/Q"/Q"'的一側(cè)處的匯流條的最小距離D0_Q。最大距離D0_P是W下對(duì)點(diǎn)之間的最大距 離：a) 0-P，b) 0-P'，C) 0-P"和d) 0-P"'等。最小距離D0_Q是W下對(duì)點(diǎn)之間的最小距離：a) 0-Q，b)O-Q'，C)O-Q'和d)O-Q"'等。最弱著色點(diǎn)處的匯流條距離do=D0_Q+D0_P。最強(qiáng)著 色點(diǎn)處的匯流條距離dl是由點(diǎn)P、Q錯(cuò)定的相對(duì)匯流條之間的減少或最小距離。
[0118] 在步驟1042,方法還確定總匯流條長(zhǎng)度與周長(zhǎng)的比例Ree,所述周長(zhǎng)是由部分的周 長(zhǎng)（例如，設(shè)備涂層的有效面積或襯底的周長(zhǎng)）劃分的單獨(dú)BB區(qū)段化1、L2、Ls和L4)的長(zhǎng) 度的和。
[0119] 在步驟1050,方法確定所述方法是否收斂到減少或最小化的差D=Idi屯|，同 時(shí)維持Ree〉〇. 4。如果方法尚未收斂，則將匯流條值調(diào)整到新值，且新的迭代從返回到步驟 1030開始。如果方法已經(jīng)收斂，則方法從關(guān)于四個(gè)匯流條區(qū)段Li-La中的每一個(gè)的值的所 述迭代處的當(dāng)前值確定實(shí)質(zhì)上均勻著色的設(shè)備的匯流條配置（步驟1060)。運(yùn)些可被稱為 匯流條區(qū)段中的每一個(gè)的"收斂值"。
[0120] 在可選步驟1070中，方法可在步驟1060處確定的收斂值附近確定Li-La的可接 受值的區(qū)域。運(yùn)些值提供更寬范圍的匯流條尺寸，其提供實(shí)質(zhì)上均勻的著色。在一些情況 下，出于各種原因，諸如更容易生產(chǎn)、改進(jìn)的審美等，用戶可在區(qū)域中選擇可能最有利的一 組或多組可接受值。在可選步驟1070中，可在步驟1040中確定的解決方案附近定義所述 區(qū)域。所述區(qū)域可被定義為來自步驟1040中確定的解決方案的預(yù)定義D值內(nèi)（例如，D<15 英寸，D<20英寸等）關(guān)于L1-L4的一組或多組值。在一個(gè)實(shí)例中，方法可在L1-L4的長(zhǎng)度附 近確定可接受的L1-L4集的區(qū)域，其中D< 15英寸。 陽121] 在一個(gè)實(shí)施方案中，方法可將來自收斂值的長(zhǎng)度值調(diào)整較小增量，并基于調(diào)整值 計(jì)算差值D。如果所計(jì)算出的D在預(yù)定義的最大D值內(nèi)，則所調(diào)整的長(zhǎng)度值在可接受值的區(qū) 域內(nèi)。所述方法可繼續(xù)調(diào)整進(jìn)一步來自收斂值的長(zhǎng)度值，直到確定一定數(shù)量的可接受值的 集合。在一些情況下，用戶提供額外輸入，W確定某些值集是否可接受。例如，用戶可將最 小長(zhǎng)度設(shè)置為某個(gè)值（例如，0.50英寸）。在該實(shí)例中，用戶可基于難W制造少于最小值的 匯流條區(qū)段而設(shè)置該最小值。
[0122] 在某些實(shí)施方案中，關(guān)于圖11描述的方法可用于確定特定形狀類型的類別解決 方案，其可適用于所述類型的任何形狀。所述解決方案可基于收斂值或可接受值。在圖 13A-13C中示出有關(guān)直角=角形和兩個(gè)直角梯形的匯流條布局的類別解決方案的一些實(shí) 例。在本文中描述其它類別解決方案。通過使用運(yùn)些類別解決方案，可基于形狀尺寸從計(jì) 算確定均勻著色的匯流條布局。例如，圖13A中示出的解決方案沿直角提供匯流條，所述匯 流條的長(zhǎng)度為直角邊1的長(zhǎng)度的0. 6倍W及直角邊2的長(zhǎng)度的0. 6倍。在該特定的=角形 設(shè)備中，直角邊1是90"且直角邊2是45"，W及BBz是沿直角邊1的54"和沿直角邊2的 27"。
