可是彼此連接且相通的，而位于同一列的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)120的多個(gè)溝槽124a連接成長條狀開口，所述長條狀開口在平行于第一掃描線SLn的方向X上延伸且跨越像素陣列基板100的所有數(shù)據(jù)線DL。
[0094]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)120可選擇性包括絕緣層125 (繪示于圖2)。絕緣層125覆蓋彩色濾光圖案124以及被彩色濾光圖案124的溝槽124a暴露出的元件(例如:第二掃描線SLn+Ι、分享開關(guān)元件T3、分享電容C3、第一主動(dòng)元件T1的漏極D1、第二主動(dòng)元件T2的漏極D2以及部份的共享線CLs+1)。在本實(shí)施例中，絕緣層G1、122、125均透光。
[0095]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖3，第一像素電極PE1配置于彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第一主動(dòng)元件T1電性連接。詳言之，位于溝槽124a中的部分絕緣層122、125具有相通的開口 122a、125a。第一像素電極PE1由彩色濾光圖案124及絕緣層125上延伸至溝槽124a中，進(jìn)而覆蓋被溝槽124a暴露的部分絕緣層122、125并填入絕緣層122、125的開口 122a、125a，以和第一主動(dòng)元件T1的漏極D1電性接觸。值得注意的是，第一像素電極PE1除了具有與彩色濾光圖案124重迭的主體部之外，第一像素電極PE1更具有與共享線CLs+1重迭的第一修補(bǔ)部PElr，換句話說，部分共享線CLs+Ι延伸至彩色濾光圖案124的溝槽124a的面積以內(nèi)，和第一像素電極PE1重迭構(gòu)成第一修補(bǔ)部PElr。第一修補(bǔ)部PElr也位于彩色濾光圖案124的溝槽124a中，且不與彩色濾光圖案124的實(shí)體、第一主動(dòng)元件T1的漏極D1以及第二掃描線SLn+Ι重迭。
[0096]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，類似地，第二像素電極PE2配置于彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第二主動(dòng)元件T2電性連接。詳言之，位于溝槽124a中的部分絕緣層122、125具有相通的開口 122b、125b。第二像素電極PE2由彩色濾光圖案124及絕緣層125上延伸至溝槽124a中，進(jìn)而覆蓋被溝槽124a暴露的部分絕緣層122、125并填入絕緣層122、125的開口 122b、125b，以和第二主動(dòng)元件T2的漏極D2電性接觸。值得注意的是，第二像素電極PE2除了具有與彩色濾光圖案124重迭的主體部之外，第二像素電極PE2更具有與共享線CLs+Ι重迭的第二修補(bǔ)部PE2r，換句話說，部分共享線CLs+Ι延伸至彩色濾光圖案124的溝槽124a的面積以內(nèi)，和第二像素電極PE2重迭構(gòu)成第二修補(bǔ)部PE2r。第二修補(bǔ)部PE2r也位于彩色濾光圖案124的溝槽124a中，且不與彩色濾光圖案124的實(shí)體、第二掃描線SLn+Ι以及第二主動(dòng)元件T2的漏極D2重迭。
[0097]請(qǐng)參照?qǐng)D1，在本實(shí)施例中，分享開關(guān)元件T3的漏極D3具有相對(duì)的第一側(cè)與第二偵牝第一像素電極PE1的第一修補(bǔ)部PElr位于分享開關(guān)元件T3的漏極D3的第一側(cè)(右側(cè))，而第二像素電極PE2的第二修補(bǔ)部PE2r及數(shù)據(jù)線DL位于分享開關(guān)元件T3的漏極D3的第二側(cè)(左側(cè))。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，第一、二修補(bǔ)部也可以其它適當(dāng)方式配置，以下將于后續(xù)段落中舉例說明。
