液晶顯示器及其制造方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】液晶顯示器及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本專(zhuān)利申請(qǐng)要求于2014年5月28日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2014-0064577號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]所描述的技術(shù)主要涉及液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]液晶顯示器(IXD)使用液晶層顯示圖像。IXD根據(jù)其驅(qū)動(dòng)機(jī)制被分為面內(nèi)切換(IPS)模式、垂直配向(VA)模式和面至線切換(PLS)模式。
[0005]IXD使用水平或垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層以顯示圖像。具體地，液晶層的形成在電極上方的液晶分子在PLS模式下由于強(qiáng)邊緣電場(chǎng)而基本上平行于LCD的基板而旋轉(zhuǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]一個(gè)發(fā)明方面是液晶顯示器，該液晶顯示器能夠克服在應(yīng)用于制造高分辨率顯示面板的處理中的技術(shù)限制。
[0007]另一個(gè)方面是一種制造液晶顯示器的方法。
[0008]另一個(gè)方面是一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之間的液晶層。
[0009]第一基板包括:第一絕緣基板；形成在第一絕緣基板上的薄膜晶體管；絕緣層，覆蓋薄膜晶體管，包括上部和在距離第一絕緣基板的高度上不同于上部的下部，并且包括通過(guò)下部的一部分形成以暴露薄膜晶體管的漏電極的開(kāi)口部；參考電極，形成在絕緣層上；層間絕緣層，覆蓋參考電極；以及像素電極，形成在層間絕緣層上以通過(guò)開(kāi)口部電連接至漏電極。
[0010]另一個(gè)方面是一種制造液晶顯示器的方法，所述液晶顯示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、插入在第一基板和第二基板之間的液晶層，所述方法包括形成第一基板。通過(guò)以下形成第一基板:在第一絕緣基板上形成薄膜晶體管；形成有機(jī)絕緣圖案，該有機(jī)絕緣圖案覆蓋薄膜晶體管并且包括上部和在距離第一絕緣基板的高度上不同于上部的下部，該下部至少形成在薄膜晶體管的漏電極上；在有機(jī)絕緣圖案上形成參考電極；使用參考電極作為掩模蝕刻有機(jī)絕緣圖案以形成包括貫通形成以暴露漏電極的開(kāi)口部的絕緣層；形成層間絕緣層以覆蓋參考電極；以及在層間絕緣層上形成像素電極，使得像素電極通過(guò)開(kāi)口部電連接至漏電極。
[0011]另一個(gè)方面是一種液晶顯示器(IXD)，該液晶顯示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之間的液晶層。第一基板包括第一絕緣基板；薄膜晶體管(TFT)，形成在第一絕緣基板上方并且包括漏電極；以及絕緣層，覆蓋TFT并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，絕緣層具有通過(guò)下部形成從而曝露漏電極的開(kāi)口。第一基板還包括形成在絕緣層上方的參考電極；覆蓋參考電極的層間絕緣層；以及形成在層間絕緣層上方并且通過(guò)開(kāi)口電連接至漏電極的像素電極。
[0012]在以上IXD中，參考電極進(jìn)一步形成在上部和下部上方。在以上IXD中，參考電極曝露漏電極的至少一部分。
[0013]以上IXD進(jìn)一步包括保護(hù)層，形成在絕緣層下方從而覆蓋TFT，其中，保護(hù)層包括貫通形成的第一接觸孔從而曝露漏電極的至少一部分。
[0014]在以上IXD中，層間絕緣層基本上覆蓋參考電極并且具有貫通形成從而曝露漏電極的一部分的第二接觸孔。在以上LCD中，在第二接觸孔進(jìn)一步形成在開(kāi)口中。在以上LCD中，第二接觸孔的寬度小于開(kāi)口的寬度。
[0015]在以上LCD中，第一接觸孔具有與第二接觸孔的寬度對(duì)應(yīng)的寬度。在以上LCD中，第一接觸孔的寬度與開(kāi)口的寬度對(duì)應(yīng)。
[0016]在以上IXD中，像素電極通過(guò)第一接觸孔和第二接觸孔直接接觸漏電極。
[0017]在以上IXD中，第一基板進(jìn)一步包括濾色層，包括多個(gè)彩色像素；以及黑色矩陣，形成在彩色像素之間，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，下部和開(kāi)口形成在黑色矩陣形成的區(qū)域中。
[0018]在以上IXD中，第二基板進(jìn)一步包括第二絕緣基板，面向第一絕緣基板并且連接到第一絕緣基板；濾色層，形成在第二絕緣基板上方并且包括多個(gè)彩色像素；以及黑色矩陣，形成在彩色像素之間，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，下部和開(kāi)口形成在黑色矩陣形成的區(qū)域中。
