液晶電容器，Cst表不存儲(chǔ)電容器，Cgd表 示TFT的柵極和漏極之間的寄生電容值。
[0068] 此外，Λ Vp表示像素電壓的改變。Λ Vp是由通過形成有TFT的柵極的區(qū)域和形 成有TFT的漏極的區(qū)域的交疊而形成的寄生電容造成的。
[0069] 當(dāng)各像素區(qū)中的TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，施加到液晶電容器Clc和存儲(chǔ)電容器Cst 的電壓因像素電壓的改變"Λ Vp"而失真，而沒有被寄生電容器Cgd保持，從而造成閃爍。
[0070] 在等式⑴中，當(dāng)假設(shè)柵電壓的改變"AVg"、寄生電容器Cgd和液晶電容器Clc 具有固定值時(shí)，基于存儲(chǔ)電容器Cst的大小確定像素電壓的改變量"Λ Vp"。
[0071] 可以基于第一像素電極131和第二像素電極132與第一公共電極121和第二公共 電極122交疊的區(qū)域的大小，確定存儲(chǔ)電容器Cst。另選地，可以基于形成在第一像素電極 131和第二像素電極132與第一公共電極121和第二公共電極122之間的保護(hù)層的厚度，確 定存儲(chǔ)電容器Cst。
[0072] 如圖3A和圖3B中所示，當(dāng)實(shí)現(xiàn)不對(duì)稱RGBW結(jié)構(gòu)時(shí)，形成在第一像素區(qū)SPl中的 第一像素電極131的面積不同于形成在第二像素區(qū)SP2中的第二像素電極132的面積。在 一個(gè)實(shí)施方式中，第二像素電極132小于第一像素電極131。因此，形成在第一像素區(qū)SPl 中的存儲(chǔ)電容器Cst的大小不同于形成在第二像素區(qū)SP2中的存儲(chǔ)電容器Cst的大小。
[0073] 因此，第一像素區(qū)SPl中像素電壓的改變"AVp"不同于第二像素區(qū)SP2中像素 電壓的改變"Λ Vp"。結(jié)果，即使當(dāng)相同電平的公共電壓被施加到第一公共電極121和第二 公共電極122時(shí)，在造成閃爍的圖像的幀中，充入到形成在第一像素區(qū)SP1中的存儲(chǔ)電容器 Cst中的電壓和充入到形成在第二像素區(qū)SP2中的存儲(chǔ)電容器Cst中的電壓不同。
[0074] 因此，在第一實(shí)施方式中，在不對(duì)稱RGBW結(jié)構(gòu)中，第一像素區(qū)SPl中存儲(chǔ)電容器的 第一電容"C1"與第二像素區(qū)SP2中存儲(chǔ)電容器的第二電容"C2"相同，第二像素區(qū)SP2的 面積不同于第一像素區(qū)SPl的面積。第一像素電極131與第一公共電極121相交疊的第一 面積與第二像素電極132與第二公共電極122相交疊的第二面積相同。
[0075] 為了實(shí)現(xiàn)不對(duì)稱RGBW結(jié)構(gòu)，在第一實(shí)施方式中，第一公共電極121包括狹縫部分 153,在狹縫部分153中，第一公共電極121的一部分在第一像素區(qū)SPl中開口，第二公共電 極122包括狹縫部分156,在狹縫部分156中，第二公共電極122的一部分在第二像素區(qū)SP2 中開口。
[0076] 換句話講，第一公共電極121包括第一公共電極部分151和第二公共電極部分 152,第一公共電極部分151形成在數(shù)據(jù)線111在第一像素區(qū)SPl中延伸的方向上，第二公 共電極部分152形成在選通線101從第一公共電極部分151延伸的方向上。另外，第一公 共電極121可以包括通過第一公共電極部分151和第二公共電極部分152提供的第一狹縫 部分153。
[0077] 此外，第二公共電極122包括第三公共電極部分154和第四公共電極部分155,第 三公共電極部分154形成在數(shù)據(jù)線111在第二像素區(qū)SP2中延伸的方向上，第四公共電極 部分155形成在選通線102從第三公共電極部分154延伸的方向上。另外，第二公共電極 122可以包括通過第三公共電極部分154和第四公共電極部分155提供的第二狹縫部分 156。
[0078] 為了提供額外的描述，第一公共電極121表示形成在第一像素區(qū)SPl中的公共電 極，第二公共電極122表示形成在第二像素區(qū)SP2中的公共電極。另一方面，第一公共電極 部分151表示在第一公共電極121與第一像素電極131交疊的區(qū)域中在與數(shù)據(jù)線111平行 的方向上延伸的公共電極區(qū)域，第二公共電極部分152表示在第二公共電極121與第一像 素電極131交疊的區(qū)域中在與選通線102平行的方向上延伸的公共電極區(qū)域。第三公共電 極部分154表示在第二公共電極122與第二像素電極132交疊的區(qū)域中在與數(shù)據(jù)線111平 行的方向上延伸的公共電極區(qū)域，第四公共電極部分155表示在第二公共電極122與第二 像素電極132交疊的區(qū)域中在與選通線102平行的方向上延伸的公共電極區(qū)域。
