此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用W解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所設(shè)及到的技術(shù)特征只要 彼此之間未構(gòu)成沖突就可W相互組合。
[0030] 如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的單模光纖，包括有忍層和包層，忍層00由滲氣（F) 的石英玻璃組成；圍繞在忍層的是包層。包層有=個(gè)分層，第一分層31緊密圍繞忍層，由滲 氣（巧的石英玻璃組成；第二分層32緊密圍繞第一分層31，由滲氣（巧的石英玻璃組成，其 相對(duì)折射率A32小于第一分層31的相對(duì)折射率A31 ;第=分層33緊密圍繞第二分層32， 第=分層的直徑D33為124ym~126ym，第=分層為純二氧化娃石英玻璃層，即其相對(duì)折 射率A33為0%。各個(gè)分層的相對(duì)折射率如圖3所示。
[0031] 如圖2所示，在另一個(gè)實(shí)施例中，包層有四個(gè)分層，第一分層41緊密圍繞忍層，由 滲氣（巧的石英玻璃組成；第二分層42緊密圍繞第一分層41，由滲氣（巧的石英玻璃組 成，其相對(duì)折射率A42小于第一分層41的相對(duì)折射率A41 ;第=分層43緊密圍繞第二分 層42,由滲氣（巧的石英玻璃組成，其相對(duì)折射率A43不小于第一分層41的相對(duì)折射率 A41 ;第四分層44緊密圍繞第=分層43，第四分層的直徑D44為124ym~126ym，第四分 層為純二氧化娃石英玻璃層，即其相對(duì)折射率A44為0%。各個(gè)分層的相對(duì)折射率如圖4 所示。
[0032]按照上述單模光纖的技術(shù)方案，在其所規(guī)定的范圍內(nèi)對(duì)光纖的參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，并 通過(guò)我們熟知的等離子體化學(xué)氣相沉積（Plasma化emicalVaporD巧osition，PCVD)工 藝、MCVD工藝、OVD工藝或VAD工藝等忍棒制造工藝來(lái)根據(jù)光纖的設(shè)計(jì)要求制造忍棒，通過(guò) 套管工藝、POD工藝（等離子體外噴工藝，plasmaoutsided巧osition)、0VD工藝或VAD 工藝等外包工藝來(lái)完成整個(gè)預(yù)制棒的制造。PCVD工藝和POD工藝在進(jìn)行高濃度的滲氣（F) 時(shí)，具有一定的優(yōu)勢(shì)。
[0033] 預(yù)制棒制備完成后，在拉絲塔上進(jìn)行光纖的拉絲。一般的，該類型光纖預(yù)制棒的拉 絲速度不高于800m/min，拉絲張力不高于60邑。
[0034] 所拉光纖的折射率剖面使用NR-9200設(shè)備巧XF0公司）進(jìn)行測(cè)試。光纖的折射率 剖面的主要參數(shù)如表1所示。
[00巧]表1 :光纖的結(jié)構(gòu)參數(shù)
[0036]
[0038] 所拉光纖的主要性能參數(shù)如表2所示。光纖在設(shè)定的劑量率與總劑量下進(jìn)行福 照，使用0TDR設(shè)備測(cè)試其光纖衰減的變化。
[003引表2 :光纖的主要性能
[0040]
[0041] 從實(shí)施例可W看出：1.忍層滲F濃度對(duì)光纖的抗福射性能及衰減會(huì)產(chǎn)生影響，適 當(dāng)提高忍層滲F的濃度，可W提高光纖的抗福射性能，例如實(shí)施例4和實(shí)施例3。然而，過(guò)高 濃度的F滲雜，會(huì)引起忍層材散射損耗的增加，如實(shí)施5和實(shí)施例4,同時(shí)，對(duì)制造成本和工 藝難度也有一定的影響；2.包層中的純二氧化娃石英玻璃分層，其寬度將改變光纖的材料 結(jié)構(gòu)和應(yīng)力分布，同時(shí)，會(huì)對(duì)光纖的波導(dǎo)性能產(chǎn)生影響。當(dāng)該分層寬度增加時(shí)，該分層會(huì)承 擔(dān)更多的拉絲過(guò)程中形成的張應(yīng)力，降低光纖忍層中缺陷的產(chǎn)生，對(duì)降低光纖的衰減和提 高其抗福射性能有積極的作用，例如實(shí)施例1和實(shí)施例2,然而，因?yàn)樵摲謱诱凵渎首畲螅?果其寬度過(guò)大，則該分層就越靠近忍層，運(yùn)會(huì)對(duì)光纖的波導(dǎo)產(chǎn)生不利的影響，光纖忍層中的 功率會(huì)泄露到該包層中，造成光纖衰減的增加，例如實(shí)施例2和實(shí)施例6 ;3.包層中的其它 分層為滲氣二氧化娃石英玻璃，其中的折射率下陷的最深的滲F分層對(duì)光纖的抗彎曲性能 的提高有積極的作用。其寬度或者深度的增加都將進(jìn)一步的改善光纖的彎曲性能，例如實(shí) 施例1和實(shí)施例2,實(shí)施例2和實(shí)施例7,實(shí)施例2和實(shí)施例8。然而，寬度和深度的增加也 意味著成本和工藝難度的增加。在滿足一定彎曲要求的前提條件下，需要找到合適的寬度 和深度的結(jié)構(gòu)參數(shù)。4個(gè)分層的結(jié)構(gòu)相比較于3個(gè)分層的結(jié)構(gòu)而言，多了一個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì) 上的維度，更有利于改進(jìn)光纖的抗彎曲性能，同時(shí)兼顧成本和工藝。例如實(shí)施例9和實(shí)施例 10。
[0042] 實(shí)驗(yàn)表明，按照本發(fā)明的技術(shù)方案所制造的光纖，截止波長(zhǎng)在700nm-1000nm，在 750nm~lOSOnm工作波長(zhǎng)范圍內(nèi)，其MFD為3ym-7ym，光纖衰減小于3地/虹1，宏彎損耗小 于0. 5地/(OlOmm-圈），其福照后的附加衰減小于5地/100m(l(K)rad/s劑量率，9X10化ad 總劑量）。
