陣列基板和顯示面板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板和顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜場效應晶體管液晶顯示器件(TFT-1XD)的生產(chǎn)成本降低、制造工藝的日益完善，使其成為平板顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)。液晶顯示器件的主要結(jié)構(gòu)為對盒的薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片，在陣列基板和彩色濾光片之間填充有液晶。其中，陣列基板包括交叉分布的柵線和數(shù)據(jù)線，用于限定像素區(qū)域。
[0003]在液晶顯示技術(shù)中，需要給液晶提供一定的預傾角，使得液晶按一定規(guī)則排列?，F(xiàn)有技術(shù)中，所述預傾角由專門制作的取向膜提供，具體的，所述取向膜上具有通過摩擦工藝形成的溝槽，所述溝槽用于為液晶提供一定的預傾角。
[0004]顯然，為了給液晶提供一定的預傾角，需要增加制作取向膜的材料和工藝，增加了液晶顯示器件的生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板和顯示面板及其制作方法、顯示裝置，用以簡化制作工藝，降低生成成本。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例中提供一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底基板上的透明電極，所述透明電極位于所述陣列基板的最外層，所述透明電極上設(shè)置有感光層，所述感光層與所述透明電極的圖案一致，且所述感光層的表面形成有用于對液晶分子進行取向的溝槽。
[0007]本發(fā)明實施例中提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0008]在襯底基板上形成透明電極，所述制作方法還包括:
[0009]在所述透明電極上形成感光層，所述感光層與所述透明電極的圖案一致；
[0010]在所述感光層的表面形成用于對液晶分子進行取向的溝槽。
[0011]本發(fā)明實施例中提供一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。
[0012]本發(fā)明實施例中提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。
[0013]本發(fā)明實施例中提供一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，所述制作方法包括采用如上所述的制作方法制得所述陣列基板。
[0014]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0015]上述技術(shù)方案中，陣列基板包括位于最外層的透明電極，所述透明電極為像素電極或公共電極。所述透明電極上設(shè)置有感光層，并通過同一構(gòu)圖工藝形成所述透明電極和感光層，使得所述透明電極和感光層的圖案一致，并在所述感光層的表面形成用于對液晶分子進行取向的溝槽，為液晶分子提供一定的預傾角，從而缺省了現(xiàn)有技術(shù)中的取向膜，簡化了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1表示本發(fā)明實施例中ADS型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2表示本發(fā)明實施例中感光層的局部放大示意圖；
[0019]圖3表示本發(fā)明實施例中ADS型TFT顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括位于最外層的透明電極，所述透明電極為像素電極或公共電極。所述透明電極上設(shè)置有感光層，并通過同一構(gòu)圖工藝形成所述透明電極和感光層，使得所述透明電極和感光層的圖案一致，并在所述感光層的表面形成用于對液晶分子進行取向的溝槽，為液晶分子提供一定的預傾角，從而缺省了現(xiàn)有技術(shù)中的取向膜，簡化了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0021]具體的，在制作所述透明電極的構(gòu)圖工藝中，首先在制作所述透明電極的透明導電薄膜上涂覆感光薄膜，然后對所述感光薄膜進行曝光，顯影，形成所述感光層，以所述感光層為阻擋刻蝕所述透明導電薄膜，形成所述透明電極，其中，所述感光層與所述透明電極的圖案一致。不同于現(xiàn)有技術(shù)中的是，本發(fā)明在所述構(gòu)圖工藝中，最后不剝離其上的感光層，而是在所述感光層的表面形成有用于對液晶分子進行取向的溝槽，取代現(xiàn)有技術(shù)中的取向膜。
[0022]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0023]結(jié)合圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例中提供一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底基板100上的透明電極1，透明電極1為像素電極或公共電極，位于陣列基板的最外層，在對盒形成液晶顯示面板時，透明電極1位于所述陣列基板靠近液晶分子10的一側(cè)，如圖3所示。
[0024]透明電極1上設(shè)置有感光層2，具體可以以感光層2為阻擋進行刻蝕工藝，形成透明電極1，使得感光層2的圖案與透明電極1的圖案一致，且感光層1的表面形成有用于對液晶分子進行取向的細微溝槽11，溝槽11用于為液晶分子10提供一定的預傾角。