[0123]在一些情況下，從操作的角度看，使連接到下層的匯流條沿連續(xù)側(cè)定位，運(yùn)樣可驅(qū) 動(dòng)其中將配置匯流條的邊緣的位置。例如，圖13C具有連接到下層的BBi,且定位在沿底邊 1的連續(xù)邊緣上。然后，將BB鹿位在沿底邊2和直角邊1的相對(duì)非連續(xù)邊緣上。
[0124] 雖然結(jié)合某些實(shí)施方案描述了直角梯形和/或直角=角形的匯流條布局，但是可 使用本文描述的技術(shù)來設(shè)計(jì)其它形狀（例如，平行四邊形、半圓、四分之一圓等）的匯流條 配置。在圖14AU4B、15、16、17和18中示出使用本文描述的技術(shù)設(shè)計(jì)的匯流條配置的一些 實(shí)例。圖14A描繪了弓形設(shè)備的第一匯流條配置的實(shí)例。圖14B描繪了弓形設(shè)備的第二匯 流條配置的實(shí)例。圖15描繪了半圓形設(shè)備的匯流條配置的實(shí)例。圖16是四分之一圓設(shè)備 的匯流條配置的實(shí)例。圖17描繪梯形設(shè)備的匯流條配置的實(shí)例。
[01巧]圖18描繪S角形設(shè)備的第一匯流條配置的實(shí)例。在圖19-23中示出來自使用該 配置的不同匯流條比例的結(jié)果。匯流條2的每一側(cè)的0. 60匯流條比例可能具有短暫均勻 性的最好平衡，同時(shí)很好地著色30度拐角。圖19-23是示出具有范圍從0. 50到0. 70的不 同匯流條比例的=角形電致變色設(shè)備中的著色的數(shù)據(jù)集。匯流條比例可指的是匯流條長(zhǎng)度 與具有匯流條的（設(shè)備的）側(cè)面的長(zhǎng)度的比例。圖20描繪具有匯流條2的0. 50匯流條比 例的匯流條配置。圖21描繪具有匯流條2的0.55匯流條比例的匯流條配置。圖22描繪 具有匯流條2的0. 60匯流條比例的匯流條配置。圖23描繪具有匯流條2的0. 70匯流條 比例的匯流條配置。 陽126] 圖19示出將0. 60匯流條比例（目P，匯流條長(zhǎng)度=側(cè)面長(zhǎng)度的0. 60倍）的著色 與0. 80匯流條比例（即，匯流條長(zhǎng)度=側(cè)面長(zhǎng)度的0. 80倍）進(jìn)行比較的繪圖。頂部繪圖 具有匯流條2,其具有0. 60匯流條比例。底部繪圖具有匯流條2,其具有0. 80匯流條比例。 在頂部繪圖中，當(dāng)最弱區(qū)域達(dá)到結(jié)束光學(xué)狀態(tài)時(shí)，0. 60匯流條比例表明最快著色區(qū)域與最 慢著色區(qū)域之間的約0. 60的差。如在底部繪圖中示出，當(dāng)最弱區(qū)域到達(dá)結(jié)束光學(xué)狀態(tài)時(shí)， 0. 80匯流條比例表明最快著色區(qū)域與最慢著色區(qū)域之間的約1. 10的差。圓圈值是具有最 大有效電壓的區(qū)域。與繪圖進(jìn)行比較，存在設(shè)備上的潛在過渡驅(qū)動(dòng)位置的位置漂移。在0.80 匯流條比例配置中，具有最大有效電壓的區(qū)域位于30°拐角中，且在0. 60匯流條比例配置 中，具有最大有效電壓的區(qū)域靠近=角形的中間。圖19結(jié)果表明，與0.80匯流條配置相比， 0. 60匯流條比例配置總體上被較少過渡驅(qū)動(dòng)。
[0127]在某些實(shí)施方案中，在電致變色設(shè)備形成之后，可執(zhí)行邊緣刪除和/或激光劃線。 德國(guó)慕尼黑的SCANLABAG提供可根據(jù)所公開的實(shí)施方案使用的掃描儀。一般而言，運(yùn)些處 理器移除設(shè)備的周邊區(qū)域附近的一些或全部設(shè)備。邊緣刪除可指的是從電致變色設(shè)備的周 邊移除材料的過程。邊緣刪除可移除上層和電致變色設(shè)備層，或可移除電致變色設(shè)備的上 層、電致變色層W及下層。激光劃線可用于隔離設(shè)備的部分，例如，在邊緣刪除過程期間損 壞的部分。在一些圖示的實(shí)施方案中，將可選的隔離劃線圖示為"L3"劃線。