記錄介質及其制造方法、全息記錄、再現(xiàn)裝置和全息系統(tǒng)的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種記錄介質及其制造方法、全息記錄、再現(xiàn)裝置和全息系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002]全息是指光波的全部信息，即光波的振幅和相位。而全息顯示技術的原理為首先同時記錄光源照射拍攝物產生的漫反射光(可簡稱物光)的振幅與相位，之后根據(jù)物光的振幅與相位再現(xiàn)物光，就能夠得到拍攝物的立體像。
[0003]相關技術中有一種全息系統(tǒng)，該設備包括激光器(作為光源)，分束鏡，光折變晶體(作為記錄物光的振幅與相位的記錄介質)和顯示屏。通過該設備進行全息顯示時包括記錄和再現(xiàn)兩個過程，其中記錄過程為:激光器射出的光束經過分束鏡分為物光和參考光，物光照射到目標物體上反射至光折變晶體，并與照射到光折變晶體中的參考光發(fā)生干涉，由于光折變晶體的光學特性，目標物體的信息(即物光的振幅與相位)會被逐漸記錄在光折變晶體中。再現(xiàn)過程為:通過參考光的相干光照射記錄有目標物體的信息的光折變晶體，從光折變晶體投射出的光束照射在顯示屏上即可得到目標物體的立體像，實現(xiàn)目標物體的全息再現(xiàn)。
[0004]發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)上述方式至少存在如下缺陷:上述方式中，作為記錄介質的光折變晶體記錄目標物體信息的速度較慢，全息實現(xiàn)的效率較低。

【發(fā)明內容】

[0005]為了解決相關技術中作為記錄介質的光折變晶體記錄目標物體信息的速度較慢，全息實現(xiàn)的效率較低的問題，本發(fā)明實施例提供了一種記錄介質及其制造方法、全息記錄、再現(xiàn)裝置和全息系統(tǒng)。所述技術方案如下:
[0006]根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面，提供一種記錄介質，所述記錄介質包括:
[0007]兩個透明導電膜層以及所述兩個透明導電膜層之間的液晶層，所述液晶層中摻雜有量子點。
[0008]可選的，所述記錄介質還包含有環(huán)形的間隔物，
[0009]所述環(huán)形的間隔物設置在所述兩個透明導電膜層之間，所述液晶層設置在所述兩個透明導電膜層與所述環(huán)形的間隔物構成的空間中。
[0010]可選的，所述兩個透明導電膜層中每個透明導電膜層靠近所述液晶層的一側設置有配向膜。
[0011]可選的，所述量子點由硫化鋅和磷化銦中的至少一種材料構成。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種記錄介質的制造方法，用于制造第一方面提供的記錄介質，所述方法包括:
[0013]將量子點溶液與液晶混合得到混合物，所述量子點溶液包括量子點與保存液；
[0014]在預設溫度中將所述混合物保溫預定時長，以去除所述保存液；
[0015]將去除所述保存液的混合物作為液晶層設置在兩個透明導電膜層之間。
[0016]可選的，所述保存液為氯仿，所述預設溫度為70度，所述預定時長為10小時。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第三方面。提供一種全息記錄裝置，包括第一方面提供的記錄介質，光源和電源組件，
[0018]所述光源用于提供入射到所述記錄介質的參考光和入射到目標物體的入射光，所述參考光與所述入射光為相干光；
[0019]所述電源組件用于向所述記錄介質中的量子點提供激活電壓；
[0020]所述記錄介質用于接收所述參考光和所述入射光經所述目標物體反射后的物光以記錄所述目標物體的信息。
[0021]根據(jù)本發(fā)明實施例的第四方面，提供一種全息再現(xiàn)裝置，包括第一方面提供的記錄介質，光源、電源組件和顯示屏，
[0022]所述光源用于提供入射到所述記錄介質的再現(xiàn)光；
[0023]所述電源組件用于向所述記錄介質中的量子點提供激活電壓；
[0024]所述記錄介質中記錄有目標物體的信息；
[0025]所述顯示屏用于承載立體像。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種全息系統(tǒng)，所述全息系統(tǒng)包括第三方面提供的全息記錄裝置和第四方面提供的全息再現(xiàn)裝置。
[0027]本發(fā)明實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:
[0028]通過將摻雜有量子點的液晶層作為記錄介質，使量子點產生的空間電荷場加速液晶分子的重新配向，加速了記錄介質記錄目標物體的信息的速度，解決了相關技術中作為記錄介質的光折變晶體記錄目標物體信息的速度較慢，全息實現(xiàn)的效率較低的問題。達到了記錄介質能夠快速記錄目標物體的信息的效果。提高了全息再現(xiàn)的效率。
[0029]應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0030]此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0031]圖1是本發(fā)明實施例示出的一種記錄介質的結構示意圖；
[0032]圖2是本發(fā)明實施例示出的另一種記錄介質的結構示意圖；
[0033]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種記錄介質的制造方法的流程圖；
[0034]圖4-1是本發(fā)明實施例提供的一種全息記錄裝置的結構示意圖；
[0035]圖4-2是本發(fā)明實施例提供的另一種全息記錄裝置的結構示意圖；
[0036]圖5是本發(fā)明實施例提供的一種全息再現(xiàn)裝置的結構示意圖。
[0037]通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發(fā)明的概念。
【具體實施方式】
[0038]這里將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0039]圖1是本發(fā)明實施例示出的一種記錄介質的結構示意圖，該記錄介質能夠用于記錄目標物體的信息。該記錄介質可以包括:
[0040]兩個透明導電膜層11和12以及兩個透明導電膜層之間的液晶層13，液晶層13中摻雜有量子點L。
[0041]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的記錄介質，通過將摻雜有量子點的液晶層作為記錄介質，使量子點產生的空間電荷場加速液晶分子的重新配向，加速了記錄介質記錄目標物體的信息的速度，解決了相關技術中作為記錄介質的光折變晶體記錄目標物體信息的速度較慢，全息實現(xiàn)的效率較低的問題。達到了記錄介質能夠快速記錄目標物體的信息的效果。提高了全息再現(xiàn)的效率。
[0042]進一步的，請參考圖2，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種記錄介質的結構示意圖，該記錄介質在圖1所示的記錄介質的基礎上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本發(fā)明實施例提供的記錄介質具有更好的性能。
[0043]可選的，記錄介質還包含有環(huán)形的間隔物14，環(huán)形的間隔物14設置在兩個透明導電膜層(11和12)之間，液晶層13設置在兩個透明導電膜層(11和12)與環(huán)形的間隔物14構成的空間中。透明導電膜層11和12可以由氧化銦錫構成，環(huán)形的間隔物14可以為硅基間隔物，厚度可以為20um(微米)左右。環(huán)形的間隔物14可以用于支撐液晶層13，維持記錄介質的形狀。該液晶層13中的液晶可以為向列型液晶。
[0044]可選的，兩個透明導電膜層中每個透明導