)移印刷法從另一個地方轉(zhuǎn)移到透明基板層90。例如，包括多個晶體管的晶體管陣列可以形成在諸如單晶硅基板的硅基板上。然后，硅基板可以被回蝕刻，并且晶體管陣列可以利用印章(stamp)轉(zhuǎn)移到透明基板層90。這樣，可以形成開關(guān)陣列層94。
[0102]接下來，發(fā)光層96形成在開關(guān)陣列層94上。發(fā)光層96可以形成在單獨(dú)的地方，然后可以通過轉(zhuǎn)移印刷方法轉(zhuǎn)移到開關(guān)陣列層94。將在后面更詳細(xì)地描述發(fā)光層96的形成。在形成發(fā)光層96之后，包括在開關(guān)陣列層94中的器件以及包括在發(fā)光層96中的器件通過采用金(Au)或透明材料(諸如石墨烯)彼此連接。該連接可以具有可伸長的結(jié)構(gòu)，諸如三維彈起式結(jié)構(gòu)(例如，島橋結(jié)構(gòu)(island bridge structure))或絲狀蜿蜓結(jié)構(gòu)。接下來，電極層98形成在發(fā)光層96上。這樣，形成了顯示單元32。
[0103]如上所述形成的顯示單元32通過采用微結(jié)構(gòu)的印章從模子150獲取，并如圖19所示轉(zhuǎn)移到形成在隱形眼鏡30的中心區(qū)域中的凹槽30G。
[0104]在此情況下，轉(zhuǎn)移可以采用如納米壓印方法的對準(zhǔn)方法進(jìn)行。該對準(zhǔn)方法可以具有約±10nm或更小的對準(zhǔn)精度。在轉(zhuǎn)移顯示單元32之前，凹槽30G可以形成在隱形眼鏡30的上表面的中心區(qū)域中。在形成凹槽30G時，凹槽30G的深度可以根據(jù)要轉(zhuǎn)移的顯示單元32的厚度來決定。凹槽30G的深度可以等于要轉(zhuǎn)移的顯示單元32的厚度或與其不同。
[0105]可選地，顯示單元32可以如圖7所示通過采用粘合劑材料附接到隱形眼鏡30的上表面的中心區(qū)域。在此情況下，凹槽30G可以不形成在隱形眼鏡30中。
[0106]在顯示單元32轉(zhuǎn)移到隱形眼鏡30的上表面的中心區(qū)域之后，器件層210如