[0043] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，W上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用W 限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含 在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種單模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于，芯層為摻氟二氧化硅石英玻璃，芯 層的直徑Dcore為3ym至6ym，芯層的相對(duì)折射率A1的范圍為-〇. 3%至-〇. 1 %，圍繞在 芯層外有包層。2. 如權(quán)利要求1所述的單模光纖，其特征在于，該包層含3個(gè)以上分層，其中有一個(gè)分 層為純二氧化硅石英玻璃分層，其它分層為摻氟二氧化硅石英玻璃分層。3. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，包層的直徑Dclad為124 y m至 126ym〇4. 如權(quán)利要求3所述的單模光纖，其特征在于，該光纖的截止波長(zhǎng)為700nm至lOOOnm。5. 如權(quán)利要求1或4所述的單模光纖，其特征在于，包層有3個(gè)分層，第一個(gè)分層緊 密環(huán)繞芯層，該分層為摻氟二氧化硅石英玻璃，該分層的相對(duì)折射率A31與芯層的相對(duì) 折射率Al之差為0.4%蘭AI-A31蘭0.6%，A31的范圍為-0.9 %至-0.5%，該分 層的直徑D31為20ym至65ym;第二個(gè)分層緊密環(huán)繞第一個(gè)分層，該分層為摻氟二氧 化硅石英玻璃，該分層的相對(duì)折射率A32與第一個(gè)分層的相對(duì)折射率A31之差為0% 〈A31-A32蘭0.05%，A32的范圍為-LO%至-0.5%，該分層的直徑D32為80ym至 110ym;第三個(gè)分層緊密環(huán)繞第二個(gè)分層，其相對(duì)折射率A33為0%，該分層的直徑D33為 124ym至 126ym。6. 如權(quán)利要求1或4所述的單模光纖，其特征在于，包層有4個(gè)分層，第一個(gè)分層 緊密環(huán)繞芯層，該分層為摻氟二氧化硅石英玻璃，該分層的相對(duì)折射率A41與芯層的相 對(duì)折射率Al滿足0.4%蘭Al-A41蘭0.6%，A41的范圍為-0.9 %至-0.5%，該分 層的直徑D41為20ym至30ym;第二個(gè)分層緊密環(huán)繞第一個(gè)分層，該分層為摻氟二氧 化硅石英玻璃，該分層的相對(duì)折射率A42與第一個(gè)分層的相對(duì)折射率A41之差為0% 〈A41-A42蘭0. 25%，A42的范圍為-1.2%至-0.7%，該分層的直徑042為25以111至 40ym;第三個(gè)分層緊密環(huán)繞第二個(gè)分層，該分層為摻氟二氧化硅石英玻璃，該分層與第一 分層相對(duì)折射率之差為〇%蘭A43-A41蘭0.05%，該分層的直徑D43為80ym至IlOym; 第四個(gè)分層緊密環(huán)繞第三個(gè)分層，該分層為純二氧化硅石英玻璃，該分層的相對(duì)折射率 A44為0%，該分層的直徑D44為124ym至126ym。7. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其在750nm~1080nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的MFD為 3ym~7ym〇8. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其光纖衰減在750nm~1080nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)小于 3dB/km〇9. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其在?IOmm直徑繞一圈的條件下，宏彎損耗在 750nm~1080nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)小于0. 5dB。10. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其在100rad/S劑量率，9 X 10 9rad總劑量的條 件下福照后的附加衰減小于5dB/1OOm。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種在特殊波段使用的具有較好的抗彎曲性能的抗輻射單模光纖，該光纖由摻氟的芯層以及包層組成，包層有3個(gè)或4個(gè)分層，其中一個(gè)分層為純二氧化硅石英玻璃，其它分層為摻氟二氧化硅石英玻璃分層。本發(fā)明光纖的截止波長(zhǎng)為700nm-1000nm，工作波長(zhǎng)范圍為750nm～1080nm，其MFD為3μm-7μm，光纖衰減小于3dB/km。本發(fā)明光纖具有較好的抗彎曲性能，其宏彎損耗小于0.5dB/(Φ10mm一圈)。同時(shí)，本發(fā)明光纖具有抗輻射性能，其輻照后的附加衰減小于5dB/100m(100rad/s劑量率，9×109rad總劑量)。
【IPC分類】G02B6/036, G02B6/12, G02B6/02, G02B6/028
【公開(kāi)號(hào)】CN105182471
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510512775
【發(fā)明人】楊晨, 汪洪海, 韋會(huì)峰, 王忠太, 陳蘇, 曹蓓蓓
【申請(qǐng)人】長(zhǎng)飛光纖光纜股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年8月19日