Tft陣列基板檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如:液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
[0003]現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)與彩色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫面。
[0004]TFT陣列基板包括多條柵極線和數(shù)據(jù)線，相互垂直的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線形成了多個(gè)像素單元，且每個(gè)像素單元內(nèi)均設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、像素電極及存儲(chǔ)電容等。TFT包括一柵極連接至柵極線，源極連接至數(shù)據(jù)線，漏極連接至像素電極。當(dāng)柵極線被驅(qū)動(dòng)時(shí)，TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線送入灰階電壓信號(hào)并將其加載至像素電極，從而使得像素電極與公共電極之間產(chǎn)生相應(yīng)的電場(chǎng)，液晶層中的液晶分子則在電場(chǎng)的作用下發(fā)生取向變化，因此可以實(shí)現(xiàn)不同的圖像顯示。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的制作過(guò)程，通常包括:首先，提供一襯底基板、在所述襯底基板上的依次制作遮光層、氮化硅層、多晶硅層、及氧化硅層，隨后對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行通道摻雜、以及N型離子摻雜形成半導(dǎo)體層，最后，在所述半導(dǎo)體層上依次制備柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源/漏極、平坦層、公共電極、保護(hù)層、以及像素電極。上述制作過(guò)程中，特別是在平坦層的制程中，會(huì)在基板表面產(chǎn)生有機(jī)污染物及雜質(zhì)，而現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于此類污染物及雜質(zhì)通常缺乏直接有效的檢測(cè)手段，尤其是在小顆粒和量較小的污染物檢測(cè)方面更為薄弱。另外，在各個(gè)制程段中，膜層的生長(zhǎng)質(zhì)量缺乏實(shí)時(shí)把控，這些因素都會(huì)對(duì)后制程產(chǎn)生影響，從而降低產(chǎn)線的良率。
[0006]拉曼散射是光散射現(xiàn)象的一種，單色光束的入光光子與分子相互作用時(shí)可發(fā)生彈性碰撞和非彈性碰撞，在彈性碰撞過(guò)程中，光子與分子間沒(méi)有能量交換，光子只改變運(yùn)動(dòng)方向而不改變頻率，這種散射過(guò)程稱為瑞利散射。而在非彈性碰撞過(guò)程中，光子與分子之間發(fā)生能量交換，光子不僅僅改變運(yùn)動(dòng)方向，同時(shí)光子的一部分能量傳遞給分子，或者分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)能量傳遞給光子，從而改變了光子的頻率，這種散射過(guò)程稱為拉曼散射。對(duì)拉曼散射光譜進(jìn)行分析，根據(jù)拉曼的頻率，可以確定物質(zhì)的組成、結(jié)構(gòu)、構(gòu)象、形態(tài);根據(jù)拉曼峰位的變化可以確定張力、應(yīng)力;根據(jù)拉曼峰寬可以確定晶體的質(zhì)量;根據(jù)拉曼峰強(qiáng)度可以確定物質(zhì)含量范圍，最終反應(yīng)出被檢測(cè)物質(zhì)的多種信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板檢測(cè)方法，能夠提高TFT陣列基板潔凈度，改善成膜質(zhì)量，減少制程不良。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板檢測(cè)方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供一TFT陣列基板，所述TFT陣列基板設(shè)有檢測(cè)區(qū)；
[0010]步驟2、提供一拉曼光譜儀，所述拉曼光譜儀發(fā)出激光照射所述TFT陣列基板的檢測(cè)區(qū)；