L3劃線通過上 透明導(dǎo)電層，并可穿透TCL下方的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備層（包括電致變色層），但不會(huì)穿透下透 明導(dǎo)電層。在一些圖示的實(shí)施方案中，邊緣刪除可被稱為"L邸"。雖然在一些圖示的實(shí)例中 可示出L3"和/或"LED"區(qū)域，但是運(yùn)些特征中的一個(gè)或二者是可選的，且一個(gè)或二者可被 省略。邊緣刪除和激光劃線的一些實(shí)例可在2009年12月22日提交的題為"FABRICATION OF LOW DE陽CTIV口Y ELECTROCHROMIC DEVICES"的美國(guó)專利申請(qǐng)第 12/645, 111 號(hào)、2012年 4月25日提交的題為"ELECTR0CHR0MIC WINDOW FABRICATION MET冊(cè)DS"的美國(guó)專利申請(qǐng)第 13/456, 056號(hào)、化及2012年 12月 10 日提交的題為"THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION" 的PCT專利申請(qǐng)第PCT/US2012/068817號(hào)中找到，所述專利申請(qǐng)通過引用的方式全部并入 本文。
[0128] 圖24A是過程流2400,其描述制造具有相對(duì)匯流條的電致變色設(shè)備或其它光學(xué)設(shè) 備的方法的方面，每個(gè)匯流條適用于光學(xué)設(shè)備的導(dǎo)電層中的一個(gè)。虛線指示過程流中的可 選步驟。如關(guān)于圖24B-C描述的示例性設(shè)備2440用于圖示過程流。圖24B提供頂視圖，其 描繪包括如關(guān)于圖24A描述的過程流2400的數(shù)字指示器的設(shè)備2440的制造。圖24D示出 包括關(guān)于圖24B描述的設(shè)備2440的截面圖。設(shè)備2440是矩形設(shè)備，但過程流2400適用于 具有相對(duì)匯流條（每個(gè)位于導(dǎo)電層上）的光學(xué)設(shè)備的任何形狀。下文關(guān)于圖24E更詳細(xì)地 描述所述方面，其圖示了過程流2400,因?yàn)槠渑c圓形電致變色設(shè)備的制造相關(guān)。
[0129] 參考圖24A和圖24B，在接收其上具有第一導(dǎo)體層的襯底之后，過程流2400開始于 第一導(dǎo)體層（例如，下透明導(dǎo)體層）的可選拋光，參見2401。在某些實(shí)施方案中，已發(fā)現(xiàn)，拋 光下導(dǎo)電層增強(qiáng)在其上制造的EC設(shè)備的光學(xué)特性和性能。在于其上制造電致變色設(shè)備之 前拋光透明導(dǎo)電層在2012年9月27日提交的題為"化tical Device F油rication"的專 利申請(qǐng)PCT/US12/57606中描述，所述專利申請(qǐng)通過引用的方式全部并入本文。可在邊緣刪 除之前（參見2405)或在過程流中的邊緣刪除之后完成拋光（如果執(zhí)行）。在某些實(shí)施方 案中，可在邊緣刪除之前和之后拋光下導(dǎo)體層。通常，僅拋光下導(dǎo)體層一次。
[0130] 再次參考圖24A，如果不執(zhí)行拋光2401，則過程2400開始于在襯底的周邊的一部 分附近邊緣刪除第一寬度，參見2405。在某些實(shí)施方案中，所刪除的部分僅包括與襯底的一 個(gè)邊緣相鄰的部分。在另一實(shí)施方案中，所刪除的部分是沿襯底的單個(gè)邊緣（例如，ITO匯 流條邊緣）。邊緣刪除可能僅移除第一導(dǎo)體層或還可移除擴(kuò)散障壁（如果存在）。在一個(gè) 實(shí)施方案中，襯底為玻璃且其上包括鋼擴(kuò)散障壁和透明導(dǎo)電層，例如，基于氧化錫的透明金 屬氧化物導(dǎo)電層。在所描繪的實(shí)施方案中，襯底是矩形的（例如，參見圖24B中描繪的方形 襯底）。