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陣列基板、陣列基板的制作方法以及液晶顯示面板的制作方法

文檔序號(hào):9546225閱讀:230來源:國知局
陣列基板、陣列基板的制作方法以及液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、陣列基板的制作方法以及液晶顯不面板。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)應(yīng)用的不同,液晶顯示面板分為透過型液晶顯示面板、反射型液晶顯示面板以及半反半透型液晶顯示面板。相較于前兩種液晶顯示面板,半反半透型液晶顯示面板能反射光,也帶有背光源。光線好的時(shí)候,可以關(guān)掉背光源,利用反射光;光線差的時(shí),可以點(diǎn)亮背光源。因此半反半透型液晶顯示面板主要用于手機(jī)等中小尺寸產(chǎn)品,能夠滿足其輕便、節(jié)能的述求。
[0003]現(xiàn)有的半反半透型液晶顯示面板中,反射區(qū)域通常設(shè)置在薄膜晶體管區(qū)域上方,在制作時(shí),需要在襯底基板上先逐層形成薄膜晶體管的各層后,再逐層形成反射區(qū)域的各層,制作工藝繁雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此,本發(fā)明提供一種陣列基板、陣列基板的制作方法以及液晶顯示面板,以實(shí)現(xiàn)簡化半反半透型液晶顯示面板中陣列基板的制作工序。
[0005]第一方面,本發(fā)明提供了一種陣列基板。該陣列基板包括:
[0006]襯底基板;
[0007]形成在所述襯底基板上的多個(gè)像素單元,所述像素單元中包括反射區(qū)域、透射區(qū)域和薄膜晶體管區(qū)域;
[0008]所述反射區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的有機(jī)膜層,以及位于所述有機(jī)膜層之上的反射金屬層;
[0009]所述薄膜晶體管區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有機(jī)刻蝕阻擋層;
[0010]所述有機(jī)膜層與所述有機(jī)刻蝕阻擋層材料相同,且在同一制作工藝步驟中形成。
[0011]第二方面,本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法。該陣列基板的制作方法,包括:
[0012]提供襯底基板;
[0013]在襯底基板上形成多個(gè)像素單元,所述像素單元中包括反射區(qū)域、透射區(qū)域和薄膜晶體管區(qū)域,其中所述反射區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的有機(jī)膜層,以及位于所述有機(jī)膜層之上的反射金屬層,所述有機(jī)膜層與所述薄膜晶體管區(qū)域中薄膜晶體管的源極和漏極之間的有機(jī)刻蝕阻擋層材料相同,且在同一道工藝步驟中形成。
[0014]第三方面,本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板。該液晶顯示面板,包括彩膜基板,本發(fā)明所提供的陣列基板,以及位于所述彩膜基板和所述陣列基板之間的液晶層。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案,其中通過將陣列基板中像素單元?jiǎng)澐譃榉瓷鋮^(qū)域、透視區(qū)域以及薄膜晶體管區(qū)域,并且將反射區(qū)域的有機(jī)膜層與薄膜晶體管區(qū)域的有機(jī)刻蝕阻擋層采用相同材料,在同一制作工藝步驟中形成,能夠有效減少一道有機(jī)膜制程,簡化半反半透液晶顯示面板的制作工藝,降低制作成本。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖2是圖1沿A1-A2方向的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖5是圖1沿A1-A2方向的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖6是圖1沿A1-A2方向的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制作方法的流程圖;
[0023]圖8是圖7中S42的一種詳細(xì)制作方案的流程圖;
[0024]圖9是圖7中S42的另一種詳細(xì)制作方案的流程圖;