[0098]值得一提的是，相較于習(xí)知中:第一像素電極PE1以及第二像素電極PE2需穿過彩色濾光圖案124的部分(例如:第一像素電極PE1與漏極D1接觸的區(qū)域、第二像素電極PE2與漏極D2接觸的區(qū)域)以及第一像素電極PE1以及第二像素電極PE2需避開彩色濾光圖案124的部分(例如:第一修補(bǔ)部PElr、第二修補(bǔ)部PE2r)，本發(fā)明的設(shè)計(jì)，將這些原本需要在彩色濾光片上分別設(shè)置多個(gè)開口的位置，均設(shè)置于同一個(gè)彩色濾光片的開口(即，溝槽124a)中。換言之，像素結(jié)構(gòu)120不需像習(xí)知技術(shù)般，在彩色濾光圖案中分別設(shè)置『多個(gè)』開口，以使像素電極分別穿過多個(gè)開口與多個(gè)薄膜晶體管電性連接，并使像素電極的部份區(qū)域避開彩色濾光圖案，因此，像素結(jié)構(gòu)120不需考慮習(xí)知技術(shù)中多個(gè)彩色濾光圖案開口的間距離的規(guī)范，從而使像素結(jié)構(gòu)120的布局(layout)更具彈性，而有助于設(shè)計(jì)出開口率(aperture rat1)高的像素陣列基板100。
[0099]此外，如圖1所示，在本實(shí)施例中，更可將第一像素電極PE1的第一修補(bǔ)部PElr以及第二像素電極PE2的第二修補(bǔ)部PE2r設(shè)置在第一掃描線SLn的同一側(cè)。換言之，第一修補(bǔ)部PElr及第二修補(bǔ)部PE2r可與同一條共享線CLs+Ι重迭，而另一共享線CLs可不再設(shè)置與第一像素電極PE1重迭且用以修補(bǔ)(或者說，熔接)的保留區(qū)，從而像素結(jié)構(gòu)120的開口率可更進(jìn)一步地提升。
[0100]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，保護(hù)圖案126a填入彩色濾光圖案124的溝槽124a，以覆蓋部份的第一像素電極PE1與部份的第二像素電極PE2。詳言之，保護(hù)圖案126a覆蓋了被溝槽124a暴露出的構(gòu)件。舉例而言，(即，第一像素電極PE1與第一漏極D1接觸的區(qū)域、第一像素電極PE1的第一修補(bǔ)部PElr、第二像素電極PE2與第二漏極D2接觸的區(qū)域以及第二像素電極PE2的第二修補(bǔ)部PE2r)。然而，本發(fā)明并不限定保護(hù)圖案126a—定要覆蓋被溝槽124a暴露出的所有構(gòu)件，在其它實(shí)施例中，保護(hù)圖案也可覆蓋被溝槽124a暴露出的部份構(gòu)件而暴露出另一部份的構(gòu)件。
[0101]在本實(shí)施例中，保護(hù)圖案126a更覆蓋了第二掃描線SLn+Ι、分享開關(guān)元件T3以及分享電容C3。更進(jìn)一步地說，如圖2所示，在本實(shí)施例中，保護(hù)圖案126a可填滿彩色濾光圖案124的溝槽124a，且保護(hù)圖案126a的邊緣126ae可超出溝槽124a的邊緣124ae。換言之，保護(hù)圖案126a可與彩色濾光圖案124的傾斜角(tape angle) Θ重迭，且暴露出大部分的第一像素電極ΡΕ1與大部分的第二像素電極ΡΕ2。然而，本發(fā)明并不限定保護(hù)圖案126a的邊緣126ae —定要超出溝槽124a的邊緣124ae。在未繪示的另一實(shí)施例中，保護(hù)圖案126a的相對(duì)二邊緣126ae可剛好位于定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側(cè)壁上，也有其它實(shí)施例，保護(hù)圖案126a的二邊緣126ae并未超出溝槽124a的邊緣124ae而位于溝槽124a內(nèi)部；或者，保護(hù)圖案126a的相對(duì)二邊緣126ae其中之一可位于定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側(cè)壁上、超出溝槽124a的邊緣124ae或并未超出溝槽124a的邊緣124ae而位于溝槽124a內(nèi)部，而另一邊緣126ae可不位于定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側(cè)壁上，或超出溝槽124a的邊緣124ae，或并未超出溝槽124a的邊緣124ae而位于溝槽124a內(nèi)部，此設(shè)計(jì)更可增加開口率。