在相關(guān)實(shí)施方案中，其通常是更復(fù)雜的形狀。圖24B中的虛線填充區(qū)域指示第一導(dǎo) 體層。因此，在根據(jù)過程2405的邊緣刪除之后，從襯底2430的周長(zhǎng)的=個(gè)側(cè)面移除具有寬 度A的透明導(dǎo)體。該寬度通常但不一定是均勻?qū)挾取Ｏ挛拿枋隽说诙挾菳。在寬度A和 /或?qū)挾菳不均勻的情況下，其相對(duì)于彼此的相對(duì)幅值是依據(jù)其平均寬度。 陽131] 作為在2405處移除第一寬度A的結(jié)果，存在下導(dǎo)體層的新暴露邊緣。在某些實(shí)施 方案中，第一導(dǎo)電層的該邊緣的至少一部分可選地可為錐形，參見2407和2409。下伏的擴(kuò) 散障壁層也可為錐形。發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，在于其上制造后續(xù)層之前，使一個(gè)或多個(gè)設(shè)備層呈錐 形在設(shè)備結(jié)構(gòu)和性能中具有意想不到的優(yōu)點(diǎn)。 陽132] 在某些實(shí)施方案中，在邊緣錐削之后可選地拋光下導(dǎo)體層，參見2408。已發(fā)現(xiàn)，在 某些設(shè)備材料的情況下，可能有利的是，邊緣錐削之后拋光下導(dǎo)體層，因?yàn)閽伖饪蓪?duì)邊緣錐 削W及大容量導(dǎo)體表面具有意想不到的有利影響，運(yùn)樣可改進(jìn)設(shè)備性能。在某些實(shí)施方案 中，在拋光2408之后執(zhí)行邊緣錐削，參見2409。雖然在圖24A的2407和2409二者處示出 邊緣錐削（如果執(zhí)行），但是邊緣錐削通常將被執(zhí)行一次（例如，在2407或2409處）。
[0133] 在第一寬度A的移除W及上述可選拋光和/或可選邊緣錐削之后，將EC設(shè)備放置 在襯底2430的表面上方，參見2410。該放置包括光學(xué)設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)材料層和第二導(dǎo)電 層，例如透明導(dǎo)電層，諸如銅錫氧化物（ITO)。所描繪的覆蓋范圍是整個(gè)襯底，但是由于必須 將玻璃保持在適當(dāng)位置中的載體而導(dǎo)致可能存在一些掩蔽。在一個(gè)實(shí)施方案中，覆蓋第一 導(dǎo)體層的剩余部分的整個(gè)面積，包括重疊先前移除的第一寬度A附近的第一導(dǎo)體。運(yùn)樣允 許在最終的設(shè)備架構(gòu)中存在重疊區(qū)域。
[0134] 在特定實(shí)施方案中，電磁福射用于執(zhí)行邊緣刪除，并提供襯底的周圍區(qū)域，例如， W移除透明導(dǎo)體層或更多層（高達(dá)并包括頂部導(dǎo)體層和施加到其中的任何蒸汽障壁），運(yùn) 取決于過程步驟。在一個(gè)實(shí)施方案中，至少執(zhí)行邊緣刪除，W移除包括襯底上的透明導(dǎo)體層 的材料，并且可能還移除擴(kuò)散障壁（如果存在）。在某些實(shí)施方案中，邊緣刪除用于移除襯 底的表面部分（例如，浮法玻璃），并且還進(jìn)入不超過壓縮區(qū)域（如果熱處理）的厚度的深 度?？蓤?zhí)行邊緣刪除，例如，W通過IGU的隔圈的主密封和次密封的至少一部分創(chuàng)建良好密 封面。例如，當(dāng)導(dǎo)體層跨越襯底的整個(gè)面積且因此具有暴露邊緣時(shí)，透明導(dǎo)體層有時(shí)可能失 去粘附力，盡管存在次密封。此外，據(jù)信，當(dāng)金屬氧化物和其它功能層具有運(yùn)種暴露邊緣時(shí)， 它們可充當(dāng)濕氣進(jìn)入大容量設(shè)備的路徑，并因此折衷主密封和次密封。 陽135] 示例性電磁福射包括UV、激光等。例如，材料可使用波長(zhǎng)248nm、355nm(即，UV)、 1030nm(即，IR,例如盤形激光）、1064nm(例如，Nd:YAG激光）和532nm(例如，綠光激光） 中的一個(gè)處或附近的直接和聚焦能量移除，雖然運(yùn)些實(shí)例為非限制性。