[0079] 此外，第一公共電極部分151至第四公共電極部分154中的每一個(gè)可以被設(shè)置成 多個(gè)。因此，第一狹縫部分153和第二狹縫部分156中的每一個(gè)可以被設(shè)置成多個(gè)。
[0080] 在第一實(shí)施方式中，如圖3A、圖3B、圖4A和圖4B中所示，形成在第一像素區(qū)SPl 中的第一公共電極121的第一公共電極部分151的寬度比形成在第二像素區(qū)SP2中的第二 公共電極122的第三公共電極部分154的寬度窄。
[0081] 因此，通過調(diào)節(jié)狹縫153的寬度來調(diào)節(jié)第一公共電極121的第一公共電極部分151 的寬度并且通過調(diào)節(jié)狹縫156的寬度來調(diào)節(jié)第二公共電極122的第三公共電極部分154的 寬度，可以調(diào)節(jié)第一像素區(qū)SPl中第一像素電極131與第一公共電極121相交疊的第一交 疊面積，可以調(diào)節(jié)第二像素區(qū)SP2中第二像素電極132與第二公共電極122相交疊的第二 交疊面積。這里，第一交疊面積可以與第二交疊面積相同。因此，可以防止因像素電壓的改 變量"Λ Vp"的偏差造成的閃爍。
[0082] 圖5A是根據(jù)第二實(shí)施方式的邊緣場IXD裝置的第一像素區(qū)的正視圖，圖5B是根 據(jù)第二實(shí)施方式的邊緣場IXD裝置的第二像素區(qū)的正視圖。
[0083] 第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式具有相同的技術(shù)范圍和精神，可以相組合。不提供 對(duì)上述元件的重復(fù)性描述。
[0084] 參照?qǐng)D5A、圖5B、圖6A和圖6B描述第二實(shí)施方式。
[0085] 如圖5A、圖5B、圖6A和圖6B中所示，第二像素電極232具有水平寬度和垂直長度。 第二公共電極222具有水平寬度和垂直長度。類似地，狹縫253具有水平寬度和垂直長度。 通過狹縫253的第一水平邊緣253a和第二水平邊緣253b限定狹縫253的垂直長度。形成 在第一像素區(qū)SPl中的第一公共電極221的第二公共電極部分的長度比形成在第二像素區(qū) SP2中的第二公共電極222的第四公共電極部分的長度窄。
[0086] 也就是說，如圖5B和圖6B中所示，調(diào)節(jié)形成在第二像素區(qū)SP2中的第二公共電極 222的第四公共電極部分的長度，使得在第二像素區(qū)SP2中，第二公共電極222與第二像素 電極232相交疊達(dá)距離Z和距離Z'。距離Z被定義為從狹縫256的第一水平邊緣256a到 第二像素電極232的底部水平邊緣257a的長度。距離Z'被定義為從狹縫256的第二水平 邊緣256b到第二像素電極232的頂部水平邊緣257b的長度。第一像素區(qū)SPl中的第一公 共電極部分的寬度和第二像素區(qū)SP2中的第三公共電極部分的寬度基本上相同。
[0087] 因此，可以調(diào)節(jié)第一像素區(qū)SPl中第一像素電極231與第一公共電極221相交疊 的第三交疊面積，可以通過調(diào)節(jié)第四公共電極部分的長度來調(diào)節(jié)第二像素區(qū)SP2中的第二 像素電極232與第二公共電極222相交疊的第四交疊面積。這里，第三交疊面積可以與第 四交疊面積相同。因此，可以防止因像素電壓的改變量"AVp"的偏差造成的閃爍。
[0088] 如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場IXD裝置中，由于像素區(qū)的大小是 不對(duì)稱地設(shè)計(jì)的，因此R、G和B純色亮度可以增大，并且可以防止色坐標(biāo)改變。
[0089] 此外，在根據(jù)本文的實(shí)施方式的邊緣場IXD裝置中，由于形成在像素區(qū)中的像素 電極和公共電極彼此交疊的區(qū)域被設(shè)計(jì)成具有恒定的大小而不管像素區(qū)的大小是多少，因 此可以防止由于因像素區(qū)大小的不對(duì)稱設(shè)計(jì)造成的像素電壓改變量"Λ Vp"的不平衡而導(dǎo) 致出現(xiàn)閃爍。
[0090] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本 發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明意圖涵蓋本發(fā)明的這些修改和變化，只要它們落 入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】