[0019]另一個(gè)方面是一種制造液晶顯示器(IXD)的方法，所述液晶顯示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之間的液晶層。所述方法包括形成第一基板，所述形成第一基板包括在第一絕緣基板上形成包括漏電極的薄膜晶體管(TFT);形成有機(jī)絕緣圖案，該有機(jī)絕緣圖案i)覆蓋TFT并且ii)包括具有不同高度的上部和下部，其中，下部至少形成在漏電極上方；在有機(jī)絕緣圖案上方形成參考電極；以及使用參考電極作為掩模蝕刻有機(jī)絕緣圖案從而形成具有貫通形成的開(kāi)口的絕緣層，其中，開(kāi)口曝露漏電極。形成第一基板進(jìn)一步包括形成層間絕緣層從而覆蓋參考電極；以及在層間絕緣層上方形成像素電極，使得像素電極通過(guò)開(kāi)口部電連接至漏電極。
[0020]以上方法進(jìn)一步包括在形成TFT之后形成覆蓋TFT的第一無(wú)機(jī)絕緣層。在以上方法中，形成有機(jī)絕緣圖案包括在第一無(wú)機(jī)絕緣層上方形成感光有機(jī)絕緣層、以及使用半色調(diào)掩模通過(guò)曝光處理圖案化感光有機(jī)絕緣層，從而形成包括上部和下部的有機(jī)絕緣圖案。
[0021]在以上方法中，形成層間絕緣層包括在參考電極和有機(jī)絕緣圖案上方形成第二無(wú)機(jī)絕緣層；在第二無(wú)機(jī)絕緣層上形成具有貫通形成的開(kāi)孔的感光圖案；以及使用感光圖案作為掩模蝕刻第一無(wú)機(jī)絕緣層和第二無(wú)機(jī)絕緣層，從而分別通過(guò)第一無(wú)機(jī)絕緣層和第二無(wú)機(jī)絕緣層形成第一接觸孔和第二接觸孔，其中，第一接觸孔和第二接觸孔曝露漏電極的至少一部分。
[0022]在以上方法中，蝕刻第一無(wú)機(jī)絕緣層從而形成具有貫通形成的第一接觸孔的保護(hù)層，其中，當(dāng)使用參考電極作為掩模蝕刻有機(jī)絕緣圖案時(shí)，第一接觸孔與開(kāi)口對(duì)應(yīng)。
[0023]在以上方法中，形成層間絕緣層包括在參考電極和有機(jī)絕緣圖案上方形成第二無(wú)機(jī)絕緣層；在第二無(wú)機(jī)絕緣層上形成具有貫通形成的開(kāi)孔的感光圖案；以及使用感光圖案作為掩模蝕刻第二無(wú)機(jī)絕緣層，從而通過(guò)第二無(wú)機(jī)絕緣層形成第二接觸孔，使得通過(guò)第二接觸孔曝露漏電極的至少一部分。
[0024]在以上方法中，第二接觸孔形成在開(kāi)口中。在以上方法中，第二接觸孔的寬度小于開(kāi)口的寬度。
[0025]根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施方式的至少一個(gè)，絕緣層包括在薄膜晶體管所形成的區(qū)域中具有相對(duì)小厚度的下部，并且因此能夠降低用于形成通過(guò)層間絕緣層的接觸孔的感光層的厚度，通過(guò)該接觸孔曝露漏電極。因此，能夠精確地形成微接觸孔，并且能夠降低曝光處理的難度。
【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的框圖。
[0027]圖2是示出了在圖1中示出的像素的等效電路圖。
[0028]圖3是示出了在圖2中示出的液晶顯示面板的平面圖。
[0029]圖4是沿著在圖3中示出的線H-H’截取的截面圖。
[0030]圖5是示出了在圖4中示出的有機(jī)絕緣層的平面圖。
[0031]圖6A至圖6H是示出了在圖4中示出的第一基板的制造方法的截面圖。
[0032]圖7是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的液晶顯示面板的截面圖。
[0033]圖8A至圖8F是示出了在圖7中示出的第一基板的制造方法的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)由?、“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接或耦接至另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)提到一個(gè)元件直接在另一元件或?qū)由?、“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在介入元件或?qū)?。在全文中，相同的?shù)字表示相同的元件。如在本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)所列出的相關(guān)條目的任何和所有組合。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管本文中可使用“第一”、“第二”等術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，然而，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或者部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或者部分進(jìn)行區(qū)分。因此在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面所討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或者第一部分可被稱(chēng)為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或者第二部分。
[0036]為了便于描述，本文中使用的諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空間相關(guān)術(shù)語(yǔ)可用于描述如附圖中示出的一個(gè)元件或者特征與另一元件或者特征