[0011]步驟3、提供一分析設(shè)備，所述拉曼光譜儀接收檢測(cè)區(qū)各物質(zhì)的拉曼信號(hào)并傳遞給分析設(shè)備，所述分析設(shè)備根據(jù)各物質(zhì)的拉曼信號(hào)的拉曼特征峰分析所述TFT陣列基板的檢測(cè)區(qū)內(nèi)的各物質(zhì)的類型、組成、結(jié)晶質(zhì)量和物質(zhì)含量范圍。
[0012]所述拉曼光譜儀包括:光源、瑞利濾光裝置、狹縫、光柵、以及探測(cè)器；
[0013]所述光源發(fā)出激光經(jīng)由瑞利濾光裝置照射到所述TFT陣列基板的檢測(cè)區(qū)發(fā)生拉曼散射產(chǎn)生拉曼信號(hào)，所述拉曼信號(hào)再經(jīng)過(guò)狹縫和光柵后被探測(cè)器接收。
[00?4] 所述步驟2中激光的波長(zhǎng)范圍為300nm-800nm，光斑直徑為Ιμπι。
[0015]所述分析設(shè)備內(nèi)存儲(chǔ)有TFT陣列基板上各種物質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的拉曼特征峰數(shù)據(jù)庫(kù)，通過(guò)程序識(shí)別相應(yīng)的拉曼特征峰來(lái)確定物質(zhì)的類型、組成、結(jié)晶質(zhì)量和物質(zhì)含量范圍。
[0016]所述分析設(shè)備中存儲(chǔ)有TFT陣列基板上各種物質(zhì)的拉曼特征峰的峰位、峰強(qiáng)、峰寬、及偏移量的允許范圍，通過(guò)控制各物質(zhì)的拉曼特征峰的峰位、峰強(qiáng)、峰寬、及偏移量的允許范圍來(lái)控制TFT陣列基板的制程合格率。
[0017]所述TFT陣列基板上設(shè)有平坦層，所述檢測(cè)區(qū)位于所述平坦層上。
[0018]于所述平坦層的灰化制程之后進(jìn)行所述TFT陣列基板檢測(cè)。
[0019]于所述TFT陣列基板的清洗制程之后進(jìn)行所述TFT陣列基板檢測(cè)。
[0020]所述步驟3中通過(guò)所述分析設(shè)備提供的各物質(zhì)的類型、組成、結(jié)晶質(zhì)量和物質(zhì)含量范圍確定所述TFT陣列基板的檢測(cè)區(qū)內(nèi)是否存在污染物、以及污染物的成分。
[0021]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板的檢測(cè)方法，通過(guò)拉曼光譜儀對(duì)所述TFT陣列基板進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)拉曼特征峰確定TFT陣列基板上的各物質(zhì)的類型、組成、結(jié)晶質(zhì)量和物質(zhì)含量范圍，從而確定TFT陣列基板的檢測(cè)區(qū)內(nèi)是否存在污染物、污染物的成分、晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量及純凈程度，該檢測(cè)方法耗時(shí)短、條件簡(jiǎn)單、靈敏度高，能夠精確檢測(cè)TFT陣列基板上的污染物的成分和來(lái)源，實(shí)時(shí)監(jiān)控晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量，提高TFT陣列基板潔凈度，改善成膜質(zhì)量，減少制程不良。
【附圖說(shuō)明】
[0022]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0023]附圖中，
[0024]圖1為本發(fā)明的TFT陣列基板檢測(cè)方法的示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的TFT陣列基板檢測(cè)方法的流程圖；
[0026]圖3和圖4為本發(fā)明的TFT陣列基板檢測(cè)方法對(duì)兩種不同襯底上的羅丹明6G的檢測(cè)
結(jié)果圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0027]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板檢測(cè)方法，包括如下步驟:
[0029]步驟1、提供一TFT陣列基板11，所述TFT陣列基板11設(shè)有檢測(cè)區(qū)13。
[0030]可選地，所述TFT陣列基板11上設(shè)有平坦層12，所述檢測(cè)區(qū)13位于所述平坦層12上。
[0031 ]步驟2、提供一拉曼光譜儀，所述拉曼光譜儀發(fā)出激光照射所述TFT陣列基板11的檢測(cè)區(qū)13。