在另一實(shí)施方案中， 激光通過寬范圍的波長(zhǎng)發(fā)射。例如，激光可為全波段激光。在其它情況下，激光可通過窄頻 帶波長(zhǎng)發(fā)射。例如，使用光纖或開放式光路將激光福射遞送到襯底?？蓮囊r底側(cè)或EC薄膜 側(cè)執(zhí)行燒蝕，運(yùn)取決于襯底處理設(shè)備的選擇和配置參數(shù)。燒蝕薄膜厚度所需的能量密度通 過將激光束傳遞通過光學(xué)透鏡來實(shí)現(xiàn)。透鏡將激光束聚焦成期望形狀和大小。在一個(gè)實(shí)施 方案中，使用例如具有約0.005mm2至約2mm2之間的聚焦區(qū)域的"大禮帽（tophat)"波束配 置。在一個(gè)實(shí)施方案中，使用波束的聚焦水平來達(dá)到所需的能量密度，W燒蝕EC薄膜堆疊。 在一個(gè)實(shí)施方案中，燒蝕中使用的能量密度在約2J/cm2與約6J/cm2之間。 陽136] 在某些激光邊緣刪除過程中，通過EC設(shè)備的表面沿周長(zhǎng)掃描激光光斑。在一個(gè)實(shí) 施方案中，使用掃描F0透鏡來掃描激光光斑。在掃描期間，例如通過重疊光斑的區(qū)域來 實(shí)現(xiàn)EC薄膜的均勻移除。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述重疊在約5%與約100%之間，在另一 實(shí)施方案中，在約10%與約90%之間，在再一實(shí)施方案中，在約10%與約80%之間。用于 執(zhí)行LED/B陽和劃線過程的適當(dāng)裝置在2012年3月30日提交的題為"COAXIALDISTANCE MEASUREMENTVIAFOLDINGOFTRIANGULATION沈NSOROPTICSPATH"的美國(guó)專利申請(qǐng)第 13/436, 387號(hào)中描述，所述專利申請(qǐng)通過引用的方式全部并入本文。 陽137] 可使用各種掃描圖案，例如，W直線掃描、曲線掃描等。在運(yùn)些掃描圖案的情況下， 可掃描各種形狀部段（諸如，例如矩形、圓形、楠圓形、多邊形、不規(guī)則圖形等）或可共同創(chuàng) 建周長(zhǎng)邊緣刪除區(qū)域的其它形狀部段。在一個(gè)實(shí)施方案中，掃描線（或"筆"，即由相鄰或重 疊激光光斑創(chuàng)建的線，例如，方形、圓形等。）在光斑重疊的上述水平處重疊。即，由先前掃描 的線的路徑定義的燒蝕材料的區(qū)域與后來的掃描線重疊，使得存在重疊。目P，被重疊或相鄰 激光光斑燒蝕的圖案區(qū)域與后續(xù)燒蝕圖案的區(qū)域重疊。對(duì)于使用重疊的實(shí)施方案，可使用 例如在約5KHZ與約500KHZ之間的范圍內(nèi)的光斑、線或圖案、更高頻激光。在某些實(shí)施方案 中，頻率在約8-15曲Z之間，例如，在約10-12曲Z之間。在一些其它情況下，頻率可在低MHz 范圍內(nèi)。為了最小化對(duì)EC設(shè)備的暴露邊緣的熱相關(guān)損壞（即，熱影響區(qū)域或"HAZ")，使用 更短脈沖持續(xù)時(shí)間激光。在一個(gè)實(shí)例中，脈沖持續(xù)時(shí)間在約IOOfs(飛秒）與約l(K)ns(納 秒）之間。在另一實(shí)施方案中，脈沖持續(xù)時(shí)間在約Ips(皮秒）與約50ns之間。在再一實(shí) 施方案中，脈沖持續(xù)時(shí)間在約20ps與約30ns之間。在其它實(shí)施方案中，可使用其它范圍的 脈沖持續(xù)時(shí)間。
[0138]再參考圖24A和圖24B，過程流2400在襯底的實(shí)質(zhì)上整個(gè)周長(zhǎng)附近繼續(xù)移除比第 一寬度A窄的第二寬度B，參見2415。運(yùn)樣可包括將材料向下移除到襯底（例如，玻璃）或 到擴(kuò)散障壁（如果存在）。在過程流2400完成到2415(例如，在如圖24B描繪的矩形襯底 上）之后，存在具有寬度B的周