[0025]本發(fā)明的技術(shù)方案通過與公共電極或像素電極由同一構(gòu)圖工藝形成的感光層來取代現(xiàn)有技術(shù)中的取向模，簡化了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0026]其中，感光層2的材料通常為感光樹脂，具有足夠大的光透過率，不會影響正常的顯示。感光層2的材料具體可以為正性光刻膠或負性光刻膠。
[0027]優(yōu)選地，結(jié)合圖2和圖3所示，感光層2表面的溝槽11內(nèi)設(shè)置有錨定層12，用于增加對液晶分子10進行取向的錨定力，改善由于存在不規(guī)則電磁場造成液晶分子10不規(guī)則偏轉(zhuǎn)的問題。
[0028]本發(fā)明實施例中，制作錨定層12的材料分子結(jié)構(gòu)包括液晶態(tài)的主鏈和光聚合的側(cè)鏈，錨定層12位于感光層2表面的溝槽11內(nèi)，溝槽11用于為液晶分子10提供一定的預傾角，使液晶分子10規(guī)則排列。錨定層12的主鏈與液晶分子10的結(jié)構(gòu)相似，能夠增加對液晶分子10的銷定力，減小液晶分子10的預傾角，從而減小干擾電磁場對液晶分子10偏轉(zhuǎn)的影響，使得液晶分子10的取向效果良好，提升顯示品質(zhì)。而錨定層12的側(cè)鏈具有光聚合特性，能夠使得制作錨定層12的材料聚合固化在溝槽11內(nèi)，與溝槽11配合實現(xiàn)對液晶分子10的錨定，并增加錨定力的作用。
[0029]具有上述分子結(jié)構(gòu)的材料具有介晶性，也稱為液晶態(tài)，與液晶顯示用的液晶分子10具有相似的主鏈，不同的側(cè)鏈。
[0030]目前，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)按照顯示模式可以分為:扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面轉(zhuǎn)換(IPS，In Plane Switching)型和高級超維場開關(guān)(ADS,Advanced Super Dimens1n Switch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0031]對于ADS型TFT-1XD，其公共電極和像素電極均形成在陣列基板上，公共電極和像素電極均由透明導電材料制得。本發(fā)明實施例中的透明電極1位于陣列基板的最外側(cè)，為狹縫電極，其上具有多個狹縫。所述透明電極1可以為公共電極，也可以為像素電極。
[0032]通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠缺省現(xiàn)有技術(shù)中的取向模，簡化ADS型TFT陣列基板的制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0033]如圖1所示，以ADS型TFT陣列基板為例，本發(fā)明實施例中的陣列基板具體包括:
[0034]襯底基板100，為透明基板，如:玻璃基板、石英基板、有機樹脂基板；
[0035]設(shè)置在襯底基板100上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，限定多個像素區(qū)域；
[0036]每個像素區(qū)域包括:
[0037]設(shè)置在第一襯底基板100上的薄膜晶體管4，薄膜晶體管4包括柵電極5、有源層6、源電極7和漏電極8，在柵電極5和有源層6之間設(shè)置有柵絕緣層101，柵絕緣層101的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，柵絕緣層101的材料可以是SiNx，Si0x或Si (ON)xo源電極4和漏電極5的至少一部分與有源層3接觸設(shè)置；
[0038]像素電極3，像素電極3與薄膜晶體管4的漏電極8電性連接；
[0039]覆蓋薄膜晶體管4和像素電極3的保護層102，保護層102的材料同樣可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物；
[0040]設(shè)置在保護層102上的公共電極1，與像素電極3的位置對應，公共電極1上具有多個狹縫，用于與像素電極3配合形成驅(qū)動電場；
[0041]位于公共電極1上的感光層2，感光層2與公共電極1的圖案一致，感光層2的表面形成有用于對液晶分子進行取向的溝槽11，如圖2所示。
[0042]其中，薄膜晶體管4可以為底柵型薄膜晶體管，也可以為頂柵型薄膜晶體管、共面結(jié)構(gòu)薄膜晶體管，在此并不作限定。說明書附圖中僅以底柵型薄膜晶體管為例進行示意。
[0043]對于ADS型TFT陣列基板，由于柵線和數(shù)據(jù)線的線寬受到曝光機精度的限制，無法無限窄。因此，在柵線和數(shù)據(jù)線的上方?jīng)]有規(guī)則的電磁場，導致周邊液晶分子會發(fā)生不規(guī)則偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案中通過在感光層2上的取向溝槽11中設(shè)置錨定層12，能夠增加對液晶分子的錨定力，有效改善上述不規(guī)則電磁場造成的液晶分子取向效果不好的問題，提升顯示質(zhì)量。
[0044]如圖3所示，本發(fā)明實施例中還提供一種顯示面板，包括彩膜基板10和如上所述的陣列基板，用以簡化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0045]當所述顯示面板應用于顯示裝置上時，不僅能夠降低產(chǎn)品的制作成本，還能夠提升顯示品質(zhì)。
[0046]基于同一發(fā)明