[0102]值得一提的是，填入溝槽124a的保護(hù)圖案126a除了能夠保護(hù)被溝槽124a暴露出的構(gòu)件之外，由于保護(hù)圖案126a是采用絕緣透光材料，因此，若像素結(jié)構(gòu)120異常而需使用激光熔接(welding)第一修補(bǔ)部PElr與共享線CLs+1、第二修補(bǔ)部PE2r與共享線CLs+1、或上述二者，以暗點(diǎn)化像素結(jié)構(gòu)120時(shí)，修補(bǔ)者的視線可穿過透光的保護(hù)圖案126a而清楚的看見第一修補(bǔ)部PElr與共享線CLs+Ι重迭處、及/或第二修補(bǔ)部PE2r與共享線CLs+Ι重迭處，進(jìn)而完成修補(bǔ)動(dòng)作。另一方面，相較于習(xí)知技術(shù)，由于第一修補(bǔ)部PElr與共享線CLs+1重迭處、第二修補(bǔ)部PE2r與共享線CLs+Ι重迭處是被面積大的溝槽124a暴露，因此激光可輕易地射入面積大的溝槽124a中進(jìn)而完成熔接動(dòng)作，從而提升像素結(jié)構(gòu)120的修補(bǔ)(即暗點(diǎn)化)成功率。如圖1、圖2所示，在本實(shí)施例中，是熔接(welding)第一修補(bǔ)部PElr與共享線CLs+Ι而形成熔接點(diǎn)W，以使二者電性連接為示例。然而，本發(fā)明不以此為限，有熔接第二修補(bǔ)部PE2r與共享線CLs+Ι的像素結(jié)構(gòu)、同時(shí)熔接第一修補(bǔ)部PElr與共享線CLs+Ι、第二修補(bǔ)部PE2r與共享線CLs+Ι的像素結(jié)構(gòu)、以及無任何熔接點(diǎn)W的像素結(jié)構(gòu)也在本發(fā)明所欲保護(hù)的范疇內(nèi)。
[0103]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖3，在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)120更包括間隙物(Spacer) 126b。間隙物126b配置于彩色濾光圖案124上。間隙物126b的頂點(diǎn)(或說頂面)P1與第一基板110的距離H1大于保護(hù)圖案126a的頂面P2與第一基板110的距離H2，而保護(hù)圖案126a與間隙物126b的材質(zhì)相同。舉例而言，可用半調(diào)式(half tone)光罩圖案化透光絕緣層，而同時(shí)形成高度不同的保護(hù)圖案126a與間隙物126b。換言之，保護(hù)圖案126a與間隙物126b的工藝可整合在一起，而不需為了制作保護(hù)圖案126a，額外花費(fèi)一道工序。
[0104]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，顯示面板1000包括前述的像素陣列基板100、位于像素陣列基板100對(duì)向側(cè)的對(duì)向基板200與位于像素陣列基板100與對(duì)向基板200之間的顯示介質(zhì)300。在本實(shí)施例中，顯示介質(zhì)300例如為液晶。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，顯示介質(zhì)300也可以是有機(jī)電致發(fā)光層、電泳顯示介質(zhì)或其它適當(dāng)材料。
[0105]顯示面板1000可進(jìn)一步包括共享電極400。共享電極400與第一像素電極PE1之間的電壓差、共享電極400與第二像素電極PE2之間的電壓差可驅(qū)動(dòng)顯示介質(zhì)300，進(jìn)而使顯示面板1000顯示影像。在本實(shí)施例中，共享電極400可配置在對(duì)向基板200上，間隙物126b可抵頂對(duì)向基板200上的共享電極400。然而，本發(fā)明不限于此，在未繪示的另一實(shí)施例中，共享電極400與像素結(jié)構(gòu)120也可配置在同一第一基板110上，而間隙物126b可直接抵頂對(duì)向基板200。此外，顯示面板1000更可包括遮光圖案BM。遮光圖案BM遮蔽彩色濾光圖案124的溝槽124a。更進(jìn)一步地說，遮光圖案BM遮蔽每一像素結(jié)構(gòu)120的彩色濾光圖案124至溝槽124a的邊緣124ae。在本實(shí)施例中，遮光圖案BM可配置于對(duì)向基板200上(即，對(duì)向基板200與顯示介質(zhì)300之間)，但本發(fā)明不以此為限。由于顯示面板1000采用如述具有像素結(jié)構(gòu)120的像素陣列基板100，因此顯不面板1000也具有尚開口率、易修補(bǔ)等優(yōu)點(diǎn)。
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