[0025]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明??梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0027]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是圖1沿A1-A2方向的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D1和圖2所示,該陣列基板包括:襯底基板1 ;形成在襯底基板1上的多個(gè)像素單元10 (如圖1所示),像素單元10中包括反射區(qū)域11、透射區(qū)域12和薄膜晶體管區(qū)域13(圖2中示例性地給出了一個(gè)像素單元10);反射區(qū)域11包括形成在襯底基板1上的有機(jī)膜層111,以及位于有機(jī)膜層111之上的反射金屬層112 ;薄膜晶體管區(qū)域13設(shè)置有薄膜晶體管131,薄膜晶體管131包括有機(jī)刻蝕阻擋層1311 ;有機(jī)膜層111與有機(jī)刻蝕阻擋層1311材料相同,且位于同一層,即在同一制作工藝步驟中形成。
[0028]值得說明的一點(diǎn)是,在圖1所述的實(shí)施例中,薄膜晶體管區(qū)域13位于每一個(gè)像素單元10的左下方,反射區(qū)域11位于每一個(gè)像素單元10的右側(cè)。這僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例,而非對(duì)本發(fā)明的限制。在每一個(gè)像素單元10內(nèi),反射區(qū)域11、透射區(qū)域12和薄膜晶體管區(qū)域13具體的分布方式還可以有多種。例如,圖3示出了反射區(qū)域11、透射區(qū)域12和薄膜晶體管區(qū)域13在每一個(gè)像素區(qū)域的另一種分布方式。在圖3中,薄膜晶體管區(qū)域13位于每一個(gè)像素單元10的左下方,反射區(qū)域11位于每一個(gè)像素單元10的上方,透射區(qū)域12位于薄膜晶體管區(qū)域13和反射區(qū)域11之間。圖4示出了反射區(qū)域11、透射區(qū)域12和薄膜晶體管區(qū)域13在每一個(gè)像素區(qū)域分布的又一個(gè)具體示例。在圖4中,薄膜晶體管區(qū)域13位于每一個(gè)像素單元10的左下方,反射區(qū)域11位于每一個(gè)像素單元10的右下方,并且直接與薄膜晶體管區(qū)域13相鄰,透射區(qū)域12位于每一個(gè)像素單元10的上方。
[0029]另外,考慮到透視區(qū)域12和反射區(qū)域11的面積比是影響顯示屏畫質(zhì)的重要因素,需要確保每一個(gè)像素單元10內(nèi)的透射區(qū)域12和反射區(qū)域11都能獲得良好的光效率。其中,根據(jù)應(yīng)用的不同,透視區(qū)域12和反射區(qū)域11的面積比可以在2:8至8:2之間進(jìn)行選擇。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例中,如圖2所示,薄膜晶體管區(qū)域13中薄膜晶體管131可以為底柵式薄膜晶體管,該薄膜晶體管包括:設(shè)置在襯底基板1上的柵極1312 ;設(shè)置在柵極1312上的柵極絕緣層1313,并且柵極絕緣層1313同時(shí)設(shè)置在反射區(qū)域11和透射區(qū)域12的襯底基板1上;設(shè)置在柵極絕緣層1313上的有源層1314,有源層1314可以為氧化物半導(dǎo)體;設(shè)置在有源層1314上的有機(jī)刻蝕阻擋層1311,有機(jī)刻蝕阻擋層1311為一種光敏的有機(jī)材料(如Toray公司生產(chǎn)的SL4100),其通過曝光、顯影進(jìn)行圖案化,然后通過加熱烘烤進(jìn)行固化后形成;設(shè)置在有機(jī)刻蝕阻擋層1311和有源層1314上的源極1315和漏極1316。
[0031]氧化物半導(dǎo)體與傳統(tǒng)的非晶硅相比,具有較高的迀移率;與此同時(shí),制作工藝與低溫多晶硅相比較為簡單,因此,氧化物半導(dǎo)體在半反半透型顯示器有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于有源層為氧化物半導(dǎo)體的陣列基板,在所述薄膜晶體管131中設(shè)置有機(jī)刻蝕阻擋層1311的原因是,有機(jī)刻蝕阻擋層1311成膜過程中,只需要曝光形成圖形,不需要刻蝕過程,其對(duì)氧化物薄膜晶體管131的損傷比無機(jī)刻蝕阻擋層成膜過程對(duì)氧化物薄膜晶體管131的損傷小,而且成本更低。
[0032]但是考慮到有機(jī)刻蝕阻擋層1311對(duì)水、離子的隔絕能力較差,在薄膜晶體管區(qū)域13中的有機(jī)刻蝕阻擋層1311的厚度通常大于0.8微米。
[0033]本發(fā)明所提供的陣列基板通過將陣列基板中像素單元?jiǎng)澐譃榉瓷鋮^(qū)域、透視區(qū)域以及薄膜晶體管區(qū)域,并且將反射區(qū)域的有機(jī)膜層與薄膜晶體管區(qū)域的有機(jī)刻蝕阻擋層采用相同材料,且位于同一層,即在同一制作工藝步驟中形成,能夠有效減少一道有機(jī)膜制程,簡化了半反半透液晶顯示面板的制作工藝,降低了制作
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